KR100641946B1 - 반도체 웨이퍼를 제거하기 위한 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼를 제거하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따라, 폴리싱 패드로부터 반도체 웨이퍼를 제거하기 위한 방법이 개시된다. 상기 방법은 현탁액을 폴리싱 패드에 제공하는 단계, 웨이퍼가 현탁액에 의해 폴리싱되도록 웨이퍼에 대해 압력을 인가하는 동안 상부에 현탁액을 가지는 폴리싱 패드를 회전시키는 단계, 폴리싱 패드에 물을 제공하는 단계, 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계, 추가 폴리싱을 실질적으로 방지하기 위하여 회전 속도를 증가시키는 단계 동안 압력을 감소시키는 단계 및 폴리싱 패드로부터 물을 제거하는 단계를 포함한다.

Description

반도체 웨이퍼를 제거하기 위한 방법 {METHOD OF ENHANCING SEMICONDUCTOR WAFER RELEASE}
도 1은 종래 기술에 따라 캐리어상에 설치되고 폴리싱 패드 위에 놓인 반도체 웨이퍼의 측면도.
도 2는 종래 기술에 따라 상부에 현탁액이 제공된 폴리싱 패드와 접촉하는 웨이퍼를 도시하는 도 1의 반도체 웨이퍼 및 캐리어의 측면도.
도 3은 종래 기술에 따라 상부에 물이 제공된 폴리싱 패드와 접촉하는 웨이퍼를 도시하는 도 1의 반도체 웨이퍼 및 캐리어의 측면도.
도 4는 본 발명에 따른 폴리싱 패드상에 제공된 물 및 폴리싱 패드와 접촉하는 웨이퍼를 도시하는 반도체 웨이퍼 및 캐리어의 측면도.
도 5는 본 발명에 따른 방법의 흐름도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 캐리어 102 : 웨이퍼
104 : 패드 106 : 플래튼
108 : 현탁액 120 : 현탁액 공급기
124 : 물
본 발명은 반도체 제조, 특히 폴리싱 패드로부터 반도체 웨이퍼를 제거하기 위한 개선된 방법에 관한 것이다.
반도체 처리는 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 단계를 포함한다. 통상적으로, 반도체 폴리싱 단계는 화학적 기계적 폴리싱 또는 CMP를 포함한다. 폴리싱을 위하여, 반도체 웨이퍼는 통상적으로 폴리싱 패드상에 배치된다. 플래튼은 처리동안 폴리싱 패드를 지지한다. 웨이퍼는 기계적 캐리어를 사용하여 상부에 폴리싱 패드를 배치한 플래튼상에 배치된다. 플래튼은 종종 웨이퍼를 폴리싱하기 위한 회전을 제공한다. 게다가, 캐리어 또한 회전한다. 폴리싱동안, 현탁액은 웨이퍼상에 폴리싱된 표면을 제공하기 위하여 웨이퍼의 표면을 에칭하기 위한 화학물질 및 실리콘 이산화물 입자 같은 연마 재료를 포함하는 폴리싱 패드 위에 제공된다. 폴리싱 패드는 현탁액을 운반하기 위한 구멍을 포함하여 현탁액을 웨이퍼 상에 분배한다.
사용된 현탁액 또는 현탁액들은 통상적으로 높은 점도를 가진다. 폴리싱 단계 말미에서, 캐리어는 세척되거나 간단히 언로딩될 폴리싱 패드로부터 웨이퍼를 제거한다. 현탁액 점도는 그 점도가 폴리싱 패드를 웨이퍼에 고착하도록 하기 때문에 웨이퍼로부터 폴리싱 패드를 제거하기가 어렵게 만들수 있다. 만약 웨이퍼가 폴리싱 패드에 고착되면, 이것은 웨이퍼를 떨어뜨릴 수 있어서 웨이퍼에 손상을 주거나 심하게 파손을 유발할 수 있다. 게다가, 현탁액 점도는 캐리어가 웨이퍼를 제거하려고 하는 동안 웨이퍼가 폴리싱 패드와 접촉한채로 남아 있게 할 수 있다. 이것은 웨이퍼의 손상 또는 파손을 유발할 수 있다.
도 1을 참조하여, 웨이퍼(12)를 폴리싱하기 위한 캐리어(10)가 도시된다. 웨이퍼(12)는 손상되지 않고 캐리어로부터 제거될 수 있도록 캐리어(10)에 제거 가능하게 결합된다. 캐리어(10)는 웨이퍼(12)를 폴리싱 패드(14)와 접촉하도록 화살표 "B" 방향으로 이동된다. 폴리싱 패드(14)는 플래튼(16)상에 배치된다. 플래튼(16)은 여기에 기술될 바와 같이 웨이퍼(12)를 폴리싱하기 위한 기계적인 폴리싱 동작을 제공하기 위해 턴테이블을 포함할 수 있다.
도 2를 참조하여, 폴리싱 패드(14)와 접촉 후, 웨이퍼(12)는 캐리어(10)에 의해 화살표 "A" 방향으로 회전된다. 게다가, 플래튼(16)은 화살표 "C" 방향으로 회전되어 현탁액(18)에 포함된 연마재가 폴리싱 패드(14)상에 도입될 때 기계적 폴리싱을 제공한다. 현탁액(18)은 바람직하게 약 100 A의 주 입자 크기를 가지는 실리콘 이산화물 또는 알루미늄 산화물 연마재를 포함한다. 현탁액(18)은 현탁액 공급기(20)로부터 폴리싱 패드(14)에 점차적으로 제공된다. 압력(P)이 캐리어(10)에 인가되어 웨이퍼(12) 폴리싱을 돕기 위한 수직 힘을 제공한다.
도 3을 참조하여, 폴리싱 말미 단계에서, 현탁액(18)은 폴리싱 패드(14)에 더 이상 도입되지 않는다. 웨이퍼 폴리싱 단계는 웨이퍼(22)가 폴리싱 패드(14)에 제공되도록 도입된다. 현탁액 점도에 따라, 플래튼(16)은 캐리어(10)가 패드(14)로부터 웨이퍼(12)를 분리하기 전에 약 1-60 초 동안 약 50 rpm의 속도로 화살표 "C" 방향으로 회전된다. 그러나, 현탁액은 일반적으로 높은 점도를 가지며 물의 도입은 폴리싱 패드(14)로부터 적당한 분리를 제공하기에 충분하지 않다.
웨이퍼에 대한 손상은 작업량을 감소시키고, 폴리싱 패드로부터 웨이퍼를 제거하는 어려움으로 인해 발생할수 있는 웨이퍼 세척시 임의의 지연은 웨이퍼 생산량의 감소를 유발한다.
그러므로, 본 발명의 목적은 폴리싱 단계 후 폴리싱 패드로부터의 웨이퍼 제거를 개선하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따라, 폴리싱 패드로부터 반도체 웨이퍼를 제거하기 위한 방법이 개시된다. 상기 방법은 현탁액을 폴리싱 패드에 제공하는 단계, 웨이퍼가 현탁액에 의해 폴리싱되도록 웨이퍼에 대해 압력을 인가하는 동안 상부에 현탁액을 가지는 폴리싱 패드를 회전시키는 단계, 물을 폴리싱 패드에 제공하는 단계, 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계, 실질적으로 추가 폴리싱을 방지하기 위하여 회전 속도를 증가시키는 단계 동안 진공 압력을 인가함으로써 웨이퍼의 후면 압력을 감소시키는 단계를 포함하는 압력을 감소시키는 단계, 및 폴리싱 패드로부터 물을 제거하는 단계를 포함한다.
반도체 웨이퍼를 제거 가능하게 캐리어에 고정하는 단계, 현탁액을 폴리싱 패드에 인가하는 단계, 웨이퍼가 현탁액에 의해 폴리싱되도록 상부에 현탁액을 가지는 폴리싱 패드에 대해 웨이퍼에 압력을 인가하는 동안 캐리어 및 웨이퍼를 회전시키는 단계, 웨이퍼가 현탁액에 의해 추가로 폴리싱되도록 폴리싱 패드를 회전시키는 단계, 폴리싱 단계 말미에 폴리싱 패드에 물을 제공하는 단계, 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 웨이퍼 및 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계, 추가 폴리싱을 실질적으로 막기 위하여 회전 속도를 증가하는 단계 동안 폴리싱 패드에 대해 웨이퍼의 압력을 감소시키는 단계 - 상기 압력은 웨이퍼에 진공 압력을 인가함으로써 웨이퍼의 후면 압력을 감소시키는 단계를 포함함 - 및 캐리어를 들어올림으로써 폴리싱 패드로부터 웨이퍼를 제거하는 단계를 포함하는 폴리싱 패드로부터 반도체 웨이퍼를 제거하기 위한 다른 방법이 개시된다.
다른 방법에서, 압력 인가동안 폴리싱 패드를 회전시키는 단계는 분당 약 20 내지 약 100 회전 비율로 폴리싱 패드를 회전시키는 단계를 포함한다. 압력을 인가하는 동안 폴리싱 패드를 회전시키는 단계는 웨이퍼 및 폴리싱 패드 사이에 약 2 내지 8 psi의 압력을 인가하는 단계를 포함한다. 폴리싱 패드에 물을 제공하는 단계는 현탁액을 폴리싱 패드에 공급하는 것을 중단하는 단계를 포함한다. 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 약 1.1 배 내지 약 3 배 사이만큼 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계를 포함할 수 있다. 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 분당 약 22 회전 내지 분당 약 300 회전 사이로 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계를 포함할 수 있다. 압력 감소 단계는 약 0 내지 약 3 psi, 바람직하게 거의 0 psi 사이의 압력으로 감소시키는 단계를 포함한다. 이것은 현탁액을 분리하기 위하여 폴리싱 패드에 계면 활성제를 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
다른 방법에서, 웨이퍼 및 폴리싱 패드는 모두 회전될 수 있고 약 1.1 배 내지 약 3 배 사이만큼 웨이퍼 및 폴리싱 패드의 회전 속도 증가 단계가 포함될 수 있다. 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 웨이퍼 및 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 분당 약 22 회전 내지 분당 약 300 회전 사이로 웨이퍼의 회전 속도를 증가시키는 단계를 포함한다. 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 웨이퍼 및 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 분당 약 22 회전 내지 분당 약 300 회전 사이로 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 이들 및 다른 목적, 특징 및 장점은 첨부 도면과 관련하여 판독된 다음 상세한 설명에서 명백하다.
본 발명은 반도체 제조, 특히 폴리싱 단계 후 폴리싱 패드로부터 반도체 웨이퍼를 효과적으로 제거하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 웨이퍼의 폴리싱 단계 말미에 제공된 폴리싱 단계를 바탕으로 작업량 및 웨이퍼 수율을 개선하기 위한 방법을 제공한다. 폴리싱 단계는 폴리싱 패드로부터 웨이퍼의 제거 전에 물 폴리싱 단계를 포함한다. 게다가, 높은 점도를 가진 현탁액에 대하여, 증가한 플래튼 또는 턴테이블 회전 속도 및 캐리어에 의해 가해진 보다 작은 수직 힘을 제공하는 부가적인 단계가 포함된다. 이런 방식에서, 본 발명은 웨이퍼를 세척하기 전에 웨이퍼에 대한 손상을 방지하고 지연 양을 감소시킴으로써 증가된 처리량과 웨이퍼 수율을 유도하는 보다 쉽게 제거되는 웨이퍼를 제공한다.
동일한 참조 번호는 몇몇 도면을 통하여 유사하거나 동일한 엘리먼트를 나타내는 도면들의 상세, 및 처음에 도 4를 참조하면, 웨이퍼(102)를 폴리싱하기 위한 캐리어(100)가 도시된다. 웨이퍼(102)는 상부에 기능 장치가 형성되거나 상부에 제조되고 있는 반도체 웨이퍼가 바람직하다. 웨이퍼(102)는 손상되지 않고 캐리어로부터 제거되도록 캐리어(100)에 제거 가능하게 결합된다. 웨이퍼(102)의 폴리싱은 도 1 및 도 2를 참조하여 상기된 바와 같이 수행된다. 폴리싱 동안, 웨이퍼(102)는 플래튼(106)상에 배치된 폴리싱 패드(104)와 접촉한다. 플래튼(106)은 웨이퍼(102)를 폴리싱하기 위한 기계적 폴리싱 동작을 제공하기 위한 턴테이블을 포함한다. 상기된 바와 같이, 웨이퍼(102)는 화살표 "D"에 의해 지시된 바와 같이 캐리어(100)에 의해 회전된다. 게다가, 플래튼(106)은 화살표 "E" 방향으로 회전되어 현탁액(108)에 포함된 연마재가 폴리싱 패드(104)상에 제공될 때 기계적 폴리싱을 제공한다. 현탁액(108)은 바람직하게 100 A 이상의 주 입자 크기를 가지는 실리콘 이산화물 또는 알루미늄 산화물 연마재를 포함한다. 다른 현탁액이 사용될 수 있다. 현탁액(108)은 현탁액 공급기(120)로부터 폴리싱 패드(104)에 점차적으로 제공된다. 웨이퍼(102)를 폴리싱하는데 도움을 제공하는 수직 힘을 제공하기 위하여 캐리어(100)에 압력(PR)이 인가된다. 소정 깊이가 웨이퍼(102)의 표면으로부터 폴리싱될 때, 물 폴리싱 과정은 현탁액을 제거하고 폴리싱을 끝내도록 수행된다.
본 발명에 따른 물 폴리싱 과정은 현탁액(108)의 공급을 차단하고 대신 물(124)을 제공한다. 현탁액이 캐리어(100)에 의해 폴리싱 패드(104)로부터 웨이퍼(102)를 적당히 분리하기에는 너무 점착성이기 때문에, 플래튼(106)의 턴테이블 속도는 약 1.1 배 내지 약 3 배 증가된다. 즉 약 22 rpm 내지 약 300 rpm으로 증가된다. 이것은 웨이퍼로부터 현탁액을 분리 제거하기 위한 상기된 물 폴리싱 단계동안 수행된다. 바람직한 실시예에서, 플래튼(106)의 턴테이블 속도는 100 rpm 이상으로 증가된다. 압력(PR)에 의해 제공된 힘은 하기에 기술된 바와 같이 플래튼(106)의 턴 테이블 속도 증가와 관련하여 감소될 수 있다. 게다가, 케리어(100)는 물 폴리싱 과정동안 추가로 현탁액을 제거하기 위하여 회전 속도가 증가될 수 있다. 바람직한 실시예에서, 캐리어(100)는 증가된 턴테이블의 속도와 거의 동일한 속도로 회전한다. 즉, 1.1 배 내지 약 3 배, 예를들어 약 22 rpm 내지 약 300 rpm 사이로 회전한다.
증가된 회전 속도 및 감소된 수직 힘의 결합 효과는 폴리싱 패드(104)로부터 웨이퍼(102)가 쉽게 제거되게 한다. 턴테이블의 증가된 회전 속도에 의해 유도된 원심력은 물 폴리싱 동안 남겨진 나머지 현탁액을 제거하는데 도움을 준다. 게다가, 감소된 하향 힘은 물 폴리싱 단계동안 과도한 잔류 폴리싱을 방지한다. 바람직한 실시예에서, 압력(PR)은 약 0 내지 약 3 psi, 보다 바람직하게 0 psi 사이로 감소된다.
알콜 같은 계면 활성제, 또는 이소프로판올은 폴리싱 패드(104)로부터 현탁액(118)을 추가로 분리하기 위하여 현탁액 공급기(122)를 통하여 제공될 수 있다. 계면 활성제는 물 폴리싱 과정 전에 또는 동안 도입될 수 있다.
도 5를 참조하여, 흐름도는 본 발명에 따른 폴리싱 패드로부터 웨이퍼를 제거하는 방법을 나타낸다. 폴리싱 패드로부터 반도체 웨이퍼를 제거하기 위한 방법은 블록(200)에서 반도체 웨이퍼를 캐리어에 제거 가능하게 고정하는 단계를 포함한다. 현탁액은 블록(202)에서 슬러리 공급기를 통해 폴리싱 패드에 도입된다. 그러므로 캐리어와 웨이퍼는 블록(204)에서 폴리싱 패드에 대해 웨이퍼에 압력을 제공하는 동안 회전된다. 폴리싱 패드는 웨이퍼에 대해 상대적으로 이동할때 웨이퍼가 현탁액에 의해 폴리싱되도록 현탁액을 운반하기 위한 구멍을 포함한다. 폴리싱 패드는 블록(206)에서 웨이퍼를 추가로 폴리싱하기 위하여 캐리어의 회전과 함께 회전된다. 블록(208)에서, 물은 폴리싱 처리 말미에서 폴리싱 패드에 제공된다. 블록(210)에서, 웨이퍼 및/또는 폴리싱 패드의 회전 속도는 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 증가된다. 블록(212)에서, 폴리싱 패드에 대해 웨이퍼의 압력은 웨이퍼의 추가 폴리싱을 실질적으로 방지하기 위하여 블록(210) 단계 동안 감소된다. 웨이퍼는 블록(214)에서 캐리어를 들어올림으로써 폴리싱 패드로부터 제거된다. 캐리어는 바람직하게 진공 포트를 포함하고 웨이퍼는 캐리어에 밀봉된다. 이런 방식으로, 진공 압력 또는 후면 압력은 진공 포트를 통하여 웨이퍼의 후면에 인가되어 캐리어와 함께 웨이퍼를 들어올리는데 도움을 준다.
본 발명에 따라, 폴리싱 현탁액은 점성이 제거 및/또는 감소되어 처리동안 폴리싱 패드로부터의 웨이퍼 제거를 개선한다. 본 발명에 따라 언로딩 또는 세척이 웨이퍼상에서 수행될 때, 웨이퍼를 떨어뜨리거나 폴리싱 패드상에 웨이퍼를 남겨둘 위험성이 실질적으로 감소된다. 이것은 웨이퍼의 잠재적인 손상 및/또는 파손을 감소시켜 작업 처리량 및 웨이퍼 수율을 증가시킨다.
반도체 웨이퍼 제거를 개선하기 위한 새로운 방법에 대한 바람직한 실시예가 기술되었고(도시적이고 제한을 위해 의도되지 않음), 변형 및 변화가 상기 기술로 인해 당업자에 의해 이루어질 수 있다는 것이 주의된다. 그러므로 첨부된 청구범위에 의해 기재된 바와 같은 본 발명의 범위 및 사상속에 개시된 본 발명의 특정 실시예에서 변화가 이루어질 수 있다는 것으로 이해된다. 그래서 본 발명에 의해 청구되고 보호될 것은 청구범위에 나타난다.
본 발명은 폴리싱 단계 후 폴리싱 패드로부터 웨이퍼 제거를 개선하여 웨이퍼의 잠재적인 손상 및/또는 파손을 감소시키므로 작업 처리량 및 웨이퍼 수율이 증가되는 효과를 가진다.

Claims (20)

  1. 폴리싱 패드로부터 반도체 웨이퍼들을 제거하기 위한 방법으로서,
    현탁액을 폴리싱 패드에 인가하는 단계;
    웨이퍼가 상기 현탁액에 의해 폴리싱되도록 상기 웨이퍼에 대해 압력을 인가하는 동안 상부에 상기 현탁액을 가지는 상기 폴리싱 패드를 회전시키는 단계;
    상기 폴리싱 패드에 물을 도입하는 단계;
    상기 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계;
    추가 폴리싱을 실질적으로 방지하기 위하여 상기 회전 속도를 증가시키는 단계 동안 상기 압력을 감소시키는 단계; 및
    상기 폴리싱 패드로부터 상기 웨이퍼를 제거하는 단계
    를 포함하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 압력을 인가하는 동안 상기 폴리싱 패드를 회전시키는 단계는 분당 약 20 내지 약 100 회전 사이의 속도로 상기 폴리싱 패드를 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 압력을 인가하는 동안 상기 폴리싱 패드를 회전시키는 단계는 상기 웨이퍼 및 상기 폴리싱 패드 사이에 약 2 psi 내지 약 8 psi의 압력을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 폴리싱 패드에 물을 도입하는 단계는 상기 폴리싱 패드에 대한 상기 현탁액 공급을 중단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 약 1.1 배 내지 약 3 배 사이만큼 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 분당 약 22 회전 내지 분당 약 300 회전 사이로 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 압력을 감소시키는 단계는 상기 압력을 약 0 psi 내지 약 3 psi 사이로 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 압력을 감소시키는 단계는 상기 압력을 실질적으로 영으로 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 상기 현탁액을 분리시키기 위하여 상기 폴리싱 패드에 계면 활성제를 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  10. 폴리싱 패드로부터 반도체 웨이퍼들을 제거하기 위한 방법으로서,
    반도체 웨이퍼를 캐리어에 제거 가능하게 고정시키는 단계;
    폴리싱 패드에 현탁액을 인가하는 단계;
    상기 웨이퍼가 상기 현탁액에 의해 폴리싱되도록 상부에 상기 현탁액을 가지는 상기 폴리싱 패드에 대해 상기 웨이퍼에 압력을 인가하는 동안 상기 캐리어 및 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계;
    상기 웨이퍼가 상기 현탁액에 의해 추가로 폴리싱되도록 상기 폴리싱 패드를 회전시키는 단계;
    폴리싱을 마치기 위하여 상기 폴리싱 패드에 물을 도입하는 단계;
    상기 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 상기 웨이퍼 및 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계;
    추가 폴리싱을 실질적으로 방지하기 위하여 상기 회전 속도를 증가시키는 단계 동안 상기 폴리싱 패드에 대해 상기 웨이퍼의 압력을 감소시키는 단계; 및
    상기 캐리어를 들어올림으로써 상기 폴리싱 패드로부터 상기 웨이퍼를 제거하는 단계
    를 포함하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 압력을 인가하는 동안 상기 캐리어 및 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계는 상기 웨이퍼를 분당 약 20 내지 약 100 회전 사이의 속도로 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 압력을 인가하는 동안 상기 캐리어 및 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계는 상기 웨이퍼 및 상기 폴리싱 패드 사이에 약 2 psi 내지 약 8 psi의 압력을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 폴리싱 패드에 물을 인가하는 단계는 상기 폴리싱 패드에 대한 상기 현탁액 공급을 중단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 상기 웨이퍼 및 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 상기 웨이퍼의 회전 속도를 약 1.1 배 내지 약 3 배 사이만큼 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 상기 웨이퍼 및 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 약 1.1 배 내지 약 3 배 사이만큼 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  16. 제 10 항에 있어서, 상기 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 상기 웨이퍼 및 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 상기 웨이퍼의 회전 속도를 분당 약 22 회전 내지 분당 약 300 회전 사이로 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 상기 웨이퍼 및 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 분당 약 22 회전 내지 분당 약 300 회전 사이로 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  18. 제 10 항에 있어서, 상기 압력을 감소시키는 단계는 상기 압력을 약 0 psi 내지 약 3 psi 사이로 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  19. 제 10 항에 있어서, 상기 압력을 감소시키는 단계는 상기 압력을 실질적으로 영으로 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
  20. 제 10 항에 있어서, 상기 현탁액의 일부를 제거하기 위하여 상기 웨이퍼 및 상기 폴리싱 패드의 회전 속도를 증가시키는 단계는 상기 현탁액을 분리시키기 위하여 상기 폴리싱 패드에 계면 활성제를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거 방법.
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