JP2943517B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2943517B2 JP2943517B2 JP21986092A JP21986092A JP2943517B2 JP 2943517 B2 JP2943517 B2 JP 2943517B2 JP 21986092 A JP21986092 A JP 21986092A JP 21986092 A JP21986092 A JP 21986092A JP 2943517 B2 JP2943517 B2 JP 2943517B2
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- Japan
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- semiconductor device
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に係わり、特に薬液中での選択成長に関する。
に係わり、特に薬液中での選択成長に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薬液中で、半導体等の基板上に選
択的に配線等の金属膜を形成する場合は、まず、フォト
リソグラフィ技術を用いて、配線外の部分を有機膜で保
護し、続いて電解液中で、基板に電圧を印加し、所望の
金属膜を所定の厚さまで成長する方法が一般的である。
この場合、電解液は、貯液タンク等にヒーターを入れる
事により、常時最適温度に保たれている。
択的に配線等の金属膜を形成する場合は、まず、フォト
リソグラフィ技術を用いて、配線外の部分を有機膜で保
護し、続いて電解液中で、基板に電圧を印加し、所望の
金属膜を所定の厚さまで成長する方法が一般的である。
この場合、電解液は、貯液タンク等にヒーターを入れる
事により、常時最適温度に保たれている。
【０００３】これに対し、最近では、プロセスの簡略化
及び平坦性向上のため、膜形成時の電流経路を必要とし
ない無電解方式が実用化されつつある。この場合、膜の
析出は、液の温度に大きく依存する。図３は、無電解方
式で金配線を形成する場合の従来技術の製造装置を示す
図である。
及び平坦性向上のため、膜形成時の電流経路を必要とし
ない無電解方式が実用化されつつある。この場合、膜の
析出は、液の温度に大きく依存する。図３は、無電解方
式で金配線を形成する場合の従来技術の製造装置を示す
図である。
【０００４】半導体基板２は基板支持部３により、処理
槽１の側壁に固定されている。この状態で貯液槽８の金
含有無電解液をポンプ６により、フィルター５、処理槽
１、冷却部７の順で循環させる。この時、無電解液は、
処理層１の底から出てきて、ヒーター４により７０℃ま
で加熱され、半導体基板２の表面近傍を上昇する。この
間、金が選択的に半導体基板２の所定パターン上に析出
する。その後、オーバーフローして冷却部７を通過する
間に無電解液は５０℃以下まで冷却され、貯液槽８にも
どる。
槽１の側壁に固定されている。この状態で貯液槽８の金
含有無電解液をポンプ６により、フィルター５、処理槽
１、冷却部７の順で循環させる。この時、無電解液は、
処理層１の底から出てきて、ヒーター４により７０℃ま
で加熱され、半導体基板２の表面近傍を上昇する。この
間、金が選択的に半導体基板２の所定パターン上に析出
する。その後、オーバーフローして冷却部７を通過する
間に無電解液は５０℃以下まで冷却され、貯液槽８にも
どる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の選択成長装
置においては、貯液槽部又は処理槽底部でヒーター等に
より液を加熱しているため、半導体基板以外の部分、た
とえばヒーターや、処理槽内壁等にも、金等の膜が析出
し、やがてこれが剥れてゴミになる等の問題点があっ
た。
置においては、貯液槽部又は処理槽底部でヒーター等に
より液を加熱しているため、半導体基板以外の部分、た
とえばヒーターや、処理槽内壁等にも、金等の膜が析出
し、やがてこれが剥れてゴミになる等の問題点があっ
た。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、薬液中
で基板の基板表面に選択的に金属又は絶縁膜を析出させ
る装置において、前記基板を、好ましくは断熱材で形成
された処理槽の側壁にセットすることにより前記基板表
面を薬液中に位置させ、前記基板表面とは反対側の主面
である基板背面を薬液外に位置させ、前記基板を前記基
板背面から直接加熱することにより、前記基板表面近傍
の薬液の温度を局部的に上昇させる半導体装置の製造方
法にある。ここで、前記基板背面を支持する基板支持部
に内蔵されたヒーターにより前記加熱を行うことができ
る。あるいは、前記基板背面を支持する基板支持部内の
空洞部に取り付けられた赤外線ランプにより前記加熱を
行うことができる。
で基板の基板表面に選択的に金属又は絶縁膜を析出させ
る装置において、前記基板を、好ましくは断熱材で形成
された処理槽の側壁にセットすることにより前記基板表
面を薬液中に位置させ、前記基板表面とは反対側の主面
である基板背面を薬液外に位置させ、前記基板を前記基
板背面から直接加熱することにより、前記基板表面近傍
の薬液の温度を局部的に上昇させる半導体装置の製造方
法にある。ここで、前記基板背面を支持する基板支持部
に内蔵されたヒーターにより前記加熱を行うことができ
る。あるいは、前記基板背面を支持する基板支持部内の
空洞部に取り付けられた赤外線ランプにより前記加熱を
行うことができる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について、図面を参照して説明
する。
する。
【０００８】図１は本発明の一実施例の無電解金メッキ
装置である。処理層１の側壁に半導体基板２をセットし
た基板支持部３を固定する。その後、貯液槽８の無電解
液をポンプ６により、貯液槽８，フィルター５，処理槽
１，冷却部７の順で循環する。この時、基板支持部３に
内蔵されたヒーター１１により、半導体基板２は背面か
ら加熱される。したがって、半導体基板２の表面に接す
る液も加熱される。加熱温度は、半導体基板２の表面で
液温が選択成長に最適な温度、無電解金メッキではたと
えば７０℃に維持される。また、処理槽１は断熱材で形
成する。これにより、基板支持部３の熱が、処理槽１の
他の内壁に伝わらないようにしておく。前記半導体基板
２の表面で加熱された液は、半導体基板２の表面を離れ
て上昇すると、断熱材の処理槽１の内壁からは熱の供給
をうけないので、周辺の液と混ざり合って、急速に温度
が下がる。
装置である。処理層１の側壁に半導体基板２をセットし
た基板支持部３を固定する。その後、貯液槽８の無電解
液をポンプ６により、貯液槽８，フィルター５，処理槽
１，冷却部７の順で循環する。この時、基板支持部３に
内蔵されたヒーター１１により、半導体基板２は背面か
ら加熱される。したがって、半導体基板２の表面に接す
る液も加熱される。加熱温度は、半導体基板２の表面で
液温が選択成長に最適な温度、無電解金メッキではたと
えば７０℃に維持される。また、処理槽１は断熱材で形
成する。これにより、基板支持部３の熱が、処理槽１の
他の内壁に伝わらないようにしておく。前記半導体基板
２の表面で加熱された液は、半導体基板２の表面を離れ
て上昇すると、断熱材の処理槽１の内壁からは熱の供給
をうけないので、周辺の液と混ざり合って、急速に温度
が下がる。
【０００９】本発明の装置では、このように、半導体基
板２の表面に接する液だけを選択成長に最適に維持し、
その他の部分では、より液が安定な低い温度に維持され
ている。したがって、半導体基板２以外の部分では、金
の析出は大幅におさえられ、液中のゴミの発生は、従来
の装置に比べて大幅に少なくなる。
板２の表面に接する液だけを選択成長に最適に維持し、
その他の部分では、より液が安定な低い温度に維持され
ている。したがって、半導体基板２以外の部分では、金
の析出は大幅におさえられ、液中のゴミの発生は、従来
の装置に比べて大幅に少なくなる。
【００１０】また、処理槽１内にヒーターがないため、
容積を小さくでき、薬液の使用量を少なくできるととも
に、装置も小型にできる。
容積を小さくでき、薬液の使用量を少なくできるととも
に、装置も小型にできる。
【００１１】図２は本発明の別の実施例を示す図であ
る。本実施例では、基本的な構成は図１の実施例と同じ
であるが、基板支持部３内蔵の加熱方式を赤外線ランプ
９にしている。また、処理槽オーバーフロー部に予備冷
却部１０を配置している。赤外線ランプ９は、基板支持
部３内の空洞部に取り付けられており、この部分の空気
を介して、半導体基板をヒーター加熱より均一に加熱で
きる。また、予備冷却部１０により、薬液をオーバーフ
ロー前に５０℃以下等のかなり低い温度に下げられるた
め、ゴミの低減効果がさらに大きい。
る。本実施例では、基本的な構成は図１の実施例と同じ
であるが、基板支持部３内蔵の加熱方式を赤外線ランプ
９にしている。また、処理槽オーバーフロー部に予備冷
却部１０を配置している。赤外線ランプ９は、基板支持
部３内の空洞部に取り付けられており、この部分の空気
を介して、半導体基板をヒーター加熱より均一に加熱で
きる。また、予備冷却部１０により、薬液をオーバーフ
ロー前に５０℃以下等のかなり低い温度に下げられるた
め、ゴミの低減効果がさらに大きい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の選択成長
装置では、半導体基板表面部分でのみ薬液を加熱するた
め、半導体基板表面以外の部分で析出を大幅におさえる
ことができ、液中のゴミを大幅に減少させることができ
る。さらに、処理槽の大きさを従来の２分の１以下に小
型化できる。
装置では、半導体基板表面部分でのみ薬液を加熱するた
め、半導体基板表面以外の部分で析出を大幅におさえる
ことができ、液中のゴミを大幅に減少させることができ
る。さらに、処理槽の大きさを従来の２分の１以下に小
型化できる。
【図１】本発明の一実施例の装置の構成図。
【図２】本発明の別の実施例の装置の構成図。
【図３】従来技術の無電解金メッキ装置の構成図。
１ 処理槽 ２ 半導体基板 ３ 基板支持部 ４ ヒーター ５ フィルター ６ ポンプ ７ 冷却部 ８ 貯液糟 ９ 赤外線ランプ １０ 予備冷却部 １１ ヒーター
Claims (4)
- 【請求項１】 薬液中で基板の基板表面に選択的に金属
又は絶縁膜を析出させる装置において、前記基板を処理
槽の側壁にセットすることにより前記基板表面を薬液中
に位置させ、前記基板表面とは反対側の主面である基板
背面を薬液外に位置させ、前記基板を前記基板背面から
直接加熱することにより、前記基板表面近傍の薬液の温
度を局部的に上昇させることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】 前記基板背面を支持する基板支持部に内
蔵されたヒーターにより前記加熱を行うことを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記基板背面を支持する基板支持部内の
空洞部に取り付けられた赤外線ランプにより前記加熱を
行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 前記処理槽は断熱材で形成されているこ
とを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21986092A JP2943517B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21986092A JP2943517B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677166A JPH0677166A (ja) | 1994-03-18 |
| JP2943517B2 true JP2943517B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=16742194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21986092A Expired - Lifetime JP2943517B2 (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2943517B2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-19 JP JP21986092A patent/JP2943517B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677166A (ja) | 1994-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990525 |