JP2947957B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2947957B2 JP2947957B2 JP3040713A JP4071391A JP2947957B2 JP 2947957 B2 JP2947957 B2 JP 2947957B2 JP 3040713 A JP3040713 A JP 3040713A JP 4071391 A JP4071391 A JP 4071391A JP 2947957 B2 JP2947957 B2 JP 2947957B2
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- semiconductor device
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、コンデンサを一体的
に組み込ませた半導体装置に関する。
に組み込ませた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子にコンデンサを組み合
わせて用いる場合があるが、例えば電子内視鏡の先端部
に半導体イメージセンサを設ける場合には、図７に示す
ようにイメージセンサ101 の近傍にチップコンデンサ10
2 とドライブ回路用ＩＣ103 を配置する必要があり、イ
メージセンサとドライブ回路用ＩＣの２つのチップとコ
ンデンサ分のかなり大きな実装面積が必要であった。な
お図７において、104 は実装基板、105 はレンズ、106
はライトガイド、107 は内視鏡外皮を示している。
わせて用いる場合があるが、例えば電子内視鏡の先端部
に半導体イメージセンサを設ける場合には、図７に示す
ようにイメージセンサ101 の近傍にチップコンデンサ10
2 とドライブ回路用ＩＣ103 を配置する必要があり、イ
メージセンサとドライブ回路用ＩＣの２つのチップとコ
ンデンサ分のかなり大きな実装面積が必要であった。な
お図７において、104 は実装基板、105 はレンズ、106
はライトガイド、107 は内視鏡外皮を示している。
【０００３】このような大なる実装面積を必要とするこ
とは、内視鏡等にとって大きな問題であり、特に電子内
視鏡においては先端部分が大きくなり、この大きさは太
さにかかわってくるだけでなく、曲げの操作性にも大き
く影響する。したがって、この実装面積の縮小化は重要
であり、これに関しては先に本願出願人は、特願平２−
２７６４３９号において、イメージセンサの裏面にドラ
イブ回路用ＩＣを貼り付けて小型化を計る実装方法を提
案した。
とは、内視鏡等にとって大きな問題であり、特に電子内
視鏡においては先端部分が大きくなり、この大きさは太
さにかかわってくるだけでなく、曲げの操作性にも大き
く影響する。したがって、この実装面積の縮小化は重要
であり、これに関しては先に本願出願人は、特願平２−
２７６４３９号において、イメージセンサの裏面にドラ
イブ回路用ＩＣを貼り付けて小型化を計る実装方法を提
案した。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先に提
案した実装方法においても、コンデンサは従来の構成の
チップコンデンサを用いるものであり、更に実際にはコ
ンデンサは周波数特性をよくするため、大容量と小容量
の２個を並列にして使用することが多い。このため実装
面積は、この方法によっても未だある程度大きなものが
必要であり、更に縮小化する手段が求められていた。
案した実装方法においても、コンデンサは従来の構成の
チップコンデンサを用いるものであり、更に実際にはコ
ンデンサは周波数特性をよくするため、大容量と小容量
の２個を並列にして使用することが多い。このため実装
面積は、この方法によっても未だある程度大きなものが
必要であり、更に縮小化する手段が求められていた。
【０００５】本発明は、従来の半導体装置における上記
問題点を解消するためになされたもので、請求項１記載
の発明は、実装面積を微小化したコンデンサを組み込ん
だ半導体装置を提供することを目的とする。また請求項
２記載の発明は、ノイズの混入の防止並びにノイズの軽
減を図ることの可能な半導体装置を提供することを目的
とする。
問題点を解消するためになされたもので、請求項１記載
の発明は、実装面積を微小化したコンデンサを組み込ん
だ半導体装置を提供することを目的とする。また請求項
２記載の発明は、ノイズの混入の防止並びにノイズの軽
減を図ることの可能な半導体装置を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】上記問題点を解
決するため、請求項１記載の発明は、基板の導電型を異
にする複数の半導体素子を、基板面間に誘電体を挟んで
貼り合わせ、半導体素子にコンデンサを一体的に組み込
ませて半導体装置を構成するものである。また請求項２
記載の発明は、請求項１記載の半導体装置において、一
方の半導体素子をイメージセンサとし、他方の半導体素
子をイメージセンサの周辺回路を構成するＩＣとしたこ
とを特徴とするものである。
決するため、請求項１記載の発明は、基板の導電型を異
にする複数の半導体素子を、基板面間に誘電体を挟んで
貼り合わせ、半導体素子にコンデンサを一体的に組み込
ませて半導体装置を構成するものである。また請求項２
記載の発明は、請求項１記載の半導体装置において、一
方の半導体素子をイメージセンサとし、他方の半導体素
子をイメージセンサの周辺回路を構成するＩＣとしたこ
とを特徴とするものである。
【０００７】このように構成することにより、請求項１
記載の発明におていは、複数の半導体素子とコンデンサ
とが一体化され、したがって実装面積を微小化したコン
デンサを組み込んだ半導体装置を実現することができ
る。また請求項２記載の発明においては、イメージセン
サから周辺回路へ最短距離で入力できるため、ノイズの
混入が防止でき、またバイパスコンデンサもパッケージ
のリード線すら介さずに挿入できるので、この点もノイ
ズの軽減に役立つ。
記載の発明におていは、複数の半導体素子とコンデンサ
とが一体化され、したがって実装面積を微小化したコン
デンサを組み込んだ半導体装置を実現することができ
る。また請求項２記載の発明においては、イメージセン
サから周辺回路へ最短距離で入力できるため、ノイズの
混入が防止でき、またバイパスコンデンサもパッケージ
のリード線すら介さずに挿入できるので、この点もノイ
ズの軽減に役立つ。
【０００８】
【実施例】次に実施例について説明する。まず実施例の
説明に先立ち本発明に係る半導体装置に関連する参照例
について説明する。図１は、第１の参照例を示す分解斜
視図である。図において、１はＩＣで、該ＩＣ１の基板
面に誘電体２を介して金属板３を貼り合わせて半導体装
置を構成している。
説明に先立ち本発明に係る半導体装置に関連する参照例
について説明する。図１は、第１の参照例を示す分解斜
視図である。図において、１はＩＣで、該ＩＣ１の基板
面に誘電体２を介して金属板３を貼り合わせて半導体装
置を構成している。
【０００９】このように構成された半導体装置において
は、ＩＣ１の基板と誘電体２と金属板３とでコンデンサ
が形成され、コンデンサをＩＣに一体的に組み込んで、
実装面積を縮小化した半導体装置が得られる。
は、ＩＣ１の基板と誘電体２と金属板３とでコンデンサ
が形成され、コンデンサをＩＣに一体的に組み込んで、
実装面積を縮小化した半導体装置が得られる。
【００１０】次に図２に第２の参照例の分解斜視図を示
す。この参照例は、イメージセンサと該イメージセンサ
のドライブ回路用ＩＣの２つの半導体素子とコンデンサ
とを一体的に構成するものである。図において、11は裏
面に絶縁膜12を形成したイメージセンサで、13は同じく
裏面に絶縁膜14を形成したドライブ回路用ＩＣであり、
これらの間に２枚の金属板15, 16に挟まれた誘電体17を
挿入して貼り合わせて構成したものである。これにより
２枚の金属板15, 16で挟まれた誘電体17で形成されたコ
ンデンサと、イメージセンサ11と、ドライブ回路用ＩＣ
13とを一体化した半導体装置が得られる。
す。この参照例は、イメージセンサと該イメージセンサ
のドライブ回路用ＩＣの２つの半導体素子とコンデンサ
とを一体的に構成するものである。図において、11は裏
面に絶縁膜12を形成したイメージセンサで、13は同じく
裏面に絶縁膜14を形成したドライブ回路用ＩＣであり、
これらの間に２枚の金属板15, 16に挟まれた誘電体17を
挿入して貼り合わせて構成したものである。これにより
２枚の金属板15, 16で挟まれた誘電体17で形成されたコ
ンデンサと、イメージセンサ11と、ドライブ回路用ＩＣ
13とを一体化した半導体装置が得られる。
【００１１】このように構成した半導体装置において
は、２枚の金属板15, 16間にイメージセンサ11に印加す
る電源ＶDDとＶSSを加え、バイパスコンデンサとして使
用することができる。またこの構成の半導体装置におい
ては、イメージセンサ11及びドライブ回路用ＩＣ13の貼
り合わせ面に絶縁膜12, 14をそれぞれ施しているため、
イメージセンサ11及びドライブ回路用ＩＣ13の基板の極
性に依存せずコンデンサを形成することができる。なお
この場合、イメージセンサ11又はドライブ回路用ＩＣ13
のいずれか一方には絶縁膜を設けず、基板面を直接に貼
り合わせて構成してもよい。
は、２枚の金属板15, 16間にイメージセンサ11に印加す
る電源ＶDDとＶSSを加え、バイパスコンデンサとして使
用することができる。またこの構成の半導体装置におい
ては、イメージセンサ11及びドライブ回路用ＩＣ13の貼
り合わせ面に絶縁膜12, 14をそれぞれ施しているため、
イメージセンサ11及びドライブ回路用ＩＣ13の基板の極
性に依存せずコンデンサを形成することができる。なお
この場合、イメージセンサ11又はドライブ回路用ＩＣ13
のいずれか一方には絶縁膜を設けず、基板面を直接に貼
り合わせて構成してもよい。
【００１２】次に図３に一部省略した第３の参照例を示
す。この参照例は、図２に示した第２の参照例の金属板
及び誘電体の構成部分を改変したもので、他の構成は第
２の参照例と同様である。すなわち、２枚の金属板をそ
れぞれ同じ形状に２分割して15-1, 15-2及び16-1, 16-2
とし、該分割金属板15-1, 15-2及び16-1, 16-2に挟まれ
る誘電体も分割金属板の形状に対応した材質の異なる２
つの誘電体18, 19で構成する。
す。この参照例は、図２に示した第２の参照例の金属板
及び誘電体の構成部分を改変したもので、他の構成は第
２の参照例と同様である。すなわち、２枚の金属板をそ
れぞれ同じ形状に２分割して15-1, 15-2及び16-1, 16-2
とし、該分割金属板15-1, 15-2及び16-1, 16-2に挟まれ
る誘電体も分割金属板の形状に対応した材質の異なる２
つの誘電体18, 19で構成する。
【００１３】このように構成した半導体装置において
は、２つのコンデンサがイメージセンサ及びドライブ回
路用ＩＣと一体的に組み込まれたものが得られ、イメー
ジセンサに２個のコンデンサを並列に接続して、周波数
特性を向上させたバイパスコンデンサとすることができ
る。
は、２つのコンデンサがイメージセンサ及びドライブ回
路用ＩＣと一体的に組み込まれたものが得られ、イメー
ジセンサに２個のコンデンサを並列に接続して、周波数
特性を向上させたバイパスコンデンサとすることができ
る。
【００１４】なお上記参照例では、２つの誘電体の材質
を変えたものを示したが、金属板間の間隔を変更した
り、同一材質の誘電体の厚さを変えたりして形成しても
よく、また２個のコンデンサに限らず、３個以上のコン
デンサも同様にして一体的に形成することができる。
を変えたものを示したが、金属板間の間隔を変更した
り、同一材質の誘電体の厚さを変えたりして形成しても
よく、また２個のコンデンサに限らず、３個以上のコン
デンサも同様にして一体的に形成することができる。
【００１５】図４は、本発明に係る半導体装置の実施例
を示す分解斜視図である。本発明に係るこの実施例は、
上記各参照例として示した半導体装置に比べ更にコンパ
クトにコンデンサを一体化した半導体装置が得られるよ
うにしたものである。図において、21はＮ型基板上に形
成されたイメージセンサで、22はＰ型基板上に形成され
たドライブ回路用ＩＣであり、これらのイメージセンサ
21とドライブ回路用ＩＣ22とを、各基板面間に誘電体23
を介して貼り合わせて半導体装置を構成したものであ
る。
を示す分解斜視図である。本発明に係るこの実施例は、
上記各参照例として示した半導体装置に比べ更にコンパ
クトにコンデンサを一体化した半導体装置が得られるよ
うにしたものである。図において、21はＮ型基板上に形
成されたイメージセンサで、22はＰ型基板上に形成され
たドライブ回路用ＩＣであり、これらのイメージセンサ
21とドライブ回路用ＩＣ22とを、各基板面間に誘電体23
を介して貼り合わせて半導体装置を構成したものであ
る。
【００１６】この構成による半導体装置においては、イ
メージセンサ21のＮ型基板がＨレベル側に、ドライブ回
路用ＩＣ22のＰ型基板がＬレベル側にバイアスされるこ
とにより、これらの各基板と誘電体23とでコンデンサが
形成され、コンデンサをイメージセンサとドライブ回路
用ＩＣとに一体的に組み込んだ極めてコンパクトな半導
体装置が得られる。
メージセンサ21のＮ型基板がＨレベル側に、ドライブ回
路用ＩＣ22のＰ型基板がＬレベル側にバイアスされるこ
とにより、これらの各基板と誘電体23とでコンデンサが
形成され、コンデンサをイメージセンサとドライブ回路
用ＩＣとに一体的に組み込んだ極めてコンパクトな半導
体装置が得られる。
【００１７】したがって、これらの各素子の実装面積が
大幅に削減することが可能となり、電子内視鏡の先端部
やビデオカメラの小型化に役立つ。例えば、電子内視鏡
の先端部に、このように構成した半導体装置25を実装し
た場合は、図５に示すように、図７に示した従来例に比
べ、先端からの実装長さを大幅に短くすることができ、
極めて縮小化した部分に実装できることがわかる。そし
てこれにより折り曲げ可能な先端からの長さが短縮で
き、操作性の向上を計ることができる。なお図５におい
て、26はレンズ、27は実装基板、28はライトガイド, 処
置具等、29は内視鏡外皮を示している。
大幅に削減することが可能となり、電子内視鏡の先端部
やビデオカメラの小型化に役立つ。例えば、電子内視鏡
の先端部に、このように構成した半導体装置25を実装し
た場合は、図５に示すように、図７に示した従来例に比
べ、先端からの実装長さを大幅に短くすることができ、
極めて縮小化した部分に実装できることがわかる。そし
てこれにより折り曲げ可能な先端からの長さが短縮で
き、操作性の向上を計ることができる。なお図５におい
て、26はレンズ、27は実装基板、28はライトガイド, 処
置具等、29は内視鏡外皮を示している。
【００１８】またこの実施例の場合、イメージセンサ21
からの出力信号をドライブ回路用ＩＣ22へ最短距離で入
力できるため、ノイズの混入が防止でき、またバイパス
コンデンサもパッケージのリード線すら介さずに挿入で
きるので、この点もノイズの軽減に役立つ。
からの出力信号をドライブ回路用ＩＣ22へ最短距離で入
力できるため、ノイズの混入が防止でき、またバイパス
コンデンサもパッケージのリード線すら介さずに挿入で
きるので、この点もノイズの軽減に役立つ。
【００１９】図６は図４に示した実施例の等価回路を表
したもので、Ｎ型基板タイプのイメージセンサ21の基板
と、Ｐ型基板タイプのドライブ回路用ＩＣ22の基板と、
誘電体23とで構成されるコンデンサ30は、イメージセン
サ21のＮ型基板とドライブ回路用ＩＣ22のＰ型基板に接
続された態様で表される。
したもので、Ｎ型基板タイプのイメージセンサ21の基板
と、Ｐ型基板タイプのドライブ回路用ＩＣ22の基板と、
誘電体23とで構成されるコンデンサ30は、イメージセン
サ21のＮ型基板とドライブ回路用ＩＣ22のＰ型基板に接
続された態様で表される。
【００２０】上記実施例では、Ｎ型基板タイプのイメー
ジセンサ21とＰ型基板タイプのドライブ回路用ＩＣ22を
組み合わせたものを示したが、Ｐ型基板タイプのイメー
ジセンサを用いる場合は、Ｎ型基板タイプのドライブ回
路用ＩＣと組み合わせることにより、同様にコンデンサ
を一体的に組み込むことができる。また上記実施例では
イメージセンサとドライブ回路用ＩＣとを組み合わせた
ものを示したが、ドライブ回路用ＩＣに限らず、イメー
ジセンサの制御回路等の他の周辺回路用ＩＣを組み合わ
せることもできる。
ジセンサ21とＰ型基板タイプのドライブ回路用ＩＣ22を
組み合わせたものを示したが、Ｐ型基板タイプのイメー
ジセンサを用いる場合は、Ｎ型基板タイプのドライブ回
路用ＩＣと組み合わせることにより、同様にコンデンサ
を一体的に組み込むことができる。また上記実施例では
イメージセンサとドライブ回路用ＩＣとを組み合わせた
ものを示したが、ドライブ回路用ＩＣに限らず、イメー
ジセンサの制御回路等の他の周辺回路用ＩＣを組み合わ
せることもできる。
【００２１】また上記実施例では、イメージセンサとド
ライブ回路用ＩＣとを組み合わせて半導体装置を構成し
たものを示したが、これに限らず汎用又は専用の複数の
半導体素子の組み合わせに対しても本発明を適用するこ
とができ、同様な作用効果が得られる。
ライブ回路用ＩＣとを組み合わせて半導体装置を構成し
たものを示したが、これに限らず汎用又は専用の複数の
半導体素子の組み合わせに対しても本発明を適用するこ
とができ、同様な作用効果が得られる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、複数の半導体素子とコ
ンデンサとを一体化し実装面積を微小化したコンデンサ
を組み込んだ半導体装置を得ることができる。また本発
明によれば、イメージセンサから周辺回路へ最短距離で
入力できるため、ノイズの混入が防止でき、またバイパ
スコンデンサもパッケージのリード線すら介さずに挿入
できるので、この点もノイズの軽減に役立つ。
ンデンサとを一体化し実装面積を微小化したコンデンサ
を組み込んだ半導体装置を得ることができる。また本発
明によれば、イメージセンサから周辺回路へ最短距離で
入力できるため、ノイズの混入が防止でき、またバイパ
スコンデンサもパッケージのリード線すら介さずに挿入
できるので、この点もノイズの軽減に役立つ。
【図１】本発明に係る半導体装置に関連する第１の参照
例を示す分解斜視図である。
例を示す分解斜視図である。
【図２】第２の参照例を示す分解斜視図である。
【図３】一部の図示を省略した第３の参照例を示す分解
斜視図である。
斜視図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の実施例を示す分解斜
視図である。
視図である。
【図５】図４に示した実施例による半導体装置を電子内
視鏡の先端に実装した態様を示す図である。
視鏡の先端に実装した態様を示す図である。
【図６】図４に示した実施例の等価回路を示す図であ
る。
る。
【図７】従来の電子内視鏡の先端部の構成を示す図であ
る。
る。
１ ＩＣ ２ 誘電体 ３ 金属板 11 イメージセンサ 12 絶縁膜 13 ドライブ回路用ＩＣ 14 絶縁膜 15 金属板 16 金属板 17 誘電体 21 Ｎ型基板のイメージセンサ 22 Ｐ型基板のドライブ回路用ＩＣ 23 誘電体
Claims (2)
- 【請求項１】 基板の導電型を異にする複数の半導体素
子を、基板面間に誘電体を挟んで貼り合わせ、半導体素
子にコンデンサを一体的に組み込ませたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項２】 一方の半導体素子をイメージセンサと
し、他方の半導体素子をイメージセンサの周辺回路を構
成するＩＣとしたことを特徴とする請求項１記載の半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040713A JP2947957B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3040713A JP2947957B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04259248A JPH04259248A (ja) | 1992-09-14 |
| JP2947957B2 true JP2947957B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=12588226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3040713A Expired - Fee Related JP2947957B2 (ja) | 1991-02-14 | 1991-02-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2947957B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012033743A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 電気抵抗を生じない電流回路装置およびこれを用いた電気抵抗を生じない電流を流す方法 |
-
1991
- 1991-02-14 JP JP3040713A patent/JP2947957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04259248A (ja) | 1992-09-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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