JPH07151692A - 結晶欠陥観察装置および方法 - Google Patents
結晶欠陥観察装置および方法Info
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- JPH07151692A JPH07151692A JP32341193A JP32341193A JPH07151692A JP H07151692 A JPH07151692 A JP H07151692A JP 32341193 A JP32341193 A JP 32341193A JP 32341193 A JP32341193 A JP 32341193A JP H07151692 A JPH07151692 A JP H07151692A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体結晶の表面近傍の内部欠陥を良好に観
察できる装置および方法を提供する。 【構成】 第１の表面およびこれにほぼ直交する第２の
表面を有する半導体結晶の第１表面近傍に存する欠陥を
観察するために、第１表面にほぼ垂直な方向から第１表
面へ向けてレーザ光束を照射し、このレーザ光束により
前記欠陥から生じる散乱光を第２表面を介して受光して
前記欠陥の情報を得るに際し、第１表面において生じる
散乱光およびそれに起因して第１表面と第２表面とが交
差するエッジ部で生じる２次的散乱光を避けた所定の方
向において前記欠陥からの散乱光を受光する。
察できる装置および方法を提供する。 【構成】 第１の表面およびこれにほぼ直交する第２の
表面を有する半導体結晶の第１表面近傍に存する欠陥を
観察するために、第１表面にほぼ垂直な方向から第１表
面へ向けてレーザ光束を照射し、このレーザ光束により
前記欠陥から生じる散乱光を第２表面を介して受光して
前記欠陥の情報を得るに際し、第１表面において生じる
散乱光およびそれに起因して第１表面と第２表面とが交
差するエッジ部で生じる２次的散乱光を避けた所定の方
向において前記欠陥からの散乱光を受光する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスに用いら
れる半導体結晶の表面近傍の欠陥を観察する装置および
方法に関する。
れる半導体結晶の表面近傍の欠陥を観察する装置および
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体結晶内の欠陥を観察する方
法としては、図６に示すように、集束レーザ光１０１を
半導体結晶１０３内に入射させ、それによって結晶内の
欠陥１０５から生じ、レーザ光の入射面１０７とは反対
側の面１０９まで透過した散乱光成分のみをこの透過面
側で集光して観察する透過法が知られている。
法としては、図６に示すように、集束レーザ光１０１を
半導体結晶１０３内に入射させ、それによって結晶内の
欠陥１０５から生じ、レーザ光の入射面１０７とは反対
側の面１０９まで透過した散乱光成分のみをこの透過面
側で集光して観察する透過法が知られている。
【０００３】また、図７に示すように、上述と同様にし
て集束レーザ光１０１を入射させるが、入射面１０７側
に戻ってくる散乱光成分のみを入射面側において観察す
る反射法も知られている。
て集束レーザ光１０１を入射させるが、入射面１０７側
に戻ってくる散乱光成分のみを入射面側において観察す
る反射法も知られている。
【０００４】さらに、図８に示すように、半導体結晶１
０３を劈開して半導体結晶の表面１０７にほぼ垂直な劈
開面１１１を形成し、その表面１０７（または劈開面１
１１）から集束レーザ光を入射させ、その入射方向に対
しほぼ９０°の方向に散乱される散乱光を入射面１０７
とは異なる劈開面１１１（または表面１０７）側から観
察する９０°散乱による方法が知られている。
０３を劈開して半導体結晶の表面１０７にほぼ垂直な劈
開面１１１を形成し、その表面１０７（または劈開面１
１１）から集束レーザ光を入射させ、その入射方向に対
しほぼ９０°の方向に散乱される散乱光を入射面１０７
とは異なる劈開面１１１（または表面１０７）側から観
察する９０°散乱による方法が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記透
過法によれば、レーザ光を入射する面１０７および透過
散乱光を観察する側の透過面１０９ともに鏡面状態でな
ければならないという制約がある。また、表面の塵埃等
による散乱光が同時に観察され、欠陥からの散乱光の観
察に悪影響を及ぼすという問題がある。
過法によれば、レーザ光を入射する面１０７および透過
散乱光を観察する側の透過面１０９ともに鏡面状態でな
ければならないという制約がある。また、表面の塵埃等
による散乱光が同時に観察され、欠陥からの散乱光の観
察に悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００６】また、前記反射法によれば入射面１０７の
反射が強く、入射面のわずかな凹凸もそれによる散乱光
によって観察されてしまい、やはり内部欠陥の観察に悪
影響を及ぼす。
反射が強く、入射面のわずかな凹凸もそれによる散乱光
によって観察されてしまい、やはり内部欠陥の観察に悪
影響を及ぼす。
【０００７】さらに、前記９０°散乱による方法によれ
ば、レーザ光を入射する面１０７あるいはその反対側の
透過面１０３での塵埃や表面欠陥による散乱光１０５が
入射面あるいは透過面と劈開面との交差するエッジ部１
１３で強い２次的散乱を生じ、これが迷光となって結晶
表面近傍の像として強く現われ、結晶表面近傍の内部欠
陥の観察に悪影響を及ぼすという問題がある。
ば、レーザ光を入射する面１０７あるいはその反対側の
透過面１０３での塵埃や表面欠陥による散乱光１０５が
入射面あるいは透過面と劈開面との交差するエッジ部１
１３で強い２次的散乱を生じ、これが迷光となって結晶
表面近傍の像として強く現われ、結晶表面近傍の内部欠
陥の観察に悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、上述の従来技術の問題点
に鑑み、半導体結晶の表面近傍の内部欠陥を良好に観察
できる装置および方法を提供することにある。
に鑑み、半導体結晶の表面近傍の内部欠陥を良好に観察
できる装置および方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明では、第１の表面およびこれにほぼ直交する第２
の表面を有する半導体結晶の第１表面近傍に存する欠陥
を観察するために、第１表面にほぼ垂直な方向から第１
表面へ向けてレーザ光束を照射し、このレーザ光束によ
り前記欠陥から生じる散乱光を第２表面を介して受光し
て前記欠陥の情報を得るに際し、第１表面において生じ
る散乱光およびそれに起因して第１表面と第２表面とが
交差するエッジ部で生じる２次的散乱光を避けた所定の
方向において前記欠陥からの散乱光を受光するようにし
ている。
本発明では、第１の表面およびこれにほぼ直交する第２
の表面を有する半導体結晶の第１表面近傍に存する欠陥
を観察するために、第１表面にほぼ垂直な方向から第１
表面へ向けてレーザ光束を照射し、このレーザ光束によ
り前記欠陥から生じる散乱光を第２表面を介して受光し
て前記欠陥の情報を得るに際し、第１表面において生じ
る散乱光およびそれに起因して第１表面と第２表面とが
交差するエッジ部で生じる２次的散乱光を避けた所定の
方向において前記欠陥からの散乱光を受光するようにし
ている。
【００１０】
【作用】この構成において、第１表面に照射されたレー
ザ光束は第１表面上に存する塵埃や表面欠陥により散乱
光を生じ、これは結晶外部のあらゆる方向に進み、第１
表面に沿って進んだ成分は第１表面と第２表面とが交差
するエッジ部で２次的散乱を生じるとともに、結晶内部
へは第１表面の法線に対する角度が結晶の屈折率で定ま
る所定の角度以内の範囲の方向へ進む。また、この角度
範囲の方向へ進む散乱光は通常、第２表面で全反射し、
外部へ出ることはない。一方、第１表面近傍の内部欠陥
からの散乱光はあらゆる方向へ進む。したがって、前記
表面欠陥からの散乱光や２次的散乱光を避けた方向を定
めることができ、その方向から第２表面を介して内部欠
陥からの散乱光のみに基づく光情報が観察される。
ザ光束は第１表面上に存する塵埃や表面欠陥により散乱
光を生じ、これは結晶外部のあらゆる方向に進み、第１
表面に沿って進んだ成分は第１表面と第２表面とが交差
するエッジ部で２次的散乱を生じるとともに、結晶内部
へは第１表面の法線に対する角度が結晶の屈折率で定ま
る所定の角度以内の範囲の方向へ進む。また、この角度
範囲の方向へ進む散乱光は通常、第２表面で全反射し、
外部へ出ることはない。一方、第１表面近傍の内部欠陥
からの散乱光はあらゆる方向へ進む。したがって、前記
表面欠陥からの散乱光や２次的散乱光を避けた方向を定
めることができ、その方向から第２表面を介して内部欠
陥からの散乱光のみに基づく光情報が観察される。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の一実施例に係る結晶欠陥観
察装置を示す模式図である。同図に示すように、この装
置は、入射面１およびこれにほぼ直交する観察面３を有
する半導体結晶５の入射面１の近傍に存する欠陥を観察
する装置であって、入射面１にほぼ垂直な方向から入射
面１へ向けて集束レーザ光７を照射するレーザ照射手段
９と、このレーザ光束７により前記欠陥から生じる散乱
光を観察面３を介して受光して前記欠陥の情報を得る観
察手段１１とを備える。レーザ照射手段９は、不図示の
レーザ装置および集光レンズ１９を有する。レーザ装置
としては、例えば、波長が１．０６μｍのＹＡＧレーザ
を用いることができ、レーザ照射手段９は、そのレーザ
光束を直径６μｍ程度にまで集光させて観察対象部分を
照射するものである。観察手段１１は、入射面１におい
て生じる散乱光およびそれに起因して入射面１と観察面
３とが交差するエッジ部１３で生じる２次的散乱光を避
けた所定の方向において前記欠陥からの散乱光を受光す
るものであり、顕微鏡１５およびテレビジョン・カメラ
１７を有する。半導体結晶５としては、ＳｉやＧａＡｓ
等の半導体結晶が該当する。
察装置を示す模式図である。同図に示すように、この装
置は、入射面１およびこれにほぼ直交する観察面３を有
する半導体結晶５の入射面１の近傍に存する欠陥を観察
する装置であって、入射面１にほぼ垂直な方向から入射
面１へ向けて集束レーザ光７を照射するレーザ照射手段
９と、このレーザ光束７により前記欠陥から生じる散乱
光を観察面３を介して受光して前記欠陥の情報を得る観
察手段１１とを備える。レーザ照射手段９は、不図示の
レーザ装置および集光レンズ１９を有する。レーザ装置
としては、例えば、波長が１．０６μｍのＹＡＧレーザ
を用いることができ、レーザ照射手段９は、そのレーザ
光束を直径６μｍ程度にまで集光させて観察対象部分を
照射するものである。観察手段１１は、入射面１におい
て生じる散乱光およびそれに起因して入射面１と観察面
３とが交差するエッジ部１３で生じる２次的散乱光を避
けた所定の方向において前記欠陥からの散乱光を受光す
るものであり、顕微鏡１５およびテレビジョン・カメラ
１７を有する。半導体結晶５としては、ＳｉやＧａＡｓ
等の半導体結晶が該当する。
【００１３】この構成において、レーザ光束７が入射面
１へ向けて照射されると、図２に示すように、入射面１
上に存する塵埃や表面欠陥により散乱光２１を生じ、こ
れは結晶外部のあらゆる方向に進み、また、そのうちの
入射面１に沿って進んだ成分はエッジ部１３で２次的散
乱光２３を生じるとともに、結晶内部へは入射面１の法
線に対する角度が結晶の屈折率で定まる所定の角度、例
えば、屈折率が３．５のＳｉ結晶の場合は１６．６°以
内の範囲の方向へ進む。また、この角度範囲の方向へ進
む散乱光は通常、観察面３で全反射し、外部へ出ること
はない。一方、第１表面近傍の内部欠陥２５からの散乱
光は、図３に示すように、３６０°あらゆる方向へ進
む。したがって、表面欠陥からの散乱光２１や２次的散
乱光２３を避けた方向を定めることができ、観察手段１
１はその方向から観察面３を介して内部欠陥２５からの
散乱光のみに基づく光情報をテレビジョン・カメラ１７
により画像データに変換することができる。このよう
な、条件に合致する観察方向は比較的広い範囲にあるた
め、観察方向を設定するための特別な機構や調整は不要
である。
１へ向けて照射されると、図２に示すように、入射面１
上に存する塵埃や表面欠陥により散乱光２１を生じ、こ
れは結晶外部のあらゆる方向に進み、また、そのうちの
入射面１に沿って進んだ成分はエッジ部１３で２次的散
乱光２３を生じるとともに、結晶内部へは入射面１の法
線に対する角度が結晶の屈折率で定まる所定の角度、例
えば、屈折率が３．５のＳｉ結晶の場合は１６．６°以
内の範囲の方向へ進む。また、この角度範囲の方向へ進
む散乱光は通常、観察面３で全反射し、外部へ出ること
はない。一方、第１表面近傍の内部欠陥２５からの散乱
光は、図３に示すように、３６０°あらゆる方向へ進
む。したがって、表面欠陥からの散乱光２１や２次的散
乱光２３を避けた方向を定めることができ、観察手段１
１はその方向から観察面３を介して内部欠陥２５からの
散乱光のみに基づく光情報をテレビジョン・カメラ１７
により画像データに変換することができる。このよう
な、条件に合致する観察方向は比較的広い範囲にあるた
め、観察方向を設定するための特別な機構や調整は不要
である。
【００１４】これによれば、入射面１近傍を観察面３に
垂直な方向から観察した場合に比べ、表面欠陥等による
散乱光２１あるいは２次的散乱光２３が観察されないた
め、入射面１の位置を特定することができなくなるよう
に思われる。しかし、図４に示すように、欠陥２５から
の散乱光２１の入射面１における反射による欠陥２５の
虚像２７も観察するすることにより、例えば図５に示す
ような画像を得ることができる。これはレーザ光束７に
より観察面３に平行なある断面を走査して観察すること
により得られるものである。この画像の上部２９は虚像
部分を示し、下部３１は実像部分を示す。したがって、
これら対称な欠陥像の対称線３３が入射面１を示す。し
かも、表面欠陥等による散乱光の影響がないため、従来
より明瞭に入射面１部分を特定することができ、深さの
分解能を向上させることができる。
垂直な方向から観察した場合に比べ、表面欠陥等による
散乱光２１あるいは２次的散乱光２３が観察されないた
め、入射面１の位置を特定することができなくなるよう
に思われる。しかし、図４に示すように、欠陥２５から
の散乱光２１の入射面１における反射による欠陥２５の
虚像２７も観察するすることにより、例えば図５に示す
ような画像を得ることができる。これはレーザ光束７に
より観察面３に平行なある断面を走査して観察すること
により得られるものである。この画像の上部２９は虚像
部分を示し、下部３１は実像部分を示す。したがって、
これら対称な欠陥像の対称線３３が入射面１を示す。し
かも、表面欠陥等による散乱光の影響がないため、従来
より明瞭に入射面１部分を特定することができ、深さの
分解能を向上させることができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、表
面欠陥からの散乱光やそれに起因する２次的散乱光を避
けた方向から内部欠陥からの散乱光のみに基づく光情報
を観察するようにしたため、半導体結晶表面近傍の内部
欠陥を高い分解能をもって観察することができる。ま
た、表面位置も高精度で特定することができる。したが
って、半導体結晶表面に半導体デバイスを形成するため
のデバイス活性層として使用される表面から例えば４μ
ｍの深さまでに存在する内部欠陥を有効に観察すること
ができ、半導体デバイスの性能向上を図ることができ
る。また。バルク内をデバイス活性層として用いる場合
も、光を表面から入れる等、表面ならびに表面近傍の影
響は大きいため、表面近傍の内部欠陥の有無を正確に観
察することは重要である。
面欠陥からの散乱光やそれに起因する２次的散乱光を避
けた方向から内部欠陥からの散乱光のみに基づく光情報
を観察するようにしたため、半導体結晶表面近傍の内部
欠陥を高い分解能をもって観察することができる。ま
た、表面位置も高精度で特定することができる。したが
って、半導体結晶表面に半導体デバイスを形成するため
のデバイス活性層として使用される表面から例えば４μ
ｍの深さまでに存在する内部欠陥を有効に観察すること
ができ、半導体デバイスの性能向上を図ることができ
る。また。バルク内をデバイス活性層として用いる場合
も、光を表面から入れる等、表面ならびに表面近傍の影
響は大きいため、表面近傍の内部欠陥の有無を正確に観
察することは重要である。
【図１】 本発明の一実施例に係る結晶欠陥観察装置を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】 図１の装置における入射面上の欠陥等による
散乱光を示す模式図である。
散乱光を示す模式図である。
【図３】 図１の装置における入射面近傍の内部欠陥に
よる散乱光を示す模式図である。
よる散乱光を示す模式図である。
【図４】 図１の装置における入射面近傍の内部欠陥の
虚像が観察される様子を示す模式図である。
虚像が観察される様子を示す模式図である。
【図５】 図１の装置により得られる入射面近傍の内部
欠陥の虚像および実像の観察像を示す模式図である。
欠陥の虚像および実像の観察像を示す模式図である。
【図６】 従来の透過法による内部欠陥観察方法を示す
模式図である。
模式図である。
【図７】 従来の反射法による内部欠陥観察方法を示す
模式図である。
模式図である。
【図８】 従来の９０°散乱の方法による内部欠陥観察
方法を示す模式図である。
方法を示す模式図である。
１：入射面、３：観察面、５：半導体結晶、７：集束レ
ーザ光、９：レーザ照射手段、１１：観察手段、１９：
集光レンズ、１５：顕微鏡、１７：テレビジョン・カメ
ラ、２１：散乱光、１３：エッジ部、２３：２次的散乱
光、２５：内部欠陥、２７：虚像、３３：対称線。
ーザ光、９：レーザ照射手段、１１：観察手段、１９：
集光レンズ、１５：顕微鏡、１７：テレビジョン・カメ
ラ、２１：散乱光、１３：エッジ部、２３：２次的散乱
光、２５：内部欠陥、２７：虚像、３３：対称線。
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の表面およびこれにほぼ直交する第
２の表面を有する半導体結晶の第１表面の近傍に存する
欠陥を観察する装置であって、第１表面にほぼ垂直な方
向から第１表面へ向けてレーザ光束を照射するレーザ照
射手段と、このレーザ光束により前記欠陥から生じる散
乱光を第２表面を介して受光して前記欠陥の情報を得る
観察手段とを備え、観察手段は、第１表面において生じ
る散乱光およびそれに起因して第１表面と第２表面とが
交差するエッジ部で生じる２次的散乱光を避けた所定の
方向において前記欠陥からの散乱光を受光するものであ
ることを特徴とする結晶欠陥観察装置。 - 【請求項２】 第１の表面およびこれにほぼ直交する第
２の表面を有する半導体結晶の第１表面の近傍に存する
欠陥を観察する方法であって、第１表面にほぼ垂直な方
向から第１表面へ向けてレーザ光束を照射し、このレー
ザ光束により前記欠陥から生じる散乱光を第２表面を介
して受光して前記欠陥の情報を得るに際し、第１表面に
おいて生じる散乱光およびそれに起因して第１表面と第
２表面とが交差するエッジ部で生じる２次的散乱光を避
けた所定の方向において前記欠陥からの散乱光を受光す
ることを特徴とする結晶欠陥観察方法。 - 【請求項３】 前記欠陥の情報は欠陥の画像情報であ
り、前記欠陥からの直接の散乱光に基づく画像情報およ
び第１表面で反射された前記欠陥からの散乱光に基づく
画像情報により第１表面の位置を決定することを特徴と
する請求項１記載の結晶欠陥観察方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5323411A JP2920056B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 結晶欠陥観察装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5323411A JP2920056B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 結晶欠陥観察装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07151692A true JPH07151692A (ja) | 1995-06-16 |
| JP2920056B2 JP2920056B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=18154408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5323411A Expired - Lifetime JP2920056B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 結晶欠陥観察装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2920056B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0424541A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 内部欠陥測定方法および装置 |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP5323411A patent/JP2920056B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0424541A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 内部欠陥測定方法および装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2920056B2 (ja) | 1999-07-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980714 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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