JPH06318599A - ウエハのゲッタリング方法 - Google Patents
ウエハのゲッタリング方法Info
- Publication number
- JPH06318599A JPH06318599A JP10678993A JP10678993A JPH06318599A JP H06318599 A JPH06318599 A JP H06318599A JP 10678993 A JP10678993 A JP 10678993A JP 10678993 A JP10678993 A JP 10678993A JP H06318599 A JPH06318599 A JP H06318599A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gettering
- roll
- present
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】従来よりゲッタリングの制御範囲が大きく、ゲ
ッタリングの前後でのウエハの洗浄等の処理が不要なウ
エハのゲッタリング技術を提供する。 【構成】ウエハ１をウエハ移動用定盤３上に載せ、定盤
移動方向矢印４の方向に移動する。表面７にダイヤモン
ド粒子を付着したロール２をウエハ１上で回転させ、ギ
ャップ調整を行いながら処理を施す。
ッタリングの前後でのウエハの洗浄等の処理が不要なウ
エハのゲッタリング技術を提供する。 【構成】ウエハ１をウエハ移動用定盤３上に載せ、定盤
移動方向矢印４の方向に移動する。表面７にダイヤモン
ド粒子を付着したロール２をウエハ１上で回転させ、ギ
ャップ調整を行いながら処理を施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ製造プロセスに
おけるウエハのゲッタリング方法に関する。
おけるウエハのゲッタリング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ゲッタリングはウエハのデバイス製造工
程において、シリコンウエハの欠陥又は有害な不純物等
を不活性化させる技術である。ゲッタリングの対象とな
る欠陥や不純物は積層欠陥、転移、重金属元素等であ
る。ウエハのゲッタリング技術としては、外部から操作
を施すエクストリンシック・ゲッタリングと、内部に介
在する要素を利用するイントリンシック・ゲッタリング
とがある。本発明は前者に属するもので、そのような技
術としては、ウエハの裏面に （１）１μｍ程度の厚みのポリシリコン層を作る方法、 （２）２０００Å〜１００００Å程度の厚みの層のシリ
コン酸化膜を作る方法、 （３）物理的に損傷を与える方法 等がある。物理的に損傷を与える方法では、一定粒度の
石英の粒子を高速でウエハ裏面に衝突させる方法が一般
的でこれには、乾式法と湿式法がある。
程において、シリコンウエハの欠陥又は有害な不純物等
を不活性化させる技術である。ゲッタリングの対象とな
る欠陥や不純物は積層欠陥、転移、重金属元素等であ
る。ウエハのゲッタリング技術としては、外部から操作
を施すエクストリンシック・ゲッタリングと、内部に介
在する要素を利用するイントリンシック・ゲッタリング
とがある。本発明は前者に属するもので、そのような技
術としては、ウエハの裏面に （１）１μｍ程度の厚みのポリシリコン層を作る方法、 （２）２０００Å〜１００００Å程度の厚みの層のシリ
コン酸化膜を作る方法、 （３）物理的に損傷を与える方法 等がある。物理的に損傷を与える方法では、一定粒度の
石英の粒子を高速でウエハ裏面に衝突させる方法が一般
的でこれには、乾式法と湿式法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記物理的に損傷を与
えるゲッタリング方法の場合、これまで次のような問題
があった。 （ａ）石英は使用の度に細かく破損するため、ウエハ裏
面の損傷程度を一定に維持することが困難であった。 （ｂ）石英の消耗が激しく、コストも高い。 （ｃ）湿式法にしろ、乾式法にしろ、石英粒子を高速で
衝突させる方式のため、処理後ウエハの表面又は損傷層
の内部にまで石英粒子が入り込み、これが研磨後に表面
に現われ、パーティクルの原因となる。
えるゲッタリング方法の場合、これまで次のような問題
があった。 （ａ）石英は使用の度に細かく破損するため、ウエハ裏
面の損傷程度を一定に維持することが困難であった。 （ｂ）石英の消耗が激しく、コストも高い。 （ｃ）湿式法にしろ、乾式法にしろ、石英粒子を高速で
衝突させる方式のため、処理後ウエハの表面又は損傷層
の内部にまで石英粒子が入り込み、これが研磨後に表面
に現われ、パーティクルの原因となる。
【０００４】このため処理後にはＮＨ4 ＯＨとＨ2 Ｏ2
とを含有する水溶液によるＲＣＡ洗浄等だけでなく、損
傷層の内部に入り込んだ石英粒子を閉じ込めるための熱
処理をすることが一般的となっている。本発明は前記問
題点を一挙に解決した技術を提供することを目的とする
ものである。
とを含有する水溶液によるＲＣＡ洗浄等だけでなく、損
傷層の内部に入り込んだ石英粒子を閉じ込めるための熱
処理をすることが一般的となっている。本発明は前記問
題点を一挙に解決した技術を提供することを目的とする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために開発されたものであって、表面に凹凸を
有するロールをウエハ上を転動させ、ロールギャップを
調節しながらウエハ表面に損傷を与えることを特徴とす
るウエハのゲッタリング方法である。この場合、表面に
ダイヤモンド粒子を接着したロールを用いると好適であ
る。
解決するために開発されたものであって、表面に凹凸を
有するロールをウエハ上を転動させ、ロールギャップを
調節しながらウエハ表面に損傷を与えることを特徴とす
るウエハのゲッタリング方法である。この場合、表面に
ダイヤモンド粒子を接着したロールを用いると好適であ
る。
【０００６】本発明を具体的に実施するには、セラミッ
クス又はステンレス等のロールの表面に一定のダイヤモ
ンド等の粒子を接着させた上部ロールと、ウエハを一定
速度で移動させる下部テーブルとウエハをこのテーブル
上へ移動させるローデイング及びアンローデイング装置
とで構成された装置を用いると、容易に達成することが
できる。
クス又はステンレス等のロールの表面に一定のダイヤモ
ンド等の粒子を接着させた上部ロールと、ウエハを一定
速度で移動させる下部テーブルとウエハをこのテーブル
上へ移動させるローデイング及びアンローデイング装置
とで構成された装置を用いると、容易に達成することが
できる。
【０００７】
【作用】本発明は、金属の圧延の基本的な原理を応用し
たものである。すなわち、金属等を圧延する際、下部が
平面（半径が無限大のロールと同じ）で上部が所定の半
径を有するロールにより構成された装置を用いて圧延す
ると、その圧延による応力は上ロールの半径に半比例
し、上面にのみ集中するという原理である。
たものである。すなわち、金属等を圧延する際、下部が
平面（半径が無限大のロールと同じ）で上部が所定の半
径を有するロールにより構成された装置を用いて圧延す
ると、その圧延による応力は上ロールの半径に半比例
し、上面にのみ集中するという原理である。
【０００８】一般的にはウエハの厚みは一定ではない。
従って、本発明のゲッタリング処理するに当っては、厚
み計等を設置しウエハの厚みを測定し、この測定値に応
じ、ロールのギャップを調整することにより、常に一定
の損傷を与えることができる。図２にロールギャップと
積層欠陥数との関係を示した。ウエハ厚さをｔとしロー
ルギャップをＴとしたとき、ａ＝（ｔ−Ｔ）（単位μ
ｍ）に対して積層欠陥数は対数グラフ上でほぼ直線的な
関係がある。
従って、本発明のゲッタリング処理するに当っては、厚
み計等を設置しウエハの厚みを測定し、この測定値に応
じ、ロールのギャップを調整することにより、常に一定
の損傷を与えることができる。図２にロールギャップと
積層欠陥数との関係を示した。ウエハ厚さをｔとしロー
ルギャップをＴとしたとき、ａ＝（ｔ−Ｔ）（単位μ
ｍ）に対して積層欠陥数は対数グラフ上でほぼ直線的な
関係がある。
【０００９】本発明方法で用いるダイヤモンドの粒度
は、１０μｍ以下の粒子が好ましく、これより大きい
と、ウエハの輝度が悪くなり、不適である。ダイヤモン
ドの形状は特に限定されないが、角状が好ましい。ダイ
ヤモンドをロールに付着させるには、電着等が一般的で
ある。本発明によれば、次の作用を生じる。 （ａ）ロールのギャップを調整することにより損傷の程
度を容易に制御することができる。この効果の確認方法
としては、シリコンウエハの場合処理後に表面の積層欠
陥の量を測定する方法が一般的である。従来では積層欠
陥数で１×１０4〜１×１０5 ／ｃｍ2 の範囲の制御が
可能であったが、本発明では１×１０4 〜１×１０7 ／
ｃｍ2 の範囲の制御が可能である。 （ｂ）石英等の粒子を使用しないため、処理後の洗浄の
プロセスを省略することができる。 （ｃ）本実験によれば、ロールの摩耗は非常に少なく１
０万回使用後もその効果に変化は見られなかった。
は、１０μｍ以下の粒子が好ましく、これより大きい
と、ウエハの輝度が悪くなり、不適である。ダイヤモン
ドの形状は特に限定されないが、角状が好ましい。ダイ
ヤモンドをロールに付着させるには、電着等が一般的で
ある。本発明によれば、次の作用を生じる。 （ａ）ロールのギャップを調整することにより損傷の程
度を容易に制御することができる。この効果の確認方法
としては、シリコンウエハの場合処理後に表面の積層欠
陥の量を測定する方法が一般的である。従来では積層欠
陥数で１×１０4〜１×１０5 ／ｃｍ2 の範囲の制御が
可能であったが、本発明では１×１０4 〜１×１０7 ／
ｃｍ2 の範囲の制御が可能である。 （ｂ）石英等の粒子を使用しないため、処理後の洗浄の
プロセスを省略することができる。 （ｃ）本実験によれば、ロールの摩耗は非常に少なく１
０万回使用後もその効果に変化は見られなかった。
【００１０】
【実施例】図１に実施例を示す。ウエハ１をウエハ移動
用定盤３上に載せ、矢印４で示す定盤移動方向に移動す
る。表面７に、粒径平均７μｍのダイヤモンド粒子を付
着して凹凸を付与したロール２をロール回転方向矢印５
に示すように回転させ、ギャップ調整方向矢印６に示す
ようにロールギャップ調整を行いながら処理を施す。ロ
ール２の剛性を十分大きくしておけば、被圧延材（この
場合はウエハ１）の幅の変化は無視することができる。
このようにして、ウエハ１の物理的なゲッタリングを安
価の効率よく実施することができる。
用定盤３上に載せ、矢印４で示す定盤移動方向に移動す
る。表面７に、粒径平均７μｍのダイヤモンド粒子を付
着して凹凸を付与したロール２をロール回転方向矢印５
に示すように回転させ、ギャップ調整方向矢印６に示す
ようにロールギャップ調整を行いながら処理を施す。ロ
ール２の剛性を十分大きくしておけば、被圧延材（この
場合はウエハ１）の幅の変化は無視することができる。
このようにして、ウエハ１の物理的なゲッタリングを安
価の効率よく実施することができる。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、 （１）従来よりゲッタリングの制御範囲が大きくなる。 （２）ランニングコストが安い。 （３）ゲッタリングの前後でのウエハの洗浄等の処理が
不要である。等の効果がある。
不要である。等の効果がある。
【図１】実施例の装置の側面図である。
【図２】ロールギャップと積層欠陥数との関係を示すグ
ラフである。
ラフである。
１ ウエハ ２ ロール ３ ウエハ移動用定盤 ４，５，６ 定
盤移動方向矢印 ７ ロール表面
盤移動方向矢印 ７ ロール表面
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に凹凸を有するロールをウエハ上を
転動させロールギャップを調節しながらウエハ表面に損
傷を与えることを特徴とするウエハのゲッタリング方
法。 - 【請求項２】 前記ロールは、表面にダイヤモンド粒子
を接着したロールである請求項１記載のウエハのゲッタ
リング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10678993A JPH06318599A (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | ウエハのゲッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10678993A JPH06318599A (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | ウエハのゲッタリング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318599A true JPH06318599A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=14442670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10678993A Withdrawn JPH06318599A (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | ウエハのゲッタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06318599A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115914A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-05-02 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体ウエハの裏面に積層欠陥誘発傷をつける方法 |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP10678993A patent/JPH06318599A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09115914A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-05-02 | Wacker Siltronic G Fuer Halbleitermaterialien Ag | 半導体ウエハの裏面に積層欠陥誘発傷をつける方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000801 |