JP2927247B2 - リード曲がり検出機およびこの検出機を用いた検出方法 - Google Patents
リード曲がり検出機およびこの検出機を用いた検出方法Info
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- JP2927247B2 JP2927247B2 JP8200727A JP20072796A JP2927247B2 JP 2927247 B2 JP2927247 B2 JP 2927247B2 JP 8200727 A JP8200727 A JP 8200727A JP 20072796 A JP20072796 A JP 20072796A JP 2927247 B2 JP2927247 B2 JP 2927247B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のリー
ド曲がり検出機およびこの検出機を用いた検出方法に係
わり、特に製造工程における半導体装置の外観を検査す
る工程で使用するリード検出機およびこの検出機を用い
た検出方法に関する。
ド曲がり検出機およびこの検出機を用いた検出方法に係
わり、特に製造工程における半導体装置の外観を検査す
る工程で使用するリード検出機およびこの検出機を用い
た検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来のＩＣリードの検出機の概
略図を示した図５を参照すると、外部リードを検出する
ためのＩＣを搭載するステージ１と、ステージ１上のＩ
Ｃ５にレーザを照射するレーザ発光器１３と、レーザ発
光器１３を移動させるロボット３と、レーザによる検出
結果を演算するＣＰＵ１４とを有する。
略図を示した図５を参照すると、外部リードを検出する
ためのＩＣを搭載するステージ１と、ステージ１上のＩ
Ｃ５にレーザを照射するレーザ発光器１３と、レーザ発
光器１３を移動させるロボット３と、レーザによる検出
結果を演算するＣＰＵ１４とを有する。
【０００３】ステージ１は、ステンレスや焼き入れ材で
製作され、ＩＣ５を保持し、かつ、ＩＣ５の外部リード
は基板に取り付けるために下方向に折り曲げられてＩＣ
５のモールド部分を支えるようになっており、ステージ
１に搭載されたときステージ１に接触しないように、２
ｍｍ程度の段差を持つ構造になっている。
製作され、ＩＣ５を保持し、かつ、ＩＣ５の外部リード
は基板に取り付けるために下方向に折り曲げられてＩＣ
５のモールド部分を支えるようになっており、ステージ
１に搭載されたときステージ１に接触しないように、２
ｍｍ程度の段差を持つ構造になっている。
【０００４】レーザ発光器１３は、ビーム径０．１ｍｍ
から０．５ｍｍ程度の赤外線等を用いた半導体レーザを
発光し、その反射を検出する機能を持っている。
から０．５ｍｍ程度の赤外線等を用いた半導体レーザを
発光し、その反射を検出する機能を持っている。
【０００５】また、ロボット３によってステージ１の上
方をＩＣの外部リード列に沿って順次走査するために、
Ｘ軸及びＹ軸方向に移動し、所定の位置でレーザを発光
する。
方をＩＣの外部リード列に沿って順次走査するために、
Ｘ軸及びＹ軸方向に移動し、所定の位置でレーザを発光
する。
【０００６】ＣＰＵ１４は、ステージ１上でレーザ発光
器１３を所定のＩＣ５の形状にあわせて移動させるため
の命令をロボット３に対して出力し、移動した結果の出
力から検出されたデータを演算し、リード形状を出力す
る。
器１３を所定のＩＣ５の形状にあわせて移動させるため
の命令をロボット３に対して出力し、移動した結果の出
力から検出されたデータを演算し、リード形状を出力す
る。
【０００７】次に動作を説明する。
【０００８】ＩＣ５がステージ１上に自動搬送され、ス
テージ１上で位置合わせをしてセット位置が安定したの
ち、ＣＰＵ１４の指示により、レーザ発光器１３が外部
リード６上の所定の位置に移動し、レーザを発光し、外
部リード６にレーザ光を照射する。レーザ光はリード上
で反射するので、外部リード６による反射光を検出し、
次のポイントへ移動する。
テージ１上で位置合わせをしてセット位置が安定したの
ち、ＣＰＵ１４の指示により、レーザ発光器１３が外部
リード６上の所定の位置に移動し、レーザを発光し、外
部リード６にレーザ光を照射する。レーザ光はリード上
で反射するので、外部リード６による反射光を検出し、
次のポイントへ移動する。
【０００９】これ等の動作を所定のリード本数分繰り返
したのち、ＩＣ５はステージ１から再び搬送されて除去
される。除去している間にＣＰＵ１４が検出結果を演算
し、測定結果をまとめる。
したのち、ＩＣ５はステージ１から再び搬送されて除去
される。除去している間にＣＰＵ１４が検出結果を演算
し、測定結果をまとめる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来のリード曲がり検
出機では、発光されたレーザ光がＩＣパッケージの必要
とする位置に発光され、その結果を検出できたことを確
認する手段がなく、突発的に測定される異常データの原
因がリードにあるのか、発光機側にあるのか判断できな
いといった問題点があった。
出機では、発光されたレーザ光がＩＣパッケージの必要
とする位置に発光され、その結果を検出できたことを確
認する手段がなく、突発的に測定される異常データの原
因がリードにあるのか、発光機側にあるのか判断できな
いといった問題点があった。
【００１１】リード側の原因であれば測定結果は正しい
と考えられるが、発光機側の原因の場合は誤った検出結
果となり、測定の信頼性を著しく損なうことになる。
と考えられるが、発光機側の原因の場合は誤った検出結
果となり、測定の信頼性を著しく損なうことになる。
【００１２】発光器にはレーザを０．１ｍｍから０．５
ｍｍ程度のビーム径に絞るための光学系があるがその中
のレンズには歪みがあり、それが個体差となって、レン
ズ交換時に再現性が得られないことがある。
ｍｍ程度のビーム径に絞るための光学系があるがその中
のレンズには歪みがあり、それが個体差となって、レン
ズ交換時に再現性が得られないことがある。
【００１３】また、発光器を移動させる手段も、部品の
精度誤差が原因で繰り返し動作をおこなうと、位置のず
れを発生させることもある。
精度誤差が原因で繰り返し動作をおこなうと、位置のず
れを発生させることもある。
【００１４】発光器側の問題は受光痕がないと判断でき
ず、現状は再検査して確認するしか手段がなく時間のロ
スが発生している。
ず、現状は再検査して確認するしか手段がなく時間のロ
スが発生している。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のリード曲がり検
出機の特徴は、半導体装置の外部リード表面上にレーザ
発光器によってーザ光を照射し、その反射光を再び前記
レーザ発光器に取り込むことによって得られるデータを
中央処理装置で演算して外部リード形状の測定を行なう
リード曲がり検出機において、前記レーザ発光器よりも
高出力の第１のレーザ発光器のレーザ光照射により前記
外部リード表面上に生じさせた受光痕からの反射光を検
出することによってリード曲がりの検出測定が実行され
たことを確認する手段を有することにある。
出機の特徴は、半導体装置の外部リード表面上にレーザ
発光器によってーザ光を照射し、その反射光を再び前記
レーザ発光器に取り込むことによって得られるデータを
中央処理装置で演算して外部リード形状の測定を行なう
リード曲がり検出機において、前記レーザ発光器よりも
高出力の第１のレーザ発光器のレーザ光照射により前記
外部リード表面上に生じさせた受光痕からの反射光を検
出することによってリード曲がりの検出測定が実行され
たことを確認する手段を有することにある。
【００１６】また、前記第１のレーザ発光器として半導
体レーザ発光部およびこの半導体レーザ発光部よりも高
出力を有する他の種類のレーザ発光部とこれらの発光部
の一方を選択的に通過させるプリズムとを備え前記他の
種類のレーザ発光部を前記プリズムの第１の光軸を通し
て前記受光痕を生じさせる発光手段に用い、前記検出測
定用手段には前記プリズムの第２の光軸を通して前記外
部リードに照射しその反射光を取り込む前記半導体レー
ザ発光部を用いることができる。
体レーザ発光部およびこの半導体レーザ発光部よりも高
出力を有する他の種類のレーザ発光部とこれらの発光部
の一方を選択的に通過させるプリズムとを備え前記他の
種類のレーザ発光部を前記プリズムの第１の光軸を通し
て前記受光痕を生じさせる発光手段に用い、前記検出測
定用手段には前記プリズムの第２の光軸を通して前記外
部リードに照射しその反射光を取り込む前記半導体レー
ザ発光部を用いることができる。
【００１７】本発明のリード曲がり検出方法の特徴は、
半導体装置の外部リード表面上にレーザ発光器によって
ーザ光を照射し、その反射光を再び前記レーザ発光器に
取り込むことによって得られるデータを中央処理装置で
演算させて前記外部リード形状の測定をおこなうリード
曲がり検出方法において、前記レーザ発光器よりも高出
力の第１のレーザ発光器を前記外部リード上方の所定の
位置に移動させるステップと、このレーザ発光器からあ
らかじめ定める出力値のレーザを発光させて前記外部リ
ード表面上に受光痕を生じさせるステップと、前記測定
のために同一位置で前記出力値を略半分の出力に弱めて
出力させるステップと、この弱めた出力値を用いて前記
外部リードからの反射光を検出するステップとを有する
ことにある。
半導体装置の外部リード表面上にレーザ発光器によって
ーザ光を照射し、その反射光を再び前記レーザ発光器に
取り込むことによって得られるデータを中央処理装置で
演算させて前記外部リード形状の測定をおこなうリード
曲がり検出方法において、前記レーザ発光器よりも高出
力の第１のレーザ発光器を前記外部リード上方の所定の
位置に移動させるステップと、このレーザ発光器からあ
らかじめ定める出力値のレーザを発光させて前記外部リ
ード表面上に受光痕を生じさせるステップと、前記測定
のために同一位置で前記出力値を略半分の出力に弱めて
出力させるステップと、この弱めた出力値を用いて前記
外部リードからの反射光を検出するステップとを有する
ことにある。
【００１８】また、半導体レーザ発光部およびこの半導
体レーザ発光部よりも高出力を有する他の種類のレーザ
発光器とこれらの発光部の一方を選択的に通過させるプ
リズムとを内蔵させた前記第２のレーザ発光器を用い、
この第２のレーザ発光器を前記外部リード上方の所定の
位置に移動させるステップと、あらかじめ定める前記他
の種類のレーザ発光部出力のレーザを発光させて前記プ
リズムの第１の光軸を通して前記外部リード表面上に受
光痕を生じさせるステップと、前記測定のために同一位
置で前記半導体レーザ発光部出力値を略半分の出力に弱
めて前記プリズムの第２の光軸を通して出力させるステ
ップと、この弱めた前記半導体レーザ出力値を用いて前
記外部リードからの反射光を検出するステップとを有す
る。
体レーザ発光部よりも高出力を有する他の種類のレーザ
発光器とこれらの発光部の一方を選択的に通過させるプ
リズムとを内蔵させた前記第２のレーザ発光器を用い、
この第２のレーザ発光器を前記外部リード上方の所定の
位置に移動させるステップと、あらかじめ定める前記他
の種類のレーザ発光部出力のレーザを発光させて前記プ
リズムの第１の光軸を通して前記外部リード表面上に受
光痕を生じさせるステップと、前記測定のために同一位
置で前記半導体レーザ発光部出力値を略半分の出力に弱
めて前記プリズムの第２の光軸を通して出力させるステ
ップと、この弱めた前記半導体レーザ出力値を用いて前
記外部リードからの反射光を検出するステップとを有す
る。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に本発明を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
【００２０】図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態の
概略図であり、図１（ｂ）は外部リード部に生じさせた
受光痕を示す図である。図１を参照すると、本発明のリ
ード曲がり検出機は、外部リード６を検出するためのス
テージ１と、このステージ１上に搭載したＩＣ５にレー
ザを照射するレーザ発光器２と、このレーザ発光器２を
移動させるロボット３と、レーザによる検出結果を演算
するＣＰＵ４とを有する。
概略図であり、図１（ｂ）は外部リード部に生じさせた
受光痕を示す図である。図１を参照すると、本発明のリ
ード曲がり検出機は、外部リード６を検出するためのス
テージ１と、このステージ１上に搭載したＩＣ５にレー
ザを照射するレーザ発光器２と、このレーザ発光器２を
移動させるロボット３と、レーザによる検出結果を演算
するＣＰＵ４とを有する。
【００２１】外部リード６を検出するためのステージ１
は、従来の技術と同じである。
は、従来の技術と同じである。
【００２２】ステージ１上のＩＣ５の外部リード６にレ
ーザを照射するレーザ発光器２は従来の技術の他に、そ
のレーザ出力値を変更することができ、外部リード６に
レーザを照射して受光痕７を生じさせ、この受光痕７か
らの反射を検出することによって、外部リードの検査が
確実に実行されたか否かを確認ができるようにしてあ
る。
ーザを照射するレーザ発光器２は従来の技術の他に、そ
のレーザ出力値を変更することができ、外部リード６に
レーザを照射して受光痕７を生じさせ、この受光痕７か
らの反射を検出することによって、外部リードの検査が
確実に実行されたか否かを確認ができるようにしてあ
る。
【００２３】ＣＰＵ４は、ステージ１上でレーザ発光器
２を所定のＩＣパッケージの形状にあわせて移動させる
ための命令をロボット３に対して出力し、かつ、必要な
レーザ出力をコントロールし、測定結果の検出データを
演算し、リード形状を出力する。
２を所定のＩＣパッケージの形状にあわせて移動させる
ための命令をロボット３に対して出力し、かつ、必要な
レーザ出力をコントロールし、測定結果の検出データを
演算し、リード形状を出力する。
【００２４】次に、図１および測定方法のフローチャー
トを示した図２を併せて参照しながら動作を説明する。
トを示した図２を併せて参照しながら動作を説明する。
【００２５】ＩＣ５がステージ１上に搬送され、ステー
ジ１上で安定したのち（ステップＳ１）、レーザ発光器
２がＩＣ５の外部リード６上方の所定の位置に移動する
（ステップＳ２）。次に、０．５から１Ｗ程度のレーザ
を発光し、外部リード６表面上に受光痕７を付ける（ス
テップＳ３）。次に測定のために同一位置でレーザ出力
を０．１から０．５Ｗ程度へ弱めて出力し（ステップＳ
４）、その状態で外部リード６からの反射光を検出した
後に、次のポイントへ移動する（ステップＳ５）。
ジ１上で安定したのち（ステップＳ１）、レーザ発光器
２がＩＣ５の外部リード６上方の所定の位置に移動する
（ステップＳ２）。次に、０．５から１Ｗ程度のレーザ
を発光し、外部リード６表面上に受光痕７を付ける（ス
テップＳ３）。次に測定のために同一位置でレーザ出力
を０．１から０．５Ｗ程度へ弱めて出力し（ステップＳ
４）、その状態で外部リード６からの反射光を検出した
後に、次のポイントへ移動する（ステップＳ５）。
【００２６】これ等の動作を所定のリード本数分繰り返
し実行した後、ＩＣ５はステージ１から再び自動搬送で
送り出され、取り出される。
し実行した後、ＩＣ５はステージ１から再び自動搬送で
送り出され、取り出される。
【００２７】この取り出し処理中の期間に、ＣＰＵ４が
検出結果を演算し、レーザが正常に商社され、かつ外部
リード６の形状に異常がなかった否かを判断し、測定結
果をまとめる（ステップＳ６）。
検出結果を演算し、レーザが正常に商社され、かつ外部
リード６の形状に異常がなかった否かを判断し、測定結
果をまとめる（ステップＳ６）。
【００２８】レーザによる受光痕７を後で確認できるこ
とで、外部リードの適切な位置にレーザが発光されたか
どうか、またレーザ発光器２が正常に動作しているかが
確認できるので測定結果の信頼性が向上する。
とで、外部リードの適切な位置にレーザが発光されたか
どうか、またレーザ発光器２が正常に動作しているかが
確認できるので測定結果の信頼性が向上する。
【００２９】なお、この受光痕７を付ける動作は、測定
するすべての半導体装置のパッケージに対して必要では
なく、測定開始の最初の一個程度に対して実施し、その
後、レーザ発光器の信頼性にあわせて、一日一回程度サ
ンプルを用いて実施すればよい。
するすべての半導体装置のパッケージに対して必要では
なく、測定開始の最初の一個程度に対して実施し、その
後、レーザ発光器の信頼性にあわせて、一日一回程度サ
ンプルを用いて実施すればよい。
【００３０】次に第２の実施の形態を説明する。
【００３１】図３は第２の実施の形態のリード曲がり検
出機おけるレーザ発光器の概略図である。レーザ発光器
８は同一光学系に別のレーザ、例えばＹＡＧレーザ発光
部９のような半導体レーザよりも高出力のレーザを備
え、レーザ発光器８およびＹＡＧレーザ発光部９の光軸
をプリズム１１によって同一光軸上に合わせ、レンズ１
２をＹＡＧレーザ光による照射時と半導体レーザ光によ
る測定時とで共有し、同一光学系で異なるレーザを使用
できるようにした。
出機おけるレーザ発光器の概略図である。レーザ発光器
８は同一光学系に別のレーザ、例えばＹＡＧレーザ発光
部９のような半導体レーザよりも高出力のレーザを備
え、レーザ発光器８およびＹＡＧレーザ発光部９の光軸
をプリズム１１によって同一光軸上に合わせ、レンズ１
２をＹＡＧレーザ光による照射時と半導体レーザ光によ
る測定時とで共有し、同一光学系で異なるレーザを使用
できるようにした。
【００３２】その他の構成は第１の実施の形態と同様で
あるから図示せず、また、構成の説明も省略する。
あるから図示せず、また、構成の説明も省略する。
【００３３】次に図２および第２の実施の形態の測定法
方のフローチャートを示した図４を併せて参照しながら
動作を説明する。
方のフローチャートを示した図４を併せて参照しながら
動作を説明する。
【００３４】ＩＣ５がステージ１上に搬送され、ステー
ジ１上で安定した後（ステップＳ１１）、レーザ発光部
８がＩＣ５の外部リード６上方の所定の位置に移動する
（ステップＳ１２）。次に、０．５から１Ｗ程度のＹＡ
Ｇレーザ光をＹＡＧレーザ発光部９が発光し、外部リー
ド６上に照射して外部リード６の表面に受光痕７を生じ
させる（ステップＳ１３）。
ジ１上で安定した後（ステップＳ１１）、レーザ発光部
８がＩＣ５の外部リード６上方の所定の位置に移動する
（ステップＳ１２）。次に、０．５から１Ｗ程度のＹＡ
Ｇレーザ光をＹＡＧレーザ発光部９が発光し、外部リー
ド６上に照射して外部リード６の表面に受光痕７を生じ
させる（ステップＳ１３）。
【００３５】次に測定のために同一位置で半導体レーザ
発光部１０の出力を弱めて出力（ステップＳ１４）し、
外部リード６による反射光を検出し（ステップＳ１
５）、次のポイントへ移動する。
発光部１０の出力を弱めて出力（ステップＳ１４）し、
外部リード６による反射光を検出し（ステップＳ１
５）、次のポイントへ移動する。
【００３６】これ等の動作を所定のリード本数分繰り返
した後、ＩＣ５はステージ１から再び自動搬送され、取
り出される。
した後、ＩＣ５はステージ１から再び自動搬送され、取
り出される。
【００３７】この取り出しを行っている期間中に、ＣＰ
Ｕ１４が検出結果を演算し、レーザが正常に発射され、
かつ外部リード６の形状に異常がなかったか否かを判断
し、測定結果をまとめる（ステップＳ１６）。
Ｕ１４が検出結果を演算し、レーザが正常に発射され、
かつ外部リード６の形状に異常がなかったか否かを判断
し、測定結果をまとめる（ステップＳ１６）。
【００３８】ＹＡＧレーザ発光部９は出力が大きいので
受光痕７が鮮明に残り、後で容易に確認できるので、リ
ードの適切な位置にレーザが受光されたかどうかがはっ
きりとわかり、測定結果の信頼性が向上する。
受光痕７が鮮明に残り、後で容易に確認できるので、リ
ードの適切な位置にレーザが受光されたかどうかがはっ
きりとわかり、測定結果の信頼性が向上する。
【００３９】
【発明の効果】以上、説明したように本発明は、高出力
の第１のレーザ発光器出力のレーザ光の照射によって、
外部リード表面上に生じさせた受光痕の反射光を検出し
てリード曲がりの検出測定が実行されたことを確認する
機能、またはレーザ発光器として半導体レーザ発光部お
よびこの半導体レーザ発光部よりも高出力を有する他の
種類のレーザ発光部とこれらの発光部の一方を選択的に
通過させるプリズムとを備え、受光痕を生じさせる発光
部に前記他の種類のレーザ発光部を用い、半導体レーザ
発光部を用いて検出測定する機能を有するので、ＩＣパ
ッケージの外部リード表面上へ確実にレーザ発光が照射
されたことが確認でき、かつリード形状を測定した時に
異常な測定結果を得た場合は、測定箇所の特定が目視で
容易に確認でき、したがって測定結果の信頼性を向上さ
せる効果がある。
の第１のレーザ発光器出力のレーザ光の照射によって、
外部リード表面上に生じさせた受光痕の反射光を検出し
てリード曲がりの検出測定が実行されたことを確認する
機能、またはレーザ発光器として半導体レーザ発光部お
よびこの半導体レーザ発光部よりも高出力を有する他の
種類のレーザ発光部とこれらの発光部の一方を選択的に
通過させるプリズムとを備え、受光痕を生じさせる発光
部に前記他の種類のレーザ発光部を用い、半導体レーザ
発光部を用いて検出測定する機能を有するので、ＩＣパ
ッケージの外部リード表面上へ確実にレーザ発光が照射
されたことが確認でき、かつリード形状を測定した時に
異常な測定結果を得た場合は、測定箇所の特定が目視で
容易に確認でき、したがって測定結果の信頼性を向上さ
せる効果がある。
【図１】（ａ）本発明のリード曲がり検出機の第１の実
施の形態の概略図である。 （ｂ）外部リードの部分斜視図である。
施の形態の概略図である。 （ｂ）外部リードの部分斜視図である。
【図２】第１の実施の形態を用いる測定法方のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図３】本発明のリード曲がり検出機におけるレーザ発
光器の第２の実施の形態の概略図である。
光器の第２の実施の形態の概略図である。
【図４】第２の実施の形態を用いる測定法方のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図５】従来のリード曲がり検出機の一例を示す概略図
である。
である。
１ ステージ ２，１３ レーザ発光器 ３ ロボット ４，１４ ＣＰＵ ５ ＩＣ ６ 外部リード ７ 受光痕 ８ レーザ発光器 ９ ＹＡＧレーザ発光部 １０ 半導体レーザ発光部 １１ プリズム １２ レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 13/08 Ｇ０６Ｆ 15/62 ４０５Ｚ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体装置の外部リード表面上にレーザ
発光器によってーザ光を照射し、その反射光を再び前記
レーザ発光器に取り込むことによって得られるデータを
中央処理装置で演算して外部リード形状の測定を行なう
リード曲がり検出機において、前記レーザ発光器よりも
高出力の第１のレーザ発光器のレーザ光照射により前記
外部リード表面上に生じさせた受光痕からの反射光を検
出することによってリード曲がりの検出測定が実行され
たことを確認する手段を有することを特徴とするリード
曲がり検出機。 - 【請求項２】 前記第１のレーザ発光器として半導体レ
ーザ発光部およびこの半導体レーザ発光部よりも高出力
を有する他の種類のレーザ発光部とこれらの発光部の一
方を選択的に通過させるプリズムとを備え、前記他の種
類のレーザ発光部を前記プリズムの第１の光軸を通して
前記受光痕を生じさせる発光手段に用い、前記検出測定
用手段には前記プリズムの第２の光軸を通して前記外部
リードに照射しその反射光を取り込む前記半導体レーザ
発光部を用いる請求項１記載のリード曲がり検出機。 - 【請求項３】 半導体装置の外部リード表面上にレーザ
発光器によってーザ光を照射し、その反射光を再び前記
レーザ発光器に取り込むことによって得られるデータを
中央処理装置で演算させて前記外部リード形状の測定を
おこなうリード曲がり検出方法において、前記レーザ発
光器よりも高出力の第１のレーザ発光器を前記外部リー
ド上方の所定の位置に移動させるステップと、このレー
ザ発光器からあらかじめ定める出力値のレーザを発光さ
せて前記外部リード表面上に受光痕を生じさせるステッ
プと、前記測定のために同一位置で前記出力値を略半分
の出力に弱めて出力させるステップと、この弱めた出力
値を用いて前記外部リードからの反射光を検出するステ
ップとを有するリード曲がり検出方法。 - 【請求項４】 半導体レーザ発光部およびこの半導体レ
ーザ発光部よりも高出力を有する他の種類のレーザ発光
器とこれらの発光部の一方を選択的に通過させるプリズ
ムとを内蔵させた前記第２のレーザ発光器を用い、この
第２のレーザ発光器を前記外部リード上方の所定の位置
に移動させるステップと、あらかじめ定める前記他の種
類のレーザ発光部出力のレーザを発光させて前記プリズ
ムの第１の光軸を通して前記外部リード表面上に受光痕
を生じさせるステップと、前記測定のために同一位置で
前記半導体レーザ発光部出力値を略半分の出力に弱めて
前記プリズムの第２の光軸を通して出力させるステップ
と、この弱めた前記半導体レーザ出力値を用いて前記外
部リードからの反射光を検出するステップとを有するリ
ード曲がり検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8200727A JP2927247B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | リード曲がり検出機およびこの検出機を用いた検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8200727A JP2927247B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | リード曲がり検出機およびこの検出機を用いた検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1047937A JPH1047937A (ja) | 1998-02-20 |
| JP2927247B2 true JP2927247B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=16429192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8200727A Expired - Lifetime JP2927247B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | リード曲がり検出機およびこの検出機を用いた検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2927247B2 (ja) |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP8200727A patent/JP2927247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1047937A (ja) | 1998-02-20 |
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