JP2970129B2 - 半導体取付け装置 - Google Patents

半導体取付け装置

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JP2970129B2
JP2970129B2 JP27843091A JP27843091A JP2970129B2 JP 2970129 B2 JP2970129 B2 JP 2970129B2 JP 27843091 A JP27843091 A JP 27843091A JP 27843091 A JP27843091 A JP 27843091A JP 2970129 B2 JP2970129 B2 JP 2970129B2
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semiconductor
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conductor
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semiconductor mounting
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博仁 田中
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance

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  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体取付け装置に係
り、特に高周波による半導体の実装構造領域における半
導体取付け装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体接続構造は図3に示すよう
に、信号の入出力を行う半導体8と、前記半導体8上に
形成して信号の入出力を行う端子9と、この端子9の入
出力信号を伝送するワイヤー10と、半導体8の入出力
信号を他回路へ伝送する導体11と、電気部品や配線の
支持及び放熱を行う基板12とを有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】そして、従来の半導体
接続方法においては、半導体から外部への接続にはワイ
ヤーを用いているので特性インピーダンスが高く、他の
回路との整合が難しいゆえに、ワイヤー両端において高
周波信号が反射されて伝送特性の劣化を招く、という不
都合があった。また、ワイヤーが細いため外力に弱く、
変形によるワイヤー同士の接触事故が発生し易い状況と
なっていた。
【0004】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、とくに、信号の内部反射を抑制すると共に装
置全体の耐久性増大を図った半導体取付け装置を提供す
ることを、その目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体の回
りに環状の誘導体を装備し、この環状の誘導体の内面
半導体に対向して接地導体を配設し、誘導体の外面の所
定箇所に信号導体を装着し、これらの信号導体、誘電体
及び接地導体によりマイクロストリップラインを形成す
という構成を採っている。これによって前述した目的
を達成しようとするものである。
【0006】
【発明の実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし
図2に基づいて説明する。図1ないし図2において、角
形の半導体1の回りには環状の誘導体3が装備されてい
る。この環状の誘導体3の内面には、半導体1に対向し
て接地導体4が配設されている。また、誘導体1の外面
の所定箇所には信号導体5a〜5dが装着されている。
【0007】誘導体3は、四角形状に形成され、中央部
に前述した半導体1を配設するための比較的大きい四角
形状の貫孔が設けられている。接地導体4は、誘導体3
の内壁面に貼着されるようにして前述した半導体1の側
面に対向して装着されている。この接地導体4は、信号
導体5a〜5dの配設を考慮して全体的に半導体1の高
さより低く形成されている。このため、信号導体5a〜
5dは、この接地導体4に接することなく半導体1の上
端面の端子2から誘導体の上面に案内されて外部の回路
へ極く容易に且つ堅牢に配線されるようになっている。
即ち、図1ないし図2に示す実施例では、半導体1の周
囲に環状の誘導体3を形成する。誘導体3の内面に沿う
環状の接地導体4は、その一端を接地し,他端は突起を
設けて半導体1上の端子2に接続する。次に半導体3の
外側に沿った信号導体5a〜5dを形成し、その一端を
基板7上の導体6に接続し、他端を半導体1上の端子2
に接続するようになっている。
【0008】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
接地導体と信号導体との間に誘導体を装備したので、伝
送線路として他伝送線路との整合を取り反射を減少させ
ることができ、また信号導体及び接地導体が誘導体に支
持されているので、高周波特性の改善と機械的強度の向
上を図り得る、という従来例にない優れた半導体取付け
装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図2】図1のA−A線に沿った断面図である。
【図3】従来例を示す説明図である。
【符号の説明】
1 半導体 2 端子 3 誘導体 4 接地導体 5a〜5d 信号導体 6 導体 7 基板

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体の回りに環状の誘導体を装備し、
    この環状の誘導体の内面に前記半導体に対向して接地導
    体を配設し、前記誘導体の外面の所定箇所に信号導体を
    装着し、この信号導体、前記誘電体及び前記接地導体に
    よりマイクロストリップラインを形成したことを特徴と
    する半導体取付け装置。
JP27843091A 1991-09-30 1991-09-30 半導体取付け装置 Expired - Lifetime JP2970129B2 (ja)

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JPH0590352A JPH0590352A (ja) 1993-04-09
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