JP2974580B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2974580B2 JP2974580B2 JP6248989A JP24898994A JP2974580B2 JP 2974580 B2 JP2974580 B2 JP 2974580B2 JP 6248989 A JP6248989 A JP 6248989A JP 24898994 A JP24898994 A JP 24898994A JP 2974580 B2 JP2974580 B2 JP 2974580B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はコンピュータの外部記録
装置、特には磁気ハードディスクに有用な磁気記録媒体
及びその製造方法に関するものである。
装置、特には磁気ハードディスクに有用な磁気記録媒体
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】情報化社会の進展にともない、大容量の
記録媒体が必要とされ、特にコンピュータの外部メモリ
として中心的な役割をはたしている磁気ディスクは年々
記録容量、記録密度ともに増加しているが、さらに高密
度な記録を行なうために開発が進められている。特に、
ノート型パソコンやパームトップパソコンの開発により
小型のディスクが必要なため、より高密度記録が望まれ
ている。
記録媒体が必要とされ、特にコンピュータの外部メモリ
として中心的な役割をはたしている磁気ディスクは年々
記録容量、記録密度ともに増加しているが、さらに高密
度な記録を行なうために開発が進められている。特に、
ノート型パソコンやパームトップパソコンの開発により
小型のディスクが必要なため、より高密度記録が望まれ
ている。
【０００３】このような磁気ディスクにおいて記録媒体
の強度、表面の平滑度、そり、重量等の特性のほとんど
は基板によるものである。従来から、基板にはＮｉＰを
メッキしたアルミ合金基板が用いられているが、Ａｌ合
金は柔らかいために、基板の厚みを薄くできなかった
り、ハンドリングの最中に傷がつきやすかったり、衝撃
によって凹んだりするという問題があった。
の強度、表面の平滑度、そり、重量等の特性のほとんど
は基板によるものである。従来から、基板にはＮｉＰを
メッキしたアルミ合金基板が用いられているが、Ａｌ合
金は柔らかいために、基板の厚みを薄くできなかった
り、ハンドリングの最中に傷がつきやすかったり、衝撃
によって凹んだりするという問題があった。
【０００４】そこで、基板に単結晶シリコンを用いるこ
とが提案（特公平 1-42048、特公平2-41089、特公平 2-
59523、特公平 1-45140、特開平 6-68463、特開平 6-28
655、特開平4-259908、IUMRS-ICAM-93 VBb1.3）されて
いる。特公平 2-41089ではシリコン基板を用いる時には
半導体で用いるような基板を用い、下地層を形成してか
ら、鉄合金、コバルト合金などの磁性体からなる記録膜
を形成することが開示されている。
とが提案（特公平 1-42048、特公平2-41089、特公平 2-
59523、特公平 1-45140、特開平 6-68463、特開平 6-28
655、特開平4-259908、IUMRS-ICAM-93 VBb1.3）されて
いる。特公平 2-41089ではシリコン基板を用いる時には
半導体で用いるような基板を用い、下地層を形成してか
ら、鉄合金、コバルト合金などの磁性体からなる記録膜
を形成することが開示されている。
【０００５】特公平 2-59523では塗布型記録媒体におい
て、シリコン基板に凹凸をつける手法が記載されている
が、記録密度が高くなるに従って、記録膜が薄くなり、
かつ情報を記録、再生している時の磁気ヘッドと記録媒
体との距離（フライングハイト）が 0.1μｍ以下と低く
なっているが、この文献にあるような大きな突起を形成
してしまうとフライングハイトが低くできないため、シ
リコンの優れた表面性を十分に利用することができない
上に工程が煩雑となる。しかし、基板表面を平滑にしす
ぎるとＣＳＳ特性が悪くなるため、同心円状のテクスチ
ャリングを施すことが特開平4-259908に開示されてい
る。
て、シリコン基板に凹凸をつける手法が記載されている
が、記録密度が高くなるに従って、記録膜が薄くなり、
かつ情報を記録、再生している時の磁気ヘッドと記録媒
体との距離（フライングハイト）が 0.1μｍ以下と低く
なっているが、この文献にあるような大きな突起を形成
してしまうとフライングハイトが低くできないため、シ
リコンの優れた表面性を十分に利用することができない
上に工程が煩雑となる。しかし、基板表面を平滑にしす
ぎるとＣＳＳ特性が悪くなるため、同心円状のテクスチ
ャリングを施すことが特開平4-259908に開示されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、記録膜が薄
くなるにしたがって、記録膜等の成膜はメッキや塗布に
変わって、スパッタ法で行なうことが一般的に行なわれ
ている。一般に記録膜である磁性体の保磁力が大きいほ
ど、高記録密度化が可能である。このため、保磁力を上
げるため研究が行なわれており、記録膜と基板の間の下
地層と呼ばれるＣｒやＣｒ合金などの層を設けたり、成
膜時に基板を 250℃から 300℃程度に加熱することが一
般的に行なわれている。
くなるにしたがって、記録膜等の成膜はメッキや塗布に
変わって、スパッタ法で行なうことが一般的に行なわれ
ている。一般に記録膜である磁性体の保磁力が大きいほ
ど、高記録密度化が可能である。このため、保磁力を上
げるため研究が行なわれており、記録膜と基板の間の下
地層と呼ばれるＣｒやＣｒ合金などの層を設けたり、成
膜時に基板を 250℃から 300℃程度に加熱することが一
般的に行なわれている。
【０００７】しかし、シリコンを基板として用いた時の
保磁力は、例えば一般に用いられている磁気記録媒体の
記録膜であるCoCrTa合金を用い、ＤＣまたはＲＦスパッ
タで成膜を行なった時は、磁化容易軸が基板面内にある
ときは、Ｃｒを下地層として用いても、保磁力は 1,000
Ｏｅ〜 1,300Ｏｅと低い。
保磁力は、例えば一般に用いられている磁気記録媒体の
記録膜であるCoCrTa合金を用い、ＤＣまたはＲＦスパッ
タで成膜を行なった時は、磁化容易軸が基板面内にある
ときは、Ｃｒを下地層として用いても、保磁力は 1,000
Ｏｅ〜 1,300Ｏｅと低い。
【０００８】保磁力を大きくするためにはアルミ基板で
は成膜時に基板にマイナスの電圧をかけてスパッタ成膜
を行なう、バイアススパッタが効果的であることが知ら
れている（特公平 5-72015）。バイアススパッタ時に基
板に流れる電流（バイアス電流）はわずかのため、若干
の電気伝導性があればバイアススパッタによって保磁力
の増大の効果が期待できる。シリコンの場合、ボロンや
リンなどを添加することで導電性をだすことができるこ
とが知られており（倍風館「アドバンストエレクトロニ
クスシリーズＩ−５シリコン」、IUMRS-ICAM-93 VBb1.
3）、基板製造上10Ωcm程度のものが便利である。
は成膜時に基板にマイナスの電圧をかけてスパッタ成膜
を行なう、バイアススパッタが効果的であることが知ら
れている（特公平 5-72015）。バイアススパッタ時に基
板に流れる電流（バイアス電流）はわずかのため、若干
の電気伝導性があればバイアススパッタによって保磁力
の増大の効果が期待できる。シリコンの場合、ボロンや
リンなどを添加することで導電性をだすことができるこ
とが知られており（倍風館「アドバンストエレクトロニ
クスシリーズＩ−５シリコン」、IUMRS-ICAM-93 VBb1.
3）、基板製造上10Ωcm程度のものが便利である。
【０００９】しかし、シリコン基板の場合、一般に量産
に用いられている、枚葉型や通過型などのスパッタ装置
で、バイアススパッタを行なっても、保磁力を大きくす
ることはできないという問題がある。
に用いられている、枚葉型や通過型などのスパッタ装置
で、バイアススパッタを行なっても、保磁力を大きくす
ることはできないという問題がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の点を解決
したもので、これはシリコンを基板として用い、成膜プ
ロセスをバイアススパッタ法を用いて行う磁気記録媒体
の製造方法において、該基板と基板保持材との接触抵抗
を10ｋΩ以下としたことを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法を要旨とするものである。
したもので、これはシリコンを基板として用い、成膜プ
ロセスをバイアススパッタ法を用いて行う磁気記録媒体
の製造方法において、該基板と基板保持材との接触抵抗
を10ｋΩ以下としたことを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法を要旨とするものである。
【００１１】本発明のシリコン基板とスパッタ時の基板
支持材との接触抵抗を10ｋΩ以下とすることで、スパッ
タ成膜する時に、基板にバイアス電圧をかけることによ
って記録層が例えばCoCrTa合金の場合、従来法では成膜
時の基板温度をあげることによって保磁力をあげる方法
がとられているが、温度を上げ過ぎるとＣｏ合金が相変
化して、保磁力が低下してしまうため、シリコン基板を
用いた時には 1,300Ｏｅ程度までしか保磁力をあげるこ
とができないのに対して、本発明によると保磁力は 1,4
00Ｏｅから 1,600Ｏｅ以上にまで大きくすることができ
る。このため、基板材として剛性、熱伝導度、硬度に優
れたシリコンを用いて、表面が平滑で、保磁力の大き
な、高記録密度に適した記録媒体を作製することができ
る。
支持材との接触抵抗を10ｋΩ以下とすることで、スパッ
タ成膜する時に、基板にバイアス電圧をかけることによ
って記録層が例えばCoCrTa合金の場合、従来法では成膜
時の基板温度をあげることによって保磁力をあげる方法
がとられているが、温度を上げ過ぎるとＣｏ合金が相変
化して、保磁力が低下してしまうため、シリコン基板を
用いた時には 1,300Ｏｅ程度までしか保磁力をあげるこ
とができないのに対して、本発明によると保磁力は 1,4
00Ｏｅから 1,600Ｏｅ以上にまで大きくすることができ
る。このため、基板材として剛性、熱伝導度、硬度に優
れたシリコンを用いて、表面が平滑で、保磁力の大き
な、高記録密度に適した記録媒体を作製することができ
る。
【００１２】
【作用】本発明の特徴は基板であるシリコンと基板支持
材との接触抵抗を10ｋΩ以下、好ましくは１ｋΩ以下、
さらに好ましくは 200Ω以下とすることで、スパッタ成
膜する時に、基板にバイアス電圧をかけることによって
記録膜の保磁力を大きくするものであり、この接触抵抗
が10ｋΩを超えるとバイアスをかけても保磁力を大きく
することは出来ない。この接触抵抗は支持材の材質、電
気抵抗値、シリコン基板中の不純物の種類、濃度さらに
は接触部の表面形状、接触面積、接触させる力によって
決まる。なお、基板支持材としては金属などの電気伝導
性のあるものが使われ、例えばステンレス鋼、アルミ合
金などが例示される。なお、接触抵抗はバイアス電圧に
よって異なることがある。
材との接触抵抗を10ｋΩ以下、好ましくは１ｋΩ以下、
さらに好ましくは 200Ω以下とすることで、スパッタ成
膜する時に、基板にバイアス電圧をかけることによって
記録膜の保磁力を大きくするものであり、この接触抵抗
が10ｋΩを超えるとバイアスをかけても保磁力を大きく
することは出来ない。この接触抵抗は支持材の材質、電
気抵抗値、シリコン基板中の不純物の種類、濃度さらに
は接触部の表面形状、接触面積、接触させる力によって
決まる。なお、基板支持材としては金属などの電気伝導
性のあるものが使われ、例えばステンレス鋼、アルミ合
金などが例示される。なお、接触抵抗はバイアス電圧に
よって異なることがある。
【００１３】ここでいう接触抵抗とは、用いるバイアス
電圧と同じ電圧をかけた時の基板と基板支持材との間の
電気抵抗値をいう。また基板支持材とはスパッタ時に基
板と接触しているもの全てをいう。
電圧と同じ電圧をかけた時の基板と基板支持材との間の
電気抵抗値をいう。また基板支持材とはスパッタ時に基
板と接触しているもの全てをいう。
【００１４】本発明では単結晶、多結晶、アモルファス
等が用いられるが、特に単結晶シリコンが平滑な基板を
得られ易いため、好ましい。シリコンの製造方法は半導
体や太陽電池用に用いられるシリコンの製造方法でよい
が、特に単結晶の場合、ＣＺ法が大きな結晶が得やすい
ため、好ましい。
等が用いられるが、特に単結晶シリコンが平滑な基板を
得られ易いため、好ましい。シリコンの製造方法は半導
体や太陽電池用に用いられるシリコンの製造方法でよい
が、特に単結晶の場合、ＣＺ法が大きな結晶が得やすい
ため、好ましい。
【００１５】基板が単結晶シリコンの場合、スリップや
転位、積層欠陥、酸素析出物などの欠陥やピンホールは
強度の低下や、基板表面の小さな凹凸の原因となるので
少ない方が好ましく、基板１枚10個以下、さらにはゼロ
のものが好ましい。
転位、積層欠陥、酸素析出物などの欠陥やピンホールは
強度の低下や、基板表面の小さな凹凸の原因となるので
少ない方が好ましく、基板１枚10個以下、さらにはゼロ
のものが好ましい。
【００１６】単結晶シリコンを用いる場合、結晶方位に
ついては特に制限はない。本実施例では結晶方位 (100)
について記載したが、(111) 、(110) や基板面がこれら
結晶方位に対して何度か傾いたもの等でも同様な結果が
得られた。
ついては特に制限はない。本実施例では結晶方位 (100)
について記載したが、(111) 、(110) や基板面がこれら
結晶方位に対して何度か傾いたもの等でも同様な結果が
得られた。
【００１７】本発明は膜の構造にはよらない。例えば基
板の上に下地層、記録層、保護層の順に成膜したものと
すればよい。膜の材料は一般に用いられているものでよ
く、下地層の材質はＣｒやＣｒ合金、記録膜はCoCrTaや
CoCrNi又はCoPtCrなどのＣｏ合金やＦｅ合金、保護膜は
ＣやCSi 、SiO2などとすればよい。
板の上に下地層、記録層、保護層の順に成膜したものと
すればよい。膜の材料は一般に用いられているものでよ
く、下地層の材質はＣｒやＣｒ合金、記録膜はCoCrTaや
CoCrNi又はCoPtCrなどのＣｏ合金やＦｅ合金、保護膜は
ＣやCSi 、SiO2などとすればよい。
【００１８】成膜方法は容易に薄い膜が制御よくつくれ
るスパッタ法がよく、特に基板にマイナス電圧（バイア
ス電圧）をかけて成膜すると保磁力が大きくなる。バイ
アス電圧の大きさは-200Ｖから-500Ｖが好ましい。又、
基板の温度は例えばCoCrTaでは 450℃以上で相変化する
ので 400℃以下が適当である。
るスパッタ法がよく、特に基板にマイナス電圧（バイア
ス電圧）をかけて成膜すると保磁力が大きくなる。バイ
アス電圧の大きさは-200Ｖから-500Ｖが好ましい。又、
基板の温度は例えばCoCrTaでは 450℃以上で相変化する
ので 400℃以下が適当である。
【００１９】基板の表面荒さはなるべく小さい方が情報
を記録、再生している時の磁気ヘッドと記録媒体の距離
（フライングハイト）が低くでき、より高記録密度が可
能となるため、最大荒さRmaxで20nm以下、さらには10nm
以下が好ましい。
を記録、再生している時の磁気ヘッドと記録媒体の距離
（フライングハイト）が低くでき、より高記録密度が可
能となるため、最大荒さRmaxで20nm以下、さらには10nm
以下が好ましい。
【００２０】
【実施例】以下実施例、比較例について述べる。 実施例１ ＣＺ法で製造した結晶方位 (100)の単結晶シリコンをス
ライス、ラップした後、コアドリルでカッティングし、
外径65mm、内径20mm、厚み 0.635mmの円盤にした後、こ
れをさらに表面をコロイダルシリカを用いてメカノケミ
カルにポリッシュを行ない、Rmax＝６nmの基板を作製し
た。基板支持材にはステンレスを用い、接触抵抗は 7.8
ｋΩであった。この基板に下地層としてＣｒ層 100nm、
記録層として Co86Cr12Ta2層60nm、保護膜としてカーボ
ン層30nmをこの順に基板温度 300℃、アルゴンガス雰囲
気中、ガス圧 20mtorr、バイアス電圧-250Ｖ、カソード
（ターゲット）電圧 500ＶでＤＣスパッタ成膜を行なっ
た。この試料を一辺１cmの正方形に割り、ＶＳＭで最高
10ｋＯｅまで印加し、保磁力を測定したところ 1,350Ｏ
ｅであった。
ライス、ラップした後、コアドリルでカッティングし、
外径65mm、内径20mm、厚み 0.635mmの円盤にした後、こ
れをさらに表面をコロイダルシリカを用いてメカノケミ
カルにポリッシュを行ない、Rmax＝６nmの基板を作製し
た。基板支持材にはステンレスを用い、接触抵抗は 7.8
ｋΩであった。この基板に下地層としてＣｒ層 100nm、
記録層として Co86Cr12Ta2層60nm、保護膜としてカーボ
ン層30nmをこの順に基板温度 300℃、アルゴンガス雰囲
気中、ガス圧 20mtorr、バイアス電圧-250Ｖ、カソード
（ターゲット）電圧 500ＶでＤＣスパッタ成膜を行なっ
た。この試料を一辺１cmの正方形に割り、ＶＳＭで最高
10ｋＯｅまで印加し、保磁力を測定したところ 1,350Ｏ
ｅであった。
【００２１】実施例２ 単結晶シリコンを用い、基板と基板支持材との接触抵抗
を 830Ωとして実施例１と同様に基板作製、成膜したの
ち、保磁力を測定したところ、保磁力は 1,420Ｏｅであ
った。
を 830Ωとして実施例１と同様に基板作製、成膜したの
ち、保磁力を測定したところ、保磁力は 1,420Ｏｅであ
った。
【００２２】実施例３ 単結晶シリコンを用い、基板と基板支持材との接触抵抗
を 130Ωとして実施例１と同様に基板作製、成膜したの
ち、保磁力を測定したところ、保磁力は 1,560Ｏｅであ
った。
を 130Ωとして実施例１と同様に基板作製、成膜したの
ち、保磁力を測定したところ、保磁力は 1,560Ｏｅであ
った。
【００２３】比較例１ 単結晶シリコンを用い、基板と基板支持材との接触抵抗
を23ｋΩとして実施例１と同様に基板作製、成膜したの
ち、保磁力を測定したところ、保磁力は 1,280Ｏｅであ
った。
を23ｋΩとして実施例１と同様に基板作製、成膜したの
ち、保磁力を測定したところ、保磁力は 1,280Ｏｅであ
った。
【００２４】
【発明の効果】シリコン基板を用いたバイアススパッタ
法により成膜された磁気記録媒体において従来法よりも
保磁力が大巾に増加させることが出来るため高記録密度
に適した記録媒体を作成することが出来る。
法により成膜された磁気記録媒体において従来法よりも
保磁力が大巾に増加させることが出来るため高記録密度
に適した記録媒体を作成することが出来る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 俵 好夫 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１ 号ＫＳＰビル 信越化学工業株式会社 コーポレートリサーチセンター内 (56)参考文献 特開 平６−28655（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/85 G11B 5/66
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコンを基板として用い、成膜プロセ
スをバイアススパッタ法を用いて行う磁気記録媒体の製
造方法において、該基板と基板保持材との接触抵抗を10
ｋΩ以下としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項２】 該基板と基板保持材との接触抵抗を１ｋ
Ω以下としたことを特徴とする請求項１に記載の磁気記
録媒体の製造方法。 - 【請求項３】 該基板と基板保持材との接触抵抗を 200
Ω以下としたことを特徴とする請求項１に記載の磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248989A JP2974580B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US08/516,046 US5720861A (en) | 1994-09-13 | 1995-08-17 | Magnetic recording medium |
| EP95306250A EP0702360B1 (en) | 1994-09-13 | 1995-09-07 | Method for the preparation of a magnetic recording medium |
| DE69518204T DE69518204T2 (de) | 1994-09-13 | 1995-09-07 | Verfahren zur Herstellung eines magnetischen Aufzeichnungsträgers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6248989A JP2974580B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115520A JPH08115520A (ja) | 1996-05-07 |
| JP2974580B2 true JP2974580B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=17186374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6248989A Expired - Fee Related JP2974580B2 (ja) | 1994-09-13 | 1994-10-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2974580B2 (ja) |
-
1994
- 1994-10-14 JP JP6248989A patent/JP2974580B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08115520A (ja) | 1996-05-07 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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