JP2920056B2 - 結晶欠陥観察装置および方法 - Google Patents
結晶欠陥観察装置および方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスに用い
られる半導体結晶の表面近傍の欠陥を観察する装置およ
び方法に関する。
られる半導体結晶の表面近傍の欠陥を観察する装置およ
び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体結晶内の欠陥を観察する方
法としては、図６に示すように、レンズで集束した集束
レーザ光１０１を半導体結晶１０３内に入射させ、それ
によって結晶内の欠陥１０５から生じ、レーザ光の入射
面１０７とは反対側の透過面１０９まで透過した散乱光
成分のみをこの透過面側で集光して観察する透過法が知
られている。
法としては、図６に示すように、レンズで集束した集束
レーザ光１０１を半導体結晶１０３内に入射させ、それ
によって結晶内の欠陥１０５から生じ、レーザ光の入射
面１０７とは反対側の透過面１０９まで透過した散乱光
成分のみをこの透過面側で集光して観察する透過法が知
られている。
【０００３】また、図７に示すように、上述と同様にし
て集束レーザ光１０１を入射させるが、入射面１０７側
に戻ってくる散乱光成分のみを入射面側において観察す
る反射法も知られている。
て集束レーザ光１０１を入射させるが、入射面１０７側
に戻ってくる散乱光成分のみを入射面側において観察す
る反射法も知られている。
【０００４】さらに、図８に示すように、半導体結晶１
０３を劈開して半導体結晶の入射面１０７にほぼ垂直な
劈開面１１１を形成し、その入射面１０７（または劈開
面１１１）から集束レーザ光を入射させ、その入射方向
に対しほぼ９０°の方向に散乱される散乱光を入射面１
０７とは異なる劈開面１１１（または入射面１０７）側
から観察する９０°散乱による方法が知られている。
０３を劈開して半導体結晶の入射面１０７にほぼ垂直な
劈開面１１１を形成し、その入射面１０７（または劈開
面１１１）から集束レーザ光を入射させ、その入射方向
に対しほぼ９０°の方向に散乱される散乱光を入射面１
０７とは異なる劈開面１１１（または入射面１０７）側
から観察する９０°散乱による方法が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記図
６の透過法によれば、レーザ光の入射面１０７および透
過散乱光を観察する側の透過面１０９をともに鏡面状態
にしなければならないという課題がある。また、表面の
塵挨等による散乱光が同時に観察され、欠陥からの散乱
光の観察に悪影響を及ぼすという問題がある。
６の透過法によれば、レーザ光の入射面１０７および透
過散乱光を観察する側の透過面１０９をともに鏡面状態
にしなければならないという課題がある。また、表面の
塵挨等による散乱光が同時に観察され、欠陥からの散乱
光の観察に悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００６】また、前記図７の反射法によれば入射面１
０７の反射が強く、入射面のわずかな凹凸もそれによる
散乱光によって観察されてしまい、やはり内部欠陥の観
察に悪影響を及ぼす。
０７の反射が強く、入射面のわずかな凹凸もそれによる
散乱光によって観察されてしまい、やはり内部欠陥の観
察に悪影響を及ぼす。
【０００７】さらに、前記図８の９０°散乱による方法
によれば、レーザ光を入射する入射面１０７あるいはそ
の反対側の透過面１０３での塵挨や表面欠陥による散乱
光１０５が入射面あるいは透過面と劈開面との交差する
エッジ部１１３で強い２次的散乱を生じ、これが迷光と
なって結晶表面近傍の像として強く現われ、結晶表面近
傍の内部欠陥の観察に悪影響を及ぼすという問題があ
る。
によれば、レーザ光を入射する入射面１０７あるいはそ
の反対側の透過面１０３での塵挨や表面欠陥による散乱
光１０５が入射面あるいは透過面と劈開面との交差する
エッジ部１１３で強い２次的散乱を生じ、これが迷光と
なって結晶表面近傍の像として強く現われ、結晶表面近
傍の内部欠陥の観察に悪影響を及ぼすという問題があ
る。
【０００８】本発明の目的は、上述の従来技術の問題点
に鑑み、半導体結晶の表面近傍の内部欠陥を良好に観察
できる装置および方法を提供することにある。
に鑑み、半導体結晶の表面近傍の内部欠陥を良好に観察
できる装置および方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】よって、本発明は、入射
面およびこれにほぼ直交する観察面を有する半導体結晶
の入射面の近傍に存する欠陥を観察する装置であって、
前記入射面に対しほぼ垂直な方向から前記入射面へ向け
て集光レンズで集束したレーザ光束を照射するレーザ照
射手段と、このレーザ光束により前記欠陥から生じる散
乱光を前記観察面を介して受光して欠陥の情報を得る観
察手段とを備え、該観察手段は、前記入射面において生
じる散乱光および前記入射面と前記観察面との交差する
エッジ部で生じる２次的散乱光を避けた前記入射面に対
して斜め下方において前記欠縮からの散乱光を受光し得
るように構成し、かつ前記観察手段の画像情報は、下部
の実像部分と上部の虚像部分とを受光してその境界線か
ら入射面の位置を決定して、入射面からの欠陥の深さを
観察するようにした結晶欠陥観察装置としたものであ
る。また、入射面およびこれにほぼ直交する観察面を有
する半導体結晶の入射面の近傍に存する欠陥を観察する
方法であって、前記入射面にほぼ垂直な方向から前記入
射面へ向けて集光レンズで集束したレーザ光束を照射
し、このレーザ光束により欠陥から生じる散乱光を前記
観察面を介して受光して前記欠陥の情報を得、該受光
は、前記入射面において生じる散乱光および前記入射面
と前記観察面との交差するエッジ部で生じる２次的散乱
光を避けた前記入射面に対して斜め下方において前記欠
縮からの散乱光を受光するようにし、かつ画像情報は、
下部の実像部分と上部の虚像部分を受光してその間の境
界線から入射面の位置を知って欠陥の深さを観察する方
法とした結晶欠陥観察方法としたものである。
面およびこれにほぼ直交する観察面を有する半導体結晶
の入射面の近傍に存する欠陥を観察する装置であって、
前記入射面に対しほぼ垂直な方向から前記入射面へ向け
て集光レンズで集束したレーザ光束を照射するレーザ照
射手段と、このレーザ光束により前記欠陥から生じる散
乱光を前記観察面を介して受光して欠陥の情報を得る観
察手段とを備え、該観察手段は、前記入射面において生
じる散乱光および前記入射面と前記観察面との交差する
エッジ部で生じる２次的散乱光を避けた前記入射面に対
して斜め下方において前記欠縮からの散乱光を受光し得
るように構成し、かつ前記観察手段の画像情報は、下部
の実像部分と上部の虚像部分とを受光してその境界線か
ら入射面の位置を決定して、入射面からの欠陥の深さを
観察するようにした結晶欠陥観察装置としたものであ
る。また、入射面およびこれにほぼ直交する観察面を有
する半導体結晶の入射面の近傍に存する欠陥を観察する
方法であって、前記入射面にほぼ垂直な方向から前記入
射面へ向けて集光レンズで集束したレーザ光束を照射
し、このレーザ光束により欠陥から生じる散乱光を前記
観察面を介して受光して前記欠陥の情報を得、該受光
は、前記入射面において生じる散乱光および前記入射面
と前記観察面との交差するエッジ部で生じる２次的散乱
光を避けた前記入射面に対して斜め下方において前記欠
縮からの散乱光を受光するようにし、かつ画像情報は、
下部の実像部分と上部の虚像部分を受光してその間の境
界線から入射面の位置を知って欠陥の深さを観察する方
法とした結晶欠陥観察方法としたものである。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る結晶欠陥観察
装置を示す摸式図である。同図に示すように、この装置
は、入射面１およびこれにほぼ直交する観察面３を有す
る半導体結晶５の前記入射面１の近傍に存する欠陥２５
を観察する装置であって、入射面１にほぼ垂直な方向か
ら入射面１へ向けてレンズで絞られた集束レーザ光７を
照射するレーザ照射手段９と、このレーザ光束７により
前記欠陥２５から生じる散乱光を観察面３を介して受光
して前記欠陥２５の情報を得る前記入射面に対して斜め
下方において観察する観察手段１１とを備える。レーザ
照射手段９は、不図示のレーザ装置および集光レンズ１
９を有する。レーザ装置としては、例えば、波長が１．
０６μｍのＹＡＧレーザを用いることができ、レーザ照
射手段９は、そのレーザ光束を直径６μｍ程度にまで集
光させて観察対象部分を照射するものである。観察手段
１１は、入射面１において生じる散乱光およびそれに起
因して前記入射面１と観察面３とが交差するエッジ部１
３で生じる２次的散乱光を避けた所定の方向において前
記欠陥２５からの散乱光を受光するものであり、顕微鏡
１５およびテレビジョン・カメラ１７を有する。半導体
結晶５としては、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体結晶が該当
する。
装置を示す摸式図である。同図に示すように、この装置
は、入射面１およびこれにほぼ直交する観察面３を有す
る半導体結晶５の前記入射面１の近傍に存する欠陥２５
を観察する装置であって、入射面１にほぼ垂直な方向か
ら入射面１へ向けてレンズで絞られた集束レーザ光７を
照射するレーザ照射手段９と、このレーザ光束７により
前記欠陥２５から生じる散乱光を観察面３を介して受光
して前記欠陥２５の情報を得る前記入射面に対して斜め
下方において観察する観察手段１１とを備える。レーザ
照射手段９は、不図示のレーザ装置および集光レンズ１
９を有する。レーザ装置としては、例えば、波長が１．
０６μｍのＹＡＧレーザを用いることができ、レーザ照
射手段９は、そのレーザ光束を直径６μｍ程度にまで集
光させて観察対象部分を照射するものである。観察手段
１１は、入射面１において生じる散乱光およびそれに起
因して前記入射面１と観察面３とが交差するエッジ部１
３で生じる２次的散乱光を避けた所定の方向において前
記欠陥２５からの散乱光を受光するものであり、顕微鏡
１５およびテレビジョン・カメラ１７を有する。半導体
結晶５としては、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体結晶が該当
する。
【００１１】
【作用】上記の構成において、レーザ光束７が入射面１
へ向けて照射されると、図２に示すように、入射面１上
に存する塵挨や表面欠陥２５により散乱光２１を生じ、
前記散乱光２１は結晶外部のあらゆる方向に進む。散乱
光２１のうち、入射面１に沿って進んだ成分は、エッジ
部１３で２次的散乱光２３を生じるとともに、結晶内部
へは入射面１の法線に対する角度が結晶の屈折率で定ま
る所定の角度、例えば、屈折率が３．５のＳｉ結晶の場
合は１６．６°以内の範囲の方向へ進む。また、この角
度範囲の方向へ進む散乱光は通常、観察面３で全反射
し、外部へ出ることはない。一方、入射面１近傍の内部
欠陥２５からの散乱光は、図３に示すように、３６０°
あらゆる方向へ進む。したがって、入射面１での散乱光
２１やエッジ部１３での２次的散乱光２３を避けた方向
に定める。観察手段１１は上記の方向から観察面３を介
して内部欠陥２５からの散乱光のみに基づく光情報をテ
レビジョン・カメラ１７により画像データに変換する。
このような、条件に合致する観察方向は比較的広い範囲
にあるため、観察方向を設定するための特別な機構や調
整は不要である。
へ向けて照射されると、図２に示すように、入射面１上
に存する塵挨や表面欠陥２５により散乱光２１を生じ、
前記散乱光２１は結晶外部のあらゆる方向に進む。散乱
光２１のうち、入射面１に沿って進んだ成分は、エッジ
部１３で２次的散乱光２３を生じるとともに、結晶内部
へは入射面１の法線に対する角度が結晶の屈折率で定ま
る所定の角度、例えば、屈折率が３．５のＳｉ結晶の場
合は１６．６°以内の範囲の方向へ進む。また、この角
度範囲の方向へ進む散乱光は通常、観察面３で全反射
し、外部へ出ることはない。一方、入射面１近傍の内部
欠陥２５からの散乱光は、図３に示すように、３６０°
あらゆる方向へ進む。したがって、入射面１での散乱光
２１やエッジ部１３での２次的散乱光２３を避けた方向
に定める。観察手段１１は上記の方向から観察面３を介
して内部欠陥２５からの散乱光のみに基づく光情報をテ
レビジョン・カメラ１７により画像データに変換する。
このような、条件に合致する観察方向は比較的広い範囲
にあるため、観察方向を設定するための特別な機構や調
整は不要である。
【００１２】上記の方法によれば、前記入射面１近傍を
観察面３に垂直な方向（真横）から観察した場合に比
べ、図１のように観察手段１１は前記入射面に対して斜
め下方において前記欠縮からの散乱光を受光するように
してあるので、入射面１の位置を特定することができな
くなるから、表面欠陥２５の観察はむずかしくなるよう
に思われる。しかし、図４に示すように、欠陥２５から
の散乱光２１の入射面１における反射による欠陥２５の
虚像２７も観察できることにより、例えば図５に示すよ
うな画像を得ることができる。これはレーザ光束７によ
り観察面３に平行なある断面を走査して観察することに
より得られるものである。この画像の上部は虚像部分２
９を示し、下部は実像部分３１を示す。この場合、虚像
部分２９と実像部分３１は、その境界はテレビジョン・
カメラ１７には映らないが、いずれが欠陥２５でいずれ
が虚像２７であるかは知ることができるので、虚像部分
２９と実像部分３１の関係から、その間の境界線３３を
想定することができ、想定した境界線３３から入射面１
部分を特定することができ、入射面１からの欠陥２５の
深さを正確に知って、深さの分解能を向上させることが
できる。
観察面３に垂直な方向（真横）から観察した場合に比
べ、図１のように観察手段１１は前記入射面に対して斜
め下方において前記欠縮からの散乱光を受光するように
してあるので、入射面１の位置を特定することができな
くなるから、表面欠陥２５の観察はむずかしくなるよう
に思われる。しかし、図４に示すように、欠陥２５から
の散乱光２１の入射面１における反射による欠陥２５の
虚像２７も観察できることにより、例えば図５に示すよ
うな画像を得ることができる。これはレーザ光束７によ
り観察面３に平行なある断面を走査して観察することに
より得られるものである。この画像の上部は虚像部分２
９を示し、下部は実像部分３１を示す。この場合、虚像
部分２９と実像部分３１は、その境界はテレビジョン・
カメラ１７には映らないが、いずれが欠陥２５でいずれ
が虚像２７であるかは知ることができるので、虚像部分
２９と実像部分３１の関係から、その間の境界線３３を
想定することができ、想定した境界線３３から入射面１
部分を特定することができ、入射面１からの欠陥２５の
深さを正確に知って、深さの分解能を向上させることが
できる。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、入射面およびこれにほぼ直交
する観察面を有する半導体結晶の入射面の近傍に存する
欠陥を観察する装置であって、前記入射面に対しほぼ垂
直な方向から前記入射面へ向けて集光レンズで集束した
レーザ光束を照射するレーザ照射手段と、このレーザ光
束により前記欠陥から生じる散乱光を前記観察面を介し
て受光して欠陥の情報を得る観察手段とを備え、該観察
手段は、前記入射面において生じる散乱光および前記入
射面と前記観察面との交差するエッジ部で生じる２次的
散乱光を避けた前記入射面に対して斜め下方において前
記欠縮からの散乱光を受光し得るように構成し、かつ前
記観察手段の画像情報は、下部の実像部分と上部の虚像
部分とを受光してその境界線から入射面の位置を決定し
て、入射面からの欠陥の深さを観察するようにした結晶
欠陥観察装置としたものであるから、集光レンズ１９で
集束したレーザ光束７を照射するので強力なレーザ光束
７とすることにより欠陥２５の観察を良好に行え、観察
手段１１は、入射面１において生じる散乱光２１および
入射面１と観察面３との交差するエッジ部１３で生じる
２次的散乱光２３を避けた前記入射面に対して斜め下方
において前記欠縮２５からの散乱光を受光し得るように
構成したので、入射面１において生じる散乱光２１およ
びエッジ部１３で生じる２次的散乱光２３の影響を受け
ずに観察でき、このようにレーザ照射光軸に対し直角よ
り大きい角度で観察しても、観察手段１１の画像情報
は、下部の実像部分３１と上部の虚像部分２９とを受光
してその間の境界線３３を知るようにしたから、境界線
３３より入射面１の位置を決定することができるので、
入射面１からの欠陥２５の深さを正確に観察できる。ま
た、本発明は、入射面およびこれにほぼ直交する観察面
を有する半導体結晶の入射面の近傍に存する欠陥を観察
する方法であって、前記入射面にほぼ垂直な方向から前
記入射面へ向けて集光レンズで集束したレーザ光束を照
射し、このレーザ光束により欠陥から生じる散乱光を前
記観察面を介して受光して前記欠陥の情報を得、該受光
は、前記入射面において生じる散乱光および前記入射面
と前記観察面との交差するエッジ部で生じる２次的散乱
光を避けた前記入射面に対して斜め下方において前記欠
縮からの散乱光を受光するようにし、かつ画像情報は、
下部の実像部分と上部の虚像部分を受光してその間の境
界線から入射面の位置を知って欠陥の深さを観察する方
法とした結晶欠陥観察方法としたから、集光レンズ１９
で集束したレーザ光束７を照射するので強力なレーザ光
束７とすることにより欠陥２５の観察を良好に行え、受
光は、入射面１において生じる散乱光２１および入射面
１と観察面３との交差するエッジ部１３で生じる２次的
散乱光２３を避けた前記入射面に対して斜め下方におい
て前記欠縮からの散乱光を受光するようにしたので良好
に受光でき、かつ画像情報は下部の実像部分３１と上部
の虚像部分２９を受光してその間の境界線３３を知る方
法としたことから入射面１の位置を決定することがで
き、最も簡単な方法で、入射面１近傍の欠陥２５の観察
ができる効果がある。
する観察面を有する半導体結晶の入射面の近傍に存する
欠陥を観察する装置であって、前記入射面に対しほぼ垂
直な方向から前記入射面へ向けて集光レンズで集束した
レーザ光束を照射するレーザ照射手段と、このレーザ光
束により前記欠陥から生じる散乱光を前記観察面を介し
て受光して欠陥の情報を得る観察手段とを備え、該観察
手段は、前記入射面において生じる散乱光および前記入
射面と前記観察面との交差するエッジ部で生じる２次的
散乱光を避けた前記入射面に対して斜め下方において前
記欠縮からの散乱光を受光し得るように構成し、かつ前
記観察手段の画像情報は、下部の実像部分と上部の虚像
部分とを受光してその境界線から入射面の位置を決定し
て、入射面からの欠陥の深さを観察するようにした結晶
欠陥観察装置としたものであるから、集光レンズ１９で
集束したレーザ光束７を照射するので強力なレーザ光束
７とすることにより欠陥２５の観察を良好に行え、観察
手段１１は、入射面１において生じる散乱光２１および
入射面１と観察面３との交差するエッジ部１３で生じる
２次的散乱光２３を避けた前記入射面に対して斜め下方
において前記欠縮２５からの散乱光を受光し得るように
構成したので、入射面１において生じる散乱光２１およ
びエッジ部１３で生じる２次的散乱光２３の影響を受け
ずに観察でき、このようにレーザ照射光軸に対し直角よ
り大きい角度で観察しても、観察手段１１の画像情報
は、下部の実像部分３１と上部の虚像部分２９とを受光
してその間の境界線３３を知るようにしたから、境界線
３３より入射面１の位置を決定することができるので、
入射面１からの欠陥２５の深さを正確に観察できる。ま
た、本発明は、入射面およびこれにほぼ直交する観察面
を有する半導体結晶の入射面の近傍に存する欠陥を観察
する方法であって、前記入射面にほぼ垂直な方向から前
記入射面へ向けて集光レンズで集束したレーザ光束を照
射し、このレーザ光束により欠陥から生じる散乱光を前
記観察面を介して受光して前記欠陥の情報を得、該受光
は、前記入射面において生じる散乱光および前記入射面
と前記観察面との交差するエッジ部で生じる２次的散乱
光を避けた前記入射面に対して斜め下方において前記欠
縮からの散乱光を受光するようにし、かつ画像情報は、
下部の実像部分と上部の虚像部分を受光してその間の境
界線から入射面の位置を知って欠陥の深さを観察する方
法とした結晶欠陥観察方法としたから、集光レンズ１９
で集束したレーザ光束７を照射するので強力なレーザ光
束７とすることにより欠陥２５の観察を良好に行え、受
光は、入射面１において生じる散乱光２１および入射面
１と観察面３との交差するエッジ部１３で生じる２次的
散乱光２３を避けた前記入射面に対して斜め下方におい
て前記欠縮からの散乱光を受光するようにしたので良好
に受光でき、かつ画像情報は下部の実像部分３１と上部
の虚像部分２９を受光してその間の境界線３３を知る方
法としたことから入射面１の位置を決定することがで
き、最も簡単な方法で、入射面１近傍の欠陥２５の観察
ができる効果がある。
【図１】 本発明の一実施例に係る結晶欠陥観察装置を
示す模式図。
示す模式図。
【図２】 図１の装置における入射面およびエッジの欠
陥等による散乱光を示す模式図。
陥等による散乱光を示す模式図。
【図３】 図１の装置における入射面近傍の内部欠陥に
よる散乱光を示す模式図。
よる散乱光を示す模式図。
【図４】 図１の装置における入射面近傍の内部欠陥の
虚像が観察される様子を示す模式図。
虚像が観察される様子を示す模式図。
【図５】 図１の装置により得られる入射面近傍の内部
欠陥の虚像および実像の観察像を示す模式図。
欠陥の虚像および実像の観察像を示す模式図。
【図６】 従来の透過法による内部欠陥観察方法を示す
模式図。
模式図。
【図７】 従来の反射法による内部欠陥観察方法を示す
模式図。
模式図。
【図８】 従来の９０°散乱の方法による内部欠陥観察
方法を示す摸式図。
方法を示す摸式図。
１…入射面、３…観察面、５…半導体結晶、７…集束レ
ーザ光、９…レーザ照射手段、１１…観察手段、１３…
エッジ部、１５…顕微鏡、１７…テレビジョン・カメ
ラ、１９…集光レンズ、２１…散乱光、２３…２次的散
乱光、２５…内部の欠陥、２７…虚像、２９…虚像部
分、３１…実像部分、３３…境界線。
ーザ光、９…レーザ照射手段、１１…観察手段、１３…
エッジ部、１５…顕微鏡、１７…テレビジョン・カメ
ラ、１９…集光レンズ、２１…散乱光、２３…２次的散
乱光、２５…内部の欠陥、２７…虚像、２９…虚像部
分、３１…実像部分、３３…境界線。
Claims (2)
- 【請求項１】 入射面およびこれにほぼ直交する観察面
を有する半導体結晶の入射面の近傍に存する欠陥を観察
する装置であって、前記入射面に対しほぼ垂直な方向か
ら前記入射面へ向けて集光レンズで集束したレーザ光束
を照射するレーザ照射手段と、このレーザ光束により前
記欠陥から生じる散乱光を前記観察面を介して受光して
欠陥の情報を得る観察手段とを備え、該観察手段は、前
記入射面において生じる散乱光および前記入射面と前記
観察面との交差するエッジ部で生じる２次的散乱光を避
けた前記入射面に対して斜め下方において前記欠縮から
の散乱光を受光し得るように構成し、かつ前記観察手段
の画像情報は、下部の実像部分と上部の虚像部分とを受
光してその境界線から入射面の位置を決定して、入射面
からの欠陥の深さを観察するようにした結晶欠陥観察装
置。 - 【請求項２】 入射面およびこれにほぼ直交する観察面
を有する半導体結晶の入射面の近傍に存する欠陥を観察
する方法であって、前記入射面にほぼ垂直な方向から前
記入射面へ向けて集光レンズで集束したレーザ光束を照
射し、このレーザ光束により欠陥から生じる散乱光を前
記観察面を介して受光して前記欠陥の情報を得、該受光
は、前記入射面において生じる散乱光および前記入射面
と前記観察面との交差するエッジ部で生じる２次的散乱
光を避けた前記入射面に対して斜め下方において前記欠
縮からの散乱光を受光するようにし、かつ画像情報は、
下部の実像部分と上部の虚像部分を受光してその間の境
界線から入射面の位置を知って欠陥の深さを観察する方
法とした結晶欠陥観察方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5323411A JP2920056B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 結晶欠陥観察装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5323411A JP2920056B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 結晶欠陥観察装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07151692A JPH07151692A (ja) | 1995-06-16 |
| JP2920056B2 true JP2920056B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=18154408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5323411A Expired - Lifetime JP2920056B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 結晶欠陥観察装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920056B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0424541A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 内部欠陥測定方法および装置 |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP5323411A patent/JP2920056B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07151692A (ja) | 1995-06-16 |
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