JP2880832B2 - ワイヤボンディング方法 - Google Patents
ワイヤボンディング方法Info
- Publication number
- JP2880832B2 JP2880832B2 JP3207967A JP20796791A JP2880832B2 JP 2880832 B2 JP2880832 B2 JP 2880832B2 JP 3207967 A JP3207967 A JP 3207967A JP 20796791 A JP20796791 A JP 20796791A JP 2880832 B2 JP2880832 B2 JP 2880832B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- wire
- electrode
- ultrasonic vibration
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85203—Thermocompression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
導体素子上の電極又は外部導出リ−ドに接合するワイヤ
ボンディング方法に関するもので、特に銅ワイヤのボン
ディングに使用されるものである。
波を併用した熱圧着方式が主流である。以下、本方式を
用いたワイヤボンディング方法について説明する。ま
ず、キャピラリというツ−ルに通されたワイヤの先端に
放電等によってボ−ルを形成する。この後、ツ−ルを下
降させ、加熱されている半導体素子の電極上にボ−ルを
加圧し、さらにツ−ルに超音波振動を付加してワイヤと
電極との接合を行う。次に、ツ−ルの上下動によりル−
プを形成し、外部導出リ−ド上に同様の接合を行う。な
お、従来、電極又は外部導出リ−ドへの接合直前におけ
るツ−ルの速度(以下、サ−チスピ−ドという。)は、
一般に5〜30mm/秒の設定範囲で一定速度とし、か
かる範囲内においてボンディングが行われている。
ニズムを簡単にまとめると、一般にボンディングワイヤ
として金ワイヤが用いられ、その金ワイヤのボ−ルをツ
−ルによって半導体素子上のアルミ電極に一定速度かつ
一定荷重で接触することに特徴を有する。即ち、アルミ
電極への衝撃荷重(接合時における荷重をいう。)でま
ずボ−ルを変形し、その後にボ−ルをアルミ電極に一定
時間加圧し(この際に加えられる一定荷重を静荷重とい
う。)かつ超音波振動を付加することで、銅ワイヤとア
ルミ電極のアルミニウムを相互拡散させ、接合強度を得
ている。
のボンディングワイヤに主として用いられてきた金ワイ
ヤが、低コスト等の要求から安価な銅ワイヤに置き換わ
りつつある。つまり、銅ワイヤは、材料そのものが金に
比較して相当硬いため、ボ−ルを大きく変形させ接合強
度を得るためには、上記メカニズム中、衝撃荷重又は超
音波振動を大きくする必要がある。従って、図4(a)
に示すように、例えば衝撃荷重W1 によりボ−ルを大き
く変形させる方法では、サ−チスピ−ドが上述したよう
に5〜30mm/秒の範囲内に限定されているため、静
荷重W2 を大きく設定する必要がある。ところが、静荷
重W2 を大きく設定すると、図4(b)において破線で
示すような予め設定された超音波振動の振幅が、実際に
は実線で示すような振幅に押さえられるため、十分な接
合強度を得ることができなくなる。一方、図5(a)及
び(b)に示すように、超音波振動を大きくして接合強
度を得る方法では、静荷重W2 を小さく設定する必要が
あるため、十分な接合強度を得ることができない。しか
も、十分な接合強度を得ることができる程度の大きな超
音波振動を加えると、接合性については良好な結果が得
られるが、半導体素子の電極下地にダメ−ジを与え、ク
ラック等を発生させる欠点があるため、大変に好ましく
ない。
イヤボンディング方法では、銅ワイヤに対しては、衝撃
荷重を大きくするか、又は超音波振動を大きくして接合
強度を得る必要があった。しかし、前者の方法では、予
め設定したよりも超音波振動の振幅が小さくなり、十分
な接合強度が得られないという欠点があった。また、後
者の方法では、十分な接合強度を得るためには超音波振
動を非常に大きくする必要があり、このため半導体素子
の電極下地にダメ−ジを与える欠点があった。
もので、銅ワイヤのボンディングにおいても、半導体素
子の電極下地にダメ−ジやクラック等を発生させること
なく、良好な接合強度を得ることが可能なワイヤボンデ
ィング方法を提供することを目的とする。
に、本発明のワイヤボンディング方法は、銅ワイヤを6
0mm/秒〜80mm/秒の範囲内における一定速度
で、半導体素子上の電極又は外部導出用のリ−ドへ衝突
させ、前記半導体素子上の電極と前記外部導出用のリ−
ドとを互いに結線する。
おいても、半導体素子の電極下地にダメ−ジやクラック
等を発生させることなく、銅ワイヤと半導体素子上の電
極又は外部導出用のリ−ドとが互いに良好に接合され
る。
について詳細に説明する。
グ方法が適用されるツ−ル先端部の上下動の軌跡を、
又、図1(b)は、本発明のワイヤボンディング方法に
係わるツ−ル先端部の上下動速度をそれぞれ示すもので
ある。
点(ある一定の高さ)の位置に静止している。ここで、
その先端部には、放電等によって銅からなるボ−ルが形
成される。この後、ボンディングツ−ルの先端部は、半
導体素子の電極(パッド)上に予め設定されたサ−チレ
ベルSLへ加減速しながら移動する。次に、ボンディン
グツ−ルの先端部のボ−ルをサ−チレベルSLから半導
体素子の電極上(パッドボンドレベルPL)へサ−チス
ピ−ドVs で衝突させる。この時、ボ−ルは、一定の衝
撃荷重により変形する。ボ−ルが電極に衝突した後、一
定の静荷重を一定時間TP だけ加え、かつ超音波振動を
付加することにより、接合が行われる。次に、ボンディ
ングツ−ルは、ル−ピングによる上下動の後、外部導出
用リ−ド上に予め設定されたサ−チレベルSLへ移動す
る。この後、ボンディングツ−ルの先端部のワイヤをサ
−チレベルSLから電極外部導出用リ−ド上(リ−ドボ
ンドレベルRL)へサ−チスピ−ドVs で衝突させる。
また、ワイヤがリ−ドに衝突した後、一定の静荷重を一
定時間TR だけ加え、かつ超音波振動を付加することに
より、接合が行われる。
スピ−ドVs が60〜80mm/秒となるように設定さ
れている。サ−チスピ−ドVs が60〜80mm/秒の
範囲内では、例えば図3(a)及び(b)に示すよう
に、十分に大きな衝撃荷重W1を得るために、静荷重W
2 をさほど大きく設定する必要がなくなるため、十分な
接合強度を得るための最小限の超音波振動を加えること
ができる。つまり、十分に大きな衝撃荷重W1によりボ
−ルを変形することができ、かつその後の静荷重W2 も
大きくないため超音波振動が抑えられることがなく、十
分な接合強度を得ることが可能である。
得られた。ここに、表1では、サ−チスピ−ドVs をパ
ラメ−タにとり、衝撃荷重W1 と静荷重W2 との関係を
示す。
ため、ボ−ルの変形量が大きくなる。また、その後の静
荷重も小さいため、適切な超音波振動を加えることがで
きる。これにより、素子へのダメ−ジを与えることな
く、十分な接合強度を得ることができる。図2は、本発
明の効果を示すもので、サ−チスピ−ドVS と、素子の
ダメ−ジ発生率及び接合強度との関係を表している。サ
−チスピ−ドVS が60〜80mm/秒の範囲では、素
子にダメ−ジを与えることなく、かつ十分な接合強度が
得られている。
ボンディング方法によれば、次のような効果を奏する。
体素子の電極下地にダメ−ジやクラック等を発生させる
ことなく、良好な接合強度を得ることが可能なワイヤボ
ンディング方法を提供できる。
ツ−ル先端部の上下動の軌跡、及びツ−ル先端部の上下
動速度をそれぞれ示す図。
動を示す図。
図。
図。
重。
Claims (1)
- 【請求項1】 銅ワイヤを60mm/秒〜80mm/秒
の範囲内における一定速度で、半導体素子上の電極又は
外部導出用のリ−ドへ衝突させ、前記半導体素子上の電
極と前記外部導出用のリ−ドとを互いに結線することを
特徴とするワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3207967A JP2880832B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | ワイヤボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3207967A JP2880832B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | ワイヤボンディング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0547821A JPH0547821A (ja) | 1993-02-26 |
JP2880832B2 true JP2880832B2 (ja) | 1999-04-12 |
Family
ID=16548486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3207967A Expired - Lifetime JP2880832B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | ワイヤボンディング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2880832B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP3207967A patent/JP2880832B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0547821A (ja) | 1993-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100646833B1 (ko) | 와이어 루프와, 이를 갖는 반도체 디바이스와, 와이어접착 방법과, 와이어 접착 장치 | |
JPWO2014171160A1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3329623B2 (ja) | ワイヤボンディング装置およびワイヤボンディング方法 | |
US6786392B2 (en) | Wire bonding device and wire bonding method | |
JP2880832B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH02231736A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
US5524811A (en) | Wire bonding method | |
JPH0244745A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2004047665A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JP3120267B2 (ja) | シングルポイントボンディング方法 | |
JP2003318216A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
KR100660821B1 (ko) | 와이어본딩 방법 | |
JPH04255237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH08181175A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPS61114541A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPH1116934A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JP2513785B2 (ja) | 超音波ワイヤボンディング方法 | |
JPS61189652A (ja) | 半導体装置 | |
JPH1012652A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPS63257237A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPH10199913A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH05129382A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPH06302628A (ja) | ダイボンド方法及びその装置 | |
JP3277564B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
JPH0637132A (ja) | ボンディングワイヤおよびこれを用いた半導体装置ならびにボンディング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080129 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100129 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110129 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120129 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120129 Year of fee payment: 13 |