JP2902501B2 - 光変調半導体装置 - Google Patents
光変調半導体装置Info
- Publication number
- JP2902501B2 JP2902501B2 JP3131620A JP13162091A JP2902501B2 JP 2902501 B2 JP2902501 B2 JP 2902501B2 JP 3131620 A JP3131620 A JP 3131620A JP 13162091 A JP13162091 A JP 13162091A JP 2902501 B2 JP2902501 B2 JP 2902501B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- semiconductor device
- refractive index
- modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/0151—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/01—Function characteristic transmissive
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/02—Function characteristic reflective
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
屈折率変化を用いて光ビームを変調する半導体装置に関
する。
及び光相互接続の3つの分野では、光ビームの変調を必
要としている。光コンピューティング及び光相互接続の
分野では、その表面と垂直な方向に伝播する光ビームに
影響を与える半導体デバイス及びアレイの出現により関
心が高まっている。このようなデバイスは、一般に”サ
ーフィス・ノーマル”(surface-normal:表面垂直)デ
バイスと呼ばれている。表面垂直デバイスへの関心が高
いのは、このデバイスがコンパクトでアレイ製造が可能
となるからであり、またこのデバイスへの及びこのデバ
イスからの光結合が簡便な方法で行えるからである。
が出現している。最初の表面垂直光変調器の中には、半
導体量子井戸の電気吸収効果(electroabsorption)に
基づくものがあった。即ち、その半導体量子井戸材料の
光学的吸収係数を電気的に変化させることによって、そ
の変調器の表面を照射する光ビームが半導体量子井戸に
よって吸収され、または大きな吸収なしにその変調器を
透過させる。その結果、変調器からの出力する光信号
は、その変調器に入力する電気信号の光ヴァージョンと
なる。半導体量子井戸材料を用い電気吸収効果の原理に
基づいた高速表面垂直光変調器の一例は、米国特許第
4,525,687号に開示されている。
であることは、デバイス及びシステム設計にとってある
程度マイナスである。これらの変調器が光ビームを吸収
するとき、吸収過程によって変調器は熱力学的効果を生
ずる。このことは半導体量子井戸電気吸収効果変調器に
とって特に都合が悪い。なぜならば光ビームの波長は量
子井戸材料の吸収バンド端近くの波長に調整されるから
である。吸収バンド端は温度変化にきわめて敏感であ
る。吸収過程によって変調器が熱を持つことは、半導体
量子井戸材料での吸収バンド端のシフトを引き起こし、
光ビームの波長が変調器の吸収バンド端と一致しなくな
る。その結果、変調器は光ビームを変調することができ
なくなる。
電気キャリアの発生である。電気キャリアは印加電界を
遮る傾向があるために、キャリア密度が十分に高いレベ
ルに達すると変調が停止してしまう。また、キャリア発
生は半導体材料の光吸収係数を低下させる傾向もある。
このことが半導体電気吸収効果変調器の低輝度光ビーム
への応用を制限している。
光変調器は光ビームの透過を制御するために半導体材料
の屈折率変化を利用するように設計されている。これら
のデバイスは光吸収過程を必要としないことから、電気
吸収効果変調器の上記問題は回避される。屈折率変化を
用いた光変調器は入射光ビームを吸収しない。そのため
に変調過程において熱的及び電気的効果は回避され、高
輝度変調が可能となる。さらに、変調器が透過及び反射
の状態間でスイッチされるために、屈折率変化を用いた
変調器の方がシステム構築に有利であることが分かる。
この変調器において光ビームの損失は実際上存在しな
い。従って、屈折率変化を採用した変調器は、2個の検
出器によって読むことが可能となる。即ち、反射光信号
を測定する検出器と透過光信号を測定する他の検出器と
であり、そのことがシステムの融通性を向上させること
にもなる。
現しようとする従来の試みは、十分な成功が得られたと
はいえない。変調の深さが、第1近似で、半導体材料の
屈折率変化とその厚さとの積に比例するからである。屈
折率変化は、半導体材料の選択とそれに印加される電界
の大きさとに依存する。入手できる技術論文から、この
ような屈折率形変調器に一般に用いられる半導体材料の
厚さは、同じ変調能力を有する吸収形変調器の半導体材
料の厚さより5〜10倍厚いことが分かる。
理レターズ、第51巻、No.23、pp.1876−
8(1987)及び同じく第53巻、No.8、pp.
637−9(1988)に開示されている。実際には、
表面垂直変調器の半導体層に対して垂直方向に制御電界
をかけることが望ましい。その際、表面垂直屈折率形変
調器に対する印加電圧は表面垂直電気吸収効果形変調器
が同程度の変調能力を発揮するときの印加電圧に比べて
かなり高いことが報告されている。
形変調器は、GaAsおよびAlAsの半導体層が30
周期積層された誘電体ミラーから構成される。これら3
0周期の半導体層の各々の厚さは、その各々の屈折率の
4倍で除された所定波長の値に等しい。このようなミラ
ーは前記所定波長近傍のある範囲の波長光に対して高い
反射率を有する。しかし、この波長範囲の端で変調器は
突然に透過状態となる。このミラーの挟む接触部を通し
て、その半導体層に垂直に電界が印加される。この電界
印加によってGaAs層の屈折率変化が引き起こされ、
それがミラーの反射特性をわずかにシフトさせる。ミラ
ーの反射波長範囲の端近傍に波長調整された光ビーム
は、ミラーの反射特性のシフトによって変調される。
デバイスにおいて適度な変調を得ようとすれば、50〜
100Vオーダーの印加電圧で動作させる必要があっ
た。このような印加電圧はあまりに高圧であり、光コン
ピューティング及び光相互接続を実現する上での問題と
なっていた。
形を交互に変化させたドーパント層をヘテロ界面で積層
した周期的半導体ヘテロ構造として実現され、本発明に
よる屈折率変化形光変調器において低電圧動作が達成さ
れる。側面ドープ接触層は変調器ヘテロ構造の各側面上
に形成される。各側面ドープ接触層は、同じ導電形の全
てのドーパント層と選択的に接触し、変調器ヘテロ構造
内でインターリーブ接触構造を形成する。これによっ
て、接触層を介して印加された電圧は周期的半導体ヘテ
ロ構造の各層にわたって等しく現れ、それにより所望電
界強度を得るのに必要な電圧を大きく低下させることが
できる。
As及びAlAs半導体層の周期的構造を用いて実現さ
れる。ドーパント層はヘテロ界面での標準的デルタドー
ピング技術を用いて形成され、導電形をp形からn形の
間で交互に変化させる。
界に対してより大きな屈折率変化を達成するために、狭
バンドギャップ材料で量子井戸の採用された周期的構造
において実現される。
光変調器が実現される。この変調器は低電圧で動作する
利点がある。即ち、低電圧で半導体材料の屈折率の変化
を引き起こし、それによって照射光ビームを変調する。
本変調器は入射光ビームを吸収しないから、不都合な熱
的及び電気的効果を回避できる。
なる屈折率を有する2つの半導体材料を交互に順次積層
成長させ、各層がある所定波長の約1/4の厚さを有す
る周期的構造の半導体ミラーを形成する。その際、デル
タドープ層が各ヘテロ界面に挿入される。各デルタドー
プ層の導電形は1つのヘテロ界面から次の界面へ交互に
なる。側面オーミック接触層は、半導体ヘテロ構造のn
形デルタドープ層に対して一方のエッジに沿って選択的
に形成され、p形デルタドープ層に対して他方のエッジ
に沿って選択的に形成される。インターリーブオーミッ
ク接触層構造は変調器内に形成される。通常の低電圧を
側面接触層に印加することによって、それらの層で屈折
率変化が生じ、そのミラーは照射光ビームの反射及び透
過による変調動作を行う。
という用語と同義である。デルタドーピング層について
は実施例において説明されるが、半導体材料の薄い高ド
ープ層はデルタドープ層に置き換えてもよい。薄い高ド
ープ層はドーパント原子の単一層より厚いと考えられ
る。
技術、例えば分子線エピタキシー及び有機金属化学気相
成長のような気相エピタキシーなどにより製造される。
本発明によるデバイスを実現するための半導体層成長、
不純物ドーピング、原子層又はデルタ不純物ドーピン
グ、フォトリソグラフィー及び接触金属形成を含む製造
技術は、当業者に周知である。
実施例を示す模式的断面構成図である。本実施例の変調
器は波長λsの入射光ビーム19を変調する。本実施例
の特定構造及び組成において、光ビーム19の波長λs
は1.06μmに選定される。本実施例の構造はノンド
ープGaAs基板10上にエピタキシャル成長によって
形成される。半導体層の周期的積層によって誘電体ミラ
ーが形成される。この周期的積層は、広いバンドギャッ
プ層11、ドーパント層δp、狭いバンドギャップ層1
2、及びドーパント層δnの一連のペア層で構成され
る。層11はAlAs、層δpはBe,Mg,C,Zn
及びGe等のp形ドーパント材料、層δnはSi,S
n,Se,及びS等のn形ドーパント材料である。領域
13は上記一連のペア層が複数周期的に積層されて構成
される。層14及び15は、この周期的積層の最終ペア
の層である。層14は、その下にδn層、その上にδp
層を伴う広いバンドギャップ層である。層15は狭いバ
ンドギャップ層である。
めに、反射防止コーティングを設けも良い。反射コーテ
ィング材料の使用は自由であるから図示されていない。
反射は層15の膜厚を慎重に選ぶことによって制御され
得る。実験例からすれば、層15の厚さは900A(オ
ングストローム)に選定され、それは周期的に積層され
た狭いバンドギャップ層の厚さより若干厚くなってい
る。図1に示す構造において、広いバンドギャップ層は
約835Aの厚さを有し、狭いバンドギャップ層は約7
15Aの厚さを有する。30周期のペア層が基板10上
に成長されている。各ドーピング層は、約1013cm-2
のキャリア密度を生じるように堆積される。
よってメサ構造を実現する。一例としてメサ構造の寸法
は約200μm平方である。このメサ構造を実現するに
は、標準的なフォトリソグラフィ及びエッチング技術が
適している。実験において、H2O:H2O2:H3PO4
が64:20:16の溶液を用いて、図1に示すような
外側に広がった側面エッジを有するメサ構造を形成し
た。
めに、メサ構造の側面エッジ上に通常の選択的ドーピン
グ接触部が堆積される。特に、接触部21は層δpとオ
ーミック接触し、接触部17は層δnとオーミック接触
する。リード線16及び18は、それぞれ接触部21及
び17でこの変調器に電圧を印加するためのものであ
る。実験例において、p形接触部は亜鉛のようなp形ド
ーパントでドープされた金のような金属を用いて製造さ
れる。n形接触部はスズのようなn形ドーパントでドー
プされた金のような金属を用い、同様の方法で製造され
る。接触部17及び21の製造には標準的な金属堆積技
術が用いられる。そして、適当な時間及び温度(例えば
440℃で1分間)で合金化(アロイング)を行い、ド
ープ層の選択的接触を達成する。接触部21に接した領
域では、層δpが接触部21とオーミック接触を形成
し、層δnは接触部21とpn接触を形成する。接触部
17に接した領域では、層δnが接触部17とオーミッ
ク接触を形成し、層δpは接触部17とpn接触を形成
する。
例のエネルギバンド図である。図2において、各層の厚
さは、その層を構成する半導体材料の屈折率の4倍で除
された所定波長の関数で決定される。この所定波長λは
光ビーム19の波長より短く選定されることが望まし
い。しかしながら、光ビーム19は周期的積層の層厚を
設計する際に用いられる所定波長より短い波長を示すこ
とは考えられる。
施例の反射特性のシフトによる波長に対する微分透過特
性を示すグラフである。微分透過特性は、印加電圧1
(V)および−1(V)に応じた変調器の反射特性のシ
フトにより生じる。このデバイスでは、波長1.058
5μmで最大の相対透過変化率(約16%)が生じてい
る。微分透過式の分子で定義される透過率の最大変化は
波長1.06μmで4.6%であった。
大させるために、量子井戸は周期的積層の各ペアの狭い
バンドギャップ層に含まれても良い。図4には多重量子
井戸構造が示されており、そこでは量子井戸が広いバン
ドギャップ層(AlGaAs)により分離されたGaA
s層によって形成されている。図4に示す構造におい
て、狭いバンドギャップ量子井戸は約92Aの厚さを有
し、広いバンドギャップバリア層は約35Aの厚さを有
している。
へ印加された電圧が各周期層にわたって同一に現れるこ
とである。従って、光ビームを変調するに十分な屈折率
変化を生じさせる電界強度は、従来の構造に比べてはる
かに小さい電圧で達成できる。
に、本実施例ではGaAs/AlAs材料系を用いた
が、GaAs/AlGaAs、InGaAs/InAl
As、InGaAs/InGaAlAs、GaAsSb
/GaAlAsSb、およびInGaAsP/InP等
のIII−V族半導体系から選択された材料でも良い。
これらの半導体系において、それらの層にはGaAsま
たはInP基板が格子整合し適している。ひずみ層が基
板材料上に成長すると、非整合も考えられる。また、本
発明によるデバイス構造をII−VI族およびIV族の
化合物半導体まで拡張することも考えられる。
を通して光を透過させるために、基板に浅い凹部20を
エッチング形成することが望ましい。
る半導体装置は低電圧で十分な屈折率変化を得ることが
でき、入射光を反射又は透過させることができる。
す模式的断面構成図である。
バンド図である。
性のシフトによる波長に対する微分透過特性を示すグラ
フである。
ギバンド図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 複数の半導体層ペアを有し、前記半導体
層の各ペアは第1屈折率を有する第1半導体層(1
1)、第1デルタドーピング層(δp)、第2屈折率を
有する第2半導体層(12)、および第2デルタドーピ
ング層(δn)からなり、前記第1屈折率は前記第2屈
折率とは異なり、前記第1デルタドーピング層(δp)
は前記第2デルタドーピング層(δn)と反対の導電形
を有する、メサ形成された光変調半導体装置において、 前記第1及び第2半導体層に垂直に電界が印加されるよ
うに、前前記メサの側面上に第1及び第2の電気接触層
(21,17)が形成され、 前記第1電気接触層(21)は、前記第1デルタドーピ
ング層(δp)と類似の導電形のドーパント材料を含
み、各ペアにおける第1電気接触層(21)と前記第1
デルタドーピング層(δp)との間にオーミック接触を
形成し、 前記第2電気接触層(17)は、前記第2デルタドーピ
ング層(δn)と類似の導電形のドーパント材料を含
み、各ペアにおける第2電気接触層(17)と前記第2
デルタドーピング層(δn)との間にオーミック接触を
形成する、 ことを特徴とする所定波長の光ビームの反射および透過
を行う光変調半導体装置。 - 【請求項2】 前記第1半導体層は、第1層厚及び第1
屈折率を有し、該第1層厚と第1屈折率との積が1/4
と前記所定波長との積に等しく、 前記第2半導体層は、第2層厚及び第2屈折率を有し、
該第2層厚と第2屈折率との積が1/4と前記所定波長
との積に等しい、 ことを特徴とする請求項1記載の光変調半導体装置。 - 【請求項3】 前記第1半導体層の層平面に実質的に垂
直に光ビームを方向付ける手段を更に有することを特徴
とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項4】 前記第1及び第2半導体層は、III−
V族半導体系から選択された半導体材料よりなることを
特徴とする請求項1記載の光変調半導体装置。 - 【請求項5】 前記第1及び第2半導体層は、GaAl
As系から選択された化合物よりなることを特徴とする
請求項4記載の光変調半導体装置。 - 【請求項6】 前記第1及び第2半導体層は、InGa
AlAs系から選択された化合物よりなることを特徴と
する請求項4記載の光変調半導体装置。 - 【請求項7】 前記第1及び第2半導体層は、InGa
AsP系から選択された化合物よりなることを特徴とす
る請求項4記載の光変調半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/526,084 US5093695A (en) | 1990-05-18 | 1990-05-18 | Controllable semiconductor modulator having interleaved contacts |
US526084 | 1990-05-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04229823A JPH04229823A (ja) | 1992-08-19 |
JP2902501B2 true JP2902501B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=24095846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3131620A Expired - Lifetime JP2902501B2 (ja) | 1990-05-18 | 1991-05-08 | 光変調半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5093695A (ja) |
EP (1) | EP0457483B1 (ja) |
JP (1) | JP2902501B2 (ja) |
DE (1) | DE69116595T2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5239186A (en) * | 1991-08-26 | 1993-08-24 | Trw Inc. | Composite quantum well infrared detector |
US5208695A (en) * | 1991-09-20 | 1993-05-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Optical modulator based on gamma -X valley mixing in GaAs-AlAs |
FR2689683B1 (fr) * | 1992-04-07 | 1994-05-20 | Thomson Composants Microondes | Dispositif semiconducteur a transistors complementaires. |
US5608230A (en) * | 1992-12-21 | 1997-03-04 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Strained superlattice semiconductor photodetector having a side contact structure |
EP0622880A3 (en) * | 1993-04-30 | 1995-01-25 | At & T Corp | Heterogeneous interface with reduced resistance. |
US5510277A (en) * | 1994-06-29 | 1996-04-23 | At&T Corp. | Surface treatment for silicon substrates |
US5627854A (en) * | 1995-03-15 | 1997-05-06 | Lucent Technologies Inc. | Saturable bragg reflector |
AU5611898A (en) * | 1996-12-20 | 1998-07-17 | Emory University | Low-temperature-grown be-doped ingaas/ina1as multiple quantum wells |
FR2758657B1 (fr) * | 1997-01-17 | 1999-04-09 | France Telecom | Photodetecteur metal-semiconducteur-metal |
JP3652977B2 (ja) | 2000-06-06 | 2005-05-25 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体受光装置およびその製造方法 |
JP2002083999A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-03-22 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4525687A (en) * | 1983-02-28 | 1985-06-25 | At&T Bell Laboratories | High speed light modulator using multiple quantum well structures |
US4716449A (en) * | 1984-03-14 | 1987-12-29 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
JPS63108733A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-13 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
US4929064A (en) * | 1988-07-21 | 1990-05-29 | American Telephone And Telegraph Company | Optical communications modulator device |
-
1990
- 1990-05-18 US US07/526,084 patent/US5093695A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-05-08 JP JP3131620A patent/JP2902501B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-08 EP EP91304143A patent/EP0457483B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-08 DE DE69116595T patent/DE69116595T2/de not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Appl.Phys.Lett.50 No.23(1987年)pp.915〜917 |
Appl.Phys.Lett.51 No.23(1987年)pp.1876〜1878 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0457483B1 (en) | 1996-01-24 |
EP0457483A2 (en) | 1991-11-21 |
US5093695A (en) | 1992-03-03 |
EP0457483A3 (en) | 1992-08-05 |
DE69116595D1 (de) | 1996-03-07 |
DE69116595T2 (de) | 1996-09-05 |
JPH04229823A (ja) | 1992-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0599826B1 (en) | Semiconductor device including cascadable polarization independent heterostructure | |
Boyd et al. | Multiple quantum well reflection modulator | |
EP0245977B1 (en) | Electro-optical device | |
JP3195342B2 (ja) | ファブリ・ペロー変調器 | |
US4947223A (en) | Semiconductor devices incorporating multilayer interference regions | |
US5008717A (en) | Semiconductor device including cascaded modulation-doped quantum well heterostructures | |
US5315430A (en) | Strained layer Fabry-Perot device | |
JP2902501B2 (ja) | 光変調半導体装置 | |
Gourley et al. | Single crystal, epitaxial multilayers of AlAs, GaAs, and AlxGa1− xAs for use as optical interferometric elements | |
US5210428A (en) | Semiconductor device having shallow quantum well region | |
US5027178A (en) | Electrically tunable interference filters and methods for their use | |
EP0249645B1 (en) | Optoelectronic voltage-controlled modulator | |
US5238867A (en) | Method for preparing an optical switching device having multiple quantum wells | |
Jennings et al. | Asymmetric Fabry-Perot device arrays with low insertion loss and high uniformity | |
JP2657288B2 (ja) | 光ゲートアレイ | |
EP0385638A2 (en) | Semiconductor superlattice self-electrooptic effect device | |
Lin et al. | Normally‐on GaAs/AlAs multiple‐quantum‐well Fabry–Perot reflection modulators for large two‐dimensional arrays | |
Tobin et al. | Quantum-confined Stark effect modulator based on multiple triple-quantum wells | |
AU653261B2 (en) | Current injection modulator | |
JP2692013B2 (ja) | 光ゲートアレイ | |
US5093746A (en) | Current injection modulator | |
JPH0519323A (ja) | 光メモリーアレイ | |
Zouganeli et al. | Implementation of symmetric Fabry-Perot quantum well electroabsorption modulators in symmetric self-electrooptic effect devices | |
Yoffe et al. | Low voltage hetero-nipi wavelength modulators | |
JPH03165071A (ja) | 半導体受光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080319 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090319 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100319 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110319 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120319 Year of fee payment: 13 |