JP2968924B2 - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気検出装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】一定波長λの繰り返し信号が着磁された
磁気記録媒体と、この磁気記録媒体と対向する位置に配
設され磁界の変化に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素
子（ＭＲ素子）と、を備え、該磁気記録媒体に記録され
た繰り返し信号を磁気抵抗素子の抵抗変化として取り出
し、例えば回転体の回転位置、回転速度の検出を可能と
した磁気検出装置が知られており、この磁気検出装置を
示したのが、図７、図１１である。
磁気記録媒体と、この磁気記録媒体と対向する位置に配
設され磁界の変化に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素
子（ＭＲ素子）と、を備え、該磁気記録媒体に記録され
た繰り返し信号を磁気抵抗素子の抵抗変化として取り出
し、例えば回転体の回転位置、回転速度の検出を可能と
した磁気検出装置が知られており、この磁気検出装置を
示したのが、図７、図１１である。
【０００３】図７に示される装置は、例えば特開昭５７
−６６３０９号公報記載の装置に対応するものであり、
図１１に示される装置は、例えば特開平３−１３５７２
３号公報記載の装置に対応するものである。
−６６３０９号公報記載の装置に対応するものであり、
図１１に示される装置は、例えば特開平３−１３５７２
３号公報記載の装置に対応するものである。
【０００４】図７において、符号１１は磁気記録媒体に
対し所定の間隙をもって対向配置された絶縁基板を示し
ており、この絶縁基板１１上には第１の抵抗素子Ｒ
11a 、第２の抵抗素子Ｒ21a が配置されている。第１の
抵抗素子Ｒ11a は電源端子Ｖccと出力端子Ｖout との間
に接続され、第２の抵抗素子Ｒ21a はグランド端子ＧＮ
Ｄと出力端子Ｖout との間に接続されている。そして、
第１の抵抗素子Ｒ11a と第２の抵抗素子Ｒ21a とはλ／
４の間隔で配置されている。
対し所定の間隙をもって対向配置された絶縁基板を示し
ており、この絶縁基板１１上には第１の抵抗素子Ｒ
11a 、第２の抵抗素子Ｒ21a が配置されている。第１の
抵抗素子Ｒ11a は電源端子Ｖccと出力端子Ｖout との間
に接続され、第２の抵抗素子Ｒ21a はグランド端子ＧＮ
Ｄと出力端子Ｖout との間に接続されている。そして、
第１の抵抗素子Ｒ11a と第２の抵抗素子Ｒ21a とはλ／
４の間隔で配置されている。
【０００５】図１１にあっては、絶縁基板１１上に第１
の抵抗群１及び第２の抵抗群２を備えている。第１の抵
抗群１は抵抗素子Ｒ11a ，Ｒ12a ，Ｒ13a よりなり、こ
れら抵抗素子Ｒ11a ，Ｒ12a ，Ｒ13a は電源端子Ｖccと
出力端子Ｖout との間に直列に折り返し接続されてい
る。第２の抵抗群２は抵抗素子Ｒ21a ，Ｒ22a ，Ｒ23a
よりなり、これら抵抗素子Ｒ21a ，Ｒ22a ，Ｒ23a はグ
ランド端子ＧＮＤと出力端子Ｖout との間に直列に折り
返し接続されている。第１の抵抗群１と第２の抵抗群２
とはλ／４の間隔で配置されており、各抵抗群１，２の
隣り合う抵抗素子同士はλ／８の間隔で配置されてい
る。
の抵抗群１及び第２の抵抗群２を備えている。第１の抵
抗群１は抵抗素子Ｒ11a ，Ｒ12a ，Ｒ13a よりなり、こ
れら抵抗素子Ｒ11a ，Ｒ12a ，Ｒ13a は電源端子Ｖccと
出力端子Ｖout との間に直列に折り返し接続されてい
る。第２の抵抗群２は抵抗素子Ｒ21a ，Ｒ22a ，Ｒ23a
よりなり、これら抵抗素子Ｒ21a ，Ｒ22a ，Ｒ23a はグ
ランド端子ＧＮＤと出力端子Ｖout との間に直列に折り
返し接続されている。第１の抵抗群１と第２の抵抗群２
とはλ／４の間隔で配置されており、各抵抗群１，２の
隣り合う抵抗素子同士はλ／８の間隔で配置されてい
る。
【０００６】そして、図７、図１１に示される装置と
も、各抵抗素子Ｒ11a 〜Ｒ13a ，Ｒ21a 〜Ｒ23a の抵抗
値及び感度は同じとなっている。
も、各抵抗素子Ｒ11a 〜Ｒ13a ，Ｒ21a 〜Ｒ23a の抵抗
値及び感度は同じとなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記両
装置にあっては、以下の問題がある。すなわち、図７に
示される装置のように、抵抗群が１個の抵抗素子より構
成されている場合や図１１に示される構成で且つ各抵抗
群１，２の隣り合う抵抗素子同士が短い間隔で配置され
ている場合（本発明者の実験によると両側の抵抗素子の
間隔がλ／８より短い間隔で配置されている場合）に
は、信号磁界が強くなる、すなわち磁気記録媒体と磁気
抵抗素子とのギャップが狭くなると（図８における符号
Ａの所）、図９に示されるように、出力波形の凸部が細
くなり、図１０に示されるように、閾値との比較を行う
コンパレータ（不図示）通過後の出力波形が細くなって
しまい、図８に点線で示されるように、デューティ比が
極端に悪化するといった問題がある。
装置にあっては、以下の問題がある。すなわち、図７に
示される装置のように、抵抗群が１個の抵抗素子より構
成されている場合や図１１に示される構成で且つ各抵抗
群１，２の隣り合う抵抗素子同士が短い間隔で配置され
ている場合（本発明者の実験によると両側の抵抗素子の
間隔がλ／８より短い間隔で配置されている場合）に
は、信号磁界が強くなる、すなわち磁気記録媒体と磁気
抵抗素子とのギャップが狭くなると（図８における符号
Ａの所）、図９に示されるように、出力波形の凸部が細
くなり、図１０に示されるように、閾値との比較を行う
コンパレータ（不図示）通過後の出力波形が細くなって
しまい、図８に点線で示されるように、デューティ比が
極端に悪化するといった問題がある。
【０００８】また、図１１に示される装置のように、各
抵抗群１，２の隣り合う抵抗素子同士が長い間隔で配置
されている場合（本発明者の実験によると両側の抵抗素
子の間隔がλ／８以上の間隔で配置されている場合）に
は、信号磁界が強くなる、すなわち磁気記録媒体と磁気
抵抗素子とのギャップが狭くなると（図１２における符
号Ａの所）、図１３に示されるように、出力波形の凸部
が大きく割れ、図１４に示されるように、閾値との比較
を行うコンパレータ（不図示）通過後の出力波数が多く
なってしまい、出力波形異常が生じるといった問題があ
る。
抵抗群１，２の隣り合う抵抗素子同士が長い間隔で配置
されている場合（本発明者の実験によると両側の抵抗素
子の間隔がλ／８以上の間隔で配置されている場合）に
は、信号磁界が強くなる、すなわち磁気記録媒体と磁気
抵抗素子とのギャップが狭くなると（図１２における符
号Ａの所）、図１３に示されるように、出力波形の凸部
が大きく割れ、図１４に示されるように、閾値との比較
を行うコンパレータ（不図示）通過後の出力波数が多く
なってしまい、出力波形異常が生じるといった問題があ
る。
【０００９】なお、図８、図１２に各々示される実線は
ギャップと出力電圧との関係を、点線はギャップとデュ
ーティ比との関係を、それぞれ表している。
ギャップと出力電圧との関係を、点線はギャップとデュ
ーティ比との関係を、それぞれ表している。
【００１０】そこで本発明は、信号磁界が強くなって
も、出力波形が細くならず、デューティ比が向上される
と共に、出力波形割れが抑えられ、出力波形異常の発生
が防止される磁気検出装置を提供することを目的とす
る。
も、出力波形が細くならず、デューティ比が向上される
と共に、出力波形割れが抑えられ、出力波形異常の発生
が防止される磁気検出装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１手段の磁気検出装置
は上記目的を達成するために、一定波長λの繰り返し信
号が着磁された磁気記録媒体と、この磁気記録媒体と対
向する位置に配設され磁界の変化に応じて抵抗値が変化
する磁気抵抗素子と、を備えた磁気検出装置において、
前記磁気抵抗素子は２ｎ（ｎは自然数）個の抵抗群を有
すると共に、各抵抗群は３個以上の折り返し抵抗素子を
有し、各抵抗群の内側の抵抗素子の感度及び抵抗値の少
なくとも一方を、両側の抵抗素子より低くしてなる。
は上記目的を達成するために、一定波長λの繰り返し信
号が着磁された磁気記録媒体と、この磁気記録媒体と対
向する位置に配設され磁界の変化に応じて抵抗値が変化
する磁気抵抗素子と、を備えた磁気検出装置において、
前記磁気抵抗素子は２ｎ（ｎは自然数）個の抵抗群を有
すると共に、各抵抗群は３個以上の折り返し抵抗素子を
有し、各抵抗群の内側の抵抗素子の感度及び抵抗値の少
なくとも一方を、両側の抵抗素子より低くしてなる。
【００１２】第２手段の磁気検出装置は上記目的を達成
するために、上記第１手段に加えて、各抵抗群の内側の
抵抗素子の感度を両側の抵抗素子の感度の５０〜８０％
としたことを特徴としている
するために、上記第１手段に加えて、各抵抗群の内側の
抵抗素子の感度を両側の抵抗素子の感度の５０〜８０％
としたことを特徴としている
【００１３】第３手段の磁気検出装置は上記目的を達成
するために、上記第１手段に加えて、各抵抗群の内側の
抵抗素子の抵抗値を両側の抵抗素子の抵抗値の５０〜８
０％としたことを特徴としている。
するために、上記第１手段に加えて、各抵抗群の内側の
抵抗素子の抵抗値を両側の抵抗素子の抵抗値の５０〜８
０％としたことを特徴としている。
【００１４】第４手段の磁気検出装置は上記目的を達成
するために、上記第１手段に加えて、各抵抗群の両側の
抵抗素子間の間隔をλ／８〜λ／４としたことを特徴と
している。
するために、上記第１手段に加えて、各抵抗群の両側の
抵抗素子間の間隔をλ／８〜λ／４としたことを特徴と
している。
【００１５】
【作用】このような第１、第２、第３、第４手段におけ
る磁気検出装置によれば、各抵抗群の内側の抵抗素子の
感度及び抵抗値の少なくとも一方を、両側の抵抗素子よ
り低くすれば、両側の抵抗素子が主に使用されることに
なり、信号磁界が強くなっても、出力波形は細くならな
い。また、内側の抵抗素子が出力を補うので、出力波形
割れが抑えられるようになる。
る磁気検出装置によれば、各抵抗群の内側の抵抗素子の
感度及び抵抗値の少なくとも一方を、両側の抵抗素子よ
り低くすれば、両側の抵抗素子が主に使用されることに
なり、信号磁界が強くなっても、出力波形は細くならな
い。また、内側の抵抗素子が出力を補うので、出力波形
割れが抑えられるようになる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の一実施例を示す磁気検出装置の磁
気抵抗素子の配置図、図２は磁気記録媒体のＮ極Ｓ極の
着磁間隔及びこの着磁方向における磁気抵抗素子の長さ
を説明するための模式図である。
する。図１は本発明の一実施例を示す磁気検出装置の磁
気抵抗素子の配置図、図２は磁気記録媒体のＮ極Ｓ極の
着磁間隔及びこの着磁方向における磁気抵抗素子の長さ
を説明するための模式図である。
【００１７】この実施例にあっては、磁気記録媒体３
は、例えば回転体の周方向にＮ極Ｓ極が交互に着磁され
たものであって、図２に示されるように、隣り合うＮ極
とＳ極との極ピッチはλ／２となっている。すなわち、
磁気記録媒体３には波長λの繰り返し信号が着磁記録さ
れた状態となっている。
は、例えば回転体の周方向にＮ極Ｓ極が交互に着磁され
たものであって、図２に示されるように、隣り合うＮ極
とＳ極との極ピッチはλ／２となっている。すなわち、
磁気記録媒体３には波長λの繰り返し信号が着磁記録さ
れた状態となっている。
【００１８】この磁気記録媒体３に対向する位置には、
該磁気記録媒体３に対して所定の間隙をもって、図１に
示されるような、磁界の変化に応じて抵抗値が変化する
磁気抵抗素子（ＭＲ素子）Ｘが配設されている。
該磁気記録媒体３に対して所定の間隙をもって、図１に
示されるような、磁界の変化に応じて抵抗値が変化する
磁気抵抗素子（ＭＲ素子）Ｘが配設されている。
【００１９】なお、図２においては、磁気記録媒体と磁
気抵抗素子とが上下に離間して描かれているが、実際に
は、磁気記録媒体と磁気抵抗素子とは紙面垂直方向に向
かって所定のギャップをもって離間対向配置されてい
る。
気抵抗素子とが上下に離間して描かれているが、実際に
は、磁気記録媒体と磁気抵抗素子とは紙面垂直方向に向
かって所定のギャップをもって離間対向配置されてい
る。
【００２０】該磁気抵抗素子Ｘの絶縁基板１１上には、
第１の抵抗群１及び第２の抵抗群２が備えられている。
第１の抵抗群１は抵抗素子Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13よりなり、
これら抵抗素子Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13は電源端子Ｖccと出力
端子Ｖout との間に直列に折り返し接続されている。第
２の抵抗群２は抵抗素子Ｒ21，Ｒ22，Ｒ23よりなり、こ
れら抵抗素子Ｒ21，Ｒ22，Ｒ23はグランド端子ＧＮＤと
出力端子Ｖout との間に直列に折り返し接続されてい
る。
第１の抵抗群１及び第２の抵抗群２が備えられている。
第１の抵抗群１は抵抗素子Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13よりなり、
これら抵抗素子Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13は電源端子Ｖccと出力
端子Ｖout との間に直列に折り返し接続されている。第
２の抵抗群２は抵抗素子Ｒ21，Ｒ22，Ｒ23よりなり、こ
れら抵抗素子Ｒ21，Ｒ22，Ｒ23はグランド端子ＧＮＤと
出力端子Ｖout との間に直列に折り返し接続されてい
る。
【００２１】第１の抵抗群１と第２の抵抗群２とはλ／
４の間隔で配置されており、各抵抗群１（２）の両側の
抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）間の間隔はλ／８〜
λ／４となっている（各抵抗群の両側の抵抗素子間の間
隔は一致；Ｒ11とＲ13との間隔＝Ｒ21とＲ23との間
隔）。また、各抵抗群１（２）の各抵抗素子Ｒ11，
Ｒ12，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ22，Ｒ23）の間隔は等間隔となっ
ている。
４の間隔で配置されており、各抵抗群１（２）の両側の
抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）間の間隔はλ／８〜
λ／４となっている（各抵抗群の両側の抵抗素子間の間
隔は一致；Ｒ11とＲ13との間隔＝Ｒ21とＲ23との間
隔）。また、各抵抗群１（２）の各抵抗素子Ｒ11，
Ｒ12，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ22，Ｒ23）の間隔は等間隔となっ
ている。
【００２２】ここで、本実施例の特徴をなす点である
が、各抵抗群１（２）の内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）の
感度Ｄ12（Ｄ22）は、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ
13（Ｒ21，Ｒ23）の感度Ｄ11，Ｄ13（Ｄ21，Ｄ23）より
低くなっており、本実施例においては、各抵抗群１
（２）の内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）の感度Ｄ
12（Ｄ22）は、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，
Ｒ23）の感度Ｄ11，Ｄ13（Ｄ21，Ｄ23）の５０〜８０％
となっている（Ｄ11＝Ｄ12／ｎ＝Ｄ13＝Ｄ21＝Ｄ22／ｎ
＝Ｄ23；ｎは０．５〜０．８）。
が、各抵抗群１（２）の内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）の
感度Ｄ12（Ｄ22）は、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ
13（Ｒ21，Ｒ23）の感度Ｄ11，Ｄ13（Ｄ21，Ｄ23）より
低くなっており、本実施例においては、各抵抗群１
（２）の内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）の感度Ｄ
12（Ｄ22）は、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，
Ｒ23）の感度Ｄ11，Ｄ13（Ｄ21，Ｄ23）の５０〜８０％
となっている（Ｄ11＝Ｄ12／ｎ＝Ｄ13＝Ｄ21＝Ｄ22／ｎ
＝Ｄ23；ｎは０．５〜０．８）。
【００２３】具体的には、内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）
のパターン幅を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ
23）のパターン幅より狭くして、内側の抵抗素子Ｒ
12（Ｒ22）のパターン膜厚を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ
13（Ｒ21，Ｒ23）のパターン膜厚より厚くする等の手法
により、各抵抗群１（２）の内側の抵抗素子Ｒ
12（Ｒ22）の感度Ｄ12（Ｄ22）を、両側の抵抗素子
Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）の感度Ｄ11，Ｄ13（Ｄ21，Ｄ
23）より低くするようにしている。因に、各抵抗素子Ｒ
11〜Ｒ13，Ｒ21〜Ｒ23の抵抗値ｒ11〜ｒ13，ｒ21〜ｒ23
は同じとなっている。
のパターン幅を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ
23）のパターン幅より狭くして、内側の抵抗素子Ｒ
12（Ｒ22）のパターン膜厚を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ
13（Ｒ21，Ｒ23）のパターン膜厚より厚くする等の手法
により、各抵抗群１（２）の内側の抵抗素子Ｒ
12（Ｒ22）の感度Ｄ12（Ｄ22）を、両側の抵抗素子
Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）の感度Ｄ11，Ｄ13（Ｄ21，Ｄ
23）より低くするようにしている。因に、各抵抗素子Ｒ
11〜Ｒ13，Ｒ21〜Ｒ23の抵抗値ｒ11〜ｒ13，ｒ21〜ｒ23
は同じとなっている。
【００２４】このように、各抵抗群１（２）の内側の抵
抗素子Ｒ12（Ｒ22）の感度Ｄ12（Ｄ22）を、両側の抵抗
素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）の感度Ｄ11，Ｄ
13（Ｄ21，Ｄ23）より低くなるようにすると、両側の抵
抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）が主に使用されること
になるので、信号磁界が強くなる、すなわち磁気記録媒
体３と磁気抵抗素子Ｘとのギャップが狭くなっても（図
３における符号Ａの所）、図４、図５に示されるよう
に、出力波形が細くならず、従って、図３に点線で示さ
れるように、デューティ比を向上できるようになってい
る。また、内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）が出力を補うこ
とになるので、図４に示されるように、出力波形割れが
抑えられるようになり、従って、図５に示されるよう
に、出力波形異常の発生を防止できるようになってい
る。
抗素子Ｒ12（Ｒ22）の感度Ｄ12（Ｄ22）を、両側の抵抗
素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）の感度Ｄ11，Ｄ
13（Ｄ21，Ｄ23）より低くなるようにすると、両側の抵
抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）が主に使用されること
になるので、信号磁界が強くなる、すなわち磁気記録媒
体３と磁気抵抗素子Ｘとのギャップが狭くなっても（図
３における符号Ａの所）、図４、図５に示されるよう
に、出力波形が細くならず、従って、図３に点線で示さ
れるように、デューティ比を向上できるようになってい
る。また、内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）が出力を補うこ
とになるので、図４に示されるように、出力波形割れが
抑えられるようになり、従って、図５に示されるよう
に、出力波形異常の発生を防止できるようになってい
る。
【００２５】なお、各抵抗素子Ｒ11〜Ｒ13，Ｒ21〜Ｒ23
の感度Ｄ11〜Ｄ13，Ｄ21〜Ｄ23を同じとし、内側の抵抗
素子Ｒ12（Ｒ22）のパターン幅を、両側の抵抗素子
Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）のパターン幅より広くして、
内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）のパターン膜厚を、両側の
抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）のパターン膜厚より
厚くしたり、内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）のパターン長
さを、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）のパタ
ーン長さより短くする等して、各抵抗群１（２）の内側
の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）の抵抗値ｒ12（ｒ22）を、両側
の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）の抵抗値ｒ11，ｒ
13（ｒ21，ｒ23）より低くし、例えば内側の抵抗素子Ｒ
12（Ｒ22）の抵抗値ｒ12（ｒ22）を、両側の抵抗素子Ｒ
11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）の抵抗値ｒ11，ｒ13（ｒ21，ｒ
23）の５０〜８０％としても（ｒ11＝ｒ12／ｍ＝ｒ13＝
ｒ21＝ｒ22／ｍ＝ｒ23；ｍは０．５〜０．８）、上記実
施例と同様な効果を得ることができる。
の感度Ｄ11〜Ｄ13，Ｄ21〜Ｄ23を同じとし、内側の抵抗
素子Ｒ12（Ｒ22）のパターン幅を、両側の抵抗素子
Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）のパターン幅より広くして、
内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）のパターン膜厚を、両側の
抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）のパターン膜厚より
厚くしたり、内側の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）のパターン長
さを、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）のパタ
ーン長さより短くする等して、各抵抗群１（２）の内側
の抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）の抵抗値ｒ12（ｒ22）を、両側
の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）の抵抗値ｒ11，ｒ
13（ｒ21，ｒ23）より低くし、例えば内側の抵抗素子Ｒ
12（Ｒ22）の抵抗値ｒ12（ｒ22）を、両側の抵抗素子Ｒ
11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）の抵抗値ｒ11，ｒ13（ｒ21，ｒ
23）の５０〜８０％としても（ｒ11＝ｒ12／ｍ＝ｒ13＝
ｒ21＝ｒ22／ｍ＝ｒ23；ｍは０．５〜０．８）、上記実
施例と同様な効果を得ることができる。
【００２６】また、各抵抗群１（２）の内側の抵抗素子
Ｒ12（Ｒ22）の感度Ｄ12（Ｄ22）及び抵抗値ｒ
12（ｒ22）を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，
Ｒ23）の感度Ｄ11，Ｄ13（Ｄ21，Ｄ23）及び抵抗値
ｒ11，ｒ13（ｒ21，ｒ23）より低くし、例えば内側の抵
抗素子Ｒ12（Ｒ22）の感度Ｄ12（Ｄ22）及び抵抗値ｒ12
（ｒ22）を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）
の感度Ｄ11，Ｄ13（Ｄ21，Ｄ23）及び抵抗値ｒ11，ｒ13
（ｒ21，ｒ23）の５０〜８０％としても（Ｄ11＝Ｄ12／
ｎ＝Ｄ13＝Ｄ21＝Ｄ22／ｎ＝Ｄ23；ｎは０．５〜０．
８、ｒ11＝ｒ12／ｍ＝ｒ13＝ｒ21＝ｒ22／ｍ＝ｒ23；ｍ
は０．５〜０．８）、上記実施例と同様な効果を得るこ
とができるというのはいうまでもない。
Ｒ12（Ｒ22）の感度Ｄ12（Ｄ22）及び抵抗値ｒ
12（ｒ22）を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，
Ｒ23）の感度Ｄ11，Ｄ13（Ｄ21，Ｄ23）及び抵抗値
ｒ11，ｒ13（ｒ21，ｒ23）より低くし、例えば内側の抵
抗素子Ｒ12（Ｒ22）の感度Ｄ12（Ｄ22）及び抵抗値ｒ12
（ｒ22）を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ13（Ｒ21，Ｒ23）
の感度Ｄ11，Ｄ13（Ｄ21，Ｄ23）及び抵抗値ｒ11，ｒ13
（ｒ21，ｒ23）の５０〜８０％としても（Ｄ11＝Ｄ12／
ｎ＝Ｄ13＝Ｄ21＝Ｄ22／ｎ＝Ｄ23；ｎは０．５〜０．
８、ｒ11＝ｒ12／ｍ＝ｒ13＝ｒ21＝ｒ22／ｍ＝ｒ23；ｍ
は０．５〜０．８）、上記実施例と同様な効果を得るこ
とができるというのはいうまでもない。
【００２７】図６は本発明の他の実施例を示す磁気検出
装置の磁気抵抗素子の配置図である。この実施例が先の
実施例と違う点は、各抵抗群１，２の折り返し接続され
る抵抗素子を各々１個増加した点である。
装置の磁気抵抗素子の配置図である。この実施例が先の
実施例と違う点は、各抵抗群１，２の折り返し接続され
る抵抗素子を各々１個増加した点である。
【００２８】ここで、各抵抗群１（２）の内側の抵抗素
子Ｒ12，Ｒ13（Ｒ22，Ｒ23）の感度Ｄ12，Ｄ13（Ｄ22，
Ｄ23）は、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ14（Ｒ21，Ｒ24）の
感度Ｄ11，Ｄ14（Ｄ21，Ｄ24）より低くなっており、本
実施例においては、各抵抗群１（２）の内側の抵抗素子
Ｒ12，Ｒ13（Ｒ22，Ｒ23）の感度Ｄ12，Ｄ13（Ｄ22，Ｄ
23）は、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ14（Ｒ21，Ｒ24）の感
度Ｄ11，Ｄ14（Ｄ21，Ｄ24）の５０〜８０％となってい
る（Ｄ11＝Ｄ12／ｎ＝Ｄ13／ｎ＝Ｄ14＝Ｄ21＝Ｄ22／ｎ
＝Ｄ23／ｎ＝Ｄ24；ｎは０．５〜０．８）。そして、こ
の感度の違いは、先の実施例と同様な手法により、得ら
れるようになっている。因に、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ
14（Ｒ21，Ｒ24）の各抵抗値ｒ11，ｒ14（ｒ21，ｒ24）
は抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）の抵抗値ｒ12（ｒ22）と抵抗素
子Ｒ13（Ｒ23）の抵抗値ｒ13（ｒ23）の和に等しくなっ
ている（ｒ11＝ｒ12＋ｒ13＝ｒ14、ｒ21＝ｒ22＋ｒ23＝
ｒ24）。
子Ｒ12，Ｒ13（Ｒ22，Ｒ23）の感度Ｄ12，Ｄ13（Ｄ22，
Ｄ23）は、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ14（Ｒ21，Ｒ24）の
感度Ｄ11，Ｄ14（Ｄ21，Ｄ24）より低くなっており、本
実施例においては、各抵抗群１（２）の内側の抵抗素子
Ｒ12，Ｒ13（Ｒ22，Ｒ23）の感度Ｄ12，Ｄ13（Ｄ22，Ｄ
23）は、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ14（Ｒ21，Ｒ24）の感
度Ｄ11，Ｄ14（Ｄ21，Ｄ24）の５０〜８０％となってい
る（Ｄ11＝Ｄ12／ｎ＝Ｄ13／ｎ＝Ｄ14＝Ｄ21＝Ｄ22／ｎ
＝Ｄ23／ｎ＝Ｄ24；ｎは０．５〜０．８）。そして、こ
の感度の違いは、先の実施例と同様な手法により、得ら
れるようになっている。因に、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ
14（Ｒ21，Ｒ24）の各抵抗値ｒ11，ｒ14（ｒ21，ｒ24）
は抵抗素子Ｒ12（Ｒ22）の抵抗値ｒ12（ｒ22）と抵抗素
子Ｒ13（Ｒ23）の抵抗値ｒ13（ｒ23）の和に等しくなっ
ている（ｒ11＝ｒ12＋ｒ13＝ｒ14、ｒ21＝ｒ22＋ｒ23＝
ｒ24）。
【００２９】このように構成しても、先の実施例と同様
な効果を得ることができるというのはいうまでもない。
な効果を得ることができるというのはいうまでもない。
【００３０】なお、先の実施例と同様に、各抵抗素子Ｒ
11〜Ｒ14，Ｒ21〜Ｒ24の感度Ｄ11〜Ｄ14，Ｄ21〜Ｄ24を
同じとし、各抵抗群１（２）の内側の抵抗素子Ｒ12，Ｒ
13（Ｒ22，Ｒ23）の抵抗値ｒ12＋ｒ13（ｒ22＋ｒ23）
を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ14（Ｒ21，Ｒ24）の抵抗値
ｒ11，ｒ14（ｒ21，ｒ24）より低くし、例えば内側の抵
抗素子Ｒ12，Ｒ13（Ｒ22，Ｒ23）の抵抗値ｒ12＋ｒ
13（ｒ22＋ｒ23）を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ
14（Ｒ21，Ｒ24）の抵抗値ｒ11，ｒ14（ｒ21，ｒ24）の
５０〜８０％としたり（ｒ11＝（ｒ12＋ｒ13）／ｍ＝ｒ
14＝ｒ21＝（ｒ22＋ｒ23）／ｍ＝ｒ24；ｍは０．５〜
０．８）、内側の抵抗素子Ｒ12，Ｒ13（Ｒ22，Ｒ23）の
感度Ｄ12，Ｄ13（Ｄ22，Ｄ23）及び抵抗値ｒ12＋ｒ
13（ｒ22＋ｒ23）を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ
14（Ｒ21，Ｒ24）の感度Ｄ11，Ｄ14（Ｄ21，Ｄ24）及び
抵抗値ｒ11，ｒ14（ｒ21，ｒ24）より低くし、例えば内
側の抵抗素子Ｒ12，Ｒ13（Ｒ22，Ｒ23）の感度Ｄ12，Ｄ
13（Ｄ22，Ｄ23）及び抵抗値ｒ12＋ｒ13（ｒ22＋ｒ23）
を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ14（Ｒ21，Ｒ24）の感度Ｄ
11，Ｄ14（Ｄ21，Ｄ24）及び抵抗値ｒ11，ｒ14（ｒ21，
ｒ24）の５０〜８０％としても（Ｄ11＝Ｄ12／ｎ＝Ｄ13
／ｎ＝Ｄ14＝Ｄ21＝Ｄ22／ｎ＝Ｄ23／ｎ＝Ｄ24；ｎは
０．５〜０．８、ｒ11＝（ｒ12＋ｒ13）／ｍ＝ｒ14＝ｒ
21＝（ｒ22＋ｒ23）／ｍ＝ｒ24；ｍは０．５〜０．
８）、先の実施例と同様な効果を得ることができる。
11〜Ｒ14，Ｒ21〜Ｒ24の感度Ｄ11〜Ｄ14，Ｄ21〜Ｄ24を
同じとし、各抵抗群１（２）の内側の抵抗素子Ｒ12，Ｒ
13（Ｒ22，Ｒ23）の抵抗値ｒ12＋ｒ13（ｒ22＋ｒ23）
を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ14（Ｒ21，Ｒ24）の抵抗値
ｒ11，ｒ14（ｒ21，ｒ24）より低くし、例えば内側の抵
抗素子Ｒ12，Ｒ13（Ｒ22，Ｒ23）の抵抗値ｒ12＋ｒ
13（ｒ22＋ｒ23）を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ
14（Ｒ21，Ｒ24）の抵抗値ｒ11，ｒ14（ｒ21，ｒ24）の
５０〜８０％としたり（ｒ11＝（ｒ12＋ｒ13）／ｍ＝ｒ
14＝ｒ21＝（ｒ22＋ｒ23）／ｍ＝ｒ24；ｍは０．５〜
０．８）、内側の抵抗素子Ｒ12，Ｒ13（Ｒ22，Ｒ23）の
感度Ｄ12，Ｄ13（Ｄ22，Ｄ23）及び抵抗値ｒ12＋ｒ
13（ｒ22＋ｒ23）を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ
14（Ｒ21，Ｒ24）の感度Ｄ11，Ｄ14（Ｄ21，Ｄ24）及び
抵抗値ｒ11，ｒ14（ｒ21，ｒ24）より低くし、例えば内
側の抵抗素子Ｒ12，Ｒ13（Ｒ22，Ｒ23）の感度Ｄ12，Ｄ
13（Ｄ22，Ｄ23）及び抵抗値ｒ12＋ｒ13（ｒ22＋ｒ23）
を、両側の抵抗素子Ｒ11，Ｒ14（Ｒ21，Ｒ24）の感度Ｄ
11，Ｄ14（Ｄ21，Ｄ24）及び抵抗値ｒ11，ｒ14（ｒ21，
ｒ24）の５０〜８０％としても（Ｄ11＝Ｄ12／ｎ＝Ｄ13
／ｎ＝Ｄ14＝Ｄ21＝Ｄ22／ｎ＝Ｄ23／ｎ＝Ｄ24；ｎは
０．５〜０．８、ｒ11＝（ｒ12＋ｒ13）／ｍ＝ｒ14＝ｒ
21＝（ｒ22＋ｒ23）／ｍ＝ｒ24；ｍは０．５〜０．
８）、先の実施例と同様な効果を得ることができる。
【００３１】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記各実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変形可能であるというのはいうまでもなく、例え
ば、上記実施例においては、抵抗群を２個とした磁気抵
抗素子Ｘに対する適用例が述べられているが、２ｎ（ｎ
は自然数）個の抵抗群を有する磁気抵抗素子全てに対し
て適用可能である。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記各実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変形可能であるというのはいうまでもなく、例え
ば、上記実施例においては、抵抗群を２個とした磁気抵
抗素子Ｘに対する適用例が述べられているが、２ｎ（ｎ
は自然数）個の抵抗群を有する磁気抵抗素子全てに対し
て適用可能である。
【００３２】また、上記実施例においては、各抵抗群１
（２）の折り返し抵抗素子を３個または４個としている
が、これら個数に限定されるものではなく、３個以上の
折り返し抵抗素子を有していれば適用できる。
（２）の折り返し抵抗素子を３個または４個としている
が、これら個数に限定されるものではなく、３個以上の
折り返し抵抗素子を有していれば適用できる。
【００３３】また、上記実施例においては、第１の抵抗
群１と第２の抵抗群２とはλ／４の間隔で配置されてい
るが、λ／４＋ｋλ／２（ｋは０以上の整数）の間隔で
配置されていれば良い。
群１と第２の抵抗群２とはλ／４の間隔で配置されてい
るが、λ／４＋ｋλ／２（ｋは０以上の整数）の間隔で
配置されていれば良い。
【００３４】また、上記実施例においては、内側の各抵
抗素子は等間隔にそれぞれ配置されているが、等間隔で
なくても良く、要は抵抗素子同士の間隔は、例えばＲ11
とＲ12との間隔＝Ｒ21とＲ22との間隔＝ａ、Ｒ12とＲ13
との間隔＝Ｒ22とＲ23との間隔＝ｂ、ａ≠ｂというよう
に、各抵抗群同士で一致していれば良い。
抗素子は等間隔にそれぞれ配置されているが、等間隔で
なくても良く、要は抵抗素子同士の間隔は、例えばＲ11
とＲ12との間隔＝Ｒ21とＲ22との間隔＝ａ、Ｒ12とＲ13
との間隔＝Ｒ22とＲ23との間隔＝ｂ、ａ≠ｂというよう
に、各抵抗群同士で一致していれば良い。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたように第１乃至第４本発明の
磁気検出装置によれば、磁気抵抗素子は２ｎ（ｎは自然
数）個の抵抗群を有すると共に、各抵抗群は３個以上の
折り返し抵抗素子を有し、各抵抗群の内側の抵抗素子の
感度及び抵抗値の少なくとも一方を、両側の抵抗素子よ
り低くしたので、両側の抵抗素子が主に使用されること
になり、信号磁界が強くなっても、出力波形が細くなら
ず、デューティ比を向上することが可能となる。また、
内側の抵抗素子が出力を補うので、出力波形割れが抑え
られるようになり、出力波形異常の発生を防止すること
が可能となる。
磁気検出装置によれば、磁気抵抗素子は２ｎ（ｎは自然
数）個の抵抗群を有すると共に、各抵抗群は３個以上の
折り返し抵抗素子を有し、各抵抗群の内側の抵抗素子の
感度及び抵抗値の少なくとも一方を、両側の抵抗素子よ
り低くしたので、両側の抵抗素子が主に使用されること
になり、信号磁界が強くなっても、出力波形が細くなら
ず、デューティ比を向上することが可能となる。また、
内側の抵抗素子が出力を補うので、出力波形割れが抑え
られるようになり、出力波形異常の発生を防止すること
が可能となる。
【図１】本発明の一実施例を示す磁気検出装置の磁気抵
抗素子の配置図である。
抗素子の配置図である。
【図２】磁気記録媒体のＮ極Ｓ極の着磁間隔及びこの着
磁方向における磁気抵抗素子の長さを説明するための模
式図である。
磁方向における磁気抵抗素子の長さを説明するための模
式図である。
【図３】図１の実施例装置におけるギャップと出力電圧
との関係、ギャップとデューティ比との関係をそれぞれ
表した図である。
との関係、ギャップとデューティ比との関係をそれぞれ
表した図である。
【図４】図１の実施例装置におけるギャップＡでの出力
波形図である。
波形図である。
【図５】図１の実施例装置におけるギャップＡでのコン
パレータ通過後の出力波形図である。
パレータ通過後の出力波形図である。
【図６】本発明の他の実施例を示す磁気検出装置の磁気
抵抗素子の配置図である。
抵抗素子の配置図である。
【図７】従来技術の一例を示す磁気検出装置の磁気抵抗
素子の配置図である。
素子の配置図である。
【図８】図７の従来装置におけるギャップと出力電圧と
の関係、ギャップとデューティ比との関係をそれぞれ表
した図である。
の関係、ギャップとデューティ比との関係をそれぞれ表
した図である。
【図９】図７の従来装置におけるギャップＡでの出力波
形図である。
形図である。
【図１０】図７の従来装置におけるギャップＡでのコン
パレータ通過後の出力波形図である。
パレータ通過後の出力波形図である。
【図１１】従来技術の他の例を示す磁気検出装置の磁気
抵抗素子の配置図である。
抵抗素子の配置図である。
【図１２】図１１の従来装置におけるギャップと出力電
圧との関係、ギャップとデューティ比との関係をそれぞ
れ表した図である。
圧との関係、ギャップとデューティ比との関係をそれぞ
れ表した図である。
【図１３】図１１の従来装置におけるギャップＡでの出
力波形図である。
力波形図である。
【図１４】図１１の従来装置におけるギャップＡでのコ
ンパレータ通過後の出力波形図である。
ンパレータ通過後の出力波形図である。
１，２ 抵抗群 ３ 磁気記録媒体 Ｒ11〜Ｒ14，Ｒ21〜Ｒ24 抵抗素子 Ｘ 磁気抵抗素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−210218（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−9218（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−9217（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−209762（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−138820（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−225124（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−110610（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−191822（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01D 5/245 G01D 5/245 102 G01P 3/488
Claims (4)
- 【請求項１】 一定波長λの繰り返し信号が着磁された
磁気記録媒体と、この磁気記録媒体と対向する位置に配
設され磁界の変化に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素
子と、を備えた磁気検出装置において、 前記磁気抵抗素子は２ｎ（ｎは自然数）個の抵抗群を有
すると共に、 各抵抗群は３個以上の折り返し抵抗素子を有し、 各抵抗群の内側の抵抗素子の感度及び抵抗値の少なくと
も一方を、両側の抵抗素子より低くしてなる磁気検出装
置。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気検出装置において、 各抵抗群の内側の抵抗素子の感度は両側の抵抗素子の感
度の５０〜８０％であることを特徴とする磁気検出装
置。 - 【請求項３】 請求項１記載の磁気検出装置において、 各抵抗群の内側の抵抗素子の抵抗値は両側の抵抗素子の
抵抗値の５０〜８０％であることを特徴とする磁気検出
装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の磁気検出装置において、 各抵抗群の両側の抵抗素子間の間隔はλ／８〜λ／４で
あることを特徴とする磁気検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19910294A JP2968924B2 (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 磁気検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19910294A JP2968924B2 (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 磁気検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0843125A JPH0843125A (ja) | 1996-02-16 |
| JP2968924B2 true JP2968924B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=16402162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19910294A Expired - Fee Related JP2968924B2 (ja) | 1994-08-01 | 1994-08-01 | 磁気検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2968924B2 (ja) |
-
1994
- 1994-08-01 JP JP19910294A patent/JP2968924B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0843125A (ja) | 1996-02-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990810 |
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