JP2940462B2 - 半導体レーザ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクシステ
ムの光源などに用いられる低雑音自励発振型半導体レー
ザに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年光通信、レーザプリンタ、光ディス
クなどの分野で半導体レーザの需要が高まり、ＧａＡｓ
系、およびＩｎＰ系を中心として活発に研究開発が進め
られてきた。光情報処理分野においては、特に波長が７
８０ｎｍのＡｌＧａＡｓ系半導体レーザの光による情報
の記録・再生を行う方式が実用化され、コンパクトディ
スク等で広く普及するに至っている。

【０００３】しかし最近になってこれらの光ディスク装
置に益々記憶容量の増加が求められるようになり、それ
に伴い短波長のレーザの要望が強まってきている。Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザは波長が６３０〜６９０ｎｍ
での赤色領域で発振が可能であり、現在実用レベルにあ
る半導体レーザの中で最も短波長の光が得られるもので
ある。したがって、従来のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ
に代わる次世代の大容量光情報記録用光源として有望で
ある。ところで、半導体レーザは光ディスクの再生時
に、ディスク面からの反射光の帰還や温度の変化により
強度雑音を発生し、信号の読取エラーを誘発する。した
がって光ディスクの光源用には強度雑音の少ないレーザ
が不可欠となる。

【０００４】従来、再生専用・低出力のＡｌＧａＡｓ系
半導体レーザでは雑音を低減するためにリッジストライ
プの両側に意図的に可飽和吸収体が形成されるような構
造を採用することによって低雑音化を図ってきた。これ
によって縦モードをマルチ化することができる。レーザ
が縦単一モードで発振しているときに光の帰還や温度変
化等の外乱が入ると利得ピークの微少な変化によって近
接する縦モードが発振を開始し、元の発振モードとの間
で競合を起こす。これが雑音の原因となっており、縦モ
ードをマルチ化すると各モードの強度変化が平均化さ
れ、しかも外乱によって変化しないので安定な低雑音特
性を得ることができる。

【０００５】特開平７−２６３７９９号公報には、図９
のように、共振器方向に可飽和吸収層を形成し、ノイズ
レベルを小さくした半導体レーザが報告がなされてい
る。このレーザの断面図を図９に示す。このレーザは、
共振器端面にp型電極を形成せず、活性層に電流を注入
しない領域を設けて、この領域を可飽和吸収領域として
いるものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
レーザのように、単に電流注入をしない領域を可飽和吸
収層とするだけでは、ノイズレベルを下げるために自励
発振を得ることは困難である。発明者らの実験により、
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザは、ＡｌＧａＡｓ系に比
べ、材料の利得特性が大きく異なるため、自励発振特性
を得ることが困難であることが明らかとなった。それを
図１０に示す。図１０には、ＧａＡｓとＧａＩｎＰの利
得特性を示す。ここでＧａＡｓおよびＧａＩｎＰは、そ
れぞれＡｌＧａＡｓ系半導体レーザおよびＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザの活性層に主に用いられる材料であ
る。

【０００７】自励発振特性を得るためにはキャリア密度
に対する利得特性の傾きが大きいことが要求される。と
ころが、ＧａＩｎＰの場合ＧａＡｓに比べ傾きが小さい
ため相対的に自励発振特性を得ることが困難であること
が判明した。

【０００８】本願発明者らの実験結果によると、赤色半
導体レーザの場合、上記の利得特性の違いにより、従来
例のように、単に可飽和吸収領域を設けただけでは、安
定した自励発振特性を得ることは困難であることがわか
った。つまり、自励発振現象は、可飽和吸収層のキャリ
ア寿命が小さいほど生じやすく、可飽和吸収領域に何ら
工夫をしなければ、キャリア寿命が小さくならず、自励
発振が生じにくいのである。その理由は、キャリア寿命
が大きいと、可飽和吸収層のキャリア密度の時間変化率
に与える自然放出光の寄与が小さくなり、キャリアの振
動が生じにくくなるためである。

【０００９】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、特に半導体レーザを構成する可飽和吸収領域を最
適に設定することによって、安定な自励発振特性を有す
る半導体レーザを提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明の半導体レーザは、共振器方向に発光領域と
可飽和吸収領域とを形成する。可飽和吸収領域中の可飽
和吸収層は、発光領域からのレーザ光を吸収し、その吸
収によって生じたキャリアをすぐさま消滅させる働きを
もつ。つまり、キャリアの寿命を短くし、その結果、キ
ャリアの時間変化率に対する自然放出の寄与が増大し、
自励発振を容易に生じることができ、相対雑音を下げる
ことができる。キャリアの寿命は、約６ｎｓ程度以下で
あればかなり効果的であることがわかっている。

【００１１】具体的には、可飽和吸収領域の活性層でレ
ーザ光を吸収させるとともに吸収を飽和させる。レーザ
光の吸収により生じたキャリアの寿命を短くするため
に、活性層に不純物をドーピングする。これにより、レ
ーザ光の吸収により生じたキャリアの寿命を短くでき
る。

【００１２】本発明の半導体レーザでは、この可飽和吸
収層のドーピングレベルを、好ましくは１×１０18（ｃ
ｍ-3）以上とすることによって、キャリアの寿命時間を
低減している。その結果、キャリアの時間変化率に対す
る自然放出の寄与が増大し、自励発振を容易に生じるこ
とができ、相対雑音を下げることができる。

【００１３】さらに可飽和吸収領域（可飽和吸収層）
は、レーザ共振器の一部だけに形成され、発光領域に
は、レーザ光を積極的に吸収する領域は形成されていな
い。よって、このレーザは、吸収が少ないので、高出力
用のレーザとしても用いることができる。

【００１４】この半導体レーザを光情報処理装置の光源
として用いると、このレーザ１台で、光ディスクの再生
時の雑音特性もよく、また、高出力でも使用できること
から、光ディスクの記録も可能であり、1台のレーザで
再生も記録もできるので、簡単な構成で性能のよい光情
報処理装置を実現できる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照しながら説明する。

【００１６】（実施例１）まず図１に、ｐ型にドープさ
れた可飽和吸収層のドーピング濃度に対する電子の寿命
時間の変化を示す。これよりそのドーピングレベルによ
って寿命時間が大きく影響されていることがわかる。

【００１７】従来のレーザでは、自励発振に必要な短い
寿命時間を得ることが困難となる。自励発振現象は、可
飽和吸収層の寿命時間が短いほど生じ易い。これは寿命
時間が短いほど、自励発振現象を生じさせるために必要
な可飽和吸収層のキャリアの時間変化が大きくなるから
である。発明者らの実験によれば、その寿命時間は、約
６ナノ秒以下が望ましいことがわかった。寿命時間とド
ーピングレベルとの関係は、ドーピングレベルが低い場
合、寿命時間が長くなり、たとえば１×１０¹⁸（ｃ
ｍ^-3）以下で６ナノ秒を越えている。それに対して、ド
ーピングレベルを２×１０¹⁸（ｃｍ^-3）程度と高くする
ことによって３ナノ秒程度まで減少させることが可能と
なる。

【００１８】この効果を利用すべく、可飽和吸収層のド
ーピングレベルを増加した以下の構造の半導体レーザを
作製した。第１の実施例の断面構造図および構成斜視図
を図２に示す。

【００１９】１０１は（１００）面の面方位から[０１
１]方向へ８度傾斜したｎ型ＧａＡｓ基板であり、この
基板１０１上にｎ型のＧａＩｎＰからなるバッファ層１
０２、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層１０３、
ＧａＩｎＰからなる活性層１０４、ｐ型のＡｌＧａＩｎ
Ｐからなる第１のクラッド層１０５ａ、ｐ型のＧａＩｎ
Ｐからなるエッチングストッパ層１０６が順次形成され
る。

【００２０】その上部にはＡｌＧａＩｎＰからなるリッ
ジ状の第２のｐ型クラッド層１０５ｂとｐ型のＧａＩｎ
Ｐからなるコンタクト層１１０が形成される。このリッ
ジ状の第２のｐ型クラッド層１０５ｂおよびコンタクト
層１１０の両側はｎ型のＧａＡｓ層からなる電流ブロッ
ク層１１１が形成されている。さらにコンタクト層１１
０と電流ブロック層１１１上にはｐ型のＧａＡｓからな
るキャップ層１１２が形成されており、キャップ層１１
２上にはｐ電極１１３、基板１０１側にはｎ電極１１４
がそれぞれ形成されている。ドーピングレベルおよび膜
厚は以下の通りである。また図１１には、ｎ型クラッド
層から第２のｐ型クラッド層までのバンドギャップエネ
ルギー図を示している。

【００２１】

【表１】

【００２２】図２（ｂ）は、本実施例の構成斜視図であ
る。図の正面のレーザ共振器端面は、（０ー１１）面で
あり、後ろ端面は、（０１ー１）面であり、レーザ光
は、正面の（０ー１１）端面から出射される。図１２
は、（０ー１ー１）面（実際には[１００]方向へ８度傾
斜している）をみた構成側面図である。

【００２３】図１２のように、レーザは、発光領域と可
飽和吸収領域とからなる。さらに可飽和吸収領域中に
は、ｐ型拡散領域がある。可飽和吸収領域の上面には電
流注入のための電極は形成されておらず、上面を保護す
るためのＳｉＯ２層が形成されている。可飽和吸収領域
には、ｐ型拡散領域があり、ｐ型ドーパントがエッチン
グストッパ層１０６からｎ型クラッド層１０３の途中に
まで拡散されている。

【００２４】可飽和吸収領域には可飽和吸収層が形成さ
れている。この可飽和吸収層１０４ｓは、発光層の活性
層１０４と同時に形成されたものである。可飽和吸収層
１０４ｓにはｐ型ドーパントとしてＺｎが２×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3程度ドーピングされている。これにより発光領域で
のレーザ光をこの高ドープされた可飽和吸収層１０４ｓ
が吸収するとともに吸収を飽和し、キャリアの寿命を低
減できるので、安定した自励発振特性を実現することが
できる。

【００２５】このレーザは１０〜１５ｍＷ程度までの低
出力領域では、自励発振特性を示すが、これ以上の高出
力領域では、自励発振特性は示さなくなる。しかし、可
飽和吸収層が、レーザ共振器全面にわたって形成されて
いるのではなく、共振器の一部に形成されているだけな
ので、 １０〜１５ｍＷより大きい高出力領域になって
もレーザ光の吸収量はすくなく、高出力レーザにも適し
ている。もし、全面にわたって吸収領域が形成されてい
ると、電流注入によって高出力になる前にＣＯＤによる
キンクが起こってしまう。よって、本実施例のように、
共振器の一部分に可飽和吸収領域を形成し、その領域に
可飽和吸収層を設けることで、低出力領域では自励発振
を示し、かつ、高出力領域では単一モード発振の高出力
レーザとしても機能する。

【００２６】この半導体レーザを光ディスク装置に応用
したものを図８に示す。半導体レーザ８０より波長６６
０ｎｍのレーザ光８０２は、コリメータレンズ８０３で
平行光にされた後、回折格子８０４で３ビームに分割さ
れ（図示していない）、ハーフプリズム８０５を通り集
光レンズ８０６で集光され、光ディスク８０７上に直径
１μｍのスポットを結ぶ。ディスク８０７上での反射光
は再度、集光レンズ８０６を通り、ハーフプリズム８０
５で反射され、受光レンズ８０８で絞られたシリンドリ
カルレンズ８０９を経てホトダイオード８１０に入り電
気信号に変換される。この際、分割された３ビームによ
り光ディスク８０７の半径方向のずれを検出し、またシ
リンドリカルレンズ８０９により焦点の位置ずれを検出
する。そしてこのずれは、駆動系８１１により光学系が
微動調整され修正される。

【００２７】このように、半導体レーザを、半導体レー
ザからのレーザ光を光ディスクに導く集光光学系、光デ
ィスクで反射した光を読む受光部を備えた光ディスク装
置に応用すれば、低出力では、自励発振特性により、レ
ーザへの戻り光の影響をあまり受けることなくディスク
の読み出し（再生）ができ、高出力でも使用できること
から、ディスクへの書き込み（記録）もできることがで
き、１台のレーザで、読み出しと書き込みとができる簡
単な構成で優れた特性をもつ光ディスク装置となる。

【００２８】次に、このレーザの製造方法について説明
する。ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ＭＯＶＰＥ法によ
り、ｎ型のＧａＩｎＰバッファ層２０２、ＡｌＧａＩｎ
Ｐのｎ型クラッド層２０３、ＧａＩｎＰからなる活性層
２０４、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰからなる第1のクラッド
層１０５、ｐ型のＧａＩｎＰからなるエッチングストッ
パ層２０６、ＡｌＧａＩｎＰからなる第２のｐ型クラッ
ド層１０５ｂを順次エピタキシャル成長させる。活性層
はノンドープであり、ｐ型のドーパントにはトリメチル
ＺｎのＺｎを用い、ｎ型ドーパントはＳｉとした。

【００２９】つぎに、発光領域となる、第２のｐ型クラ
ッド層上にＳｉＯ２膜をマスクとして、可飽和吸収領域
となる部分の上面から、Ｚｎを気相拡散する。このＺｎ
をｎ型クラッド層１０３の途中にまで拡散し、活性層１
０４をこのＺｎの拡散によりｐ型とし、可飽和吸収層と
する。

【００３０】可飽和吸収層の不純物濃度は、ここでは、
２×１０¹⁸ｃｍ^ー3としたが、光学的吸収により生じたキ
ャリアの寿命を低減するには、１×１０¹⁸以上とするの
が好ましい。

【００３１】その後、ＳｉＯ２膜マスクを除去し、共振
器方向に５ミクロンのストライプパターンをドライエッ
チングによりエッチングし、第２のｐ型クラッド層１０
５ｂをリッジ状に加工する。

【００３２】この時のドライエッチングの条件は、塩素
流量が１１SCCM、窒素が３．５SCCMであり、よって塩素
流量／窒素流量比は、３．１である。加速電圧を６５０
V、内圧２．５mTorr、試料温度を１００℃として、ドラ
イエッチングを行ったところ、リッジの形状は、左右対
称な台形状となった。通常、オフ基板を用いたエッチン
グでは、図７（ｂ）のように左右対称とはならない。基
板が（１００）面から傾斜しているため、通常、硫酸系
のエッチング液によるウエットエッチングでは、リッジ
の底部における側面の傾斜が緩やかとなり、リッジは非
対称となる。その結果、活性層へのキャリアの注入およ
び光の閉じ込めが不均一になり、横モードが不安定にな
る。特に、レーザを高温で動作させるときには、このこ
とが顕著になる。

【００３３】また、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザで
は、レーザ光の波長を短波長化するためには、傾斜角度
をますます大きくしており、この角度が大きくなるほ
ど、リッジの非対称性が大きくなる。

【００３４】しかし、本実施例のドライエッチング方法
では、図７（ａ）のように、この条件でのドライエッチ
ングでは、オフ基板を用いているにもかかわらず、対称
なリッジ７０２を形成できる。

【００３５】リッジ形成のドライエッチングは、エッチ
ングストッパ層１０６で停止させる。ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐ第２クラッド層１０５ｂをドライエッチングでエッチ
ングするが、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層の厚み
は１．５μｍである。よって、まず、スパッタ成分の強
い第１のドライエッチングで１．３μｍエッチングし、
化学反応成分の強い第２のドライエッチングで残りの
０．２μｍエッチングすればよい。こうすれば、エッチ
ングストッパ層より下の層にもエッチング時のダメージ
を及ぼすこともない。

【００３６】第2のｐ型クラッド層のリッジを形成した
あと、ＳｉＯ2膜マスクをそのまま用いて、ｎ型埋め込
み層である、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１１１を選択
成長させる。

【００３７】そして、ＳｉＯ2マスクを除去し、ｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層１１２を成長させた後、ｎ型ＧａＡｓ
基板１０１にｎ型電極１１４、キャップ層１１２上にｐ
型電極１１３を形成してレーザ構造が完成する。ｐ型電
極は、図１２のようにｐ型拡散領域上に形成されないよ
うにしている。このｐ型電極をｐ型拡散領域に近づけす
ぎるとリーク電流が大きくなるからである。

【００３８】この半導体レーザの製造方法では、リッジ
の形成に、ハロゲンガスと窒素ガスとの流量比が特に、
１．４≦塩素流量／窒素流量≦４．０の範囲のものを用
いることにより、リッジ底面からリッジ側面への角度θ
が６０度〜９０度となるとともに、オフ基板を用いるに
もかかわらず、対称のリッジ構造のレーザを製造するこ
とができる。

【００３９】これにより、活性層へのキャリアの閉じ込
め、光の閉じ込めが不均一にならず、横モードが安定な
信頼性の高いレーザとなる。さらに、このエッチングで
は、Ａｌを含む化合物半導体のエッチングにもかかわら
ず、エッチングレートの低下もなかった。

【００４０】基板上に成長したレーザ構造は、へき開に
より共振器端面を形成する。このとき、基板は、傾斜基
板を用いているので、応力をかける方向に注意する必要
がある。

【００４１】図３において、共振器端面、つまりＧａＡ
ｓ基板の（０−１１）面をみた結晶構造を模式的にあら
わしている。Ａ−Ｂは基板表面になっており、この表面
上に結晶を成長する。原子的に見ると、基板表面は階段
状になっており、これは原子ステップである。この基板
は、（１００）面の面方位から［０１１］方向に８度傾
斜していることがわかる。図２（ｂ）は、このレーザの
構成斜視図であり、基板が面方位が（１００）面の面方
位から８度、［０１１］方向に傾斜している。すなわ
ち、この基板は、（１００）面の面方位から[０１１］
方向へ８度傾いているので、Ｂ（Ｂ’）方向からＡ
（Ａ’）方向に応力をかけて結晶をへきかいする。その
理由は、Ａから応力をかけると、図３のようＡからＢ方
向に向かっていた割れが途中から（１００）面に沿った
方向に進んでしまい、へきかいによる不良となり、歩留
まりを落とすからである。したがって、へきかいはＢの
方向からＡ方向に向かって行うのである。これは、Ｇａ
Ａｓ基板に限らず、半導体基板等の傾斜基板にあてはま
る。ジャスト面（ここでは、（１００）面）と基板面と
の角度が小さくなる方向（ＡではなくＢ）から、傾斜し
ている方向に向かって応力をかけてへき開するのであ
る。

【００４２】へきかいして端面を形成した後、共振器端
面をコーティングする。端面側から、λ／４の膜厚のＳ
ｉＯ2膜とλ／４の膜厚のＳｉＮ膜を１周期とした。Ｓ
ｉＯ2およびＳｉＮ膜の積層には、ＥＣＲスパッタ法を
用いた。

【００４３】次にこの半導体レーザの電流−光出力特性
を図４に示す。閾値電流は、50ｍＡとなっている。通常
の半導体レーザの特性と異なるのは、閾値電流近傍で急
激な立ち上がりが見られる点である。これは可飽和吸収
層が存在するために、ある程度のキャリアの注入量に達
するまでは光出力が外部へ放出されないことによる。

【００４４】ある値を越えるとレーザ発振が生じ、注入
電流に比例して光出力増加しはじめる。図中Ｐにおける
時間に対する光出力波形のシミュレーション結果を図５
に示す。図５では光出力の振動現象が継続していること
が分かる。図６に自励発振型半導体レーザの出力波形を
示す。時間に対して光出力が大きく振動しており、自励
発振している。

【００４５】まだ、電流注入量を大きくしていき、光出
力が１０ｍＷ程度で自励発振は停止し、通常の単一モー
ド発振となる。しかし、前述したように、この実施例の
レーザでは、吸収領域をレーザ共振器方向の全体にわた
って形成していないので、光吸収が少ない分、４０ｍＷ
程度の高出力の範囲までレーザ光を出力することができ
る。つまり、低出力では自励発振、高出力では単一モー
ド発振を実現し、光ディスク装置には欠かせないレーザ
となる。

【００４６】（実施例２）本発明の第２の実施例につい
て説明する。この実施例の半導体レーザは、活性層に量
子井戸構造を用いているため高効率となり、より高い光
出力を得ることができる。多重量子井戸活性層は、膜厚
５０Åの量子井戸数は３ウエルからなる。

【００４７】本実施例では、多重量子井戸活性層に量子
井戸構造を導入することによって最高光出力が２割程度
増加できた。また、低しきい値電流化、高温動作、高出
力化が可能となった。また、本実施例の半導体レーザに
よれば、図５と同様の自励発振現象が確認でき、−１３
０ｄＢ／Ｈｚ以下の相対雑音強度（ＲＩＮ）も得られて
いる。

【００４８】

【発明の効果】以上のように本発明の半導体レーザは、
レーザの共振器方向の一部に可飽和吸収領域を設け、こ
の領域中の可飽和吸収層での光学的吸収により生じたキ
ャリアの寿命時間を制御することにより、安定した自励
発振特性を有するものである。

【００４９】また、可飽和吸収層は、レーザ共振器の一
部に形成されているだけなので、レーザ光の吸収は少な
く、高出力レーザとしての機能もあわせて実現できる。

【００５０】これらの機能により、この半導体レーザ1
台で、光ディスクの読み出し、書き込みまで実現できる
ものとなり、光ディスク装置にも欠かせないものとな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に於ける可飽和吸収層の
ドーピング濃度とキャリアの寿命時間の相関図

【図２】本発明の第１の実施例に於けるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザの構成断面図および構成斜視図

【図３】傾斜基板のへきかいを説明する図

【図４】この半導体レーザの電流−光出力特性図

【図５】本発明の第１の実施例に於ける光出力とキャリ
ア密度の時間波形の図

【図６】本発明の第１の実施例に於ける光出力とキャリ
ア密度の実測時間波形の図

【図７】本発明による対称リッジと、従来の非対称リッ
ジを比較する図

【図８】本発明の光情報処理装置の構成図

【図９】従来の半導体レーザを示す構成断面図

【図１０】ＧａＡｓとＧａＩｎＰの利得特性図

【図１１】本発明の第１の実施例に於ける半導体レーザ
のバンドギャップエネルギ図

【図１２】本発明の第１の実施例に於ける半導体レーザ
の構成側面図、平面図

【符号の説明】

１０１ ｎ型ＧａＡｓ基板 １０２ バッファ層 １０３ ｎ型クラッド層 １０４ 活性層 １０４ｓ 可飽和吸収層 １０５ａ 第１のｐ型クラッド層 １０５ｂ 第2のｐ型クラッド層 １０６ エッチングストッパ層 １１１ 電流ブロック層 １１０ コンタクト層 １１２ キャップ層 １１３ ｐ電極 １１４ ｎ電極 １１７ 発光領域 １１８ 可飽和吸収領域

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−199786（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−321404（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−82885（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−159349（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−302951（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−167873（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−148668（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−193313（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−109789（ＪＰ，Ａ) 電子材料 1995年７月 ｐ．87−90 1995年（平成７年）秋季第56回応物学会 予稿集 26ｐ−ＺＡ−５ ｐ．902 (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01S 3/18

Claims (16)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 活性層と、前記活性層を挟むクラッド層
   と、共振器方向の一部に形成した可飽和吸収層とを備え
   た自励発振特性を有する半導体レーザであって、前記可
   飽和吸収層は、前記活性層に不純物がドープされ、導電
   性を有するものであることを特徴とする半導体レーザ。
2. 【請求項２】 活性層と、前記活性層を挟むクラッド層
   と、共振器方向の一部に形成した可飽和吸収層とを備
   え、前記可飽和吸収層でのキャリアの寿命が、約６ｎｓ
   以下である半導体レーザ。
3. 【請求項３】 前記可飽和吸収層は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ
   _1-x-yＰ系（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の材料である請
   求項１または請求項２に記載の半導体レーザ。
4. 【請求項４】 可飽和吸収層の不純物濃度が、１×１０
   ¹⁸ ｃｍ― ³ 以上である請求項１から請求項３のいずれか
   に記載の半導体レーザ。
5. 【請求項５】 可飽和吸収層がレーザの端面近傍に形成
   され、レーザ光は、前記端面とは反対の端面から取り出
   される請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体
   レーザ。
6. 【請求項６】 可飽和吸収層がｐ型であることを特徴と
   する請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体レ
   ーザ。
7. 【請求項７】 低出力では自励発振特性を示し、高出力
   では単一モード特性を示す請求項１から請求項６のいず
   れかに記載の半導体レーザ。
8. 【請求項８】 １０ｍＷ以下の低出力では自励発振特性
   を示し、それ以上の出力では単一モード特性を示す請求
   項１から請求項７のいずれかに記載の半導体レーザ。
9. 【請求項９】 請求項７または請求項８に記載の半導体
   レーザと、前記半導体レーザから出射したレーザ光を情
   報担体に集光する集光光学系と、前記情報担体からの反
   射光を受ける受光部とを備えた情報処理装置。
10. 【請求項１０】 前記情報担体の読み取りには、自励発
    振特性を用い、前記情報担体の書き込みには単一モード
    発振特性を用いる請求項９に記載の情報処理装置。
11. 【請求項１１】 面方位が［１００］方向から［０１
    １］方向へ傾斜している結晶のへき開方法において、
    ［０−１−１］方向から［０１１］方向へ応力をかける
    ことで前記結晶をへき開する結晶のへき開方法。
12. 【請求項１２】 前記結晶がＧａＡｓである請求項１１
    に記載のへき開方法。
13. 【請求項１３】 ＡｌＧａＩｎＰのドライエッチング方
    法であって、ＡｌＧａＩｎＰ上に形成したマスクによ
    り、前記ＡｌＧａＩｎＰ層を、塩素元素を含むガスの流
    量と窒素ガスの流量との関係が、塩素元素を含むガスの
    流量／窒素ガス流量≧１であり、内圧が１ｍＴｏｒｒ以
    上でエッチングし、ほぼ対称のＡｌＧａＩｎＰリッジ構
    造とするエッチング方法。
14. 【請求項１４】 傾斜基板上に形成したＡｌＧａＩｎＰ
    をエッチングする請求項１３に記載のエッチング方法。
15. 【請求項１５】 ｎ型ＧａＡｓ傾斜基板上に、ＭＯＶＰ
    Ｅ法により、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、活性層、
    ｐ型ＡｌＧａＩｎＰのクラッド層をエピタキシャル成長
    させる工程と、 ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層上にマスクを形成して、
    前記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を、塩素流量／窒素
    流量≧１．４であり、内圧が１ｍＴｏｒｒ以上でエッチ
    ングしてリッジを形成する工程と、 前記リッジの両側を電流ブロック層で埋め込む工程とを
    有する半導体レーザの製造方法。
16. 【請求項１６】 ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層は、ｐ
    型ＡｌＧａＩｎＰの第１のクラッド層と、ｐ型ＡｌＧａ
    ＩｎＰの第２のクラッド層を有しており、前記第１のク
    ラッド層と前記第２のクラッド層との間に、エッチング
    ストッパ層を有する請求項１５に記載の半導体レーザの
    製造方法。