JP2964988B2 - 赤外線センサ読み出し回路 - Google Patents

赤外線センサ読み出し回路

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JP2964988B2
JP2964988B2 JP9116050A JP11605097A JP2964988B2 JP 2964988 B2 JP2964988 B2 JP 2964988B2 JP 9116050 A JP9116050 A JP 9116050A JP 11605097 A JP11605097 A JP 11605097A JP 2964988 B2 JP2964988 B2 JP 2964988B2
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infrared sensor
voltage
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線を利用した
撮像装置に用いられる熱型の赤外線センサに関し、特
に、センサからの信号の読み出し回路に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の赤外線センサの読み出し
回路は、例えば特開平8−10579号公報に記載され
ているように、ボロメータ型の赤外線センサに対して、
その信号を最も高いSN比で読み出すことを目的として
用いられている。
【0003】図3は、従来の赤外線センサ読み出し回路
の一例を示す回路図であり、図4は、図3の読み出し回
路のタイミングチャートである。赤外線センサ1は、ボ
ロメータが2次元的に配置され(これを画素と呼び、そ
の抵抗をRbとする)、水平スイッチと垂直スイッチと
により任意の画素のボロメータを画素選択パルスによっ
て選択することができる構造となっている。
【0004】読み出し回路は、赤外線センサ1にバイア
ス電圧Vbを供給するための電源3、赤外線センサ1へ
流れる電流を読み出すトランジスタ2、信号電流を蓄積
するコンデンサ7、コンデンサ7をリセットするための
スイッチ6によって構成されている。
【0005】次にその動作を、図3と図4を参照して説
明する。ボロメータは、Tiなどの金属またはpoly
−Siなどの半導体を母材とする感熱素子であり、温度
によりその抵抗値が変化する。そこで、レンズを使って
ボロメータ上に赤外線を集光させると、そのエネルギー
によってボロメータの温度が上昇するので、それを抵抗
値Rbの変化として読み出すことで赤外線センサが実現
できる。
【0006】いま、図3の画素選択パルスによってある
画素が選択されているものとする。図5の1画素の期間
は、この画素が選択されている時間を示しており、この
期間内にその画素からの信号を読み出さなければならな
い。読み出しは、バイアス電源3とトランジスタ2を使
ってボロメータに一定電圧を印加し、流れる電流の変化
から抵抗値の変化を読みとる方式を採用している。これ
を行うのが読み出し回路であり、前記電流の変化はコン
デンサ7により電圧に変換され、次段(サンプルホール
ド回路)へ送られる。
【0007】画素が選択されると、まず、スイッチ6に
よりコンデンサ7のリセットを行う。即ち、リセットパ
ルスΦRSTによりスイッチ6がオンとなり、コンデン
サ7は電源Vrによって電圧Vrに充電される。一方、
ボロメータには下記の電流Ieが流れており、リセット
中はこの電流は電源Vrから供給されている。
【0008】 Ie=(Vb−Vbe)/Rb (1) Vbe:トランジスタ2のベース・エミッタ間電圧 スイッチ6がオフになると、コンデンサ7とボロメータ
の抵抗値Rbによる積分動作がスタートする。
【0009】定電流源としてのトランジスタ2のコレク
タ電流Icはエミッタ電流Ieとほぼ同じであり、この
コレクタ電流Icは積分期間中はコンデンサ7から供給
される。その結果Ie(即ちIc)の大小、つまりボロ
メータの抵抗値Rbの大小に応じてコンデンサ7の電圧
Viの変化の割合が異なることになる。
【0010】スイッチ6がオフになってから、次段の回
路でサンプルホールドされるまでの時間を積分時間Ti
とすると、積分終了時点でのコンデンサ7の電圧Vo
は、 Vo=Vr−Ic・Ti/C (2) となる(Cは、コンデンサ7の容量値)。Voの変化分
をΔVoとすると、Ic≒Ieであるから ΔVo={(Vb−Vbe)/Rb}・Ti/C (3) となる。
【0011】また、ボロメータへの印加電圧(Vb−V
be)に対するΔVoの比を積分ゲインGと呼ぶことに
すると、積分ゲインGは G=Ti/C/Rb (4) となる。
【0012】このように、積分型の読み出し回路を用い
ることによって、ボロメータの抵抗値Rbを電圧値に変
換することができる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】この積分型の読み出し
回路の特徴は、赤外線の強度の情報を含んだ信号(I
e)を赤外線センサ1から読み出すと同時に電圧に変換
して増幅することができ、また、変換ゲイン(積分ゲイ
ン)Gを大きくすれほど、出力信号振幅を大きくするこ
とができ、後段の回路ノイズの影響を小さくすることが
できる。
【0014】しかしながら、積分ゲインGを大きくする
と、コンデンサ7の電圧の変化分ΔVoも大きくなっ
て、それに見合う高電圧の電源が必要となり、装置の大
型化、高価格化、高消費電力化を招くという問題があ
る。
【0015】例えば、Rb=3kΩ、c=100pF、
Ti=1μs、Vb−Vbe=6Vとした場合を考える
と、上式より変換ゲインGは3.3となり、ΔVo=2
0Vとなる。したがって、リセット電圧Vrは、 Vr>(Vb−Vbe)+ΔVo+Vce+Vs>2
8.5V Vce:トランジスタ2のコレクタエミッタ間電圧mi
n0.5V程度 Vs:信号電圧 2V程度 となり、通常30V以上の電圧が必要になる。変換ゲイ
ンGを1倍にすれば、リセット電圧Vrは15V程度で
も積分回路として動作可能であるが、SN比の劣化は避
けられない。
【0016】本発明は、上記の問題点に鑑み、センサの
読み出し回路を、変換ゲインを下げることなくより低電
圧の電源でも動作可能に構成することを目的とするもの
である。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明の赤外線センサ読
み出し回路は、積分量を検出し基準量と比較するコンパ
レータと、コンパレータ出力に基づいてレベルを反転す
るトグルフリップフロップと、トグルフリップフロップ
出力により積分コンデンサの接続方向を反転させる2つ
のスイッチを有する。
【0018】コンデンサの積分量、すなわちコンデンサ
の両端電圧は常に監視され、決められた電圧以上になる
ことはない。したがって、リセット電圧即ち電源電圧を
高電圧にする必要が無くなる。
【0019】
【発明の実施の形態】図1は、本発明による赤外線セン
サ読み出し回路の実施の形態を示す回路図であり、図2
は本発明の動作を説明するタイミングチャートである。
図1において、赤外線センサ1、トランジスタ2及びバ
イアス電源3は従来例と同一構成のものを用いる。
【0020】コンパレータ9は、コンデンサ7の下端の
電圧Viと基準電圧源8の基準電圧VLを常時比較し、
その大小に応じて出力レベルを変化させる。トグルフリ
ップフロップ10はコンパレータ9の出力を受けてその
出力を反転する。反転スイッチ4及び5はトグルフリッ
プフロップ10の出力レベルに一義的に対応してその接
続点を決める。リセットスイッチ6はオンすることによ
ってコンデンサ7に蓄積した電荷を放電させる。
【0021】次に、本発明の動作を、図1と図2を参照
して説明する。いま、図1の画素選択パルスによってあ
る画素が選択されているものとする。本発明の回路にお
いても、図2の1画素の期間はこの画素が選択されてい
る時間を示しており、この期間内にその画素からの信号
を読み出さなければならない。読み出しは、バイアス電
源3とトランジスタ2を使ってボロメータに一定電圧を
印加し、流れる電流の変化から抵抗値の変化を読みとる
方式を採用している。前記電流の変化はコンデンサ7に
より電圧に変換され、次段(サンプルホールド回路)へ
送られる。
【0022】画素が選択されると、まず、スイッチ6に
よりコンデンサ7のリセットを行う。但し、リセットは
リセットパルスΦRSTによりスイッチ6がオンとなり
コンデンサ7に蓄積した電荷を放電させることによって
行う。即ち、リセットパルスΦRSTによりスイッチ6
がオンとなると、コンデンサ7に蓄積された電荷は放電
され、出力電圧Viは電源電圧Vrにセットされる。
【0023】一方、ボロメータには(1)式の電流Ie
が流れており、リセット中はこの電流はリセットスイッ
チ6を経由して電源Vrから供給されている。
【0024】スイッチ6がオフになると、コンデンサ7
とボロメータの抵抗値Rbによる積分動作がスタートす
る。トランジスタ2のコレクタ電流Icは、積分期間中
はコンデンサ7を経由して電源Vrから供給される。そ
の結果、コンデンサ7に電荷が蓄積されて電圧が発生
し、Viの電位は低下していく(図2(A))。この電
位が基準電圧VLを下回ると、コンパレータ9はハイレ
ベルとなり(図2(C))、トグルフリップフロップ1
0を反転させて(図2(D))、コンデンサ7の接続方
向を180度反転させる。するとViは瞬間的に(2V
r−VL)に上昇し(図2(A))、再び積分動作を開
始する。そしてViがVLに達すると上記の動作が繰り
返される。
【0025】出力電圧Viは予め決められた電圧の範囲
(VL〜2Vr−VL)を超えることはなく、よって、
サンプルホールドされる出力電圧もVL〜2Vr−VL
の範囲となるが、ボロメータの抵抗値Rbの変化範囲、
コンデンサ7の容量値、あるいは1画素の読みとり期間
との関係を適当に設定することにより、ボロメータの抵
抗値RbとVL〜2Vr−VLの範囲のサンプルホール
ド出力電圧値とを一対一に対応させることができる。
【0026】また、本発明の回路の場合も、積分ゲイン
Dは(4)式で表すことができる。したがって、本発明
の赤外線センサ読み出し回路は、必要とする積分ゲイン
を確保した上で、電源Vrの電圧を下げることができ
る。例えばVL=10Vとすれば、前記の条件の場合に
おいてもVrを15Vとすれば十分であり、この種の赤
外線センサ読み出し回路を、SN比を低下させることな
く低電圧の電源によって実現することができる。
【0027】
【発明の効果】本発明の赤外線センサ読み出し回路は、
電源電圧を低電圧化することが可能な構成となっている
ので、装置の小型化、低コスト化及び低消費電力化を図
ることができる。
【0028】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示す回路図である。
【図2】図1の動作を説明するタイミングチャートであ
る。
【図3】従来例の回路図である。
【図4】図3の動作を説明するタイミングチャートであ
る。
【符号の説明】
1 赤外線センサ 2 トランジスタ 3 バイアス電源 4,5 反転スイッチ 6 リセットスイッチ 7 コンデンサ 8 基準電源 9 コンパレータ 10 トグルフリップフロップ

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ボロメータ型熱電変換素子を用いた赤外
    線センサからの出力を読み出す赤外線センサ読み出し回
    路において、 前記読み出し回路は、赤外線センサの抵抗値を電流値に
    変換するトランジスタと、該トランジスタの出力端と電
    源の間に直列に接続され、前記電流値を電圧値に変換す
    る積分用コンデンサと、該積分用コンデンサの両端間に
    接続されたリセットスイッチと、前記トランジスタと前
    記積分用コンデンサの接続点から出力される積分出力電
    圧を所定の基準電圧と比較するコンパレータと、該コン
    パレータの出力に基づいて前記積分用コンデンサの接続
    方向を反転するスイッチを備えていることを特徴とする
    赤外線センサ読み出し回路。
  2. 【請求項2】 前記赤外線センサは、複数のボロメータ
    型熱電変換素子がそれぞれ画素として2次元状に配置さ
    れており、画素選択手段により任意の素子が前記読み出
    し回路に選択接続可能に構成されていることを特徴とす
    る請求項1記載の赤外線センサ読み出し回路。
  3. 【請求項3】 前記コンパレータの出力に基づいてレベ
    ルを反転するトグルフリップフロップを備え、前記スイ
    ッチは、前記トグルフリップフロップの出力によって前
    記積分用コンデンサの接続方向を反転させることを特徴
    とする請求項1又は2記載の赤外線センサ読み出し回
    路。
  4. 【請求項4】 前記積分出力電圧を入力するサンプルホ
    ールド回路を備え、前記抵抗値を電圧値として読み出す
    ことを特徴とする請求項1、2又は3記載の赤外線セン
    サ読み出し回路。
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FR2946139B1 (fr) * 2009-05-27 2011-07-01 Commissariat Energie Atomique Dispositif electronique d'ebasage du courant issu de detecteurs de rayonnement electromagnetique.

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