JP2922914B2 - 酸化物超電導体端子 - Google Patents
酸化物超電導体端子Info
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- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims description 57
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 53
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical group [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- -1 for example Chemical compound 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は酸化物超電導体端子に関するものである。
第８図は、例えば第49回応用物理学会学術講演会（昭
和63年10月４日〜７日、富山大学他で開催）、講演予稿
集（6a一館Ｄ−８）に示された従来の酸化物超電導体端
子を概念的に示す図であり、図において（１）はＹ−Ba
−Cu−Ｏ（YBCO）系のセラミックからなる酸化物超電導
体であり、（11）はその導体部、（12）は端子取付部で
ある。（２）は上記端子取付部（12）に接合された銀な
どの端子導体である。上記導体（12）としては銀の他に
例えば金、銅、アルミニウム、及び鉄など、さらには各
種の合金などが用いられ、端子取付部（12）への接合に
は、例えば塗布法、圧着法、真空蒸着法、スパツタ法、
電着法及ぴプラズマを利用した方法など適宜の手段が用
いられる。
和63年10月４日〜７日、富山大学他で開催）、講演予稿
集（6a一館Ｄ−８）に示された従来の酸化物超電導体端
子を概念的に示す図であり、図において（１）はＹ−Ba
−Cu−Ｏ（YBCO）系のセラミックからなる酸化物超電導
体であり、（11）はその導体部、（12）は端子取付部で
ある。（２）は上記端子取付部（12）に接合された銀な
どの端子導体である。上記導体（12）としては銀の他に
例えば金、銅、アルミニウム、及び鉄など、さらには各
種の合金などが用いられ、端子取付部（12）への接合に
は、例えば塗布法、圧着法、真空蒸着法、スパツタ法、
電着法及ぴプラズマを利用した方法など適宜の手段が用
いられる。
上記のように権成された酸化物超電導体端子は、端子
導体（２）に他の導体（図示省略）を接続し、超電導体
（１）に対し電流の通電が行なわれる。この場合、接触
抵抗が低く、しかも機械的強度が大きいことが要求され
る。
導体（２）に他の導体（図示省略）を接続し、超電導体
（１）に対し電流の通電が行なわれる。この場合、接触
抵抗が低く、しかも機械的強度が大きいことが要求され
る。
第９図は、例えば昭和63年度春季低温工学会予稿集、
29頁（B1−６）に示された従来の酸化物超電導体の端子
部構成法の他の例を示す図である。図において、各符号
は第８図に示すものと同様の部分を示しており、この従
来装置においても、酸化物超電導体（１）の端部をその
まま端子取付部（12）として形成し、その端子取付部
（12）に図示を省略した電流導入線を直接取付け、電流
を通電している。
29頁（B1−６）に示された従来の酸化物超電導体の端子
部構成法の他の例を示す図である。図において、各符号
は第８図に示すものと同様の部分を示しており、この従
来装置においても、酸化物超電導体（１）の端部をその
まま端子取付部（12）として形成し、その端子取付部
（12）に図示を省略した電流導入線を直接取付け、電流
を通電している。
上記した何れのものも酸化物超電導体（１）と端子導
体（２）の接続抵抗は、端子導体（２）の接合部の面積
に関係し、面積が大きいほど抵抗が低くなる。
体（２）の接続抵抗は、端子導体（２）の接合部の面積
に関係し、面積が大きいほど抵抗が低くなる。
従来の酸化物超電導体端子は、以上のように酸化物超
電導体（１）の端子取付部（12）に直接銀などの端子導
体（２）を設けるように構成されているので、酸化物超
電導体（１）と銀などの端子導体（２）との接合が十分
ではなく、また接続抵抗が必ずしも低いとは言えないと
いう問題点があった。
電導体（１）の端子取付部（12）に直接銀などの端子導
体（２）を設けるように構成されているので、酸化物超
電導体（１）と銀などの端子導体（２）との接合が十分
ではなく、また接続抵抗が必ずしも低いとは言えないと
いう問題点があった。
また、接続抵抗を低くするために端子取付部（12）を
酸化物超電導体（１）の長さ方向に長く形成して面積の
拡大を図ると、常電導状態での通電時に電流が導体部
（11）と端子取付部（12）の境界付近（11a）に集中
し、端子取付部（12）と端子導体（２）との接続に異常
を生じるなどの問題点があった。
酸化物超電導体（１）の長さ方向に長く形成して面積の
拡大を図ると、常電導状態での通電時に電流が導体部
（11）と端子取付部（12）の境界付近（11a）に集中
し、端子取付部（12）と端子導体（２）との接続に異常
を生じるなどの問題点があった。
さらに、上記のように電流導入線（図示省略）を直接
酸化物超電導体（１）に取付けると、酸化物超電導体
（１）は壊れやすいので、これを固定することが困難で
あるなどの問題点もあった。
酸化物超電導体（１）に取付けると、酸化物超電導体
（１）は壊れやすいので、これを固定することが困難で
あるなどの問題点もあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、接続抵抗を低減した信頼性の高い酸化物超
電導体端子を得ることを目的とする。
れたもので、接続抵抗を低減した信頼性の高い酸化物超
電導体端子を得ることを目的とする。
この発明の第１の発明に係る酸化物超電導体端子は、
酸化物超電導体にクロム層を介して端子導体を設けるよ
うに構成したものである。
酸化物超電導体にクロム層を介して端子導体を設けるよ
うに構成したものである。
た、第２の発明に係る酸化物超電導体端子は、導体部
に連続して形成された端子取付部を有するものにおい
て、当該端子取付部にクロム層を設けると共に、端子取
付部の断面積を導体部の断面積よりも大きく構成したも
のである。
に連続して形成された端子取付部を有するものにおい
て、当該端子取付部にクロム層を設けると共に、端子取
付部の断面積を導体部の断面積よりも大きく構成したも
のである。
また、第３の発明に係る酸化物超電導体端子は、可動
状態におかれた酸化物超電導体の一部によって形成され
た端子取付部と、酸化物超電導体とは別体に設けられた
端子体と、上記端子取付部と端子体とを電気的に接続す
るフレキシブル導体を備えるように構成したものであ
る。
状態におかれた酸化物超電導体の一部によって形成され
た端子取付部と、酸化物超電導体とは別体に設けられた
端子体と、上記端子取付部と端子体とを電気的に接続す
るフレキシブル導体を備えるように構成したものであ
る。
第１の発明における酸化物超電導体端子は、酸化物超
電導体にクロム層を介して端子導体を取付けることによ
り、酸化物超電導体との接続抵抗を低減する。
電導体にクロム層を介して端子導体を取付けることによ
り、酸化物超電導体との接続抵抗を低減する。
第２の発明における酸化物超電導体端子は、端子取付
部にクロム層を設けると共に、端子取付部を導体部より
大きくしたことにより接続抵抗を低減する。
部にクロム層を設けると共に、端子取付部を導体部より
大きくしたことにより接続抵抗を低減する。
また、第３の発明における酸化物超電導体端子は、可
動状態におかれた酸化物超電導体をフレキシブル導体に
より端子体と接続したものであるから、酸化物超電導体
の外的機械応力、熱応力あるいは電磁力等から保護され
信頼性を向上させる。
動状態におかれた酸化物超電導体をフレキシブル導体に
より端子体と接続したものであるから、酸化物超電導体
の外的機械応力、熱応力あるいは電磁力等から保護され
信頼性を向上させる。
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の第１実施例を示すもので、図にお
いて、（12）は端子取付部であり、酸化物超電導体
（１）端部の矢印Ａ方向の寸法を拡大することにより、
導体部（11）の断面積よりも大きな断面積に形成されて
いる。（３）はこの端子取付部（12）の表面に設けられ
たクロム層であり、銀からなる端子導体（２）はこのク
ロム層（３）の上に設けられている。
いて、（12）は端子取付部であり、酸化物超電導体
（１）端部の矢印Ａ方向の寸法を拡大することにより、
導体部（11）の断面積よりも大きな断面積に形成されて
いる。（３）はこの端子取付部（12）の表面に設けられ
たクロム層であり、銀からなる端子導体（２）はこのク
ロム層（３）の上に設けられている。
上記クロム層（３）及び端子導体（２）は、何れも真
空蒸着により設けられたものであり、上記クロム層は約
10Å、上記銀からなる端子導体（２）は約数μｍの厚さ
に形成されている。かかる酸化物超電導体端子の接続抵
抗は、線のみの場合に比べ次のように低減できた。
空蒸着により設けられたものであり、上記クロム層は約
10Å、上記銀からなる端子導体（２）は約数μｍの厚さ
に形成されている。かかる酸化物超電導体端子の接続抵
抗は、線のみの場合に比べ次のように低減できた。
「銀のみ」の場合の接続抵抗 16.9〔μΩ・cm2〕 「クロム＋銀」の場合の接続抵抗 2.4〔μΩ・cm2〕 上記実施例によれば、接続抵抗の低減と共に、端子取
付部（12）の断面積を導体部（11）のそれよりも大きく
形成したので、動作安定性が増すという利点も期待でき
るものである。
付部（12）の断面積を導体部（11）のそれよりも大きく
形成したので、動作安定性が増すという利点も期待でき
るものである。
なお、上記実施例では端子導体（２）として、銀を用
いたが、これに限定されるものではなく、例えば金、
銅、アルミ、鉄や合金などでもよい。
いたが、これに限定されるものではなく、例えば金、
銅、アルミ、鉄や合金などでもよい。
また、上記実施例では、クロム層（３）及び端子導体
（２）の取付けに真空蒸着法を示したが、塗布法、圧着
法、スパッタ法、電着法やプラズマを利用した方法など
でもよい。
（２）の取付けに真空蒸着法を示したが、塗布法、圧着
法、スパッタ法、電着法やプラズマを利用した方法など
でもよい。
さらに、端子取付部（12）は、クロム層（３）を設
け、かつ断面積を導体部（11）より大きく構成したが、
例えば第２図及ぴ第６図に示すように何れか一方の手段
のみを用いたものであっても相当の効果が期待できる。
即ち、第２図に示す第２実施例によれば、酸化物超電導
体（１）と端子導体（２）との接続抵抗が著しく低くな
り、しかも機械的にも強い接合部が形成できるので、よ
り大きな電流を通流することが可能となり実用上の効果
は大である。
け、かつ断面積を導体部（11）より大きく構成したが、
例えば第２図及ぴ第６図に示すように何れか一方の手段
のみを用いたものであっても相当の効果が期待できる。
即ち、第２図に示す第２実施例によれば、酸化物超電導
体（１）と端子導体（２）との接続抵抗が著しく低くな
り、しかも機械的にも強い接合部が形成できるので、よ
り大きな電流を通流することが可能となり実用上の効果
は大である。
また、第３図に示す第３実施例によれば、酸化物超電
導体（１）の導体部（11）の長さ方向に直交する矢印Ａ
方向の寸法を導体部（１）より大きな幅を有するように
構成し、断面積を大きくしたので、端子取付部（12）の
面積を大きくとることが容易となり、接続抵抗を小さく
できる。
導体（１）の導体部（11）の長さ方向に直交する矢印Ａ
方向の寸法を導体部（１）より大きな幅を有するように
構成し、断面積を大きくしたので、端子取付部（12）の
面積を大きくとることが容易となり、接続抵抗を小さく
できる。
また端子取付部（12）の幅即ち矢印Ａ方向の寸法を大
きくしたので、酸化物超電導体（１）の全長を長くする
必要がないという利点がある。
きくしたので、酸化物超電導体（１）の全長を長くする
必要がないという利点がある。
なお、端子取付部（12）に端子導体（２）または他の
導体を取り付ける場合、第３図の上面部（12a）に限ら
ず、先端部（12b）、側面部（12c）、（12d）、下面部
（12e）の任意の１つ以上に設けてもよい。
導体を取り付ける場合、第３図の上面部（12a）に限ら
ず、先端部（12b）、側面部（12c）、（12d）、下面部
（12e）の任意の１つ以上に設けてもよい。
第４図及ぴ第５図に示す第４実施例及ぴ第５実施例
は、上記第３図に示す第２の発明の変形例を示すもので
ある。何れのものも、端子取付部（12）の断面積は酸化
物超電導体（１）の導体部（11）の断面積より大きくな
るように形成されている。第３図ないし第５図の何れの
形状とするかは、所望により適宜決められるものであ
り、何れの実施例についても境界部（1a）付近に電流が
集中するという問題を排除することができる。
は、上記第３図に示す第２の発明の変形例を示すもので
ある。何れのものも、端子取付部（12）の断面積は酸化
物超電導体（１）の導体部（11）の断面積より大きくな
るように形成されている。第３図ないし第５図の何れの
形状とするかは、所望により適宜決められるものであ
り、何れの実施例についても境界部（1a）付近に電流が
集中するという問題を排除することができる。
第６図に示す第６実施例はこの発明の第３の発明に係
る一実施例を示すもので、図において（４）、（４）は
酸化物超電導体（１）とは別体に設けられた端子体、
（５）は一端部が酸化物超電導体（１）の端子取付部
（12）に接続され、他端部が上記端子体（４）に接続さ
れたフレキシブル導体である。なお、２つの端子体
（４）、（４）は基体（図示省略）に固定されている。
また、上記フレキシブル導体（５）は、一本の線、多数
の線、あるいは板状の導体などである。
る一実施例を示すもので、図において（４）、（４）は
酸化物超電導体（１）とは別体に設けられた端子体、
（５）は一端部が酸化物超電導体（１）の端子取付部
（12）に接続され、他端部が上記端子体（４）に接続さ
れたフレキシブル導体である。なお、２つの端子体
（４）、（４）は基体（図示省略）に固定されている。
また、上記フレキシブル導体（５）は、一本の線、多数
の線、あるいは板状の導体などである。
酸化物超電導体（１）は、後述するように、可動状態
におかれているので、その熱的応力や、液体窒素の流動
や振動などによる機械的応力や電流通電時の電磁力など
をフレキシブル導体（５）が吸収し、酸化物超電導体
（１）の物的破壊を起こしにくくする。
におかれているので、その熱的応力や、液体窒素の流動
や振動などによる機械的応力や電流通電時の電磁力など
をフレキシブル導体（５）が吸収し、酸化物超電導体
（１）の物的破壊を起こしにくくする。
また、端子体（４）と酸化物超電導体（１）との接続
をフレキシブル導体（５）を介して行なっているため、
電流導入線を通常の手段で端子体（４）に接続すれば良
く、酸化物超電導体（１）に触れる必要がないので、安
全である。
をフレキシブル導体（５）を介して行なっているため、
電流導入線を通常の手段で端子体（４）に接続すれば良
く、酸化物超電導体（１）に触れる必要がないので、安
全である。
なお上記第６図に示す第６実施例では、フレキシブル
導体（５）を凸形にしたが、第７図に示す第７実施例の
ように凹形でもよく、酸化物超電導体（１）がある程度
自由に動ける状態、即ち可動状態におかれていれば、フ
レキシブル導体の形状はどのような形状でも良い。
導体（５）を凸形にしたが、第７図に示す第７実施例の
ように凹形でもよく、酸化物超電導体（１）がある程度
自由に動ける状態、即ち可動状態におかれていれば、フ
レキシブル導体の形状はどのような形状でも良い。
また、上記フレキシブル導体（５）と端子取付部（1
2）との接続手段は特に限定されるものではないが、第
２図に例示した第１の発明の実施例及び第６図ないし第
５図に示す第２の発明の実施例を単独で、あるいはこれ
らを組合せて実施することにより、第１または／及び第
２の発明の効果も合わせて期待することができる。
2）との接続手段は特に限定されるものではないが、第
２図に例示した第１の発明の実施例及び第６図ないし第
５図に示す第２の発明の実施例を単独で、あるいはこれ
らを組合せて実施することにより、第１または／及び第
２の発明の効果も合わせて期待することができる。
さらに、上記各実施例は酸化物超電導体の場合につい
て説明したが、他の超電導体であっても良く、また、厚
膜や薄膜に形成された超電導体であってもよい。
て説明したが、他の超電導体であっても良く、また、厚
膜や薄膜に形成された超電導体であってもよい。
以上のように、第１の発明によれば、クロム層を超電
導体に設け、その上に端子導体を取付けるように構成し
たので、接続抵抗を低減した超電導体端子が得られる効
果がある。
導体に設け、その上に端子導体を取付けるように構成し
たので、接続抵抗を低減した超電導体端子が得られる効
果がある。
また、第２の発明によれば、端子取付部にクロム層を
設けると共に端子取付部の断面積を導体部より大きくす
るように構成したので、超電導体と端子導体との接続抵
抗が低減され、しかも安定化した超電導体端子が得られ
る効果がある。
設けると共に端子取付部の断面積を導体部より大きくす
るように構成したので、超電導体と端子導体との接続抵
抗が低減され、しかも安定化した超電導体端子が得られ
る効果がある。
さらに、第３の発明によれば、可動状態におかれた酸
化物超電導体と端子体とを、フレキシブル導体を介在し
て結ぶように構成したので、酸化物超電導体の物的破壊
を防げる効果がある。
化物超電導体と端子体とを、フレキシブル導体を介在し
て結ぶように構成したので、酸化物超電導体の物的破壊
を防げる効果がある。
第１図は本発明の第１及び第２発明の一実施例による酸
化物超電導体端子を概念的に示す斜視図、 第２図は第１発明の一実施例を示す斜視図、 第３図は第２発明の一実施例を示す斜視図、 第４図は第２発明の他の実施例を示す斜視図、 第５図は第２発明のさらに他の実施例を示す斜視図、 第６図は本発明の第３発明の一実施例を示す正面図、 第７図は第３発明の他の実施例を示す正面図、 第８図は従来装置を示す斜視図、 第９図は従来装置の他の例を示す斜視図である。 （１）……酸化物超電導体、（２）……端子導体、
（３）……クロム層、（４）……端子体、（５）……フ
レキシブル導体、（11）……導体部、（12）……端子取
付部である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
化物超電導体端子を概念的に示す斜視図、 第２図は第１発明の一実施例を示す斜視図、 第３図は第２発明の一実施例を示す斜視図、 第４図は第２発明の他の実施例を示す斜視図、 第５図は第２発明のさらに他の実施例を示す斜視図、 第６図は本発明の第３発明の一実施例を示す正面図、 第７図は第３発明の他の実施例を示す正面図、 第８図は従来装置を示す斜視図、 第９図は従来装置の他の例を示す斜視図である。 （１）……酸化物超電導体、（２）……端子導体、
（３）……クロム層、（４）……端子体、（５）……フ
レキシブル導体、（11）……導体部、（12）……端子取
付部である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−49367（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−244675（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−21628（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−30187（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−33870（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−41280（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 39/00 H01L 39/22 H01L 39/24 H01L 39/02 H01L 39/06 H01R 4/58 - 4/72
Claims (3)
- 【請求項１】酸化物超電導体にクロム層を介して端子導
体を設けてなることを特徴とする酸化物超電導体端子。 - 【請求項２】導体部に連続して形成された端子取付部を
有するものにおいて、当該端子取付部にクロム層を設け
ると共に、上記端子取付部の断面積を上記導体部の断面
積よりも大きくしたことを特徴とする酸化物超電導体端
子。 - 【請求項３】可動状態におかれた酸化物超電導体の導体
部に連続して形成された端子取付部と、上記酸化物超電
導体とは別体に設けられた端子体と、上記端子取付部と
上記端子体とを電気的に接続するフレキシブル導体とを
備えたことを特徴とする酸化物超電導体端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060711A JP2922914B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 酸化物超電導体端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1060711A JP2922914B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 酸化物超電導体端子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02242572A JPH02242572A (ja) | 1990-09-26 |
| JP2922914B2 true JP2922914B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=13150146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1060711A Expired - Fee Related JP2922914B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 酸化物超電導体端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2922914B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU653983B2 (en) | 1991-02-25 | 1994-10-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Junction between wires employing oxide superconductors and joining method therefor |
| JP2003242863A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Tokai Rika Co Ltd | スイッチ装置 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP1060711A patent/JP2922914B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02242572A (ja) | 1990-09-26 |
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