JP2894745B2 - 高周波エネルギ導入装置とその利用方法並びに真空処理装置 - Google Patents

高周波エネルギ導入装置とその利用方法並びに真空処理装置

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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は高周波エネルギ又はHFエネルギを導入する装
置及びその利用方法に係り、さらに詳細には少なくとも
１つの加工すべき工作物を支持する少なくとも一部導電
性の回転可能な支持体に、ガス密の加工室特に真空室の
壁を通してHFエネルギを導入する装置及びその利用方法
並びに真空室とエネルギ供給樋とを有する真空処理装置
に関するものである。
［従来の技術］ 加工すべき工作物を外気に対してガス密の加工室へ挿
入して、その際に同時にそれぞれ加工方法に応じて加工
できるようにするために室内で工作物支持体を回転させ
ることによって工作物を移動させる種々の加工装置が知
られている。特に、真空（負圧）室内で真空加工を行う
場合に、少なくとも部分加工方法として例えば高周波ス
プレー加工あるいはHF基板バイアス加工などの高周波ガ
ス放電加工を併用する方法が知られている。
［発明が解決しようとする課題］ この種の加工ないし部分加工の場合には、真空密封性
の条件を維持して導電性の回転する支持体あるいはその
導電性の部材に高周波エネルギを導入するための手段を
講じなければならない。その場合に摺動可能なすり接点
を用いて支持体の支承軸に高周波エネルギを導入するこ
とが知られているが、これには種々の欠点が伴う。すな
わち軸をガス密の室の縁すなわち一般には室の壁を貫通
して導く場合には、そこに動的なガスシール特に負圧シ
ールを設けなければならない。その場合にすり接点は室
の外部に設けることができ、その場合完全に避けること
のできな摩耗作用によって室内の状態は、何等の影響を
うけない。しかし軸の直径が比較的大きい場合にはガス
密、特に負圧密の動的なシールの設計には問題があり、
従って軸直径の寸法が限定されてしまう。また、すり接
点を室内に設ける場合、すなわち室内を支配している状
態におく場合には、摩耗作用によって加工室が汚染さ
れ、それは多くの場合に許容できない。さらにこの種の
真空接触部材に対する電気的な負荷は冷却作用のために
著しく狭い範囲に限定されてしまう。
原則的には室内でも室外でもすり接点を設けるという
ことに対してはHFエネルギを導入するためには問題があ
って、特に大きなエネルギを伝達しようとする場合には
問題である。
従って本発明の課題は、上記の欠点を除去することで
ある。
［課題を解決するための手段］ 上記の課題は、冒頭で述べた種類の方法において請求
項第１項の特徴部分の文章によって達成される。
従って原則的にHF伝達は室壁に対して静止している部
分と支持体と共に回転移動する部分との間で行われる。
多くの場合に室内のガス状態が明確に定義されているこ
とによって、好ましくは伝達コンデンサ装置は室の内部
に設けられる。というのはそこではフラッシュオーバー
強さは明確に定義されており、特に真空内では室外より
も著しく良好であるからである。
［作 用］ 支持体を軸承する軸受軸に例えば径方向に突出し固定
配置のカラーに沿って延びるフランジ（電気的に絶縁）
をコンデンサ電極として設けることは可能であるが、好
ましくは（そして請求項第２項の文章によれば）回転コ
ンデンサはシリンダコンデンサとして形成される。それ
によって、上述の平板コンデンサに比較してシリンダコ
ンデンサの場合には固定配置の電極に対して軸を軸方向
に位置決めすることに問題がないという利点がある。な
おこれは、上述の平板コンデンサとは異なり軸方向の位
置決めが容量値にわずかしか影響を与えないことによる
ものである。従って軸方向の取り付けと取り外しが容易
となり、通常は必要な容量値のためにボックス状の構造
にしなければならず、好ましくは１つの片からフライス
加工されるコンデンサ電極をそのために分解する必要は
ない。
好ましくは請求項第３項の文章に記載のシールが設け
られる。
ここでは多くの場合に、動的なシールを設けることに
よって支持体直径を制限しないことが望ましい。室の外
側の固定の縁（通常は壁）のガス密封性ないし負圧密封
性を実現する請求項第３項に記載の方法によれば、必要
な場合及び室内にある軸の大部分の直径が大きい場合
に、壁に小直径の動的なシールを設けることができる。
請求項第４項によればさらに、軸を完全に室内に配置
し、従って軸の支持体と反対側の端部も室内に配置する
ことが提案され、この場合に「室」というのは加工のた
めにもうけれれたガス条件が支配している空間部分をい
う。その場合には軸直径よりも著しく小さい動的シール
を通して、例えばピニオンを室の外壁を貫通して案内す
ることができ、従って例えば軸に設けた歯付リムにピニ
オンを噛合させて軸を駆動することができる。室の特に
壁を貫通している領域が負圧密であるだけでなく、負圧
密に静的い閉鎖されている場合には、特にシール状態は
容易になる。これは例えば軸が完全に室内に配置されて
おり、マグネット駆動装置のように非接触の駆動装置を
用いて静的に密封された壁を貫通して支持体軸に作用が
与えられることによって行われる。
好ましくは請求項第５項の文章によれば、軸は中空軸
として形成されている。それによって次のような利点が
得られる。すなわちHFスプレーやHF基板バイアス加工な
ど多くの加工方法において、室内の加工を監視すること
が望まれ、あるいは多くの場合には加工に影響を与える
ことが望まれ、これは一般的には室内に信号送信器及び
／受信器を設けることであって、その場合に回転可能な
工作物支持体の中心が室内の特に好ましい場所になる。
それ故に本発明によれば原理的には回転装置の第２の
電極構成部分は壁を貫通する軸部分として構成すること
ができHFエネルギのためにできるだけ大きい結合容量を
得ようとするためいは軸直径をできるだけ大きくするこ
とが望ましく、静的であれ動的であれシール問題が軸直
径とは無関係に上述のように容易に解決される。軸が中
空軸として形成されている場合には（請求項第６項によ
れば中空軸にあるいはその内部に適当な機器を組み込む
ことができる）、接続、タップ信号などの導線も壁を通
して導出することができる。
その場合に、軸が回転すること、及び付加機器の好ま
しい配置を原則的に可能にする中空軸が好ましくは完全
に室内に配置されることが考えられる。従って請求項第
７項によれば中空軸はパイプ状であってかつ完全に、す
なわちその両端部も室内に配置されている場合には、好
ましくは壁からそして壁と固定位置に結合された状態で
支持アーム及び／あるいは直接機器を中空軸内に配置す
ることができる。そのための導線は固定配置のアーム内
あるいはアームに沿って案内される。その場合に駆動装
置のために設けられるシールあるいは機器の小さい別体
のシールは別として、さらに動的なシールを設ける必要
はない。例えばセンサをその供給部材と共に室に挿入す
るために、支持体自体が中空パイプとして形成される場
合でも、室を周囲に対して密封するためには静的なシー
ルで十分である。
上述の種類の機器の代わりに、上述の固定位置の中空
パイプに光学的な処理を行うための覗き窓を形成するこ
ともできる。
さらに、導入部と通常アースに接続される室壁との間
に漂遊容量が生じることと導線のインダクタンスによっ
て回転コンデンサの静止電極までの供給部材の長さをで
きるだけ短くすることが望まれる。従ってそのために請
求項第８項の文章によればできるだけ短い距離を選択す
ることが提案される。
上述の多くの加工の場合にさらい、特に支持体に生じ
るDC電位が例えばガス放電の安定ないし非安定にとって
問題になる高周波イオンエッチングの場合には、工作物
支持体の電位を少なくとも時々測定することが望まれ
る。
従って請求項第９項の文章によれば、支持体の電位を
導き出す装置、好ましくは軸に接続可能なタップ接点を
有する装置を設けることが提案される。これは特に回転
する軸に永続的に摩擦接触することを避けるためであ
る。好ましくは、比較的長いあるいは短い間隔で特に前
述のDC電位を監視するために、軸に手動あるいはギヤで
接続可能な接点が設けられる。
［実施例］ 以下、図面に示す実施例を用いて本発明を詳細に説明
する。
第１図には、室３を周囲から区切る室壁１の一部が示
されている。室３内では工作物（不図示）が外気と異な
るガス条件、特に真空加工の場合には真空の元で加工さ
れる。工作物は本実施例では半球状で示される工作物支
持体５に懸架されており、下から例えば高周波イオンエ
ッチングあるいはHFイオンスプレイによって加工され
る。工作物支持体５は室壁１に対して回転移動可能かつ
動的に軸７に気密に軸承されており、絶縁された気密な
ラジアル／スラスト軸受９で概略図示するように壁１か
ら電気的に絶縁されている。軸７には本発明によれば領
域（第１図によれば径方向に突出する導電性のカラー1
1）が設けられており、導電性の軸７及び支持体５と電
気メッキで接続されている。
壁１に対して固定位置にHF供給部材15が設けられてお
り（同軸の導体によって概略図示される）、その外部導
体13は壁１と接続されている。供給部材15は、カラー11
の近傍に配置された導電性の円形のリングプレート17と
電気メッキで接続されている。それによって円形リング
プレート17とカラー11の間に回転コンデンサが形成さ
れ、その値は軸が回転する場合に少なくともほぼ、すな
わち場合によっては軸の軸承によってもたらされる非円
形の回転は別にして、一定である。
高周波エネルギは供給部材15と回転コンデンサ11、17
を介して回転する軸７に伝達され、それによって工作物
支持体５に伝達される。高周波電流の逆流は支持体５か
ら通常のように接地されている室３の壁１へ容量的に、
かつ放電自体によって行われる。
第１図から明らかなように、回転コンデンサの容量は
軸７の軸方向の位置にほぼ従う。
第２図には、本発明の高周波エネルギを導入する方法
の電極配置の好ましい回転コンデンサの実施例が示され
ている。
なお、第１図を用いて説明した部材に相当する部材に
は同一の番号が付されている。
本実施例においては、HF供給部材15は軸７の軸線Ａに
対して同軸に配置されたコンデンサ電極としてのシリン
ダ19へ導かれるので、軸７のシリンダ19領域にある部分
とシリンダ19との間にはシリンダコンデンサが形成され
る。この種のシリンダコンデンサの機械的な構造は第１
図に示す平板コンデンサ11、17の構造に比べてゆとりが
ある。
第１図と第２図においては本発明により設けられてい
る回転コンデンサ11、17ないし７、19は室３の外部に設
けられている。それによって、軸７をガス密かつ負圧密
に壁１を通して動的に案内しなければならないという問
題が生じる。さらにこのような配置の場合には、室３内
を明確に定義されたガスの状が支配し、従って絶縁破壊
強度に関する状態が支配しているのを、本発明で用いる
回転コンデンサに十分に利用できない。
第3a図から第3c図には、第１図と第２図に示す実施例
に比べて好ましい３つの実施例が示されており、この３
つの実施例のうち現在では第3b図と第3c図に示す実施例
が優れている。
ここでも第１図と第２図に示す部材と同一の部材には
同一の番号が付されている。
第3a図によれば、軸７の端部の直径が著しく小さくな
って、駆動軸の基部7aを形成している。この軸の基部7a
は動的なガスシール21、特に本実施例のように真空室３
の場合には動的な負圧シールを通して壁１を貫通して案
内されており、前記負圧シールの直径は軸７の直径D7に
比べて小さい。動的な負圧シール21の直径が小さいこと
によって、第１図と第２図に設けられているラジアル／
スラスト軸受９はまだ絶縁しなければならないが、気密
にする必要はなく、従って第３図では符号9aで示されて
いる。本発明で使用される回転コンデンサが設けられて
いる領域は本実施例では室３に属しており、従ってこの
領域では室内に生じている負圧などのガス状態た支配し
ている。第3a図に示す実施例の場合には、室３の壁１か
ら導出されている軸の基部7aが駆動モータ23によって歯
車装置25を介して作動されることにより駆動が行われ
る。
第3a図に示す実施例とは異なり第3b図によれば、軸７
全体が室３内に配置されている。軸の直径D7よりも著し
く小さい直径を有するピニオン軸27が同様に小さい動的
なガスシール、特に負圧シール29を貫通して導かれ、そ
の端部にピニオン31が設けられ、ピニオンが軸７に設け
られた歯付リム33に噛合することによって、駆動が行わ
れる。
第3c図においても軸７は完全に室３内に配置されてい
る。軸７にはマグネットリム35が取り付けられており、
マグネットリムは壁１の外部に設けられた電磁石36のリ
ムと軸方向に整合している。従って電磁装置35、36は磁
気駆動モータあるいは軸７のマグネットクラッチを形成
している。しかし軸７を駆動するために、壁１にはシー
ル手段を設ける必要はなく、あるいは静的なシール手段
を設けるだけでよい。
第3b図あるいは第3c図に示す好ましい実施例において
は、軸７は好ましくは中空軸として形成され、内部空間
37を有する（第3c図にのみ記載されている）。この内部
空間37によって、概略図示するセンサ装置及び／あるい
はジェネレータ装置39を組み込むことができる。という
のは特にこの空間に組み込む動的な負圧シールがないの
で、軸の直径寸法D7を自由に使用することができるから
である。従ってこの内部空間37に上述の装置39をうまく
組み込むことができる。
第４図には、現在最も好ましいとされる本発明方法の
実施例が示されている。ここでも前述の説明に相当する
部材には同一の番号が付されている。
本実施例にあっては、軸７は本発明に使用される回転
コンデンサ19/7の上方に軸承されており、符号9cで示す
ように壁１に対して単に電気的に絶縁されている。中空
軸７の内部空間37a全体が、室３の内部に全体が配置さ
れた軸７によって貫通されており、軸７の軸線Ａと整合
した状態で壁１には内部空間37a内にこの内部空間37aを
貫通して突出する計器支持アーム38が配置されている。
従って支持アーム38に取り付けることのできる信号発信
及び／あるいは受信装置39も室３内の固定位置に配置さ
れている。接続ケーブル、信号ケーブルなどの送信ない
し受信装置39に接続された供給部材は、符号41で示すよ
うに支持アーム38を通して該当する送信ないし受信装置
39へ接続されている。なお、送信ないし受信装置39の供
給部材はアーム38によってガス密、特に負圧密に形成さ
れる。アーム38自体は信号発信装置ないし受信装置の一
部とすることができ、あるいは最適な処理を行うために
覗き窓を有するパイプとして形成するとも可能である。
第４図においては駆動は第3b図に示す実施例と同様に
行われるが、本装置の他の実施例によれば第3c図に示す
駆動装置を設けることもできる。
さらに第４図から明らかなように、室３の壁１には軸
に接続可能なタップが設けられており、このタップは最
も簡単な実施例においては符号45で概略図示するように
壁１に対して密封かつ絶縁状態で止め付け、取り外しが
できる。軸７とそれに伴って工作物支持体５の電位φ７
を測定するためにタップ43を引き込むことによって、室
の雰囲気を汚染する危険を伴う軸７とのすり接触を避け
ることができる。軸７の電位を永続的に測定しようとす
る場合には、歯付リム33、ピニオン及びピニオン軸31、
37を介して外部への導電接続（壁に関しては絶縁されて
いる）を形成することができるので、符号51で示すよう
に室３の外部で電位を高抵抗で測定することができる。
電位φ７の引出しは、容量的に行うなど非接触で行うこ
とも可能である。
以上説明した本発明方法は好ましくは真空室３内で真
空加工処理、特に工作物のHFイオンエッチング及び／あ
るいはHFスプレー及び／あるいはHF基板バイアス加工を
行うのに用いられ、あるいはHFガス放電加工が処理の一
部を形成する加工に用いられる。
【図面の簡単な説明】
第１図は半球状の工作物支持体の一部と高周波エネルギ
を導入する装置の本発明に係る第１実施例を示す概略断
面図、 第２図は好ましい電極配置を有する本発明装置の第２実
施例の第１図と同様の概略断面図、 第3a図〜第3c図は本発明装置に用いられる支持体を駆動
する種々の導入樋を示す断面図であって、第3b図と第3c
図に示す実施例が中空軸に支持アームを自由に組み込め
るので現在好ましいとされており、 第４図は計器アームと支持体に説明するタップとを有す
る本発明装置の他の好ましい実施例を示す断面図であ
る。 １……室壁、３……室、５……工作物支持体、７……導
電性軸、11……カラー、15……高周波導入リード線、17
……固定電極又は環状板

Claims (17)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ガス密の加工室であって、 加工物支持体（５）であって、少なくとも一部導電性部
    分を有し、加工室内部で加工室の壁（１）に対して回転
    可能に軸（７）に取り付けられ、かつ、該壁に対し電気
    的に絶縁されていて（9,9a,9b）ガス密の加工室内で回
    転支持機構を形成する加工物支持体（５）と、 回転可能な結合コンデンサ装置であって、第１コンデン
    サ電極と第２コンデンサ電極を有し、コンデンサ電極の
    いずれか一方が、前記軸と機械的に連結され、前記軸と
    共に回転でき、その部分と電気的に接続され、コンデン
    サ電極の他方が前記壁に対して不動に配設され、コンデ
    ンサ電極の前記一方が、さらに高周波供給部材に接続さ
    れている結合コンデンサ装置と、を具備し、 前記結合コンデンサ装置がすべてガス密の加工室内に配
    置されていることを特徴とするガス密の加工室。
  2. 【請求項２】ガス密の加工室であって、 加工物支持体（５）であって、少なくとも一部導電性部
    分を有し、加工室内部で加工室の壁（１）に対して回転
    可能に軸（７）に取り付けられ、かつ、該壁に対し電気
    的に絶縁されていて（9,9a,9b）ガス密の加工室内で回
    転支持機構を形成する加工物支持体（５）と、 回転可能な結合コンデンサ装置であって、第１コンデン
    サ電極と第２コンデンサ電極を有し、コンデンサ電極の
    いずれか一方が、前記軸と機械的に連結され、前記軸と
    共に回転でき、その部分と電気的に接続され、コンデン
    サ電極の他方が前記壁に対して不動に配設され、コンデ
    ンサ電極の前記一方が、さらに高周波供給部材に接続さ
    れている結合コンデンサ装置と、を具備し、 前記第１コンデンサ電極と第２コンデンサ電極が前記軸
    と共軸な円筒状の電極装置から成ることを特徴とするガ
    ス密の加工室。
  3. 【請求項３】前記円筒状の結合コンデンサ装置が積み重
    ねられた形状を有することを特徴とする請求項２に記載
    の加工室。
  4. 【請求項４】前記軸が前記加工室内に完全に閉囲されて
    いることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に
    記載の装置。
  5. 【請求項５】前記軸が中空軸であることを特徴とする請
    求項第１項から第４項のいずれか１項に記載の加工室。
  6. 【請求項６】前記中空軸が、検出手段、信号発信手段、
    覗き窓の内の少なく１つのための支持体を形成している
    ことを特徴とする請求項５に記載の加工室。
  7. 【請求項７】さらに、前記中空軸に沿ってその内部で延
    伸し、検出手段、信号発信手段、覗き窓の内の少なく１
    つを支持する支持アームを具備することを特徴とする請
    求項５に記載の加工室。
  8. 【請求項８】前記中空軸がすべて加工室内に配置され、
    検出手段、信号発信手段、覗き窓、支持アームの少なく
    とも１つが前記壁に対して静止して前記中空軸内に配置
    されていることを特徴とする請求項５から７のいずれか
    １項に記載の装置。
  9. 【請求項９】高周波の供給部材が前記軸の軸線に対して
    径方向に配置されていることを特徴とする請求項１から
    ７のいずれか１項に記載の加工室。
  10. 【請求項１０】前記加工物支持体の前記部分に加えられ
    る電位の検出部材を具備し、該検出部材が好ましくは前
    記軸に対し機械的に近づいたり離れたりできるようにさ
    れていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１
    項に記載の加工室。
  11. 【請求項１１】前記一方のコンデンサ電極が前記軸の表
    面から成ることを特徴とする請求項２から10のいずれか
    １項に記載の加工室。
  12. 【請求項１２】前記軸と前記加工物支持体を回転せしめ
    るための駆動手段を備え、前記軸が前記加工物支持体に
    連結された第１の端部と駆動手段に連結された反対側の
    端部を有することを特徴とする請求項１から11のいずれ
    か１項に記載の加工室。
  13. 【請求項１３】前記駆動手段が前記軸の前記反対側の端
    部に連結されたギアを具備し、該ギアが加工室の壁を貫
    通して延伸する軸を備え、前記軸が全て加工室内に配置
    されていることを特徴とする請求項12に記載の加工室。
  14. 【請求項１４】前記駆動手段が、前記軸よりも格段に径
    の小さい駆動軸を具備し、該駆動軸が加工室の壁を貫通
    して延伸していることを特徴とする請求項12に記載の加
    工室。
  15. 【請求項１５】加工室が加工物のための真空処理室であ
    って、好ましくは、イオンエッチング室、高周波スパッ
    タリング室、あるいは、高周波スパッタ処理室であるこ
    とを特徴とする請求項１から14のいずれか１項に記載の
    加工室。
  16. 【請求項１６】加工室内の回転可能な加工物支持体上に
    加工物を配置するステップと、加工物支持体に取り付け
    らえた軸を介して加工物支持体を回転せしめるステップ
    と、 前記軸を介したコンデンサによる電位の伝達によって加
    工物に高周波電位を与えるステップと、 から成る少なくとも１つの加工物の真空処理の方法であ
    って、 真空室内でコンデンサによる電位の伝達により加工物へ
    の高周波電位を与えることを特徴とする方法。
  17. 【請求項１７】加工室内の回転可能な加工物支持体上に
    加工物を配置するステップと、加工物支持体に取り付け
    られた軸を介して加工物支持体を回転せしめるステップ
    と、 前記軸を介したコンデンサによる電位の伝達によって加
    工物に高周波電位を与えるステップと、 から成る少なくとも１つの加工物の真空処理の方法であ
    って、 加工物への前記高周波電位の接続が、前記軸の表面の少
    なくとも一部分をコンデンサプレートとして有する円筒
    状コンデンサ装置によっておこなわれることを特徴とす
    る方法。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5300460A (en) * 1989-10-03 1994-04-05 Applied Materials, Inc. UHF/VHF plasma for use in forming integrated circuit structures on semiconductor wafers
US5210466A (en) * 1989-10-03 1993-05-11 Applied Materials, Inc. VHF/UHF reactor system
EP0469597B1 (en) * 1990-07-31 1998-10-14 Applied Materials, Inc. Plasma processing reactor
US5707486A (en) * 1990-07-31 1998-01-13 Applied Materials, Inc. Plasma reactor using UHF/VHF and RF triode source, and process
US5382835A (en) * 1993-11-16 1995-01-17 Caterpillar Inc. Integrated Marx generator
DE19750909C1 (de) * 1997-11-17 1999-04-15 Bosch Gmbh Robert Drehvorrichtung zur plasma-immersions-gestützten Behandlung von Substraten
US6090444A (en) * 1999-02-08 2000-07-18 Saunders & Associates, Inc. Base plater or vacuum deposition apparatus with individually and selectively controlled work holders and capacitively coupled crystal monitor
US6424515B1 (en) 2000-11-02 2002-07-23 Finnigan Corporation Combined detector capacitor and vacuum feed through
JP2006278652A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4833143B2 (ja) * 2007-04-19 2011-12-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置
EP2418545B1 (en) 2010-08-12 2018-10-10 Applied Materials, Inc. Mask handling module

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR852026A (fr) * 1938-03-24 1940-01-22 Traversée électrique pour appareils de réaction sous vide
US2572970A (en) * 1944-08-31 1951-10-30 Bell Telephone Labor Inc Coaxial line coupler
US2602118A (en) * 1945-08-08 1952-07-01 Robert J Adams Capacitive rotatable coupler
US2555154A (en) * 1945-11-27 1951-05-29 Richard C Raymond Radio-frequency switching device
FR1191485A (fr) * 1958-02-13 1959-10-20 Applic Rech Electronique Joint tournant radioélectrique
US3013225A (en) * 1958-08-27 1961-12-12 Nippon Electric Co Electrostatic coupling system
US4170541A (en) * 1978-08-14 1979-10-09 Varian Associates, Inc. Rotating resonator for large substrate tables in sputtering systems
US4269137A (en) * 1979-03-19 1981-05-26 Xerox Corporation Pretreatment of substrates prior to thin film deposition
JPS59184527A (ja) * 1983-04-05 1984-10-19 Canon Inc 気相法装置
FR2566808B1 (fr) * 1984-06-27 1986-09-19 Mircea Andrei Procede et reacteur de croissance epitaxiale en phase vapeur
US4557819A (en) * 1984-07-20 1985-12-10 Varian Associates, Inc. System for igniting and controlling a wafer processing plasma
EP0187882B1 (de) * 1985-01-17 1989-04-05 Ibm Deutschland Gmbh Verfahren zur Herstellung von Kontakten mit niedrigem Übergangswiderstand

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