JP2902060B2 - イリジウム焼結体の製造方法 - Google Patents

イリジウム焼結体の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、ルツボ、電極材料及び装飾品として用いら
れるイリジウム焼結体の製造方法に関する。
(従来の技術) 従来からルツボ及び電極材料等を作る場合には、貴金
属の中でも高い融点と優れた耐蝕性を有するイリジウム
が用いられてきたが、室温での塑性加工が困難である
為、ビーム溶解イリジウムを熱間で加工する方法が採ら
れてきた。
(発明が解決しようとする課題) ところで、上記のビーム溶解イリジウムを熱間加工を
行うと、加工金型や圧延ロールなどによる表面汚染が生
じ、これを除去する作業が必要であった。このような表
面汚染層の除去作業は歩留りの低下をもたらすと共に汚
染イリジウムの回収、精製作業が困難であった。
一方、粉末焼結法による製造方法も用いられてきた
が、ビーム溶解法と比較して真比重が得られにくく、表
面粗度も著しく荒いものであった。
そこで本発明は、溶解、圧延法のような表面汚染が生
ぜず、また粉末焼結法のように表面粗度が著しく荒くな
ることがないイリジウム焼結体の製造方法を提供しよう
とするものである。
(課題を解決するための手段) 上記課題を解決するための本発明のイリジウム焼結体
の製造方法は、化学的に析出沈降させたイリジウム粉末
をH2気流中400〜800℃の温度範囲で処理する工程と、そ
の処理をしたイリジウム粉末を圧力0.5〜5ton/cm2で金
型にて成形する工程と、そのイリジウム粉末成形体をH2
又は真空中800〜1400℃にて予備焼成した後焼結を行う
工程と、そのイリジウム焼結体を該焼結体とのクリアラ
ンスを0.02〜0.3mmに設定した金型を用いて再圧縮する
工程との諸工程からなるものである。
本発明のイリジウム焼結体の製造方法において、化学
的に析出沈降させたイリジウム粉末をH2気流中400〜800
℃の温度範囲で処理するとしたのは、化学沈降法による
粉末は一次粒子径が細かく表面エネルギーが多いために
焼結を促進するものであるが、反面吸着物が多いので、
これを除去することが必要であるからで、ここで吸着物
除去をH2気流中400〜800℃で行うと限定した理由は、40
0℃未満では吸着物の除去が不完全でイリジウム焼結体
表面にふくれが生じ、800℃を超えるとイリジウム粉末
の焼結の進行がみられ、イリジウム粉末が粗大化するか
らである。
また上記のように処理したイリジウム粉末を圧力0.5
〜5ton/cm2で金型にて成形するとしたのは、0.5ton/cm2
未満の圧力では金型離型時に粉末がくずれ易くなり、5t
on/cm2を超えると成形時にとじ込められたガスが焼結時
に抜けきらず、焼結密度の低下をもたらすからである。
さらに前記のように成形したイリジウム粉末成形体を
H2又は真空中800〜1400℃にて予備焼成した後焼結を行
うとしたのは、まず予備焼成で粉末の吸着物を完全に除
去すると共に成形時のまき込みガスを抜くためであり、
ここで予備焼成温度を800〜1400℃と限定した理由は、8
00℃未満では上記効果が薄く、1400℃を超えると焼成の
進行が早すぎるためにガスが完全に抜けきらないからで
ある。
尚前述の最初の工程における吸着物除去の雰囲気と第
3の工程における予備焼成の雰囲気をH2又は真空中とし
たのは、酸化性ガスではイリジウムが酸化し、不活性ガ
スでは粉末の吸着物を分解除去することが難しいからで
ある。
さらに前記のように予備焼成した後焼成したイリジウ
ム焼結体を、該焼結体とのクリアランスを0.02〜0.3mm
に設定した金型を用いて再圧縮するとしたのは、再圧縮
をすることで焼結体表面の面粗度を少なくするためで、
金型とのクリアランスが0.02mm未満ではイリジウム焼結
体が金型に入りにくくなり、0.3mmを超えるとイリジウ
ムの伸びが小さいために再圧縮中に焼結体が破壊してし
まうからである。
(作用) 上記本発明のイリジウム焼結体の製造方法は、化学的
に沈降析出させたイリジウム粉末をH2気流中400〜800℃
の温度範囲で処理するので、吸着物の除去が十分に行わ
れてイリジウム粉末の表面にふくれが生ぜず、しかもイ
リジウム粉末の焼結の進行が見られず、粗大化すること
がない。またこのように処理したイリジウム粉末を圧力
0.5〜5ton/cm2で金型にて成形するので、金型離型時に
イリジウム粉末がくずれず、且つ成形時にとじ込められ
るガスを次工程の予備焼成時に抜くことができ、焼結密
度を低下することがない。さらにこのように成形したイ
リジウム粉末成形体をH2又は真空中800〜1400℃にて予
備焼成した後焼結を行うので、予備焼成で粉末の吸着物
が完全に除去され、且つ前記成形時のまき込みガスを完
全に抜くことができ、良好な焼結が行われる。そしてこ
のように予備焼成後焼結したイリジウム焼結体を、該焼
結体とのクリアランスを0.02〜0.3mmに設定した金型を
用いて再圧縮するので、焼結体表面の面粗度を少なくで
きる。かくして表面汚染が無く、滑らかな表面状態で焼
結密度の十分なイリジウム焼結体が得られる。
(実施例) 本発明のイリジウム焼結体の製造方法の一実施例を比
較例と共に説明する。
下記の表に各工程の条件により直径20mm、重さ10gの
ディスク状イリジウム焼結体を製作した後、焼結密度を
測定した。ここで使用した化学沈降法によるイリジウム
粉末は純度99.99%以上の平均粒子径5μmのものを用
い、焼結は2000℃の温度で行った。
上記の表で判るように比較例1〜3及び5〜9は焼結
密度が低く、実施例と比較例4では、真密度22.4g/cm2
に近い焼結密度が得られた。この実施例と比較例4のサ
ンプルをクリアランス0.1mmと0.4mmの再圧縮金型を用
い、10ton/cm2の圧力で圧縮したところ、比較例4のサ
ンプルは破壊したが、実施例のサンプルは表面粗度1μ
mの滑らかな表面状態が得られた。
(発明の効果) 以上の通り本発明のイリジウム焼結体の製造方法によ
れば、表面汚染が無く、表面粗度が低く、滑らかな表面
状態で焼結密度の高いイリジウム焼結体を得ることがで
きる。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】化学的に析出沈降させたイリジウム粉末を
    H2気流中400〜800℃の温度範囲で処理する工程と、その
    処理をしたイリジウム粉末を圧力0.5〜5ton/cm2で金型
    にて成形する工程と、そのイリジウム粉末成形体をH2
    は真空中800〜1400℃にて予備焼成した後焼結を行う工
    程と、そのイリジウム焼結体を該焼結体とのクリアラン
    スを0.02〜0.3mmに設定した金型を用いて再圧縮する工
    程との諸工程からなるイリジウム焼結体の製造方法。
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