JP2952063B2 - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
- Publication number
- JP2952063B2 JP2952063B2 JP4738491A JP4738491A JP2952063B2 JP 2952063 B2 JP2952063 B2 JP 2952063B2 JP 4738491 A JP4738491 A JP 4738491A JP 4738491 A JP4738491 A JP 4738491A JP 2952063 B2 JP2952063 B2 JP 2952063B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- film
- mask
- exposure
- absorber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造用Ｘ線リソグ
ラフィーに使用するＸ線マスクに関する。
ラフィーに使用するＸ線マスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ等の電子デバイスの
リソグラフィー加工方法として種々の方法が使用されて
いるが、その中でもＸ線リソグラフィーはＸ線固有の高
透過率や単波長等の性質に基づき、これ迄の可視光や紫
外線によるリソグラフィー方法に比べて多くの優れた点
を有しており、クォーターミクロンリソグラフィー方法
の有力な手段として注目されている。一般にＸ線リソグ
ラフィーに使用するＸ線マスクは、図２に示す模式マス
ク断面図の様に、厚さ０．４〜２ｍｍのＳｉウエハー基
板２１及びＸ線透過膜２２及びＸ線吸収体２３よりなっ
ている。Ｓｉ基板は中央部で円形又は多角形にエッチン
グされ、エッチング後はＸ線透過膜の自立膜となってい
る。Ｘ線吸収体はこの自立膜上で回路パターンとして形
成される。回路パターンの外側にはＸ線の透過防止の為
にＸ線吸収体２４がベタ状に形成されている。
リソグラフィー加工方法として種々の方法が使用されて
いるが、その中でもＸ線リソグラフィーはＸ線固有の高
透過率や単波長等の性質に基づき、これ迄の可視光や紫
外線によるリソグラフィー方法に比べて多くの優れた点
を有しており、クォーターミクロンリソグラフィー方法
の有力な手段として注目されている。一般にＸ線リソグ
ラフィーに使用するＸ線マスクは、図２に示す模式マス
ク断面図の様に、厚さ０．４〜２ｍｍのＳｉウエハー基
板２１及びＸ線透過膜２２及びＸ線吸収体２３よりなっ
ている。Ｓｉ基板は中央部で円形又は多角形にエッチン
グされ、エッチング後はＸ線透過膜の自立膜となってい
る。Ｘ線吸収体はこの自立膜上で回路パターンとして形
成される。回路パターンの外側にはＸ線の透過防止の為
にＸ線吸収体２４がベタ状に形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】上記Ｘ線マスクを
用いたＸ線リソグラフィーは通常ステップ＆リピートで
露光が行われる。このとき多重露光が問題となる。Ｘ線
マスクの回路パターン２３の外側はＸ線の透過防止の為
に内側の回路パターンと同一厚のＸ線吸収体２４がベタ
状に形成されている。しかしながら、回路パターンと同
一厚のＸ線吸収体ではＸ線を完全には吸収出来ず、数〜
十数％が透過してしまう。ステップ＆リピートで露光を
行う場合、この数〜十数％の透過Ｘ線が問題となる。つ
まり、多重露光である。ステップ＆リピートで露光を行
うと、図３に示す様に必要な露光領域３１の外側領域３
２が吸収体２４を透過してきたＸ線によって露光され
る。
用いたＸ線リソグラフィーは通常ステップ＆リピートで
露光が行われる。このとき多重露光が問題となる。Ｘ線
マスクの回路パターン２３の外側はＸ線の透過防止の為
に内側の回路パターンと同一厚のＸ線吸収体２４がベタ
状に形成されている。しかしながら、回路パターンと同
一厚のＸ線吸収体ではＸ線を完全には吸収出来ず、数〜
十数％が透過してしまう。ステップ＆リピートで露光を
行う場合、この数〜十数％の透過Ｘ線が問題となる。つ
まり、多重露光である。ステップ＆リピートで露光を行
うと、図３に示す様に必要な露光領域３１の外側領域３
２が吸収体２４を透過してきたＸ線によって露光され
る。
【０００４】特に斜線の部分３３が３重の露光にさらさ
れることになる。この露光によって、線幅精度の低下や
膜減りが引き起こされ、大きな問題となっている。これ
を解決する為の方法として、回路パターンの外側の吸収
体の厚さを厚くする、或いはマスクとは別にアパーチャ
ーを設ける等の提案がなされているが、前者は吸収体の
厚さを厚くすることによって吸収体の内部応力制御が困
難になり、マスクパターンの位置歪みを増大させ、後者
はアパーチャーの位置決めが非常に困難であると共に装
置の機構を複雑化させてしまうという問題があった（特
開昭６２−１５８３２３号参照）従って、本発明の目的
は上記従来技術の問題点を解決し、Ｘ線の多重露光を防
止し、Ｘ線露光による高精度な回路パターン転写が可能
となるＸ線マスクを提供することにある。
れることになる。この露光によって、線幅精度の低下や
膜減りが引き起こされ、大きな問題となっている。これ
を解決する為の方法として、回路パターンの外側の吸収
体の厚さを厚くする、或いはマスクとは別にアパーチャ
ーを設ける等の提案がなされているが、前者は吸収体の
厚さを厚くすることによって吸収体の内部応力制御が困
難になり、マスクパターンの位置歪みを増大させ、後者
はアパーチャーの位置決めが非常に困難であると共に装
置の機構を複雑化させてしまうという問題があった（特
開昭６２−１５８３２３号参照）従って、本発明の目的
は上記従来技術の問題点を解決し、Ｘ線の多重露光を防
止し、Ｘ線露光による高精度な回路パターン転写が可能
となるＸ線マスクを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】上記目的は以下の本発明に
よって達成させる。即ち、本発明は、Ｘ線透過膜、Ｘ線
吸収体及びＸ線透過膜支持体を有するＸ線マスクにおい
て、該Ｘ線透過膜と該Ｘ線透過膜支持体との境界部分付
近に限定して両面に多重露光防止膜が形成されているこ
とを特徴とするＸ線マスクである。
よって達成させる。即ち、本発明は、Ｘ線透過膜、Ｘ線
吸収体及びＸ線透過膜支持体を有するＸ線マスクにおい
て、該Ｘ線透過膜と該Ｘ線透過膜支持体との境界部分付
近に限定して両面に多重露光防止膜が形成されているこ
とを特徴とするＸ線マスクである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、Ｘ線マスクのＸ線透過膜とＸ
線透過膜支持体との境界部分付近に限定して両面に多重
露光防止膜を形成することによって、Ｘ線の多重露光を
防止すると共に、多重露光防止膜を設置することによっ
て発生するマスタパターンの位置歪みを低減させること
が出来る。更にこの多重露光防止用膜の両面形成に金め
っき膜を用いることにより、多重露光防止膜形成に起因
するパターン位置歪みをほぼ無くすることが出来る。
線透過膜支持体との境界部分付近に限定して両面に多重
露光防止膜を形成することによって、Ｘ線の多重露光を
防止すると共に、多重露光防止膜を設置することによっ
て発生するマスタパターンの位置歪みを低減させること
が出来る。更にこの多重露光防止用膜の両面形成に金め
っき膜を用いることにより、多重露光防止膜形成に起因
するパターン位置歪みをほぼ無くすることが出来る。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例につ
いて説明する。図１は本発明に係るＸ線マスクの１実施
例を示す図である。図１において、１はＸ線透過膜支持
体、２はＸ線透過膜、３はＸ線吸収体、４は多重露光防
止膜を示す。
いて説明する。図１は本発明に係るＸ線マスクの１実施
例を示す図である。図１において、１はＸ線透過膜支持
体、２はＸ線透過膜、３はＸ線吸収体、４は多重露光防
止膜を示す。
【０００８】実施例１ 図４に上記本発明のＸ線マスクの製造工程の１例を示
す。先ず、図４（ａ）に示す様にＳｉや石英等からなる
基板（Ｘ線透過膜支持体４１）上にＳｉＮ、ＳｉＣ、Ｂ
Ｎ等のＸ線透過膜４２を１〜３μｍ厚みにＣＶＤ法又は
スパッター法等により形成する。次に、図４（ｂ）に示
す様に、Ｘ線透過膜支持体４１の裏面をウェットエッチ
ング処理することにより露光窓を形成する。次に、図４
（ｃ）に示す様にめっき用電極４３をＥＢ又は抵抗加熱
蒸着法等の方法により形成する。このとき、裏面側のめ
っき電極は表面の回路パターンの外側の大きさにする。
次に、図４（ｄ）に示す様に、めっき電極４３上にレジ
ストパターン４４を電子線露光等の方法により形成す
る。この時も、レジストパターンの位置は裏面のめっき
電極に合わせる。つまり、回路パターンの外側を表裏で
合わせる。続いて、図４（ｅ）に示す様に表裏同時に金
めっき４５を行い、レジスト及びめっき下地を剥離して
本発明のＸ線マスクとする。又、金めっきは、同時でな
く逐次表裏でめっきを行ってもよいが、この場合は膜厚
を出来るだけ同一にする。
す。先ず、図４（ａ）に示す様にＳｉや石英等からなる
基板（Ｘ線透過膜支持体４１）上にＳｉＮ、ＳｉＣ、Ｂ
Ｎ等のＸ線透過膜４２を１〜３μｍ厚みにＣＶＤ法又は
スパッター法等により形成する。次に、図４（ｂ）に示
す様に、Ｘ線透過膜支持体４１の裏面をウェットエッチ
ング処理することにより露光窓を形成する。次に、図４
（ｃ）に示す様にめっき用電極４３をＥＢ又は抵抗加熱
蒸着法等の方法により形成する。このとき、裏面側のめ
っき電極は表面の回路パターンの外側の大きさにする。
次に、図４（ｄ）に示す様に、めっき電極４３上にレジ
ストパターン４４を電子線露光等の方法により形成す
る。この時も、レジストパターンの位置は裏面のめっき
電極に合わせる。つまり、回路パターンの外側を表裏で
合わせる。続いて、図４（ｅ）に示す様に表裏同時に金
めっき４５を行い、レジスト及びめっき下地を剥離して
本発明のＸ線マスクとする。又、金めっきは、同時でな
く逐次表裏でめっきを行ってもよいが、この場合は膜厚
を出来るだけ同一にする。
【０００９】実施例２ 図５に本発明のＸ線マスクの製造工程の他の例を示す。
先ず、図５（ａ）に示す様にＳｉや石英等からなる基板
（Ｘ線透過膜支持体５１）上にＳｉＮ、ＳｉＣ、ＢＮ等
のＸ線透過膜５２を１〜３μｍ厚みにＣＶＤ法又はスパ
ッター法等により形成する。次に、図５（ｂ）に示す様
に多重露光防止膜の形成位置にめっき電極５３を形成す
る。次に、図５（ｃ）に示す様にＸ線透過膜５２上にス
パッター法、ＣＶＤ法等によりＷＮｘ、Ｔａ、Ｗ等から
なるＸ線吸収体層５４を形成する。次に、図５（ｄ）に
示す様に、Ｘ線吸収体上にレジストパターン５５を電子
線露光等の方法により形成する。次に、図５ｅに示す様
にレジストパターン５５をエッチングマスクとしてＸ線
吸収体パターン５６を形成し、エッチング後レジストを
剥離する。次に図５（ｆ）に示す様に、めっき電極５３
を回路パターンの外側の位置の裏側に形成する。次に図
５（ｇ）に示す様にめっき電極上に金めっきを同時又は
逐次行い、本発明のＸ線マスクとする。尚、本発明は上
記の実施例に限定されるものではなく、種々の変形が可
能である。
先ず、図５（ａ）に示す様にＳｉや石英等からなる基板
（Ｘ線透過膜支持体５１）上にＳｉＮ、ＳｉＣ、ＢＮ等
のＸ線透過膜５２を１〜３μｍ厚みにＣＶＤ法又はスパ
ッター法等により形成する。次に、図５（ｂ）に示す様
に多重露光防止膜の形成位置にめっき電極５３を形成す
る。次に、図５（ｃ）に示す様にＸ線透過膜５２上にス
パッター法、ＣＶＤ法等によりＷＮｘ、Ｔａ、Ｗ等から
なるＸ線吸収体層５４を形成する。次に、図５（ｄ）に
示す様に、Ｘ線吸収体上にレジストパターン５５を電子
線露光等の方法により形成する。次に、図５ｅに示す様
にレジストパターン５５をエッチングマスクとしてＸ線
吸収体パターン５６を形成し、エッチング後レジストを
剥離する。次に図５（ｆ）に示す様に、めっき電極５３
を回路パターンの外側の位置の裏側に形成する。次に図
５（ｇ）に示す様にめっき電極上に金めっきを同時又は
逐次行い、本発明のＸ線マスクとする。尚、本発明は上
記の実施例に限定されるものではなく、種々の変形が可
能である。
【００１０】
【発明の効果】以上に説明した様に、本発明のＸ線マス
クによれば従来大きな問題であった、多重露光が解消出
来且つ正確な線幅制御が可能となる。更に、Ｘ線透過膜
の両面に同一の多重露光防止膜を形成する為に、多重露
光防止膜の形成によって発生する内部応力をそれ自身で
相殺可能で、回路パターンの位置に影響を及ぼさずに多
重露光防止膜を形成出来る。従って、Ｘ線露光による高
精度な回路パターン転写が可能となる。
クによれば従来大きな問題であった、多重露光が解消出
来且つ正確な線幅制御が可能となる。更に、Ｘ線透過膜
の両面に同一の多重露光防止膜を形成する為に、多重露
光防止膜の形成によって発生する内部応力をそれ自身で
相殺可能で、回路パターンの位置に影響を及ぼさずに多
重露光防止膜を形成出来る。従って、Ｘ線露光による高
精度な回路パターン転写が可能となる。
【００１１】
【図１】本発明のＸ線マスクを図解的に示す断面図。
【図２】従来技術のＸ線マスクを図解的に示す断面図。
【図３】多重Ｘ線露光を説明する図。
【図４】本発明のＸ線マスクの製造工程の１例を示す
図。
図。
【図５】本発明のＸ線マスクの製造工程の他の例を示す
図。
図。
１、２１、４１、５１：Ｘ線透過膜支持体 ２、２２、４２、５２：Ｘ線透過膜 ３、２３、５４：Ｘ線吸収体 ４：多重露光防止膜 ３１：Ｘ線必要露光領域 ３２：Ｘ線露光領域 ３３：多重露光領域 ４３：めっき用電極 ４４、５５：レジストパターン ４５：めっき膜 ５３：めっき電極 ５６：Ｘ線吸収体パターン ５７：めっき膜
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線透過膜、Ｘ線吸収体及びＸ線透過膜
支持体を有するＸ線マスクにおいて、該Ｘ線透過膜と該
Ｘ線透過膜支持体との境界部分付近に限定して両面に多
重露光防止膜が形成されていることを特徴とするＸ線マ
スク。 - 【請求項２】 多重露光防止膜が金めっき膜である請求
項１に記載のＸ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4738491A JP2952063B2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4738491A JP2952063B2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | Ｘ線マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04267322A JPH04267322A (ja) | 1992-09-22 |
| JP2952063B2 true JP2952063B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=12773612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4738491A Expired - Fee Related JP2952063B2 (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | Ｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2952063B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP4738491A patent/JP2952063B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04267322A (ja) | 1992-09-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |