JP2879845B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2879845B2 JP7242797A JP24279795A JP2879845B2 JP 2879845 B2 JP2879845 B2 JP 2879845B2 JP 7242797 A JP7242797 A JP 7242797A JP 24279795 A JP24279795 A JP 24279795A JP 2879845 B2 JP2879845 B2 JP 2879845B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
詳しくはCR発振回路及びリセット回路を有する半導体
装置の回路構成に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置の動作タイミングとな
るクロックの精度に高精度を要求しない場合には、安価
で簡易な発振回路として、コンデンサや抵抗を外付けす
るCR発振回路を使用することが多かった。また、電源
投入時の初期動作を確定するためのリセット信号発生回
路として、コンデンサや抵抗を外付けするリセット回路
を同時に使用することも多かった。
【0003】図4は従来の半導体装置の構成を示し、C
R発振のためのコンデンサC1及び抵抗R9と、リセッ
ト信号発生のためのコンデンサC2とを有する半導体装
置1を示している。CR発振回路は、基準電位(GN
D)及び電源電圧(VDD)間に接続されたコンデンサC
1及び抵抗R9の接続点が端子T1を介して半導体装置
1のCR発振制御回路2bに接続され、CR発振制御回
路2bの出力はバッファ回路5を介して、半導体装置1
を動作させるための内部クロック(以下CLK)信号と
なるように構成されている。CR発振制御回路2bによ
りコンデンサC1の放電制御を行う事により、CR発振
を行うように動作する。
【0004】また、リセット回路は、一端を基準電位に
接続されたコンデンサC2の他端が端子T2を介して半
導体装置1のリセット制御回路3bに接続され、リセッ
ト制御回路3bの出力はバッファ回路7を介して、半導
体装置1の動作をリセット状態とするための内部リセッ
ト(以下RST)信号となるように構成されている。電
源電圧が印加されていない時、コンデンサC2の電荷は
放電されて端子T2の電圧は基準電圧になっており、電
源投入後は図示しないリセット制御回路のプルアップ抵
抗を介して流れる電流によりコンデンサC2が充電され
て端子T2の電圧は徐々に上昇し、端子T2の電圧がリ
セット制御回路3bで設定された電圧値以上に上昇する
と、リセット制御回路3bはRST信号を高レベルにし
て、半導体装置1のリセット状態を解除するように動作
する。
【0005】尚、CR発振回路及びリセット回路の回路
構成としては、文献等に示されている種々の回路を使用
することができるので詳述しない。また、発振周波数の
精度を必要とされない場合には、抵抗R9を半導体装置
1の内部に形成し、外付けをコンデンサC2のみした発
振回路も良く使用されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】図4に示す半導体装置
1は、簡単な回路構成により実現できるが、CR発振の
ためのコンデンサC1及び抵抗R9を接続する端子T1
と、リセット信号発生のためのコンデンサC2を接続す
る端子T2とが各々必要になっている。従って、半導体
装置1の外付け部品が多くなると共に、半導体装置1の
端子数が多く必要になるので、端子数の多い多ピンのパ
ッケージを使用するか、他の機能のための端子を削除す
るかしなければならなかった。
【0007】しかし、外付け部品が多いと外付けのため
の基板面積が大きくなるという問題と共に、その部品の
費用や管理費が必要になりコストアップするという問題
や、多ピンのパッケージを使用するのでコストアップす
る場合があるという問題や、他の機能のための端子を削
除する場合には要求機能を十分満たせなくなる場合がが
有った。また、リセット信号発生のタイミングと、発振
によるクロックのタイミングが独立に発生するので、別
途同期を考えなければならないという問題もある等、多
くの問題が有った。
【0008】そこで本発明はこれらの問題を解決し、C
R発振器を構成するための端子と、リセット回路を構成
するための端子とを共通化することにより端子数を削減
し、同一ピン数のパッケージに、より多くの機能を取り
込めるようにする共に、外付け部品数を削減して部品の
費用や管理費を削減できる半導体装置を提供することを
目的とする。更には、電源電圧投入後の動作において、
リセット状態が解除されてから発振クロックが継続する
ように必ず動作するようにして、クロック信号のタイミ
ングとリセット信号のタイミングとの関係を気にしない
でも、確実な動作させることができる半導体装置を提供
することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】 上述の問題を解決する
ために、請求項1の記載に係わる半導体装置(1)は、
内部回路に接続され該内部回路を初期状態に設定するた
めのリセット信号(RST)を出力するリセット制御回
路(3)と、内部回路に接続され内部回路を所定のタイ
ミングで動作させるためのクロック信号(CLK)を出
力するCR発振制御回路(2)と、コンデンサ(C)ま
たは及び抵抗(R1)を外付けするための端子(T)と
を有する半導体装置であって、リセット制御回路とCR
発振制御回路とはそれぞれ前記端子に共通接続され、C
R発振制御回路は端子の電圧レベルが前記リセット信号
を出力しない電圧範囲で発振を継続しながらクロック信
号を出力するようにコンデンサの充放電を制御すること
を特徴とする。また、請求項2の記載に係わる半導体装
置は請求項1に記載のものにおいて、リセット制御回路
(3)は端子(T)の電圧レベルが第1の電圧(Vr
h)以上になるまでリセット信号(RST)を出力した
後は端子の電圧レベルが第1の電圧よりも低い第2の電
圧(Vrl)以下になるまでリセット信号を再び出力し
ないヒステリシス特性を有し、CR発振制御回路(2)
は端子の電圧レベルが第1の電圧よりも高い第3の電圧
(Vch)と第1の電圧よりも低く第2の電圧(Vc
l)よりも高い第4の電圧との間で発振を継続するよう
にコンデンサの充放電を制御することを特徴とする。請
求項3の記載に係わる半導体装置は、内部回路に接続さ
れ該内部回路を初期状態に設定するためのリセット信号
を出力するリセット制御回路と、内部回路に接続され内
部回路を所定のタイミングで動作させるためのクロック
信号を出力するCR発振制御回路と、コンデンサ
(C′)または及び抵抗(R1′)を外付けするための
端子とを有する半導体装置であって、リセット制御回路
とCR発振制御回路とはそれぞれ端子に共通接続され、
リセット制御回路は端子の電圧レベルが第1の電圧(V
rl′)以下になるまでリセット信号を出力した後は端
子の電圧レベルが第1の電圧よりも高い第2の電圧(V
rh′)以上になるまでリセット信号を再び出力しない
ヒステリシス特性を有し、CR発振制御回路は端子の電
圧レベルが第1の電圧よりも低い第3の電圧(Vc
l′)と第1の電圧よりも高く第2の電圧よりも低い第
4の電圧(Vch′)との間で発振を継続するようにコ
ンデンサの充放電を制御することを特徴とする。請求項
4の記載に係わる半導体装置は請求項1乃至請求項3の
記載のものにおいて、CR発振回路及びリセット回路
は、CMOS構成で形成されていることを特徴とする。
【0010】
【作用】本発明のような半導体装置の構成をとることに
より、請求項1または請求項3の記載に係わる半導体装
置は、CR発振制御回路に接続される端子と、リセット
制御回路に接続される端子とを共通端子とすることがで
きると共に、発振継続中はリセット信号が不要に出力さ
れないようになる。また、請求項2及び請求項3の記載
に係わる半導体装置は、リセット信号が解除された後に
発振を継続するようになり、設計時等にリセット信号と
クロック信号のタイミングを気にしなくても済むように
なる。
【0011】
【実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1、図2
及び図3を参照しながら詳細に説明する。尚、本明細書
では全図面を通して同一または同様の回路要素には同一
の符号を付して重複する説明を省略している。図1はC
MOS構成による本発明の半導体装置の構成例を示す。
CR発振及びリセット信号発生のための一端が基準電位
(GND)に接続されたコンデンサCの他端が、端子T
及び配線L1を介して半導体装置1内部のCR発振制御
回路2のコンパレータ4の非反転入力に接続されると共
に、リセット制御回路3のコンパレータ6の非反転入力
と、コンデンサCを充放電するための抵抗R1、R2及
びトランジスタQ1からなる充放電回路に接続されてい
る。コンパレータ4の出力はバッファ5を介して半導体
装置1の内部クロック(以下CLK)信号となると共
に、トランジスタQ1及びQ2のゲート入力となり、発
振波形の放電制御を行う。コンパレータ4の反転入力に
は、抵抗R3、R4、R5及びトランジスタQ2からな
る発振波形のヒステリシス電圧(高レベルの電圧をVc
h、低レベルの電圧をVclとする)を発生するための
ヒステリシス回路に配線L2により接続されている。
【0012】また、コンパレータ6の出力はバッファ7
を介して半導体装置1の内部回路を初期設定するための
リセット(以下RST)信号となると共に、トランジス
タQ3のゲート入力となっている。コンパレータ6の反
転入力は、抵抗R6、R7、R8及びトランジスタQ3
からなるリセット制御回路3のヒステリシス電圧(高レ
ベルの電圧をVrh、低レベルの電圧をVrlとする)
を発生するためのヒステリシス回路が配線L3により接
続されている。尚、各ヒステリシス電圧は抵抗R3乃至
R8の組み合わせにより、Vrl<Vcl<Vrh<V
chの関係になるように設定されている。
【0013】図2は図1の実施の形態における各部の動
作波形を示す。図2に基づいて図1の回路の動作を説明
する。半導体装置に電源電圧VDDが印加される時間t1
までは、コンデンサCは放電されて基準電圧になってい
ると共に、各配線L1乃至L3の電圧及びCLK、RS
T信号の各電圧は基準電圧になっている。時間t1でV
DDが印加されると、半導体装置1の内部回路にもVDD
印加されて動作可能になると共に、コンパレータ4及び
6は反転入力の電圧が非反転入力の電圧よりも高くなる
ので、各コンパレータの出力は低レベルとなりトランジ
スタQ2及びQ3はOFF(遮断)状態となり、CR発
振制御回路2及びリセット制御回路3のヒステリシス電
圧は各々Vch及びVrhに設定される。その後、時間
経過と共に抵抗R1に流れる電流によりコンデンサCは
徐々に充電されて充電電圧が上昇していくが、各コンパ
レータの反転入力の電圧はVrh<Vchの関係なの
で、Vrhを越えた所で、まづRST信号が高レベルに
反転しリセット状態が解除されると共に、トランジスタ
Q3がON(導通)状態になり、リセット制御回路3の
ヒステリシス電圧はVrlになる。コンデンサCが引き
続き充電されて充電電圧がVchを越えると、CLK信
号が高レベルに反転してトランジスタQ1及びQ2がO
N状態になると共に、発振制御回路2のヒステリシス電
圧がVclになり、コンデンサCは抵抗R2を流れる電
流の内の抵抗R1から流れる電流を除く電流により放電
されるようになる。
【0014】コンデンサCが引き続き放電され、端子T
の電圧が低下してVclの電圧まで下がると、CLK信
号が低レベルに反転すると共に、トランジスタQ1及び
Q2が再びOFF状態になって、CR発振制御回路2の
ヒステリシス電圧はVchになるので、コンデンサCは
抵抗R1を流れる電流により再び充電されるようにな
る。この充放電動作を繰り返すことにより、連続的なC
LK信号が出力されるようになる。尚、各コンパレータ
の反転入力のヒステリシス電圧はVrl<Vclの関係
なので、発振を継続している間はRST信号が再び低レ
ベルになって、リセット状態になることはない。
【0015】上述のように、電源電圧投入後の動作は、
リセット状態が解除されてから発振クロックが継続する
ように動作するので、クロック信号のタイミングとリセ
ット信号のタイミングとの関係を気にしないでも、確実
に動作させることができる。また、CMOS構成により
回路を形成しているので、バイポーラ構成で形成する場
合に比べて消費電流を低減することが可能になってい
る。
【0016】 尚、コンデンサC及び抵抗R1の値は充
放電の時定数が電源電圧の立ち上がり時間よりも十分長
くなるような値に設定する必要があり、R3乃至R8の
抵抗は素子ばらつきを考慮すればトランジスタによるア
クティブ抵抗により形成しても構わない。また、端子T
と電源電圧との間にコンデンサC′を接続し端子Tと基
準電位との間に抵抗R1′を接続するようにして発振波
形が電源電圧から始まるようなCR発振器を用いる場合
(図示なし)には、各ヒステリシス電圧をVcl′<V
rl′<Vch′<Vrh′の関係になるように設定す
ることにより、発振波形の高レベルの電圧(Vch′)
よりも高い電圧(Vrh′)で再びリセット状態になる
ようにしても何等問題はない。更に、抵抗R1側にもト
ランジスタQ1と逆動作するスイッチ回路を設けて、消
費電流を減らすようにしても良い。
【0017】図3は本発明の他の実施の形態を示す。C
R発振及びリセット信号発生のためのコンデンサCは、
端子T及び配線L1を介して半導体装置1内部のCR発
振制御回路2aのシュミット回路4aの入力及びリセッ
ト制御回路3aのシュミット回路6aの入力に接続され
ると共に、コンデンサCを充放電するための抵抗R1、
R2及びトランジスタQ1からなる充放電回路に接続さ
れている。シュミット回路4aの出力はバッファ5を介
して半導体内部へのCLK信号となると共に、トランジ
スタQ1のゲート入力となり、発振波形の制御を行う。
また、シュミット回路6aの出力はバッファ7を介して
RST信号となっている。シュミット回路4aのヒステ
リシス電圧は入力スレッショルド電圧の異なるゲート回
路により、高レベルの電圧をVch、低レベルの電圧を
Vclとするように構成され、シュミット回路6aのヒ
ステリシス電圧は同様なゲート回路により高レベルの電
圧をVrh、低レベルの電圧をVrlとするように構成
されており、各ヒステリシス電圧はVrl<Vcl<V
rh<Vchの関係になるように設定されている。
【0018】図3の回路動作は図1の場合と類似してお
り、動作波形は図2と一部共通なので、図2の動作波形
に基づいて図3の回路動作を説明する。電源電圧VDD
印加される時間t1までは、コンデンサCの電荷は放電
されて基準電圧になっていると共に、各配線L1乃至L
3の電圧及びCLK、RST信号の各電圧は基準電圧に
なっている。
【0019】時間t1で半導体装置1にVDDが印加され
ると、内部回路にもVDDが印加されて動作可能になると
共に、端子Tの電圧レベルは基準電圧なので、各シュミ
ット回路の出力は低レベルとなりトランジスタQ1はO
FF状態となる。その後、時間経過と共に抵抗R1に流
れる電流によりコンデンサCは徐々に充電されて充電電
圧が上昇していくが、各シュミット回路の入力スレショ
ルド電圧はVrh<Vchの関係なので、Vrhを越え
た所で、まづRST信号が高レベルに反転し、リセット
状態が解除され、リセット制御回路3aの入力スレッシ
ョルド電圧はVrlになる。コンデンサCが引き続き充
電されて充電電圧がVchを越えると、CLK信号が高
レベルに反転してトランジスタQ1がON状態になると
共に、CR発振制御回路2aの入力スレッショルド電圧
がVclになり、コンデンサCは抵抗R2を流れる電流
の内の抵抗R1から流れる電流を除く電流により放電さ
れるようになる。
【0020】コンデンサCが引き続き放電され、端子T
の電圧が低下してVclの電圧まで下がると、CLK信
号が低レベルに反転すると共に、トランジスタQ1が再
びOFF状態になって、CR発振制御回路2aの入力ス
レッショルド電圧がVchになるので、コンデンサCは
抵抗R1を流れる電流により再び充電されるようにな
る。この充放電動作を繰り返すことにより、連続的なC
LK信号が出力されるようになる。尚、各シュミット回
路の入力スレッショルド電圧はVrl<Vclの関係な
ので、発振を継続している間はRST信号が再び低レベ
ルになって、リセット状態になることはない。
【0021】尚、図1及び図3の回路を組み合わせて、
発振回路及びリセット回路を形成しても構わないが、ヒ
ステリシス電圧の温度特性等を考慮すれば、同様な素子
構成によりヒステリシス電圧を発生するようにした方が
良い。また、発振周波数の精度を良くするために、抵抗
R1を外付けするようにしても良い。更に、本実施の形
態はCMOS回路により形成した場合のみついて説明し
ているが、バイポーラ回路でも同様な回路を構成するこ
とは可能である。
【0022】
【発明の効果】 以上説明のように本発明によれば、請
求項1または請求項3の記載に係わる半導体装置は、C
R発振制御回路に接続される端子と、リセット制御回路
に接続される端子とを共通端子とすることができると共
に、発振継続中はリセット信号が不要に出力されること
がないようになるので、半導体装置の端子数を削減でき
るようになり、同一ピン数のパッケージにより多くの機
能を取り込めるようになるとともに、半導体装置の取付
面積が増大するのを防止したり半導体装置の単価が上が
るのを防止したりできるようになるという効果がある。
また、外付け部品数を削減して部品の費用や管理費を削
減できるようになるという効果もある。
【0023】 また、請求項2及び請求項3の記載に係
わる半導体装置は、リセット信号が解除された後に発振
を継続するようになり、リセット信号とクロック信号の
タイミングを気にしなくても済むようになるので、設計
時等にクロック信号のタイミングとリセット信号のタイ
ミングとを合わせ込まなくても、内部回路を確実に動作
させることができるようになり、設計及び評価の期間を
短縮して経費を削減できるようになるという効果があ
る。請求項4の記載に係わる半導体装置は、CMOS構
成により形成されているので、消費電流の少ない半導体
装置を容易に使用できるようになるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す回路図、
【図2】第一の実施例の動作波形を示す説明図、
【図3】本発明による他の実施例を示す回路図、
【図4】従来の実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
4、6:コンパレータ回路 5、7:バッファ回路 Q1、Q2、Q3:MOSトランジスタ素子 L1、L2、L3:信号線 C :コンデンサ T :入力端子 CLK:内部クロック信号 RST:内部リセット信号 出願人 ローム株式会社

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部回路に接続され該内部回路を初期状
    態に設定するためのリセット信号を出力するリセット制
    御回路と、前記内部回路に接続され前記内部回路を所定
    のタイミングで動作させるためのクロック信号を出力す
    るCR発振制御回路と、コンデンサまたは及び抵抗を外
    付けするための端子とを有する半導体装置であって、 前記リセット制御回路と前記CR発振制御回路とはそれ
    ぞれ前記端子に共通接続され、 前記CR発振制御回路は前記端子の電圧レベルが前記リ
    セット信号を出力しない電圧範囲で発振を継続しながら
    前記クロック信号を出力するように前記コンデンサの充
    放電を制御することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記リセット制御回路は前記端子の電圧
    レベルが第1の電圧以上になるまでリセット信号を出力
    した後は前記端子の電圧レベルが第1の電圧よりも低い
    第2の電圧以下になるまでリセット信号を再び出力しな
    いヒステリシス特性を有し、前記CR発振制御回路は前
    記端子の電圧レベルが第1の電圧よりも高い第3の電圧
    と第1の電圧よりも低く第2の電圧よりも高い第4の電
    圧との間で発振を継続するように前記コンデンサの充放
    電を制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体
    装置。
  3. 【請求項3】 内部回路に接続され該内部回路を初期状
    態に設定するためのリセット信号を出力するリセット制
    御回路と、前記内部回路に接続され前記内部回路を所定
    のタイミングで動作させるためのクロック信号を出力す
    るCR発振制御回路と、コンデンサまたは及び抵抗を外
    付けするための端子とを有する半導体装置であって、 前記リセット制御回路と前記CR発振制御回路とはそれ
    ぞれ前記端子に共通接続され、 前記リセット制御回路は前記端子の電圧レベルが第1の
    電圧以下になるまでリセット信号を出力した後は前記端
    子の電圧レベルが第1の電圧よりも高い第2の電圧以上
    になるまでリセット信号を再び出力しないヒステリシス
    特性を有し、 前記CR発振制御回路は前記端子の電圧レベルが第1の
    電圧よりも低い第3の電圧と第1の電圧よりも高く第2
    の電圧よりも低い第4の電圧との間で発振を継続するよ
    うに前記コンデンサの充放電を制御することを特徴とす
    る半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記CR発振回路及び前記リセット回路
    は、CMOS構成で形成されていることを特徴とする請
    求項1乃至請求項3に記載の半導体装置。
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