JP2932964B2 - チップキャリアとその実装体 - Google Patents

チップキャリアとその実装体

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は外部接続用端子をキャリ
ア裏面にグリッド状に有する半導体装置用チップキャリ
ア及びMCM(マルチ・チップ・モジュール)用基板と
その実装に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の中にBGA(ボール・グリ
ッド・アレイ)パッケージやLGA(ランド・グリッド
・アレイ)パッケージというものがある。これらは、半
導体を実装したチップキャリアの外部接続電極がチップ
キャリアの裏面にグリッド状に配置された半導体装置で
ある。この半導体装置は、従来のQFPに比べると外部
接続電極がパッケージの裏面にあるので半導体装置のサ
イズが大幅に小型化されるという利点がある。また外部
接続電極のピッチもQFPの0.3mmや0.5mmに比
べ1.5mmや1.27mmといったあらいものであり、
容易な実装が可能である。そのためBGAパッケージや
LGAパッケージは、新たな半導体装置として脚光を浴
びている。BGAは外部接続電極としてチップキャリア
裏面に格子状に並んだ半田ボールを有しており、この半
田ボールにて回路配線基板との接続をとる。また、LG
Aは半田ペーストあるいは、ソケットによって回路配線
基板との接続を行なう。
【0003】図4に従来のセラミック基板をチップキャ
リアとしたBGAパッケージをプリント配線基板に半田
にて実装した後の断面図を示す。1はチップキャリア、
2は半田、3は半導体素子、4は絶縁性基板、5はプリ
ント配線基板、31は電極パッド、32は半田、4aは
表面、4bは裏面、41は接続配線、42は外部電極、
43はビアホール、51はプリント配線基板側電極であ
る。
【0004】BGAは、半田ボールにて実装しているの
でチップキャリアと回路配線基板との実装間隔が広く、
半田実装においてはLGAよりも実装信頼性は高い。そ
のためグリッド状に外部接続電極を有する半導体装置に
おいては、BGAが主流となっている。しかし、コンピ
ュータのCPUのようにグレードアップが必要な半導体
装置においては、LGAとソケットという組み合わせの
形態のものも多く使用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以下に
示すような問題が明らかとなった。外部接続電極をグリ
ッド状に有するBGAやLGAの半導体装置の場合、半
田により半導体装置と回路配線基板が接続されているた
め、熱衝撃試験というような環境信頼性試験をおこなう
と、チップキャリアと回路配線基板との熱膨張係数の違
いによって外部接続電極部にクラックが入り、信頼性で
の不良が起こってしまう。特に、セラミック基板をチッ
プキャリアとする半導体装置においては、セラミック基
板の強度が弱いためセラミック基板へクラックが入り、
外部接続電極の剥がれが起こってしまう。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、セラミック基板をチップキャリアとした場
合、半田にてチップキャリアをプリント配線基板に実装
するにおいて、チップキャリア裏面に配置された外部接
続用電極を回路配線基板の電極サイズより大きくして半
田付けする事により、チップキャリア側と半田との接続
部の角度を鈍角となるような半田の形状にする事が可能
となる。それにより、チップキャリア部にかかる応力を
軽減する。
【0007】
【作用】本発明によると、熱衝撃試験における半田接続
部に集中する歪応力をチップキャリアの外部接続用電極
のサイズをチップキャリアの電極と対応するプリント配
線基板の電極のサイズより大きくすることで半田の形状
をチップキャリア側にかかる応力を軽減する形状にする
ことが可能となる。
【0008】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図1は本発明の一実施例におけるチ
ップキャリアをプリント配線基板に半田にて実装した後
の断面図、図2は本発明の一実施例におけるチップキャ
リアを裏面からみた平面図、図3は本発明の他の実施例
におけるチップキャリアを裏面からみた平面図を示す。
【0009】1はチップキャリア、3は半導体素子、4
は絶縁性基板、5はプリント配線基板、31は電極パッ
ド、33はAuバンプ、34は導電性接着剤、35は封
止樹脂、4aは表面、4bは裏面、41は接続配線、4
3はビアホール、44はプリント配線基板の電極よりも
サイズの大きい外部接続電極、45は丸形の外部接続電
極、46は格子状に配置された外部接続電極、47は角
形の外部接続電極、51はプリント配線基板側電極であ
る。
【0010】基板形成用素材として、ガラスセラミック
(日本電気ガラス社製 MLS−1000平均粒形2μ
m)を無機成分とし、バインダ(アクリル系樹脂)を1
2wt%加えて粘度が20000cpsになるように混
合した後、ドクターブレード法にてシート状に成形し
た。前記シートの厚みは、200μmとした。前記グリ
ーンシートにビア孔を形成した。
【0011】導体ペーストは、CuO粉末(平均粒径3
μm)に接着強度を得るためのガラスフリット(日本電
気硝子社製 LS−0803ガラス粉末、平均粒径3μ
m)を2.5wt%加えたものを無機成分とし、有機バ
インダであるエチルセルロースをターピネオールに溶か
したビヒクルを加えて、3段ロールにより粘度が170
00cpsになるように混合して作製した。
【0012】前記ビア孔形成済みグリーンシートに前記
CuOペーストをグリーンシートの裏面から吸引しなが
ら、メタルマスクにてビア孔を埋め、空気中で乾燥し
た。所望の枚数の前記ビア孔埋め後のグリーンシートを
積層し、熱圧着した。
【0013】次に前記積層体を空気中、600℃の温度
で脱バインダを行なった。その後前記積層体を水素ガス
100%雰囲気中で200℃−5時間で還元した。この
時のCu層をX線回折により分析したところ100%C
uであることを確認した。しかる後、窒素中900℃の
メッシュベルト炉で焼成した。
【0014】前記の焼成済みのセラミック基板に配線用
パターン41を片面に印刷し、またもう一方の面に外部
接続電極44をチップキャリア側が実装用プリント配線
基板側電極51より大きいパターン45でスクリーン印
刷法にて印刷した。配線パターン用導体としては、一般
に市販されているDupont社製QP153ペースト
を使用した。前記印刷済み焼結体を窒素中900℃のメ
ッシュベルト炉で焼成して、焼結済みセラミック基板を
得、チップキャリア1とした。
【0015】次に、Auバンプ33の形成された半導体
素子3が、その表面側を下にして前記セラミックからな
るチップキャリア1と接合されている。チップキャリア
1上の電極41と半導体素子3上のAuバンプ33とは
導電性接着剤34で接合されている。導電性接着剤34
は、Auバンプ33にあらかじめ供給されている。導電
性接着剤34としては、Ag−Pdを導電フィラーと
し、バインダとしてエポシキ系樹脂を5wt%加え、適
当な粘度に混合して使用した。そして、接合された半導
体素子3とチップキャリア1との間の隙間は、エポシキ
系の封止樹脂35にて充填されている。封止樹脂35
は、エポシキ系樹脂にフィラーとして高熱伝導セラミッ
クである窒化アルミニウム、もしくは窒化珪素を添加し
た樹脂を用いた。チップキャリア1の裏面4bには、本
チップキャリア1を実装するプリント配線基板5のチッ
プキャリア1の電極と対応して形成された電極51より
もサイズの大きい丸形の外部接続電極44(図2の4
5)、または角形の外部接続電極44(図3の47)が
格子状に形成されている。
【0016】次に、チップキャリア実装用基板として市
販のプリント配線基板5(FR−4)を使用した。前記
プリント配線基板5上にメタル印刷にて半田ペーストを
印刷した。前記半田ペーストは千住金属(株)社製のO
Z−63−201C−50−9を使用した。前記印刷済
みプリント配線基板5にプリント配線基板5の電極とチ
ップキャリア1の外部接続電極44が対応するように前
記半導体素子実装済みチップキャリアを実装した。
【0017】その後、ピーク温度240℃−10秒で大
気中でリフローし、前記プリント配線基板と前記チップ
キャリアとを金属接合させた。
【0018】前記実装済みプリント配線基板をJIS規
格C0025にて示してある、−40℃(30分)から
+100℃(30分)の熱衝撃環境信頼性試験にて評価
したところ、従来のチップキャリアの外部接続電極のサ
イズとプリント配線基板の電極サイズとを同じ大きさに
していたものでは、200サイクルでオープンが発生し
たのに対し、本発明のチップキャリアにおいては、60
0サイクルでのオープン発生と飛躍的に信頼性が向上し
た。また、前記実装体の断面を観察したところ、実装部
の半田形状がチップキャリアの外部接続電極側が大き
く、プリント配線基板の電極側が小さくなった台形状に
なっていた。
【0019】また、チップキャリアに形成された外部接
続電極の形状を角形にする事で電極の絶縁性基板4にお
ける接続面積が増すので、電極の基板4への接着強度を
増加することができる。それにより電極の接着力の強い
チップキャリアを形成できる。
【0020】本発明により、プリント配線基板上での実
装信頼性の高いチップキャリアを実現可能とした。ま
た、本発明で使用したチップキャリアは、内層を有する
多層基板においても実現可能であることはいうまでもな
い。
【0021】また、外部接続電極を図2や図3のように
格子状に外部接続電極を形成することで、側面だけに外
部接続電極をだすよりも多ピン化に対応できるようにな
る。
【0022】
【発明の効果】本発明によると、環境信頼性試験におけ
るプリント配線基板への実装信頼性の高いセラミックか
らなるチップキャリアを提供できる。また、チップキャ
リアの外部接続用電極サイズを変えるだけで実装信頼性
の高いチップキャリアとすることができるので、容易に
実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例におけるチップキャリアのプリ
ント配線基板への半田実装後の断面図
【図2】本発明の実施例におけるチップキャリアの裏面
から見た平面図
【図3】本発明の実施例におけるチップキャリアの裏面
から見た平面図
【図4】従来例のBGA(ボール・グリッド・アレイ)
パッケージのプリント配線基板への半田実装後の断面図
【符号の説明】
1 チップキャリア 3 半導体素子 4 絶縁性基板 5 プリント配線基板 31 電極パッド 33 Auバンプ 34 導電性接着剤 35 封止樹脂 4a 表面 4b 裏面 41 接続配線 43 ビアホール 44 外部接続電極 45 丸形の外部接続電極 46 格子状に形成された外部接続電極 47 角形の外部接続電極 51 プリント配線基板側電極

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】チップキャリアの裏面に配置された導体か
    らなる外部接続用電極のサイズを、前記チップキャリア
    を実装するプリント配線基板の前記チップキャリアと対
    応して接続される電極サイズより大きくする事を特徴と
    するチップキャリア。
  2. 【請求項2】チップキャリアの裏面に配置された導体か
    らなる電極の形状を丸形あるいは角形にする事を特徴と
    する請求項1に記載のチップキャリア。
  3. 【請求項3】チップキャリア裏面に配置された外部接続
    電極が格子状に形成されている事を特徴とする請求項1
    に記載のチップキャリア。
  4. 【請求項4】裏面に外部接続用電極を有するチップキャ
    リアとプリント配線基板とを半田にて接続するにおい
    て、前記半田の融解硬化後の形状が前記プリント配線基
    板側の面積より前記チップキャリア側の面積が大きくな
    るような円筒形である事を特徴とするチップキャリアの
    実装体。
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