JP2890252B2 - 半導体ウエハの裏面に積層欠陥誘発傷をつける方法 - Google Patents
半導体ウエハの裏面に積層欠陥誘発傷をつける方法Info
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液体に懸濁した、
非凝集の硬質材料粒子を用いて半導体ウエハの裏面を処
理することにより前記裏面に積層欠陥誘発傷をつける方
法に関する。
非凝集の硬質材料粒子を用いて半導体ウエハの裏面を処
理することにより前記裏面に積層欠陥誘発傷をつける方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの裏面を意図的に傷つける
目的は、所謂ゲッタリング「中心」として、点欠陥を半
導体ウエハの前面に設けた電子部品から離しておくこと
ができる積層欠陥を発生させることである。妨害異原子
も含む点欠陥は、誘発された積層欠陥及びバウンドによ
り半導体ウエハの前面から引き離される（「ゲッタ効
果」）。半導体ウエハの裏面に所望の傷をつけることが
できる種々の方法が開示されている。米国特許第３，９
０５，１６２号の開示によれば、例えば、半導体ウエハ
の裏面を系統的に引っ掻くことが試みられている。米国
特許第５，１６４，３２３号には他の傷形成方法、例え
ば、半導体ウエハを流動させた研削粒子浴に断続的に入
れる方法や、半導体ウエハの裏面に対して局部的に不均
一な圧力を生じさせる弾性圧力伝達媒体の非浸食作用に
より圧力を加える方法が報告されている。
目的は、所謂ゲッタリング「中心」として、点欠陥を半
導体ウエハの前面に設けた電子部品から離しておくこと
ができる積層欠陥を発生させることである。妨害異原子
も含む点欠陥は、誘発された積層欠陥及びバウンドによ
り半導体ウエハの前面から引き離される（「ゲッタ効
果」）。半導体ウエハの裏面に所望の傷をつけることが
できる種々の方法が開示されている。米国特許第３，９
０５，１６２号の開示によれば、例えば、半導体ウエハ
の裏面を系統的に引っ掻くことが試みられている。米国
特許第５，１６４，３２３号には他の傷形成方法、例え
ば、半導体ウエハを流動させた研削粒子浴に断続的に入
れる方法や、半導体ウエハの裏面に対して局部的に不均
一な圧力を生じさせる弾性圧力伝達媒体の非浸食作用に
より圧力を加える方法が報告されている。
【０００３】懸濁液の噴流を半導体ウエハの裏面に対し
て実質的に垂直に導く「ウエットブラスト」と称する方
法が開示された。この方法、及び半導体ウエハの裏面が
ばら若しくは結合粒子又は機械工具の作用により粗面化
され且つこの工程において裏面に対して垂直に作用する
力に暴露される全ての方法には、重大な欠点がある。即
ち、半導体ウエハの前面に電子部品を設ける過程におい
て、部品群全体の不良を生じることのある望ましくない
粒子の数がますます増加する。粒子自体は、半導体ウエ
ハの上記した方法で粗面化された裏面から分離する。方
法によっては、裏面の機械的損傷が著しくて半導体ウエ
ハがたわむ。しかしながら、半導体ウエハの前面への電
子部品の集積では、半導体ウエハの側面ができるだけ平
らであることが要求される。さらに、半導体ウエハの裏
面が大きさ及び方向が実質的に明確でない力の作用によ
り傷つけられるときには、それらの環境におけるゲッタ
効果の作用が不適当であるので誘発される積層欠陥が不
均一に分布し、電子部品が不良となることが避けられな
い。
て実質的に垂直に導く「ウエットブラスト」と称する方
法が開示された。この方法、及び半導体ウエハの裏面が
ばら若しくは結合粒子又は機械工具の作用により粗面化
され且つこの工程において裏面に対して垂直に作用する
力に暴露される全ての方法には、重大な欠点がある。即
ち、半導体ウエハの前面に電子部品を設ける過程におい
て、部品群全体の不良を生じることのある望ましくない
粒子の数がますます増加する。粒子自体は、半導体ウエ
ハの上記した方法で粗面化された裏面から分離する。方
法によっては、裏面の機械的損傷が著しくて半導体ウエ
ハがたわむ。しかしながら、半導体ウエハの前面への電
子部品の集積では、半導体ウエハの側面ができるだけ平
らであることが要求される。さらに、半導体ウエハの裏
面が大きさ及び方向が実質的に明確でない力の作用によ
り傷つけられるときには、それらの環境におけるゲッタ
効果の作用が不適当であるので誘発される積層欠陥が不
均一に分布し、電子部品が不良となることが避けられな
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、誘発
積層欠陥を均一に分布させ、望ましくない粒子の形成を
回避しての、半導体ウエハの裏面に積層欠陥誘発傷をつ
ける方法を提供することである。さらに、この方法によ
り処理された半導体ウエハは、それらの最初の平面状態
を保持することを意図される。
積層欠陥を均一に分布させ、望ましくない粒子の形成を
回避しての、半導体ウエハの裏面に積層欠陥誘発傷をつ
ける方法を提供することである。さらに、この方法によ
り処理された半導体ウエハは、それらの最初の平面状態
を保持することを意図される。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、液体に懸濁
した、非凝集の硬質材料粒子を用いて半導体ウエハの裏
面を処理することにより前記裏面に積層欠陥誘発傷をつ
ける方法であって、半導体ウエハの裏面を前記懸濁硬質
材粒子と接触させ且つ前記硬質材粒子を前記裏面に対し
て接線方向に推進させることにより、前記硬質材粒子が
実質的に接線方向成分のみを有する力を前記半導体ウエ
ハの裏面に対して及ぼすことを特徴とする方法により達
成される。
した、非凝集の硬質材料粒子を用いて半導体ウエハの裏
面を処理することにより前記裏面に積層欠陥誘発傷をつ
ける方法であって、半導体ウエハの裏面を前記懸濁硬質
材粒子と接触させ且つ前記硬質材粒子を前記裏面に対し
て接線方向に推進させることにより、前記硬質材粒子が
実質的に接線方向成分のみを有する力を前記半導体ウエ
ハの裏面に対して及ぼすことを特徴とする方法により達
成される。
【０００６】半導体ウエハを処理後、表面粗さが明らか
となる「ヘイズランプ」の光を利用した顕微鏡で見ても
裏面に対する機械的損傷は観察されない。均一に分布し
た誘発積層欠陥は、裏面の試験酸化及び初期エッチング
後にのみ見えるようになる。意図する電子部品は、汚染
粒子が半導体ウエハの裏面から分離することなく本発明
により処理された半導体ウエハの前面に集積できる。
となる「ヘイズランプ」の光を利用した顕微鏡で見ても
裏面に対する機械的損傷は観察されない。均一に分布し
た誘発積層欠陥は、裏面の試験酸化及び初期エッチング
後にのみ見えるようになる。意図する電子部品は、汚染
粒子が半導体ウエハの裏面から分離することなく本発明
により処理された半導体ウエハの前面に集積できる。
【０００７】本発明の方法の成功は、半導体ウエハの裏
面に対して主に垂直方向の機械的力の作用がないことに
よるものである。代わりに、半導体ウエハの裏面に対し
て実質的に接線方向に力の作用が生じる。公知の方法と
は対照的に、半導体ウエハの裏面に作用し且つ硬質材粒
子を懸濁した液体により伝達される小さな剪断力単独に
よってのみ傷がつけられる。したがって、半導体ウエハ
の裏面の傷は、巨視的表面破壊を伴わない機械的応力場
の発生に制限される。
面に対して主に垂直方向の機械的力の作用がないことに
よるものである。代わりに、半導体ウエハの裏面に対し
て実質的に接線方向に力の作用が生じる。公知の方法と
は対照的に、半導体ウエハの裏面に作用し且つ硬質材粒
子を懸濁した液体により伝達される小さな剪断力単独に
よってのみ傷がつけられる。したがって、半導体ウエハ
の裏面の傷は、巨視的表面破壊を伴わない機械的応力場
の発生に制限される。
【０００８】液体に懸濁した硬質材粒子（「スラリ
ー」）は、薄膜として半導体ウエハの裏面に適用され、
ウエハ表面に対して接線方向に推進される。懸濁した硬
質材粒子と半導体ウエハの裏面との間の相互作用は、好
ましくは弾性表面を有する少なくとも一つの回転ロール
を含んでなるロール装置により付与される。ロールを回
転すると、懸濁硬質材粒子は、ロールと半導体ウエハの
裏面との間に搬送される。同時に、半導体ウエハを送っ
て、ほとんど力のかからないようにして回転ロールを通
過させる。この工程中、接線方向であって、液体により
硬質材粒子に伝達される剪断力が、ロールと半導体ウエ
ハの裏面との間に発生する。表面が弾性であるので、ロ
ールは、懸濁硬質材粒子を供給しないと半導体ウエハの
裏面に積層欠陥誘発傷をつけることはできない。
ー」）は、薄膜として半導体ウエハの裏面に適用され、
ウエハ表面に対して接線方向に推進される。懸濁した硬
質材粒子と半導体ウエハの裏面との間の相互作用は、好
ましくは弾性表面を有する少なくとも一つの回転ロール
を含んでなるロール装置により付与される。ロールを回
転すると、懸濁硬質材粒子は、ロールと半導体ウエハの
裏面との間に搬送される。同時に、半導体ウエハを送っ
て、ほとんど力のかからないようにして回転ロールを通
過させる。この工程中、接線方向であって、液体により
硬質材粒子に伝達される剪断力が、ロールと半導体ウエ
ハの裏面との間に発生する。表面が弾性であるので、ロ
ールは、懸濁硬質材粒子を供給しないと半導体ウエハの
裏面に積層欠陥誘発傷をつけることはできない。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を２つの図を参照し
ながらより詳細に説明する。図１は、相互に対向した２
つの段（各段は３個のロール１からなる）を有する可能
なロール配置の例の概略図である。半導体ウエハ２は、
裏面３を上に向けて、２つのロール段の間に存在する間
隙４を通って搬送される。液体に懸濁させた硬質材粒子
が、上ロール段（垂直矢印で示してある）に対して均一
に分布させる方法で当てられ、ロールが回転する結果半
導体ウエハ２の裏面３に到達する。これらの状況下で、
スラリーは、半導体ウエハの裏面に膜を形成し、ロール
１と半導体ウエハ２の移動により、ウエハの裏面に対し
て実質的に接線方向に剪断力が発生する。前記力が伝達
される前記硬質材粒子は、最後に、半導体ウエハの裏面
に対して意図する積層欠陥誘発傷を形成する。図２は、
図１の断面線Ａ−Ａについての装置の断面図である。半
導体ウエハ２の裏面とそれと対向して位置しているロー
ル１との間の間隙には、液体５と硬質材粒子６とからな
るスラリーフィルムが位置している。
ながらより詳細に説明する。図１は、相互に対向した２
つの段（各段は３個のロール１からなる）を有する可能
なロール配置の例の概略図である。半導体ウエハ２は、
裏面３を上に向けて、２つのロール段の間に存在する間
隙４を通って搬送される。液体に懸濁させた硬質材粒子
が、上ロール段（垂直矢印で示してある）に対して均一
に分布させる方法で当てられ、ロールが回転する結果半
導体ウエハ２の裏面３に到達する。これらの状況下で、
スラリーは、半導体ウエハの裏面に膜を形成し、ロール
１と半導体ウエハ２の移動により、ウエハの裏面に対し
て実質的に接線方向に剪断力が発生する。前記力が伝達
される前記硬質材粒子は、最後に、半導体ウエハの裏面
に対して意図する積層欠陥誘発傷を形成する。図２は、
図１の断面線Ａ−Ａについての装置の断面図である。半
導体ウエハ２の裏面とそれと対向して位置しているロー
ル１との間の間隙には、液体５と硬質材粒子６とからな
るスラリーフィルムが位置している。
【００１０】下段ロールは、単独で搬送ロールとしての
役割を果たす。したがって、下段ロールの代わりに、例
えば、コンベアベルトを用いて、その上に半導体ウエハ
の前面を置くようにできる。
役割を果たす。したがって、下段ロールの代わりに、例
えば、コンベアベルトを用いて、その上に半導体ウエハ
の前面を置くようにできる。
【００１１】懸濁した硬質材粒子が意図する方法で作用
できるように、少なくとも硬質材粒子を半導体ウエハの
裏面上に運ぶロールの表面は、弾性材料で作製する必要
がある。これにより、半導体ウエハの裏面に対して実質
的に垂直方向の力がロールを介して硬質材粒子に伝達さ
れるのを防止される。したがって、ロール材料は、好ま
しくは弾性プラスチック、例えば、ポリウレタン（Ｐ
Ｕ）又はポリ酢酸ビニル（ＰＶＡ）から構成しなければ
ならない。原則的には、いずれの弾性プラスチックを使
用してもよい。
できるように、少なくとも硬質材粒子を半導体ウエハの
裏面上に運ぶロールの表面は、弾性材料で作製する必要
がある。これにより、半導体ウエハの裏面に対して実質
的に垂直方向の力がロールを介して硬質材粒子に伝達さ
れるのを防止される。したがって、ロール材料は、好ま
しくは弾性プラスチック、例えば、ポリウレタン（Ｐ
Ｕ）又はポリ酢酸ビニル（ＰＶＡ）から構成しなければ
ならない。原則的には、いずれの弾性プラスチックを使
用してもよい。
【００１２】硬質材粒子は、好ましくは酸化アルミニウ
ム、石英、炭化珪素、酸化ジルコニウム又はそれらの混
合物から成る。粒子の平均直径は、好ましくは２〜１５
０μｍ、特に好ましくは２〜４０μｍである。硬質材粒
子は、好ましくは水又は水の他に懸濁助剤及び界面活性
剤も含有していてもよい水性液体に懸濁する。
ム、石英、炭化珪素、酸化ジルコニウム又はそれらの混
合物から成る。粒子の平均直径は、好ましくは２〜１５
０μｍ、特に好ましくは２〜４０μｍである。硬質材粒
子は、好ましくは水又は水の他に懸濁助剤及び界面活性
剤も含有していてもよい水性液体に懸濁する。
【００１３】本発明の方法により達成できる単位面積当
りの積層欠陥密度は、多数のパラメータに依存し、系統
的に一つ以上のパラメータを変化させることにより調整
できる。これらのパラメータには、特に、懸濁液中の硬
質材粒子濃度、ロール表面の弾性、回転運動中のロール
の回転速度及び懸濁硬質材粒子が半導体ウエハの裏面に
作用する処理時間等がある。従って、本発明の方法は、
好ましくは予備実験により最適化する。この実験では、
上記パラメータを系統的に変化させ、便宜上、単位面積
当りの積層欠陥密度を、１×１０5 〜１×１０6 積層欠
陥／ｃｍ2 に調整する。
りの積層欠陥密度は、多数のパラメータに依存し、系統
的に一つ以上のパラメータを変化させることにより調整
できる。これらのパラメータには、特に、懸濁液中の硬
質材粒子濃度、ロール表面の弾性、回転運動中のロール
の回転速度及び懸濁硬質材粒子が半導体ウエハの裏面に
作用する処理時間等がある。従って、本発明の方法は、
好ましくは予備実験により最適化する。この実験では、
上記パラメータを系統的に変化させ、便宜上、単位面積
当りの積層欠陥密度を、１×１０5 〜１×１０6 積層欠
陥／ｃｍ2 に調整する。
【００１４】（実施例）直径１２５ｍｍであり且つエッ
チングした表面を有するシリコン半導体ウエハーを、本
発明に準じて、図示したものに相当するロール装置によ
り処理した。スラリーは、Ａｌ2 Ｏ3 粒子（平均直径１
５μｍ）を水に添加し、さらに懸濁助剤を添加して調製
した懸濁液を使用した。粒子濃度は、懸濁液容積に対し
て４．８％であった。１０秒の処理時間の間に、懸濁液
を、回転速度１００ｍｉｎ-1で回転している上に位置し
ているロールに容積流量１０リットル／分で均一に分布
させた。ロールの表面は、ＰＶＡの弾性膜から構成され
るものであった。ロール径は、３０ｍｍであった。
チングした表面を有するシリコン半導体ウエハーを、本
発明に準じて、図示したものに相当するロール装置によ
り処理した。スラリーは、Ａｌ2 Ｏ3 粒子（平均直径１
５μｍ）を水に添加し、さらに懸濁助剤を添加して調製
した懸濁液を使用した。粒子濃度は、懸濁液容積に対し
て４．８％であった。１０秒の処理時間の間に、懸濁液
を、回転速度１００ｍｉｎ-1で回転している上に位置し
ているロールに容積流量１０リットル／分で均一に分布
させた。ロールの表面は、ＰＶＡの弾性膜から構成され
るものであった。ロール径は、３０ｍｍであった。
【００１５】処理した半導体ウエハの裏面を、ヘイズラ
ンプの光を利用した顕微鏡で観察したところ、見える程
度の機械的損傷はなかった。続いて積層欠陥試験を実施
したところ、誘発積層欠陥が密度１．５×１０5 ｃｍ-2
で均一に分布していることが分かった。従来技術から公
知の不都合な現象は、試験した半導体ウエハには生じな
かった。
ンプの光を利用した顕微鏡で観察したところ、見える程
度の機械的損傷はなかった。続いて積層欠陥試験を実施
したところ、誘発積層欠陥が密度１．５×１０5 ｃｍ-2
で均一に分布していることが分かった。従来技術から公
知の不都合な現象は、試験した半導体ウエハには生じな
かった。
【００１６】以下に、本発明の好ましい態様を列記す
る。 （１）液体に懸濁した、非凝集の硬質材料粒子を用いて
半導体ウエハの裏面を処理することにより前記裏面に積
層欠陥誘発傷をつける方法であって、半導体ウエハの裏
面を前記懸濁硬質材粒子と接触させ且つ前記硬質材粒子
を前記裏面に対して接線方向に推進させることにより、
前記硬質材粒子が実質的に接線方向成分のみを有する力
を前記半導体ウエハの裏面に対して及ぼすことを特徴と
する方法。 （２）前記硬質材粒子が、平均直径２〜１５０ミクロン
であり、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、ＺｒＯ2 及び
その混合物を含んでなる群から選択される材料からなる
上記（１）に記載の方法。 （３）前記液体が水及び水溶液を含んでなる群から選択
される上記（１）又は（２）に記載の方法。 （４）前記懸濁硬質材粒子を、弾性材料からなる表面を
有する少なくとも一つの回転ロールを用いて前記半導体
ウエハの裏面に適用し、前記半導体ウエハの裏面に対し
て実質的に接線方向に推進させる上記（１）〜（３）の
いずれか１項に記載の方法。 （５）誘発積層欠陥密度を少なくとも一つのパラメータ
との相関関係で系統的に変化させるが、前記パラメータ
が前記液体中の前記硬質材粒子濃度、前記ロール表面の
弾性、回転運動中のロールの回転速度及び前記懸濁硬質
材粒子が前記半導体ウエハの裏面に作用する処理時間を
含んでなる群に属する上記（４）に記載の方法。
る。 （１）液体に懸濁した、非凝集の硬質材料粒子を用いて
半導体ウエハの裏面を処理することにより前記裏面に積
層欠陥誘発傷をつける方法であって、半導体ウエハの裏
面を前記懸濁硬質材粒子と接触させ且つ前記硬質材粒子
を前記裏面に対して接線方向に推進させることにより、
前記硬質材粒子が実質的に接線方向成分のみを有する力
を前記半導体ウエハの裏面に対して及ぼすことを特徴と
する方法。 （２）前記硬質材粒子が、平均直径２〜１５０ミクロン
であり、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、ＺｒＯ2 及び
その混合物を含んでなる群から選択される材料からなる
上記（１）に記載の方法。 （３）前記液体が水及び水溶液を含んでなる群から選択
される上記（１）又は（２）に記載の方法。 （４）前記懸濁硬質材粒子を、弾性材料からなる表面を
有する少なくとも一つの回転ロールを用いて前記半導体
ウエハの裏面に適用し、前記半導体ウエハの裏面に対し
て実質的に接線方向に推進させる上記（１）〜（３）の
いずれか１項に記載の方法。 （５）誘発積層欠陥密度を少なくとも一つのパラメータ
との相関関係で系統的に変化させるが、前記パラメータ
が前記液体中の前記硬質材粒子濃度、前記ロール表面の
弾性、回転運動中のロールの回転速度及び前記懸濁硬質
材粒子が前記半導体ウエハの裏面に作用する処理時間を
含んでなる群に属する上記（４）に記載の方法。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の方法によれば、従来技術とは異なり、半導体ウエハの
裏面に力が垂直に作用せず、半導体ウエハのたわみ等を
生じることもなく、半導体ウエハの裏面に誘発積層欠陥
傷を均一に分布させることができ、望ましくない粒子を
生じる半導体ウエハの裏面の機械的粗面化を回避でき、
処理後も平面状態を保持することができる。本発明の方
法により半導体ウエハを処理後、表面粗さが明らかとな
るヘイズランプの光を利用した顕微鏡で見ても裏面に対
する機械的損傷は観察されない。したがって、意図する
電子部品を、汚染粒子が半導体ウエハの裏面から分離す
ることなく本発明の方法により処理された半導体ウエハ
の前面に集積できる。さらに、半導体ウエハの前面に電
子部品を設ける過程において、部品群全体の不良を生じ
る恐れを回避できる。
の方法によれば、従来技術とは異なり、半導体ウエハの
裏面に力が垂直に作用せず、半導体ウエハのたわみ等を
生じることもなく、半導体ウエハの裏面に誘発積層欠陥
傷を均一に分布させることができ、望ましくない粒子を
生じる半導体ウエハの裏面の機械的粗面化を回避でき、
処理後も平面状態を保持することができる。本発明の方
法により半導体ウエハを処理後、表面粗さが明らかとな
るヘイズランプの光を利用した顕微鏡で見ても裏面に対
する機械的損傷は観察されない。したがって、意図する
電子部品を、汚染粒子が半導体ウエハの裏面から分離す
ることなく本発明の方法により処理された半導体ウエハ
の前面に集積できる。さらに、半導体ウエハの前面に電
子部品を設ける過程において、部品群全体の不良を生じ
る恐れを回避できる。
【図１】相互に対向した２つの段（各段は３個のロール
からなる）を有するロール装置の一例を示す概略図であ
る。
からなる）を有するロール装置の一例を示す概略図であ
る。
【図２】図１の断面線Ａ−Ａについての装置の断面図で
ある。
ある。
１・・・ロール ２・・・半導体ウエハ ３・・・半導体ウエハの裏面 ４・・・間隙 ５・・・液体 ６・・・硬質材粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ルードルフ・マイルフーバー ドイツ連邦共和国 オースターミーティ ンク、ザンクト・ラーデグント（番地な し) (72)発明者 ヨハン・ニーデルマイアー ドイツ連邦共和国 ブルクキルヘン、ホ ーホカルテルシュトラーセ ４ (56)参考文献 特開 昭58−102529（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−318599（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−68159（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/322
Claims (1)
- 【請求項１】液体に懸濁した、非凝集の硬質材料粒子を
用いて半導体ウエハの裏面を処理することにより前記裏
面に積層欠陥誘発傷をつける方法であって、半導体ウエ
ハの裏面を前記懸濁硬質材粒子と接触させ且つ前記硬質
材粒子を前記裏面に対して接線方向に推進させることに
より、前記硬質材粒子が実質的に接線方向成分のみを有
する力を前記半導体ウエハの裏面に対して及ぼすことを
特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| DE195-34-080-9 | 1995-09-14 | ||
| DE19534080A DE19534080A1 (de) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | Verfahren zur Erzeugung einer stapelfehlerinduzierenden Beschädigung auf der Rückseite von Halbleiterscheiben |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115914A JPH09115914A (ja) | 1997-05-02 |
| JP2890252B2 true JP2890252B2 (ja) | 1999-05-10 |
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|---|---|---|---|
| JP8221495A Expired - Fee Related JP2890252B2 (ja) | 1995-09-14 | 1996-08-22 | 半導体ウエハの裏面に積層欠陥誘発傷をつける方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US3905162A (en) * | 1974-07-23 | 1975-09-16 | Silicon Material Inc | Method of preparing high yield semiconductor wafer |
| US4144099A (en) * | 1977-10-31 | 1979-03-13 | International Business Machines Corporation | High performance silicon wafer and fabrication process |
| DE3148957C2 (de) * | 1981-12-10 | 1987-01-02 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zum Herstellen rückseitig oberflächengestörter Halbleiterscheiben |
| US4934102A (en) * | 1988-10-04 | 1990-06-19 | International Business Machines Corporation | System for mechanical planarization |
| DE3934140A1 (de) * | 1989-10-12 | 1991-04-18 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur die ausbildung von getterfaehigen zentren induzierenden oberflaechenbehandlung von halbleiterscheiben und dadurch erhaeltliche beidseitig polierte scheiben |
| US5223734A (en) * | 1991-12-18 | 1993-06-29 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor gettering process using backside chemical mechanical planarization (CMP) and dopant diffusion |
| US5487697A (en) * | 1993-02-09 | 1996-01-30 | Rodel, Inc. | Polishing apparatus and method using a rotary work holder travelling down a rail for polishing a workpiece with linear pads |
| JPH06318599A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-11-15 | Kawasaki Steel Corp | ウエハのゲッタリング方法 |
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1995
- 1995-09-14 DE DE19534080A patent/DE19534080A1/de not_active Withdrawn
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1996
- 1996-06-25 MY MYPI96002580A patent/MY113673A/en unknown
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- 1996-08-22 JP JP8221495A patent/JP2890252B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 1996-09-12 DE DE59600076T patent/DE59600076D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-12 EP EP96114574A patent/EP0764975B1/de not_active Expired - Lifetime
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| DE19534080A1 (de) | 1997-03-20 |
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| KR970017919A (ko) | 1997-04-30 |
| JPH09115914A (ja) | 1997-05-02 |
| DE59600076D1 (de) | 1998-02-19 |
| KR100206519B1 (ko) | 1999-07-01 |
| EP0764975B1 (de) | 1998-01-14 |
| TW317011B (ja) | 1997-10-01 |
| US5710077A (en) | 1998-01-20 |
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