JP2884778B2 - マスキング装置 - Google Patents
マスキング装置Info
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- JP2884778B2 JP2884778B2 JP2413145A JP41314590A JP2884778B2 JP 2884778 B2 JP2884778 B2 JP 2884778B2 JP 2413145 A JP2413145 A JP 2413145A JP 41314590 A JP41314590 A JP 41314590A JP 2884778 B2 JP2884778 B2 JP 2884778B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハをエッチン
グ処理する場合に使用するマスキング装置に関する。
グ処理する場合に使用するマスキング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】強度に優れ、ＩＣ回路の形成も容易なＳ
ｉ基板の一部をエッチングにより薄くしてダイヤフラム
となして、小型圧力センサを制作することが行われてお
り、その一例を図７に示す。図はＳｉ半導体ウエハ１の
ダイヤフラム形成面（エッチング処理面）１ｂを示し、
ダイシングにより切り出される矩形の各チップＣ（図の
右部）は内周部がエッチングされて薄肉のダイヤフラム
Ｃ１となっている。
ｉ基板の一部をエッチングにより薄くしてダイヤフラム
となして、小型圧力センサを制作することが行われてお
り、その一例を図７に示す。図はＳｉ半導体ウエハ１の
ダイヤフラム形成面（エッチング処理面）１ｂを示し、
ダイシングにより切り出される矩形の各チップＣ（図の
右部）は内周部がエッチングされて薄肉のダイヤフラム
Ｃ１となっている。
【０００３】ところで、かかるエッチング処理において
は従来、図８に示す如くエッチング処理面１ｂと反対側
の非エッチング処理面（回路面）１ａにワックス７１を
塗布し、熱板７３上でベ−ク板７２を貼り付けてエッチ
ング液より隔離しマスキングを行っている。すなわち、
ベ−ク板７２を貼り付けたウエハ１を図９に示す如く、
エッチング液Ｌで満たした処理槽８内に設けた治具８１
にセットしてエッチング処理を行うことにより、回路面
１ａへのエッチング液Ｌの侵入を防止している。処理終
了後はウエハ１をベ−ク板７２より剥し、有機溶剤等で
洗浄する。
は従来、図８に示す如くエッチング処理面１ｂと反対側
の非エッチング処理面（回路面）１ａにワックス７１を
塗布し、熱板７３上でベ−ク板７２を貼り付けてエッチ
ング液より隔離しマスキングを行っている。すなわち、
ベ−ク板７２を貼り付けたウエハ１を図９に示す如く、
エッチング液Ｌで満たした処理槽８内に設けた治具８１
にセットしてエッチング処理を行うことにより、回路面
１ａへのエッチング液Ｌの侵入を防止している。処理終
了後はウエハ１をベ−ク板７２より剥し、有機溶剤等で
洗浄する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のマスキング工程では、ワックスの塗布、ウェハの貼
り付けおよび剥し、ワックスの洗浄等の煩雑な工程を手
作業で行う必要があってこれがエッチング工程全体の合
理化のネックとなっていた。
来のマスキング工程では、ワックスの塗布、ウェハの貼
り付けおよび剥し、ワックスの洗浄等の煩雑な工程を手
作業で行う必要があってこれがエッチング工程全体の合
理化のネックとなっていた。
【０００５】本発明はかかる課題を解決するもので、マ
スキング工程を大幅に省力化できるマスキング装置を提
供することを目的とする。
スキング工程を大幅に省力化できるマスキング装置を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の構成を説明する
と、半導体ウェハ１の非エッチング処理面１ａに重ねて
設けられるバックアップ板２と、重ねられた上記バック
アップ板２と上記半導体ウェハ１の外周縁を覆うシール
部材３１，３２，３３を有してこれらの両面にそれぞれ
当接する上側リング体４および下側リング体５と、これ
ら上側リング体４および下側リング体５を上側リング体
４の上面と下側リング体５の下面より挟み上側リング体
４および下側リング体５を緊結して上記シール部材３
１，３２，３３を上記外周縁に液密的に圧接せしめる緊
結手段６とを具備し、上記バックアップ板２をシール部
材３１，３２，３３よりも高剛性としている。
と、半導体ウェハ１の非エッチング処理面１ａに重ねて
設けられるバックアップ板２と、重ねられた上記バック
アップ板２と上記半導体ウェハ１の外周縁を覆うシール
部材３１，３２，３３を有してこれらの両面にそれぞれ
当接する上側リング体４および下側リング体５と、これ
ら上側リング体４および下側リング体５を上側リング体
４の上面と下側リング体５の下面より挟み上側リング体
４および下側リング体５を緊結して上記シール部材３
１，３２，３３を上記外周縁に液密的に圧接せしめる緊
結手段６とを具備し、上記バックアップ板２をシール部
材３１，３２，３３よりも高剛性としている。
【０００７】かかる構成において、互いに重ねた半導体
ウェハ１とバックアップ板２の両面に上側および下側リ
ング体４，５を当接せしめると、ジール部材３１，３
２，３３が半導体ウェハ１とバックアップ板２の外周縁
に当接する。この状態で緊結手段６により上側および下
側リング体４，５を緊結すると、シール部材３１，３
２，３３が上記外周縁に液密的に圧接する。しかして、
半導体ウェハ１の非エッチング処理面１ａはこれに接す
るバックアップ板２とシール部材３１，３２，３３によ
りエッチング液との接触が素子され、マスキングされ
る。この時、シール部材３１，３２，３３よりも高剛性
で変形しにくいバックアップ板２が半導体ウェハ１を受
けて脆性の半導体ウェハ１を補強し、半導体ウェハ１に
当接するシール部材３１位置において剪断応力が生じて
も半導体ウェハ１が割れることはない。また上側および
下側リング体４，５は緊結手段６が上下より挟むことで
緊結するから、シール部材３１，３２がその形状にかか
わらず、変形することなく半導体ウェハ１とバックアッ
プ板２の外周縁に圧接する。
ウェハ１とバックアップ板２の両面に上側および下側リ
ング体４，５を当接せしめると、ジール部材３１，３
２，３３が半導体ウェハ１とバックアップ板２の外周縁
に当接する。この状態で緊結手段６により上側および下
側リング体４，５を緊結すると、シール部材３１，３
２，３３が上記外周縁に液密的に圧接する。しかして、
半導体ウェハ１の非エッチング処理面１ａはこれに接す
るバックアップ板２とシール部材３１，３２，３３によ
りエッチング液との接触が素子され、マスキングされ
る。この時、シール部材３１，３２，３３よりも高剛性
で変形しにくいバックアップ板２が半導体ウェハ１を受
けて脆性の半導体ウェハ１を補強し、半導体ウェハ１に
当接するシール部材３１位置において剪断応力が生じて
も半導体ウェハ１が割れることはない。また上側および
下側リング体４，５は緊結手段６が上下より挟むことで
緊結するから、シール部材３１，３２がその形状にかか
わらず、変形することなく半導体ウェハ１とバックアッ
プ板２の外周縁に圧接する。
【０００８】
【実施例】図１および図２において、マスキング装置は
上下に重ねて設けられる金属製同径の円形リング体４，
５を有し、上側リング体４には重ね面の内周部全周に形
成した溝内にゴム製シ−ル部材３１が配設してある。下
側リング体５には重ね面の内周部と外周部の全周に形成
した溝内にそれぞれゴム製シ−ル部材３２，３３が配設
されるとともに、下面には左右位置に直線状の係止溝５
１が形成されている（一方のみ図示）。これら上側およ
び下側リング体４，５の内径は半導体ウエハ１の外径よ
りもやや小さくしてある。
上下に重ねて設けられる金属製同径の円形リング体４，
５を有し、上側リング体４には重ね面の内周部全周に形
成した溝内にゴム製シ−ル部材３１が配設してある。下
側リング体５には重ね面の内周部と外周部の全周に形成
した溝内にそれぞれゴム製シ−ル部材３２，３３が配設
されるとともに、下面には左右位置に直線状の係止溝５
１が形成されている（一方のみ図示）。これら上側およ
び下側リング体４，５の内径は半導体ウエハ１の外径よ
りもやや小さくしてある。
【０００９】半導体ウェハ１はダイヤフラム形成面１ｂ
を上方へ向け、下面の回路面１ａには同径の、ゴム製シ
ール部材３１，３２，３３よりも高剛性の合成樹脂製バ
ックアップ板２を当接せしめて、上記リング体４，５間
に挟持されている。この状態で半導体ウェハ１の外周縁
上下面には上記シール部材３１，３２が弾接し、またシ
ール部材３３は上側リング体４の重ね面に当接し、これ
により半導体ウェハ１の外周縁が実質的に覆われる。な
お半導体ウェハ１の位置決めは下側リング体５の内周縁
４箇所に設けた凸形の爪５２，５３（２箇所を図示）に
よりなされる。なお半導体ウェハ１に当接するシール部
材３１とバックアップ板２に当接するシール部材３２と
は、半導体ウェハ１の外周縁に沿って設けられ、半導体
ウェハ１のオリエンテーションフラット部分では直線と
なっている。このようにシール部材３１を半導体ウェハ
１の外周縁に沿って設けることで、ダイヤフラム形成面
１ｂに形成されるダイヤフラムがシール部材３１の内側
位置となるようにしている。
を上方へ向け、下面の回路面１ａには同径の、ゴム製シ
ール部材３１，３２，３３よりも高剛性の合成樹脂製バ
ックアップ板２を当接せしめて、上記リング体４，５間
に挟持されている。この状態で半導体ウェハ１の外周縁
上下面には上記シール部材３１，３２が弾接し、またシ
ール部材３３は上側リング体４の重ね面に当接し、これ
により半導体ウェハ１の外周縁が実質的に覆われる。な
お半導体ウェハ１の位置決めは下側リング体５の内周縁
４箇所に設けた凸形の爪５２，５３（２箇所を図示）に
よりなされる。なお半導体ウェハ１に当接するシール部
材３１とバックアップ板２に当接するシール部材３２と
は、半導体ウェハ１の外周縁に沿って設けられ、半導体
ウェハ１のオリエンテーションフラット部分では直線と
なっている。このようにシール部材３１を半導体ウェハ
１の外周縁に沿って設けることで、ダイヤフラム形成面
１ｂに形成されるダイヤフラムがシール部材３１の内側
位置となるようにしている。
【００１０】半導体ウエハ１を挟んで重ねた上側および
下側リング体４，５には左右位置にそれぞれ緊結部材６
が装着される。各緊結部材６は両側の係止ア−ム６１と
緊結レバ−６２より構成され、係止ア−ム６１は上端が
軸部材６４により緊結レバ−６２に回動自在に連結さ
れ、下端は両側を結ぶ軸部材６３が上記係止溝５１内に
嵌装されて係止されている。
下側リング体４，５には左右位置にそれぞれ緊結部材６
が装着される。各緊結部材６は両側の係止ア−ム６１と
緊結レバ−６２より構成され、係止ア−ム６１は上端が
軸部材６４により緊結レバ−６２に回動自在に連結さ
れ、下端は両側を結ぶ軸部材６３が上記係止溝５１内に
嵌装されて係止されている。
【００１１】各緊結レバ−６２は上側リング体４に沿っ
て略Ｌ字形に延び、互いの先端は結合されている。かか
る緊結レバ−６２は回動する基端間を軸部材６５で結合
してあり、該軸部材６５の両端部は大径となってこの大
径部６５１外周に回転ロ−ラ６６が嵌装されている。そ
して、この回転ロ−ラ６６は上側リング体４の周縁に形
成した湾曲凹面４ａ（図３）に当接している。ここで、
緊結レバ−６２の回転中心（軸部材の軸心）ＯA と回転
ロ−ラの回転中心ＯB （大径部の軸心）とは距離ｍだけ
離れており、緊結レバ−６２の回動に伴い回転中心ＯB
は回転中心ＯA 回りに移動する（図中の矢印）。
て略Ｌ字形に延び、互いの先端は結合されている。かか
る緊結レバ−６２は回動する基端間を軸部材６５で結合
してあり、該軸部材６５の両端部は大径となってこの大
径部６５１外周に回転ロ−ラ６６が嵌装されている。そ
して、この回転ロ−ラ６６は上側リング体４の周縁に形
成した湾曲凹面４ａ（図３）に当接している。ここで、
緊結レバ−６２の回転中心（軸部材の軸心）ＯA と回転
ロ−ラの回転中心ＯB （大径部の軸心）とは距離ｍだけ
離れており、緊結レバ−６２の回動に伴い回転中心ＯB
は回転中心ＯA 回りに移動する（図中の矢印）。
【００１２】しかして、軸部材６３を係止溝５１に係止
せしめ、緊結レバー６２をリング体４，５内方へ傾倒回
動せしめると回転ローラ６６が上記湾曲凹面４ａに当接
するとともに上述の如くその回転中心ＯＢが移動する。
この過程を図４ないし図６で説明する。図中３はシール
部材の等価的なバネを示す、ＯＣは係止アーム６１の回
転中心（軸部材の軸心）である。図より知られる如く、
緊結レバー６２の回動操作に伴い中心ＯＢは中心ＯＡ回
りに反時計回転し、中心ＯＡ，ＯＣを結ぶ線を越えて移
動する。この過程でバネ３による回転付勢方向は反転し
てトグル機構が実現され、上側リング体４が下側リング
体５に緊結せしめられてシール部材３１，３２が半導体
ウェハ１とバックアップ板２の上下面に、シール部材３
３が上側リング体４の重ね面にそれぞれ液密的に圧接せ
しめられる。緊結時に、上側リング体４、下側リング体
５は実質的に動かないから、シール部材３１，３２，３
３が変形せず高い液密性が得られる。また半導体ウェハ
１はシール部材３１位置において剪断応力が生じるが、
合成樹脂製バックアップ板２はゴム製シール部材３１，
３２，３３よりも剛性が高く変形しにくいから、バック
アップ板２がその応力を受けるので割れが防止される。
せしめ、緊結レバー６２をリング体４，５内方へ傾倒回
動せしめると回転ローラ６６が上記湾曲凹面４ａに当接
するとともに上述の如くその回転中心ＯＢが移動する。
この過程を図４ないし図６で説明する。図中３はシール
部材の等価的なバネを示す、ＯＣは係止アーム６１の回
転中心（軸部材の軸心）である。図より知られる如く、
緊結レバー６２の回動操作に伴い中心ＯＢは中心ＯＡ回
りに反時計回転し、中心ＯＡ，ＯＣを結ぶ線を越えて移
動する。この過程でバネ３による回転付勢方向は反転し
てトグル機構が実現され、上側リング体４が下側リング
体５に緊結せしめられてシール部材３１，３２が半導体
ウェハ１とバックアップ板２の上下面に、シール部材３
３が上側リング体４の重ね面にそれぞれ液密的に圧接せ
しめられる。緊結時に、上側リング体４、下側リング体
５は実質的に動かないから、シール部材３１，３２，３
３が変形せず高い液密性が得られる。また半導体ウェハ
１はシール部材３１位置において剪断応力が生じるが、
合成樹脂製バックアップ板２はゴム製シール部材３１，
３２，３３よりも剛性が高く変形しにくいから、バック
アップ板２がその応力を受けるので割れが防止される。
【００１３】かくして、リング体４，５間に挟持された
半導体ウエハ１の回路面１ａは、これに密着したバック
アップ板２とシ−ル部材３１，３２，３３によりエッチ
ング液から隔離され、マスキングされる。
半導体ウエハ１の回路面１ａは、これに密着したバック
アップ板２とシ−ル部材３１，３２，３３によりエッチ
ング液から隔離され、マスキングされる。
【００１４】バックアップ板２の材料としては上記実施
例の如き合成樹脂を使用すると回路面１ａの傷付きを防
止することができる。この場合、テフロン等の剥離性の
良い材料にすれば半導体ウエハ１とバックアップ板２の
分離が容易となる。
例の如き合成樹脂を使用すると回路面１ａの傷付きを防
止することができる。この場合、テフロン等の剥離性の
良い材料にすれば半導体ウエハ１とバックアップ板２の
分離が容易となる。
【００１５】バックアップ板２の上下面にそれぞれ半導
体ウエハ１を密接せしめて二枚のウエハを同時処理する
ことも可能であり、この場合はバックアップ板の材料と
して多孔性のものを使用すればウエハとバックアップ板
の間の空気が抜け易くなって両者の密着が容易となる。
体ウエハ１を密接せしめて二枚のウエハを同時処理する
ことも可能であり、この場合はバックアップ板の材料と
して多孔性のものを使用すればウエハとバックアップ板
の間の空気が抜け易くなって両者の密着が容易となる。
【００１６】また、緊結部材としては上記実施例の他に
ボルト等を使用することができる。
ボルト等を使用することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上の如く本発明のマスキング装置によ
れば、従来の如きワックスの塗布や洗浄等の煩雑な手作
業が不要であり、マスキング工程の大幅な省力化が可能
である。
れば、従来の如きワックスの塗布や洗浄等の煩雑な手作
業が不要であり、マスキング工程の大幅な省力化が可能
である。
【図１】マスキング装置の破断側面図で、断面部は図２
のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図２】マスキング装置の破断平面図である。
【図３】マスキング装置の要部断面図である。
【図４】緊結部材の作動を示す概念図である。
【図５】緊結部材の作動を示す概念図である。
【図６】緊結部材の作動を示す概念図である。
【図７】半導体ウエハの平面図およびチップの斜視図で
ある。
ある。
【図８】従来例を示す断面図である。
【図９】従来例におけるエッチング処理槽の断面図であ
る。
る。
１ 半導体ウエハ １ａ 回路面（非エッチング処理面） ２ バックアップ板 ３１，３２，３３ シ−ル部材 ４ 上側リング体 ５ 下側リング体 ６ 緊結手段 ６１ 係止ア−ム ６２ 緊結レバ−
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハの非エッチング処理面に重
ねて設けられるバックアップ板と、重ねられた上記バッ
クアッブ板と上記半導体ウェハの外周縁を覆うシール部
材を有してこれらの両面にそれぞれ当接する上側リング
体および下側リング体と、これら上側リング体および下
側リング体を上側リング体の上面と下側リング体の下面
より挟み上側リング体および下側リング体を緊結して上
記シール部材を上記外周縁に液密的に圧接せしめる緊結
手段とを具備し、上記バックアップ板を上記シール部材
よりも高剛性としたことを特徴とするマスキング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413145A JP2884778B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | マスキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2413145A JP2884778B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | マスキング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221828A JPH04221828A (ja) | 1992-08-12 |
| JP2884778B2 true JP2884778B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=18521838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2413145A Expired - Fee Related JP2884778B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | マスキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2884778B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6068626A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-19 | Nec Corp | 半導体スライス処理装置 |
| JPS6340325A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | Tokuyama Soda Co Ltd | 半導体ウエハの切り出し方法 |
-
1990
- 1990-12-21 JP JP2413145A patent/JP2884778B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04221828A (ja) | 1992-08-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |