JP2878503B2 - 標準セルとアプリケーションセルと試験セルとを含む集積回路 - Google Patents

標準セルとアプリケーションセルと試験セルとを含む集積回路

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JP2878503B2 JP3282332A JP28233291A JP2878503B2 JP 2878503 B2 JP2878503 B2 JP 2878503B2 JP 3282332 A JP3282332 A JP 3282332A JP 28233291 A JP28233291 A JP 28233291A JP 2878503 B2 JP2878503 B2 JP 2878503B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、標準セルと、アプリケ
ーションセルと、特に前記2つのセル間の通信信号を制
御するために備えられた試験セルとを含む集積回路に係
る。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現行の
電子装置、特に、ディジタル信号処理装置はしばしば、
プログラムメモリに結合されたマイクロプロセッサのご
ときプログラマブル手段と、プログラマブル手段の周辺
回路と装置の機能に合った専用論理回路とをまとめたア
プリケーション回路とを含む。通常は装置が電子カード
に設置されており、該電子カードにおいては、プログラ
マブル手段とそのメモリとが2つの標準素子から成り、
アプリケーション回路が通常は特定アプリケーション用
集積回路から成る。従って、これらの3つの素子間のリ
ンクアセンブリはカード上に露出しており、かかる装置
の開発中に種々の試験段階及び調整段階を行なうため
に、試験装置またはエミュレーション装置がリンクアセ
ンブリにアクセスし得る。
【0003】マイクロエレクトロニクスの技術的な発展
によって、従来は上記のごときカード上に形成されてい
た種々の素子を単一素子として集積化することが可能に
なった。プログラマブル手段は多くの場合、かかる素子
の製造業者によって規定された標準セルであり、アプリ
ケーション回路は素子の設計者によって規定される特殊
素子である。また任意に、所謂アプリケーションセルを
構成するために、たいていは標準サブアセンブリである
プログラムメモリがアプリケーション回路に結合され得
る。このような実施態様においては、装置のアクセスリ
ンクが素子のピンのみから成り、アクセスリンクの数が
カードの場合よりもはるかに少ない。何故なら、標準セ
ルとアプリケーションセルとの間の通信リンクの大部分
がピンに接続されないからである。素子の寸法及びコス
トを上げないためにはピンの数が顕著に多くないことが
好ましい。また、技術的にピンを増やすことができない
場合もある。その場合には、公知の方法によって素子の
試験及びエミュレーションを行なうことができない。ア
プリケーションセルの作製、プログラムメモリのソフト
ウェアの開発、該ソフトウェアの作製及び最後に装置の
アセンブリの作製から成る連続段階はもはや不可分であ
る。
【0004】コンピュータに支援されるコンセプション
ツールによって標準セルとアプリケーションセルとの相
互作用をシミュレートすることが可能である。これによ
って、これらの2つのセル間の通信リンクの動作を実質
的に検証し得る。しかしながら、かかるシミュレーショ
ンは長時間を要し、またシミュレーションツールの計算
電力を考慮にいれるとコストが高い。素子の開発及び作
製に要する時間が工業上の制約と相容れない。
【0005】また、素子キットまたはプログラマブル手
段とアプリケーションセルとを複数の製造業者から別々
の素子として入手することも可能である。試験段階で
は、装置を、2つの素子間のリンクが肉眼で見え、従っ
て電子カードで実行される処理と同様の処理を行なうブ
ロードボードの形態に作製する。この場合、完全集積素
子の価格にブロードボードの開発価格が加わる。更に、
ブロードボードの形態の装置の性能、特に実行速度は、
集積形態の同じ装置から期待できる速度に比較して顕著
に劣る。従って、この形態は集積形態の装置を再現する
ことができない。プログラマブル手段が信号プロセッサ
であるとき、速度に制約があるという問題は極めて重大
である。
【0006】更に、特にIEEE(Institute
of Electrical and Electr
onics Engineers)の規格1149.1
に記載された「Boundary scan」として知
られる完全集積素子に適用される試験及びエミュレーシ
ョン法が存在する。この技術では、標準セルとアプリケ
ーションセルとの間に試験セルを挿入する。試験セル
は、基本メモリを備えた走査ユニットを各通信リンクあ
たり1つずつ含み、これらの基本メモリは、素子のピン
に接続されたシフトレジスタを形成するように接続され
ている。従って少数のアクセスピンを付加することによ
って通信リンクで搬送された通信信号の書込み及び修正
を行なうことが可能である。この技術によれば、アプリ
ケーションセルの修正が可能である。しかしながら、素
子間が接続されるので、シフトレジスタに記憶された情
報の計算中に通信リンクが妨害されるこという欠点があ
る。
【0007】試験及びエミュレーション手続きの際は更
に、標準セルへの種々のアクセス信号の所定状態に従っ
て試験セルを制御できるようになっていなければならな
い。
【0008】米国MOTOROLA社は、信号プロセッ
サDSP 96000用に、「Onchip emul
ation」と呼ばれるエミュレーション技術を開発し
た。この技術によれば、この場合標準セルから成る信号
プロセッサが直列インタフェースで補完されており、該
インタフェースは、ブレークポイント後に実行を再開す
ることができ、且つ、かかるブレークポイントを発生さ
せるべく該セルのバスに接続されたレジスタとアドレス
比較器とのアセンブリを介して命令をロードし得る。該
信号プロセッサは、直列インタフェースを介してこれら
のバスの状態をリードバックするように構成されてい
る。この解決方法は、アプリケーションセルを同時に含
む回路の場合を考慮したものでなく、標準セルがオープ
ンプロセッサである場合、即ち、命令バスがアクセス可
能であるかまたはプログラムメモリがRAM型の書き替
え可能メモリがあるときだけを考慮したものである。
【0009】欧州特許出願EP−0,358,376
は、シフトレジスタを含み、該シフトレジスタに記憶さ
れた情報が通信リンクを妨害なしに循環し得る試験セル
を教示している。この試験セルはまた、標準セルへのア
クセス信号の状態に従って制御され得る。
【0010】しかしながら、製造業者が集積回路を作製
したとき、しばしばROM型の読取り専用メモリから成
るプログラムメモリに誤りが残存することがある。この
誤りはメモリ内で訂正できない。この欠点を是正するた
めに、いくつかの製造業者は、例えばEPROMまたは
EEPROM型の書き替え可能な補助メモリを回路に付
加することを提案している。この補助メモリは、回路の
性能、特に処理速度を制約し、また回路の残部で使用さ
れる技術と必ずしも適合しない特殊技術を使用する。
【0011】従って本発明の目的は、標準セルとアプリ
ケーションセルと試験セルとを含み、回路の製造と適合
する技術を用いて性能を低下させることなくプログラム
メモリの誤りを訂正することが可能な集積回路を製造す
ることである。
【0012】さらに、本発明の目的は、標準セルとアプ
リケーションセルとを含む集積回路に付加することがで
き回路がカード上に集成された個別素子の形態を有する
場合と同じ条件で試験及びエミュレーションを行なうこ
とが可能な手段を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の集積回路は、標
準セルと、アプリケーションセルと、特に前記標準セル
と前記アプリケーションとの間で伝送される通信信号の
値を集積回路の外部から書込みまたは修正するために備
えられた試験セルとを含んでおり、前記標準セルが、命
令アドレスバスによって搬送された命令アドレスに応答
して、前記アプリケーションセルに内蔵されたプログラ
ムメモリから命令バスに供給された命令を実行し、これ
らのバスの導体が、通信リンクを構成する集積回路であ
って、前記試験セルが、少なくともいくつかの前記通信
リンクの所定状態に応答して、前記プログラムメモリの
少なくとも1つの誤り命令を前記集積回路に予め書込ま
れていた置換命令によって置換するためのバイパス手段
を含むことを特徴とする。
【0014】好ましくは、標準セルとアプリケーション
セルと試験セルとを含む集積回路において、前記試験セ
ルが、少なくともいくつかの時点で前記通信リンクに接
続される基本メモリを備えた走査ユニットを通信リンク
1つあたり1つずつ含んでおり、前記基本メモリは互い
に接続されて第1のシフトレジスタを形成し、前記試験
セルがさらに、第1制御バスの導体に夫々接続された出
力を有する少なくとも1つの第1制御レジスタを備えた
第2のシフトレジスタを含んでおり、前記集積回路が、
一方で前記制御バスに接続され他方で少なくともいくつ
かの前記通信リンクに接続されており夫々に供給された
信号が一致する場合に一致信号を発生する比較モジュー
ルを含む。
【0015】更に、標準セルとアプリケーションセルと
試験セルとを含む集積回路において、前記標準セルが動
作モード信号に応答して動作し、前記標準セルが、前記
一致信号が存在するときに前記動作モード信号の所定状
態に対する迂回信号を発生する迂回回路を含む。
【0016】標準セルとアプリケーションセルと試験セ
ルとを含む集積回路の第1の実施態様においては、前記
バイパス手段が、最終実行命令を前記プログラムメモリ
への復帰とする置換メモリと、前記標準セルの前記命令
バスに代わって接続される出力を有する迂回マルチプレ
クサとを含み、前記迂回信号によって選択された前記マ
ルチプレクサの第1入力が前記置換メモリへの接続命令
を受信し、前記迂回信号が存在しないときに選択された
前記マルチプレクサの第2入力が前記命令バスに接続さ
れる。
【0017】標準セルとアプリケーションセルと試験セ
ルとを含む集積回路の第1の変形例においては、前記置
換メモリが、復号回路を介して前記命令アドレスバスに
よってアクセスされ、書込み及び読取りが、前記命令バ
スに結合した前記第1シフトレジスタの前記走査ユニッ
トを介して行なわれる。
【0018】標準セルとアプリケーションセルと試験セ
ルとを含む集積回路の第2の変形例においては、前記置
換メモリが前記標準セルによって直接アクセスされ、書
込み及び読取りが、前記動作モード信号の新しい2つの
状態によって制御される。
【0019】標準セルとアプリケーションセルと試験セ
ルとを含む集積回路の第2の実施態様においては、各1
つの入力チャネルと出力チャネルとから構成された通信
リンクを有する前記命令バスに結合された前記走査ユニ
ットの各々が、前記入力チャネルに接続された第1入力
と、前記出力チャネルに接続された出力と、前記迂回信
号を受信する制御入力とを有する第1マルチプレクサ
と、前記入力チャネルに接続された第2入力と、基本メ
モリの入力に接続された出力とを有する第2マルチプレ
クサとを含み、前記基本メモリの出力が、前記第1マル
チプレクサの第2入力に接続され、前記第1シフトレジ
スタが、下流の走査ユニットの第2マルチプレクサの入
力の第1入力に夫々接続された一連の前記基本メモリを
含み、前記シフトレジスタを介して予めロードされた前
記基本メモリの出力信号が、前記置換命令を形成し、従
って、前記迂回信号の出現後に前記誤り命令に置換す
る。
【0020】また、標準セルとアプリケーションセルと
試験セルとを含む集積回路においては、前記走査ユニッ
トが更に、前記基本メモリの出力に接続されたデータ入
力と、トリガ信号を受信する同期入力とを有する記憶回
路を含み、前記第1マルチプレクサの第2入力が前記基
本メモリの出力でなく前記記憶回路の出力に接続されて
いる。
【0021】
【実施例】添付図面に示す非限定実施例に基づく以下の
記載より本発明の種々の目的及び特徴がより十分に理解
されよう。
【0022】種々の図で同じ素子を同じ参照符号で示
す。
【0023】本発明を十分に理解するために必要である
と考えられるので、本発明を説明する前に、集積回路で
公知の種々の素子の構造を再確認しておく。
【0024】図1に概略図で示した集積回路1は本質的
に、アプリケーションセル2と試験セル3と、特に、マ
クイロプロセッサ、信号プロセッサまたは通称マイクロ
コントローラと呼ばれるより進歩した回路などのプログ
ラマブル型の標準セル4とを含む。試験セル3は他の2
つのセル間で交換される種々の信号を制御するように該
2つのセルの間に挿入されている。これらの2つのセル
は同じクロック信号Ckを受信する。
【0025】アプリケーションセル2は、接続リンク2
1を介して集積回路1の外部に接続されている。この接
続リンクは、集積回路を装着した装置に対するアプリケ
ーションセル2の入出力アクセスアセンブリを構成す
る。アプリケーションセル2はまた、第1交換リンクL
1を介して試験セル3に接続されており、本発明の範囲
外であるリンクL1は標準セルに直接接続されるであろ
う。従ってこの第1交換リンクは、標準セルと制御が必
要なアプリケーションセルとの間の接続アセンブリを構
成する。接続アセンブリは特に、制御バス、書込みリン
ク、読取りリンク、同期リンク、割り込みリンクなどを
構成する。
【0026】標準セル4は第2の交換リンクL2を介し
て試験セル3に接続されている。本発明の範囲外である
交換リンクL2は第1交換リンクL1と同じである。
【0027】試験セル3は制御信号及び修正情報を試験
リンク31から受信し、交換リンクに搬送される通信信
号の状態を与える情報を観測リンク32に発生する。集
積回路1の正常モードでは、試験セルがこれらの交換リ
ンク間の接続を設定し、通信信号を修正なく書込むこと
が可能である。この正常モードでは、標準セル及びアプ
リケーションセルの双方は試験セルが存在しないかのよ
うに動作する。集積回路の試験モードまたはエミュレー
ションモードでは、試験セルが、試験リンク31から受
信したデータを交換リンクL1,L2のいずれか一方に
注入し得る。
【0028】次に、試験セル3を図2に基づいてより詳
細に説明する。この実施例においては、標準セル4のプ
ログラムメモリがアプリケーションセル2の一部を成
す。該メモリは命令アドレスによって識別された場所に
出現する命令を発生する。
【0029】通信信号を搬送する2つの交換リンクL
1,L2は複数の通信バスから構成されている。
【0030】走査モジュールは第1交換リンクL1を第
2交換リンクL2の対応するバスに接続する。種々の走
査モジュール及び種々の通信バスを次の表にまとめる。
【0031】 双方向バスであるデータバス3D2,3D4以外のすべ
てのバスは単方向バスである。
【0032】走査モジュールは、該モジュールが結合さ
れたバスの各導体毎に1つの基本メモリを含む。これら
の基本メモリは、試験リンク31から置換信号39を受
信する入力と観測リンク32に接続された出力とを有す
るシフトレジスタを形成するように構成されている。走
査モジュールは更に、同じく試験リンク31によって搬
送される同期信号34を受信する。
【0033】シフトレジスタ、循環リンク3AB,3B
C,3CD,3DE,3EFを形成し得る種々の走査モ
ジュール間のリンクは3つの文字によって識別される。
1番目の文字は数字3であり、2番目の文字は上流の走
査モジュールの参照符号であり、3番目の文字は下流の
走査モジュールの参照符号である。
【0034】従って、同期信号34の各パルス毎に、シ
フトレジスタに記憶されているデータ集合が1ビットず
つ進み、新しい入力ビットが置換信号によって供給さ
れ、観測リンク32に出力ビットが発生する。
【0035】次に走査モジュールの機能を説明する。該
モジュールの構造に関しては詳細に後述する。
【0036】第1の走査モジュール3Aは、その基本メ
モリに書込まれたデータを第1交換リンクL1の命令ア
ドレスバス3A2に注入することによって命令アドレス
をオーバーライド(imposer)する。また、対応
する命令アドレスバス3A4に標準セル4から供給され
た命令アドレスを該メモリに書込む。
【0037】第2の走査モジュール3Bは、その基本メ
モリに書込まれたデータを第2交換リンクL2の命令バ
ス3B4に注入することによって命令をオーバーライド
する。また、対応する命令バス3B2にアプリケーショ
ンセル2から供給された命令を該メモリに書込む。
【0038】第3の走査モジュール3Cは、その基本メ
モリに書込まれたデータを第2交換リンクL2の制御入
力バス3C4に注入することによって制御信号をオーバ
ーライドする。また、対応する制御入力3C2にアプリ
ケーションセル2から供給された制御信号を該メモリに
書込む。制御信号は例えば、割り込み、指示、バス要求
またはリセット要求などの信号である。
【0039】双方向データバス3D2,3D4に結合さ
れた第4の走査モジュール3Dは、基本メモリを介して
これらのバスの各々にデータをオーバーライドするかま
たは書込む。
【0040】第5の走査モジュール3Eは、その基本メ
モリに書込まれたデータを第1交換リンクL1の制御出
力バス3E2に注入することによって制御信号をオーバ
ーライドする。また、対応する制御出力バス3E4に標
準セルから生じた制御信号を該メモリに書込む。制御信
号は例えば、書込み、読取り、別のバスの起動などの信
号である。
【0041】第6の走査モジュール3Fは、その基本メ
モリに書込まれた情報を第1交換リンクL1のデータア
ドレスバス3F2に注入することによってデータアドレ
スをオーバーライドする。また、対応するデータアドレ
スバス3F4に標準セル4から生じたデータアドレスを
該メモリに書込む。
【0042】これらの6個の走査モジュールは、種々の
バスに存在する信号のいかなる修正も要せずにシフトレ
ジスタ内で情報が移動できるように構成されている。こ
れに関してはより詳細に後述する。
【0043】図3を参照しながら第1の走査モジュール
3Aをより詳細に説明する。第1交換リンクL1及び第
2交換リンクL2の2つの命令アドレスバス3A2,3
A4は、所属バスの参照符号に1〜8の数字から成るイ
ンデックスを添えた8つの導体3A4〜3A4及び
3A2〜3A2を含む。この走査モジュール3A
は、同じインデックスをもつ1対の導体あたり1つの走
査ユニットを有する。8つの走査ユニットは、該ユニッ
トに結合したバスの導体と同じインデックスを添えた文
字Aによって示される。各走査ユニットは同期信号34
を受信する。第1ユニットA1は置換信号39を受信
し、第2ユニット宛ての第1の転送信号A12を発生す
る。第2ユニットA2は第3ユニット宛ての第2の転送
信号A23を発生する。以後同様にして、第8ユニット
は第7の転送信号A78を受信し、第1の循環リンク3
ABによって第2の走査モジュール3Bに接続されてい
る。
【0044】第1の走査ユニットA1の特定実施例を図
4に示す。本発明は図4の実施例に限定されないことを
理解されたい。該走査ユニットは、第1マルチプレクサ
M1を含み、該マルチプレクサの入力0は第2交換リン
クL2の命令アドレスバス3A4の第1導体3A4
ある該ユニットの入力チャネルに接続され、その入力1
は記憶回路Rの出力に接続され、その制御入力は試験リ
ンク31から搬送された第1選択信号35を受信し、そ
の出力は該ユニットの出力チャネルである第1交換リン
クL1の命令アドレスバス3A2の第1導体3A2
接続されている。該ユニットはまた第2マルチプレクサ
M2を含み、該マルチプレクサの入力0は置換信号39
を受信し、その入力1は第1マルチプレクサM1の入力
0に接続され、その制御入力は第2選択信号38を受信
し、その出力は基本メモリDFFの入力に接続されてい
る。該基本メモリは例えば、Dフリップフロップなる名
称で公知のフリップフロップの形態である。この基本メ
モリは、直前の立上がりがその同期入力に印加されたと
きにそのデータ入力に印加された信号と同じ値の出力信
号を発生する。該メモリの同期入力は同期信号34を受
信し、その出力は第1転送信号A12を発生する。走査
ユニットはまた、例えば「ラッチ」という名称で公知の
素子である記憶回路Rを含む。この回路Rは、その同期
入力が低レベルに維持されている時間間隔中はその出力
にそのデータ入力を直接伝送し、その同期入力が高レベ
ルに維持されている時間間隔中は直前の立上がりがその
同期入力に印加されたときにそのデータ入力に印加され
た信号の値をその出力に伝送する。該回路Rはそのデー
タ入力に第1転送信号A12を受信し、その同期入力に
試験リンク31によって搬送されたトリガ信号37を受
信し、その出力は前述のごとく第1マルチプレクサM1
の入力1に接続されている。
【0045】トリガ信号37は基本メモリDFFの出力
を記憶回路Rの出力に再生する。
【0046】2つの選択信号35,38の値に従って以
下の動作が実行される。
【0047】−第1マルチプレクサM1及び第2マルチ
プレクサM2が夫々の入力0にポジショニングされてい
るとき、後述するごとくシフトレジスタの第1素子であ
る基本メモリDFFは同期信号34に応答してその出力
に置換信号39を伝送し、第1導体3A4と3A2
とが接続され、これらは走査ユニットの残部から絶縁さ
れている。従って、標準セル4及びアプリケーションセ
ル2の動作を修正せずにシフトレジスタを進ませること
が可能である。
【0048】−第1マルチプレクサM1及び第2マルチ
プレクサM2が夫々の入力0及び1に夫々ポジショニン
グされているとき、基本メモリDFFは同期信号34に
応答して、第2交換リンクL2の命令アドレスバス3A
4の第1導体3A4に存在する信号を書込む。第1導
体3A4と3A2とは上記の場合と同じく接続され
ており、従って、書込みが妨害されずに行なわれる。
【0049】−第1マルチプレクサM1及び第2マルチ
プレクサM2が夫々の入力1及び0に夫々ポジショニン
グされているとき、第2交換リンクの命令アドレスバス
3A2の第1導体3A2は記憶回路Rの出力に接続さ
れ、基本メモリDFFは第1の場合と同様に同期信号3
4に応答してその出力に置換信号を伝送し得る。
【0050】−第1マルチプレクサM1及び第2マルチ
プレクサM2が夫々の入力1にポジショニングされてい
るとき、第1交換リンクL1の命令アドレスバス3A2
の第1導体3A2が記憶回路Rの出力に接続され、基
本メモリDFFは第2交換リンクL2の命令アドレスバ
ス3A4の第1導体3A4に存在する信号を書込む。
【0051】2つの記憶情報を処理する必要がある最後
の場合にだけ記憶回路Rの存在が役立つことが理解され
よう。その他の場合には、1つの記憶情報しか必要でな
いから、基本メモリだけで十分である。従って本発明
は、記憶回路を省略した場合にも適用でき、その場合、
第1マルチプレクサM1の入力1が基本メモリDFFの
出力に直接接続される。
【0052】第2の走査ユニットは、いくつかのアクセ
スだけが違っている以外は第1走査ユニットと同じであ
る。
【0053】−その第1マルチプレクサの入力0及び出
力が、第2交換リンクL2及び第1交換リンクL1の命
令アドレスバス3A4,3A2の2導体3A4,3A
に夫々接続されている。
【0054】−その第2マルチプレクサの入力0が第1
転送信号A12を受信する。
【0055】−その基本メモリが第2転送信号A23を
出力信号として発生する。
【0056】当業者は、以後の走査ユニットのアクセス
を、上記のごとき第1走査ユニットから第2走査ユニッ
トへの変更に準じて容易に定義し得る。従ってn番目の
走査ユニットは1番目の走査ユニットに対して以下の違
いだけを有する。
【0057】−その第1マルチプレクサの入力0及び出
力が夫々、命令アドレスバス3A4,3A2のn番目の
導体3A4n,3A2nに接続されている。
【0058】−その第2マルチプレクサの入力0が(n
−1)番目の転送信号A(n−1)(n)を受信する。
【0059】−出力信号が第1循環リンク3ABに注入
される8番目の走査ユニット以外の走査ユニットでは、
その基本メモリがn番目の転送信号A(n)(n+1)
を出力信号として発生する。
【0060】第2の走査モジュール3Bは、第2交換リ
ンクL2及び第1交換リンクL1の命令アドレスバス3
A4,3A2を第1交換リンクL1及び第2交換リンク
L2の命令アドレスバス3B2,3B4によって夫々置
換し、置換信号39を第1循環リンク3ABに存在する
信号によって置換し、第1循環リンクを第2循環リンク
3BCによって置換する以外は第1の走査モジュール3
Aと同じである。
【0061】当業者は、双方向バスに接続される第4走
査モジュール3D以外の以後の走査モジュールを、上記
のごとき第1走査モジュールから第2走査モジュールへ
の変更に準じて容易に定義し得る。
【0062】また、第6の走査モジュール3Fは、循環
リンクに接続される代わりに観測リンク32に接続され
るという特殊性を有する。
【0063】まず、データバス3D2,3D4が単向性
であると仮定すると、第4走査モジュール3Dが残りの
全部の走査モジュールに等しい。この場合、シフトレジ
スタは、試験セル3の全部の基本メモリを1つの循環チ
ャネルに沿って直列化することによって構成される。こ
の直列化は、第2選択信号が各走査ユニットの第2マル
チプレクサをその入力0にポジショニングするときに同
一走査ユニットの内部で搬送される転送信号を用い且つ
これらの走査ユニットを接続すべき循環リンクを用いて
行なわれる。この場合、循環チャネルは2つの交換リン
クL1,L2のバスの各導体から電気絶縁される。この
シフトレジスタは同期信号34によって制御される。
【0064】次に特殊ケースである第4の走査モジュー
ル3Dについて説明する。このモジュールは、各々が1
6の導体を含み、8つの入力導体が所属バスの参照符号
に文字I及び1〜8の数字から成るインデックスを添え
た3D2I〜3D2I及び3D4I〜3D4I
で示され、8つの出力導体が所属バスの参照符号に文字
O及び1〜8の数字から成るインデックスを添えた3D
2O〜3D2O及び3D4O〜3D4Oで示さ
れている第1交換リンクL1及び第2交換リンクL2の
2つの双方向データバス3D2,3D4に接続されてい
る。走査モジュールは同じインデックスを有する4つの
導体あたり1つの走査ユニットを有する。
【0065】図5に示すインデックス1の導体に結合し
た第1の走査ユニットD1は、第1マルチプレクサM1
0を有し、該マルチプレクサの入力0は第2交換リンク
L2のデータバス3D4の第1入力導体3D4Iであ
る該ユニットの第1入力チャネルに接続されており、そ
の入力1は前記記憶回路と同様の記憶回路ROの出力に
接続されており、その制御入力は第1選択信号35を受
信し、その出力は該ユニットの第2出力チャネルである
第1交換リンクL1のデータバス3D2の第1入力導体
3D2Iに接続されている。該ユニットはまた、第2
マルチプレクサM20を含み、該マルチプレクサの入力
0及び2は第3循環リンク3CDに接続され、その入力
1は第1マルチプレクサM10の入力0に接続され、そ
の入力3は第1交換リンクL1のデータバス3D2の第
1出力導体3D2Oである該ユニットの第2入力チャ
ネルに接続され、その2つの制御入力は第2選択信号3
8及び第3選択信号36を受信し、その出力は前記と同
様の基本メモリDFFOの入力に接続されている。該ユ
ニットはまた、第3マルチプレクサM30を含み、該マ
ルチプレクサの入力0は第2マルチプレクサM20の入
力3に接続され、その入力1は記憶回路ROの出力に接
続され、その制御入力は第1選択信号35を受信し、そ
の出力は該ユニットの第1出力チャネルである第2交換
リンクL2のデータバス3D4の第1出力導体3D4O
に接続されている。
【0066】第2マルチプレクサM20の出力に接続さ
れた入力を有するこの走査セルD1の基本メモリDFF
Oは、その同期入力に同期信号34を受信し、出力に第
2走査ユニット宛ての第1転送信号D12を発生する。
【0067】第1走査セルD1の記憶回路ROは、基本
メモリDFFOの出力に接続されたデータ入力を有し、
その同期入力はトリガ信号37を受信し、その出力は第
1マルチプレクサM10及び第3マルチプレクサM30
の入力1に接続されている。
【0068】第3選択信号36は、第2マルチプレクサ
M20の入力グループ0,1を選択するかまたは入力グ
ループ2,3を選択するかに従って、入力導体に作用す
るかまたは出力導体に作用し得る。第1の場合には、そ
の他の走査モジュールの第2マルチプレクサに対する場
合と同様に第2選択信号38が入力0または1を選択
し、第2の場合には、該その他のモジュールの第2マル
チプレクサで入力0を選択したかまたは入力1を選択し
たかに従って第2選択信号38が入力2または入力3を
選択する。
【0069】第3マルチプレクサM30は、第1マルチ
プレクサM10が入力導体に対して果たすのと完全に対
称の機能を出力導体に対して果たすので、その動作に関
しては詳細に説明しない。
【0070】第4走査モジュール3Dの走査ユニット
は、その他の各走査モジュールの各走査ユニットに付加
されたエレメントを含む。これらのエレメントを以下に
説明するが、その動作は前記と同様であるから詳細に説
明しない。
【0071】記憶回路ROに関する前記の注釈がここで
も通用する。本発明の範囲内で、第1マルチプレクサM
10及び第3マルチプレクサM30の入力1を基本メモ
リDFFOの出力に直結するという条件付きでこの回路
を省略し得る。
【0072】この第4走査モジュール3Dの第2走査ユ
ニットD2は、いくつかのアクセスが違っている以外は
第1走査モジュールD1に等しい。
【0073】−その第1マルチプレクサの入力0及び出
力が夫々、第2交換リンクL2のデータバス3D4の第
2入力導体3D4I及び第1交換リンクL1のデータ
バス3D2の第2入力導体3D2Iに接続されてい
る。
【0074】−その第3マルチプレクサの入力0及び出
力が夫々、第1交換リンクL1のデータバス3D2の第
2出力導体3D2O及び第2交換リンクL2のデータ
バス3D4の第2出力導体3D4Oに接続されてい
る。
【0075】−その第2マルチプレクサの入力0及び2
が第1転送信号D12を受信する。
【0076】−その基本メモリが第2転送信号D23を
出力信号として発生する。
【0077】当業者は、以後の走査ユニットのアクセス
を、上記のごときD1からD2への変更に準じて容易に
定義し得る。従って、n番目の走査ユニットは1番目の
走査ユニットに対して以下の違いだけを有する。
【0078】−その第1マルチプレクサの入力0及び出
力は夫々、第2交換リンクL2のデータバス3D4のn
番目の入力導体3D4In及び第1交換リンクL1のデ
ータバス3D2のn番目の入力導体3D2Inに接続さ
れている。
【0079】−その第3マルチプレクサの入力0及び出
力は夫々、第1交換リンクL1のデータバス3D2のn
番目の出力導体3D2On及び第2交換リンクL2のデ
ータバス3D4のn番目の出力導体3D4Onに接続さ
れている。
【0080】−その第2マルチプレクサの入力0及び2
は(n−1)番目の転送信号D(n−1)nを受信す
る。
【0081】−その出力信号を第4循環リンク3DEに
注入する8番目の走査ユニット以外ではその基本メモリ
がn番目の転送信号D(n)(n+1)を出力信号とし
て発生する。
【0082】第1走査モジュール3Aのごとき単向走査
モジュールを第4走査モジュール4Dのごとき双方向モ
ジュールに置換しても、交換リンクL1,L2に搬送さ
れる信号を書込み及び修正するシフトレジスタは全く変
わらないことが理解されよう。
【0083】第2交換リンクの対応するバスが単向性で
あるときに、第1交換リンクL1に双方向バスを形成す
るのが有利な場合もある。この例は、命令が書き込まれ
たプログラムメモリが特にRAM型の書き替え可能なメ
モリであるときの命令バス3B2,3B4の場合であ
る。この場合には実際、試験セル3によってメモリの内
容を修正することが可能である。
【0084】この応用例に対応する走査ユニットの1つ
の例を図6に示す。図6は、第2走査モジュール3Bの
第1走査ユニットB1を示す。第2交換リンクL2の命
令バス3B4は単向性であり、第1交換リンクL1のバ
ス3B2は双方向性である。ここでも同じ参照符号を使
用している。この走査ユニットB1は第1マルチプレク
サM11を含み、該マルチプレクサの入力0は第1交換
リンクの命令バス3B2の第1出力導体3B2Oであ
る該ユニットの入力チャネルに接続され、その入力1は
前記同様の記憶回路R1の出力に接続され、その制御入
力は第1選択信号35を受信し、その出力は該ユニット
の出力チャネルである第2交換リンクの命令バス3B4
の第1導体3B4に接続されている。該走査ユニット
は更に、第2マルチプレクサM21を含み、該マルチプ
レクサの入力0は第1循環リンク3ABに接続され、そ
の入力1は第1マルチプレクサM11の入力0に接続さ
れ、その制御入力は第2選択信号38を受信し、その出
力は前記と同様の基本メモリDFF1のデータ入力に接
続されている。その基本メモリDFF1はその同期入力
に同期信号34を受信し、その出力に第1転送信号B1
2を生じる。その記憶回路R1は、そのデータ入力に該
第1転送信号B12を受信し、その同期入力にトリガ信
号37を受信し、その出力は該ユニットの補助チャネル
である第1交換リンクL1の命令バス3B2の第1入力
導体3B2Iに接続されている。
【0085】この走査ユニットB1の動作は、前述の別
の2つのユニットの動作から容易に類推できるのでここ
では詳細に説明しない。
【0086】更に、記憶回路R1に関する前記の注釈が
ここでも通用する。本発明の範囲内で、第1マルチプレ
クサM11の入力1と第1交換リンクL1の命令バス3
B2の第1入力導体3B2Iとを基本メモリDFF1
の出力に直結するという条件付きでこの回路を省略して
もよい。
【0087】試験セル3の完全な作製に必要な種々の接
続部は、その他の型の走査モジュールに関する前述の教
示に準じて当業者が容易に作製できるであろうから、こ
こでは詳細に説明しない。
【0088】従って試験セル3は、交換リンクL1,L
2に搬送される種々の信号をシフトレジスタを介して書
込み及び修正し得るように定義され、このレジスタに記
憶された情報の循環は標準セル4とアプリケーションセ
ル2との間の信号交換と共存し得る。
【0089】更に、置換信号39によって供給された情
報がシフトレジスタ内で進むに伴って該情報を観測リン
ク32で分析することによって、該情報が種々の走査モ
ジュールによって変質させられなかったことを確認し得
ることに注目されたい。
【0090】付加的特徴によれば、マイクロプロセッサ
のごときプログラマブル手段の場合には、集積回路1は
また、標準セル4の動作を修正するように構成されてい
る。この割込みは、標準セル4にストップ条件及びスト
ップアドレスを与えることを必要とする。これに関して
以下に説明する。2つの情報は、図7に示すような制御
レジスタによって発生する。
【0091】図7の試験セル3は以下の補助エレメント
を含む: −置換信号39を受信する入力と伝送リンク3GHに接
続された出力とを有するストップ条件レジスタ3G、 −同じ伝送リンク3GHに接続された入力と監視リンク
30に接続された出力とを有するストップアドレスレジ
スタ3H、 −試験リンク31で搬送された切換信号33が第1状態
もしくは第2状態のいずれであるかに従って、同期信号
34を種々の走査モジュール3A〜3Fにアドレスする
かまたは2つのシフトレジスタ3G,3Hにアドレスす
るクロック切換器33、 −切換信号33が第1状態であるかまたは第2状態であ
るかに従って観測リンク32に接続された入力の値をと
るかまたは監視リンク30に接続された入力の値をとる
許可信号302を発生する出力マルチブレクサ。
【0092】この場合、許可信号302が観測リンク3
2に代わって集積回路1の外部にアクセスすることは明
らかである。従って、切換信号33が第1状態であると
きは試験セルが前記同様のセルに帰着し、第2状態であ
るときは試験セルは2つのレジスタ3G,3Hのアセン
ブリに要約される。
【0093】2つのレジスタ3G,3Hの特に簡単な実
施例を図8に示す。ストップ条件レジスタ3Gは、前記
の型の8つの基本メモリME1〜ME8のアセンブリの
形態を有する。これらの各メモリの出力は、標準セル4
に接続されたストップ条件バス3G4の導体に接続され
ている。第1基本メモリME1のデータ入力は置換信号
39を受信し、その他の各基本メモリのデータ入力は上
流の基本メモリの出力に接続されている。これらの基本
メモリの同期入力はいずれも同期信号34を受信する。
【0094】ストップアドレスレジスタ3Hはストップ
条件レジスタ3Gと同様の構造を有する。該レジスタ3
Hの基本メモリME9〜ME16の出力の各々は、標準
セル4に接続されたストップアドレスバス3H4の導体
に接続されている。第1基本メモリME9の入力は伝送
リンク3GHによってストップ条件レジスタ3Gの8番
目の基本メモリME8の出力に接続されている。ストッ
プアドレスレジスタ3Hの8番目の基本メモリME16
の出力は監視リンク30に接続されている。レジスタ3
Hの各基本リンクの同期入力もまた同期信号34を受信
する。
【0095】ストップ条件バス3G4及びストップアド
レスバス3H4は制御バスである。
【0096】これらの2つのレジスタの基本メモリの連
続が、走査モジュールから形成されたシフトレジスタと
同様の型の第2のシフトレジスタを形成する。該第2シ
フトレジスタは、切換信号33の状態に従って第1のシ
フトレジスタに交替し、同じコマンドによって同様に動
作する。この第2シフトレジスタは図9に示す標準セル
4に情報を伝達し得る。更に、置換信号39によって供
給された情報が第2シフトレジスタ内で進むに伴って該
情報を監視リンク30で分析することによって、該情報
がこれらのレジスタによって変質されなかったことを確
認し得る。
【0097】この標準セル4は、動作モジュール4A
と、シーケンサと命令デコーダとを備えた命令モジュー
ル4Bとから構成されている。この構造は、「Harv
ard」型構造として公知である。
【0098】命令モジュール4Bは、該モジュールが命
令バス3A4に発生したアドレスに書込まれたプログラ
ムメモリの命令を命令バス3B4から受信する。該命令
モジュールは更に、制御入力バス3C4に接続されてい
る。シーケンサは、クロック信号Ckと同期的に動作す
る。データアドレスバス3F4及びデータ制御バス3E
4を用いて該シーケンサは、データバス3D4によっ
て、アプリケーションセル2のデータメモリと動作モジ
ュール4Aとの間でデータを交換し得る。命令デコーダ
は各サイクル毎に動作モジュールの制御信号4BAを処
理し、シーケンサ宛ての状態信号4ABを発生する。
【0099】本発明に従って修正を加えた標準セル4を
図10に示す。このセルの動作モジュール4Aは、この
種の装置で公知のモジュールに等しく、これも本発明の
利点である。
【0100】同じく公知の命令モジュール4Bは、命令
アドレスバス3A4、命令バス3B4、制御入力バス3
C4、制御出力バス3E4、データアドレスバス3F4
にアクセスし、その動作を中断させ得る割込みアクセス
を備える。本発明の範囲内でこのモジュールは更に、シ
ーケンサの状態を教える状態信号4BD、及び、実行中
の命令の前進状態を意味する前進状態信号を送出するよ
うに構成され得る。この情報は、命令がシーケンサの複
数サイクルにわたる場合に特に有用である。例えば、デ
ータがデータバスに複数段階で搬送されるデータ転送の
場合がこれに対応する。命令モジュール4Bはまた、そ
の動作を決定する動作モード信号4CBFを受信するよ
うに構成されている。この動作はシーケンサの仕様に容
易に組み込まれるので、当業者には何ら難しくない。従
って、このモジュールの動作に関しては、標準セル4に
組み込まれたその他の素子を説明するときに動作モード
信号4CBFを参照しながら分析する。
【0101】この標準セル4は、集積回路1の外部で例
えば4つのリードに発生した動作型信号42を受信し、
命令モジュール4Bに適合するフォーマットの動作モー
ド信号4CBFを発生するために該信号42を変換する
復号モジュール4Cを含む。この復号モジュールは簡単
なインタフェースである。
【0102】標準セル4はまた、いくつかの動作モード
信号4CBFの状態に対して、命令モジュール4Bから
の信号とストップ条件レジスタ3G及びストップアドレ
スレジスタ3Hからの信号とを比較し、等しい場合に一
致信号41を発生する比較モジュール4Fを含む。この
一致信号41は命令モジュール4Bの割込みアクセスに
注入される。非限定的な実施例では、この比較モジュー
ルが、状態信号4BDを受信し該信号をストップ条件バ
スの状態に比較する第1比較器4Dと、命令アドレスバ
ス3A4及びストップアドレスバス3H4に存在する信
号を比較する第2比較器4Eとを含む。
【0103】動作モード信号4CBFは種々の状態を有
し得る。以下の状態が標準セル4の特定動作を生じさせ
る: 第1状態:正常動作。標準セルは公知型セルに帰着し、
その動作は修正されない。
【0104】第2状態:ストップ条件バス3G4及びス
トップアドレスバス3H4に存在するデータが比較モジ
ュール4Fに転送される。
【0105】第3状態:2つの比較器4D,4Eが一致
を検出し一致信号41が発生する。
【0106】第4状態:同じ条件で一致信号が発生し、
且つ命令モジュール4Bの動作に割込みが生じる。
【0107】第5状態:この状態の出現以後は命令が与
えられると命令モジュール4Bの動作に割込みが生じ
る。
【0108】第6状態:ステップ的に動作が行なわれ、
各命令の実行後に命令モジュール4Bの動作に割込みが
生じる。
【0109】第7状態:命令バス3B4に存在する命令
が実行され、命令モジュール4Bの動作に割込みが生じ
る。
【0110】第8状態:別の状態によって生じた割込み
の後で命令モジュール4Bの動作が回復する。
【0111】任意選択の特徴によれば、比較モジュール
4Fは、動作モード信号が第4状態から第7状態までの
1つの状態に維持されているときにトリガ信号37が存
在するならば一致信号41を発生しない。この結果、命
令モジュール4Bへの割込みが阻止される。
【0112】標準セルが上記のごとく変形されると、前
進状態信号43及び一致信号41によって、命令モジュ
ール4Bがアクセスする信号の状態に従って、試験及び
エミュレーション装置が試験セル3に作用し得る。この
試験及びエミュレーション装置は特に、3つの選択信号
35,36,38及びトリガ信号37のごとき試験リン
ク31によって搬送される種々の信号を一致信号41に
応答して発生し得る。一致信号は命令の実行の開始の際
に発生するので、試験及びエミュレーション装置は、こ
の命令中またはこの命令の終わりに標準セル4をアプリ
ケーションセル2に接続する種々のバスに存在する信号
の書込みをトリガし、この命令の終わりに標準セルの動
作に割込みを生じさせる。
【0113】従って、プログラムメモリに書込まれたプ
ログラムが異常な動作を有し予定のブレークポイントに
到達しないとき、その第5状態の動作モード信号4CB
Fを発生することによって該プログラムの実行を中断さ
せることが可能である。種々のバスの状態、特に命令ア
ドレスバス3A4の状態がアクセス可能であり、これは
素子のリセット処理を行なう公知の方法では不可能であ
る。
【0114】また、一致信号41に応答して、命令モジ
ュール4Bの動作を修正することなく標準セル4とアプ
リケーションセル2との間のすべてのリンクバスの状態
を試験セル3に書込みむことも可能である。
【0115】本発明は勿論、比較モジュールが対応する
ように構成されるので、制御レジスタ及び制御バスの個
数にかかわりなく使用できる。
【0116】標準セル4のプログラムメモリは普通は、
例えばROM型の書き替え不能なメモリである。従って
この場合にはプログラムの誤りを訂正することができな
い。集積回路の変形例では、例えば不測の誤りを訂正す
るためにRAM型の書き替え可能な置換メモリを前記メ
モリに付加する。プログラムメモリの一連の命令を置換
メモリの一連の命令に置換し得る置換手段を図11に示
す。
【0117】該置換手段は、一致信号41が存在すると
きに動作モード信号4CBFの第9の状態で迂回信号4
HGを発生する迂回回路4Hを含む。該置換手段はま
た、迂回信号4HGが存在するときに命令バス3B4の
代わりに命令モジュール4Bに接続された補助命令バス
4GBに分岐命令4GIを発生し、存在しないときに命
令バス3B4を補助命令バス4GBに直結するする迂回
マルチプレクサ4Gを含む。本発明を限定すると考えて
はならないこの実施例において、分岐命令4GIは布線
回路からくる絶対分岐命令である。
【0118】図11に示さない置換メモリは、第1の構
成では、命令アドレスのフォーマットに従って命令アド
レスをプログラムメモリまたは置換メモリに切換える命
令アドレスバス3A4によってアクセスされ得る。これ
らの技術的手段は当業者の知識の範囲であるからここで
は詳細に説明しない。読取り及び書込みは、試験セル3
の第2走査モジュール3Bを用いて行なわれる。第2の
構成では、この置換メモリは、動作モード信号4Bの第
10状態及び第11状態の夫々で、読取り及び書込みの
命令モジュール4Bによって直接アクセスされ得る。す
べての場合に、このメモリの実行可能な最終命令はプロ
グラムメモリへの復帰である。
【0119】上記と同様の手段及び当業者の知識を使用
することによって、プログラムメモリの複数の誤りを是
正し得る迂回装置を本発明の範囲内で作製し得ることが
明らかであろう。
【0120】プログラムメモリに存在する誤りが1つの
命令に限定されているとき、図12に示すように、より
簡単な方法でこの誤りを訂正することが可能である。
【0121】この場合、第2走査モジュール3Bが以下
のような補助モジュール3Baに修正されている。該モ
ジュールの各走査ユニットB1〜B8の第1マルチプレ
クサは第1選択信号35によって制御されるのでなく、
該第1選択信号と例えばOR論理演算子によって得られ
る迂回信号との和である信号によって制御される。更
に、迂回マルチプレクサ4Gを省略し、命令バス3B4
と補助命令バス4GBとを直結してもよい。
【0122】また、誤った命令を、この補助走査モジュ
ール3Baの基本メモリの出力に存在する情報によって
置換することも可能である。
【0123】8つの導体を有する5つの単向バスと、標
準セル4とアプリケーションセル2とを接続する16の
導体を有する1つの双方向バスとを含む集積回路に関し
て本発明を説明した。本発明はこのような特定ケースに
限定されることなく、これらの2つのセルの間の通信リ
ンクとして基本リンク、即ち1つの単向バスの1つの導
体または双方向バスの一対の導体を規定すれば、これら
の通信リンクの数または通信リンクの構成には全く制約
はない。
【0124】本発明は勿論、複数の標準セル及び/また
は複数のアプリケーションセルを含む集積回路にも使用
できる。アプリケーションセルなる用語は極めて広範な
意味に理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の集積回路の概略ブロック図である。
【図2】試験セルをより詳細に示した図1の回路の概略
図である。
【図3】この試験セルの走査モジュールの概略図であ
る。
【図4】走査モジュールの走査ユニットの第1の実施例
である。
【図5】走査モジュールの走査ユニットの第2の実施例
である。
【図6】走査モジュールの走査ユニットの第3の実施例
である。
【図7】付加的特徴を有する試験セルを備えた本発明の
集積回路の概略図である。
【図8】図7の試験セルのレジスタの概略図である。
【図9】公知の標準セルの概略図である。
【図10】本発明に従って修正した標準セルの概略図で
ある。
【図11】本発明の標準セルの変形例の概略図である。
【図12】本発明の集積回路の詳細図である。
【符号の説明】
1 集積回路 2 アプリケーションセル 3 試験セル 4 標準セル 21 接続リンク 30 監視リンク 31 試験リンク 32 観測リンク
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−113678(JP,A) 特開 平1−243133(JP,A) 特開 昭63−293646(JP,A) 特開 平2−211530(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G06F 11/22 - 11/26 G01R 31/28 - 31/30

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 標準セルと、アプリケーションセルと、
    特に前記標準セルと前記アプリケーションとの間で伝送
    される通信信号の値を集積回路の外部から書込みまたは
    修正するために備えられた試験セルとを含んでおり、前
    記標準セルが、命令アドレスバスによって搬送された命
    令アドレスに応答して、前記アプリケーションセルに内
    蔵されたプログラムメモリから命令バスに供給された命
    令を実行し、これらのバスの導体が、通信リンクを構成
    する集積回路であって、前記試験セルが、少なくともい
    くつかの前記通信リンクの所定状態に応答して、前記プ
    ログラムメモリの少なくとも1つの誤り命令を前記集積
    回路に予め書込まれていた置換命令によって置換するた
    めのバイパス手段を含むことを特徴とする標準セルとア
    プリケーションセルと試験セルとを含む集積回路。
  2. 【請求項2】 前記試験セルが、少なくともいくつかの
    時点で前記通信リンクに接続される基本メモリを備えた
    走査ユニットを通信リンク1つあたり1つずつ含んでお
    り、前記基本メモリは互いに接続されて第1のシフトレ
    ジスタを形成し、前記試験セルがさらに、第1制御バス
    の導体に夫々接続された出力を有する少なくとも1つの
    第1制御レジスタを備えた第2のシフトレジスタを含ん
    でおり、前記集積回路が、一方で前記制御バスに接続さ
    れ他方で少なくともいくつかの前記通信リンクに接続さ
    れており夫々に供給された信号が一致する場合に一致信
    号を発生する比較モジュールを含むことを特徴とする請
    求項1に記載の標準セルとアプリケーションセルと試験
    セルとを含む集積回路。
  3. 【請求項3】 前記標準セルが動作モード信号に応答し
    て動作し、前記標準セルが、前記一致信号が存在すると
    きに前記動作モード信号の所定状態に対する迂回信号を
    発生する迂回回路を含むことを特徴とする請求項2に記
    載の標準セルとアプリケーションセルと試験セルとを含
    む集積回路。
  4. 【請求項4】 前記バイパス手段が、最終実行命令を前
    記プログラムメモリへの復帰とする置換メモリと、前記
    標準セルの前記命令バスに代わって接続される出力を有
    する迂回マルチプレクサとを含み、前記迂回信号によっ
    て選択された前記マルチプレクサの第1入力が前記置換
    メモリへの接続命令を受信し、前記迂回信号が存在しな
    いときに選択された前記マルチプレクサの第2入力が前
    記命令バスに接続されることを特徴とする請求項3に記
    載の標準セルとアプリケーションセルと試験セルとを含
    む集積回路。
  5. 【請求項5】 前記置換メモリが、復号回路を介して前
    記命令アドレスバスによってアクセスされ、書込み及び
    読取りが、前記命令バスに結合した前記第1シフトレジ
    スタの前記走査ユニットを介して行なわれることを特徴
    とする請求項4に記載の標準セルとアプリケーションセ
    ルと試験セルとを含む集積回路。
  6. 【請求項6】 前記置換メモリが前記標準セルによって
    直接アクセスされ、書込み及び読取りが、前記動作モー
    ド信号の新しい2つの状態によって制御されることを特
    徴とする請求項4に記載の標準セルとアプリケーション
    セルと試験セルとを含む集積回路。
  7. 【請求項7】 各1つの入力チャネルと出力チャネルと
    から構成された通信リンクを有する前記命令バスに結合
    された前記走査ユニットの各々が、前記入力チャネルに
    接続された第1入力と、前記出力チャネルに接続された
    出力と、前記迂回信号を受信する制御入力とを有する第
    1マルチプレクサと、前記入力チャネルに接続された第
    2入力と、基本メモリの入力に接続された出力とを有す
    る第2マルチプレクサとを含み、前記基本メモリの出力
    が、前記第1マルチプレクサの第2入力に接続され、前
    記第1シフトレジスタが、下流の走査ユニットの第2マ
    ルチプレクサの入力の第1入力に夫々接続された一連の
    前記基本メモリを含み、前記シフトレジスタを介して予
    めロードされた前記基本メモリの出力信号が、前記置換
    命令を形成し、従って、前記迂回信号の出現後に前記誤
    り命令に置換することを特徴とする請求項3に記載の標
    準セルとアプリケーションセルと試験セルとを含む集積
    回路。
  8. 【請求項8】 前記走査ユニットが更に、前記基本メモ
    リの出力に接続されたデータ入力と、トリガ信号を受信
    する同期入力とを有する記憶回路を含み、前記第1マル
    チプレクサの第2入力が前記基本メモリの出力でなく前
    記記憶回路の出力に接続されていることを特徴とする請
    求項7に記載の標準セルとアプリケーションセルと試験
    セルとを含む集積回路。
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