JP2862033B2 - 半導体装置樹脂封止用金型 - Google Patents

半導体装置樹脂封止用金型

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JP2862033B2 JP25728591A JP25728591A JP2862033B2 JP 2862033 B2 JP2862033 B2 JP 2862033B2 JP 25728591 A JP25728591 A JP 25728591A JP 25728591 A JP25728591 A JP 25728591A JP 2862033 B2 JP2862033 B2 JP 2862033B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、テープキャリアにIC
チップを搭載してなる半導体装置において、該半導体装
置をトランスファ成型法で樹脂封止するための半導体装
置樹脂封止用金型に関する。
【0002】
【従来の技術】図4は、ICチップの電極接合方式の1
つであるいわゆるTAB方式(Tape Automated Bonding
System)によって、テープキャリアにICチップを搭
載してなる半導体装置を示しており、その図の(a)は
半導体装置の平面図、(b)はそのAーA線に沿って切
断し、矢符方向に見た断面図である。
【0003】図において、2はテープキャリアであっ
て、該テープキャリア2は、半導体装置用の図示のパタ
ーンのものが繰り返し形成されてあって左右方向に長尺
のものであったのを1つの半導体装置として図示の長さ
にカットしたものの1つである。6はICチップであっ
て、複数のバンプ付き電極8を備えており、テープキャ
リア2の対応する配線パターン4(後述の導電性金属1
6)端部に接続されており、かつ、樹脂10で封止され
ている。
【0004】テープキャリア2は、フィルム状基材12
上に接着層14を介して前記配線パターンを構成するよ
うにパターン化して導電性金属16(配線パターン4に
対応)を形成するとともに、その上から絶縁レジスト1
8を施して構成されたものである。
【0005】ところで、ICチップ6を樹脂10で封止
した状態にするために、該ICチップ6をテープキャリ
ア2に搭載した状態で上金型と下金型との間に配置する
とともに、両金型を型締めしてから金型内に樹脂を注入
するために、テープキャリア2には、その樹脂注入用の
開口(図4にはあらわれない)があけられている。
【0006】このような金型の構造について図5(図4
のBーB線断面図)を参照して説明すると、該金型20
は、上金型22と下金型24とで構成されており、両金
型22,24を型締めした状態で図5のようなキャビテ
ィ26と、ゲート28とが構成される。
【0007】そして、この型締め状態で、テープキャリ
ア2を上金型22の型当たり面30,32と、下金型2
4の型当たり面34,36とでクランプし、ついで、テ
ープキャリア2の開口38、ゲート28を介してキャビ
ティ26内に樹脂を圧力をかけて注入し、これによっ
て、ICチップ6を樹脂封止する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このような構造を有す
る従来例の金型20にあっては、樹脂注入時における該
樹脂の反応固化をよくするために加温されるから、上金
型22でクランプされていないテープキャリア部分(非
クランプ部)が、図6〔(a)は図4のBーB線断面
図、(b)は図4のCーC線断面図〕のように金型20
の熱で伸びて弛み40が発生して、そのため、弛み40
部分と上金型22との間に隙間が発生し、この隙間にも
樹脂(回り込み樹脂)42が回り込んでしまい、テープ
キャリア2上にその樹脂42が付着してしまうことにな
る。このような回り込み樹脂42によってゲート28を
テープキャリア2から容易に除去することができなくな
ったり、あるいは、テープキャリア2にこの回り込み樹
脂42が不要な樹脂として残存してしまうという不具合
があった。
【0009】したがって、本発明においては、テープキ
ャリアに上述した弛みが生じても、金型とその弛み部分
との間に隙間が生じることのないようにし、該隙間への
樹脂の回り込みを阻止できるようにするか、または、隙
間が生じても該隙間への樹脂の回り込まないようにし
て、ゲートを容易に除去でき、しかも、不要な樹脂が残
存することのないようすることを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の請求項1に係る半導体装置樹脂封止
用金型においては、テープキャリアにICチップを搭載
してなる半導体装置をトランスファ成型で樹脂封止する
ものであって、キャビティ内に樹脂を注入するためのゲ
ート部を構成する該金型の一部に、テープキャリアの弛
みを押さえる突起部を設けたことを特徴としている。
【0011】本発明の請求項2に係る半導体装置樹脂封
止用金型においては、該金型を構成する上金型または下
金型の、一方には通過樹脂に熱を加えるための絞りブロ
ックを設け、他方には絞りブロックを挟んで前記突起部
を少なくとも2箇所に設けたことを特徴としている。
【0012】本発明の請求項3に係る半導体装置樹脂封
止用金型においては、テープキャリアにICチップを搭
載してなる半導体装置をトランスファ成型で樹脂封止す
るものであって、キャビティ内に樹脂を注入するための
ゲート部を構成する該金型の一部に、樹脂溜まりを設け
たことを特徴としている。
【0013】
【作用】請求項1においては、キャビティ内に樹脂を注
入するためのゲート部を構成する該金型の一部に、テー
プキャリアの弛みを押さえる突起部を設けたことから、
テープキャリアに弛みが発生しても該弛みは突起部で押
さえられることになる。請求項2においては、該金型を
構成する上金型または下金型の、一方には通過樹脂に熱
を加えるための絞りブロックを設け、他方には絞りブロ
ックを挟んで前記突起部を少なくとも2箇所に設けたこ
とから、突起部で樹脂の通過流の速度が上昇してそれに
対する熱の加わりが低下しようとしても、絞りブロック
でその低下が抑制され、樹脂が円滑に通過する一方で、
テープキャリアの弛みは突起部で押さえられることにな
る。
【0014】請求項3においては、キャビティ内に樹脂
を注入するためのゲート部を構成する該金型の一部に、
樹脂溜まりを設けたことから、テープキャリアに弛みが
発生し、その弛み部分と金型との間に隙間が発生し、そ
の隙間に樹脂が回り込もうとしても、その回り込む樹脂
が樹脂溜まりに入り込むことになる。
【0015】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。
【0016】実施例1 図1は、実施例1に係る金型の要部断面構成を示してお
り、そのうち、(a)は、図4のBーB線に沿う断面方
向から、(b)はCーC線に沿う断面方向から、それぞ
れ、テープキャリアを見た場合の該テープキャリアを配
置して金型内に樹脂注入した状態を示している。図にお
いて、従来例に係る図4と対応する部分には同一の符号
を付し、同一の符号に係る部分についての詳しい説明は
省略する。図において、キャビティ26内に樹脂を注入
するためのゲート28を構成する上金型22と下金型2
4とにおいて上金型22に、前記樹脂の弛み40形状に
沿う外周面形状に突起部44を設け、該突起部44でも
って、従来技術の説明で述べたようにして発生するテー
プキャリア2の弛み40を押さえるようにしている。
【0017】したがって、突起部44を設けたことか
ら、テープキャリア2に弛み40が発生しても該弛み4
0は突起部44で押さえられる結果、その弛み40と上
金型22との間に従来例において説明したような隙間が
生じることがなくなり、したがって、この隙間に樹脂が
回りこんでしまってゲート28の除去ができなくなると
いう不具合が解消される。
【0018】実施例2 図2は実施例2に係る金型の要部断面構成を示してお
り、そのうち、(a)は、図4のBーB線に沿う断面方
向から、(b)はCーC線に沿う断面方向から、それぞ
れ、テープキャリアを見た場合の該テープキャリアを配
置して金型内に樹脂注入した状態を示している。図にお
いて、従来例に係る図4と対応する部分には同一の符号
を付し、同一の符号に係る部分についての詳しい説明は
省略する。図において、キャビティ2内に樹脂を注入す
るためのゲート28を構成する該金型20における下金
型24に通過樹脂に熱を加えるための絞りブロック46
を設け、上金型22にはこの絞りブロック46を挟んで
2箇所に実施例1と同様の突起部44を所定間隔をあけ
て設け、これによって、突起部44で樹脂の通過速度が
上昇してその樹脂に対する金型からの熱の加わりが低下
しても、その絞りブロック46でその低下が抑制される
ことで、テープキャリア2に発生する弛み40を突起部
44で押さえるとともに、突起部44による樹脂への熱
の低下を絞りブロック46で抑制する結果、テープキャ
リア2の弛み40と上金型22との間の隙間の発生がな
くなるとともに、樹脂の通過も円滑化する。
【0019】実施例3 図3は実施例3に係る金型の要部断面構成を示してお
り、そのうち、(a)は、図4のBーB線に沿う断面方
向から、(b)はCーC線に沿う断面方向から、それぞ
れ、テープキャリアを見た場合の該テープキャリアを配
置して金型内に樹脂注入した状態を示している。図にお
いて、従来例に係る図4と対応する部分には同一の符号
を付し、同一の符号に係る部分についての詳しい説明は
省略する。図において、キャビティ2内に樹脂を注入す
るためのゲート28を構成する上金型22に凹所を設
け、この凹所を樹脂溜まり48としている。この樹脂溜
まり48は、テープキャリア2の弛み40による前記隙
間から漏れ出た樹脂50を収容するものであり、漏れ出
た樹脂50はその嵩を増大しながらその樹脂溜まり48
内で固化する。そして、この固化した樹脂50を樹脂溜
まり48のネック部52で容易に切断できるようにし、
これによって、テープキャリア2に弛み40が発生し、
その弛み40部分と金型との間に隙間が発生し、その隙
間に樹脂が回り込もうとしても、その回り込む樹脂を樹
脂溜まり48に収容させる一方、そのネック部52で不
要な樹脂を切断除去し、テープキャリア2に不要な樹脂
の残存をなくし、ゲート28を製品である半導体装置か
ら容易に除去できるようにしている。
【0020】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明の請求項1によれば、キャビティ内に樹脂を注入
するためのゲート部を構成する該金型の一部に、テープ
キャリアの弛みを押さえる突起部を設けたことから、テ
ープキャリアに弛みが発生しても該弛みは突起部で押さ
えられることになり、結果、テープキャリアの弛みと金
型との間に隙間が発生しなくなってその隙間への樹脂の
回り込みがなくなり、ゲート部を容易に除去できるよう
になるとともに、不要な樹脂がテープキャリアに残存す
ることがない。
【0021】また、本発明の請求項2においては、該金
型を構成する上金型または下金型の、一方には通過樹脂
に熱を加えるための絞りブロックを設け、他方には絞り
ブロックを挟んで前記突起部を少なくとも2箇所に設け
たことから、突起部で樹脂の通過流の速度が上昇してそ
れに対する熱の加わりが低下しようとしても、絞りブロ
ックでその低下が抑制され、樹脂が円滑に通過する一方
で、テープキャリアの弛みは突起部で押さえられること
になる結果、前記と同様にゲート部を容易に除去できる
ようになるとともに、不要な樹脂がテープキャリアに残
存することがない。
【0022】さらに、本発明の請求項3においては、キ
ャビティ内に樹脂を注入するためのゲート部を構成する
該金型の一部に、樹脂溜まりを設けたことから、テープ
キャリアに弛みが発生し、その弛み部分と金型との間に
隙間が発生し、その隙間に樹脂が回り込もうとしても、
その回り込む樹脂が樹脂溜まりに入り込むことになる結
果、弛みによる樹脂の回り込みはあるものの、その回り
込んで樹脂溜まりに入った樹脂は容易に除去できるか
ら、ゲート部を容易に除去できるようになるとともに、
不要な樹脂がテープキャリアに残存することがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1に係る金型の要部断面図であ
り、(a)は、図4のBーB線に沿う断面方向から、
(b)はCーC線に沿う断面方向から、それぞれ、テー
プキャリアを見た場合の該テープキャリアを配置して金
型内に樹脂注入した状態を示している。
【図2】本発明の実施例2に係る金型の要部断面図であ
り、(a)は、図4のBーB線に沿う断面方向から、
(b)はCーC線に沿う断面方向から、それぞれ、テー
プキャリアを見た場合の該テープキャリアを配置して金
型内に樹脂注入した状態を示している。
【図3】本発明の実施例3に係る金型の要部断面図であ
り、(a)は、図4のBーB線に沿う断面方向から、
(b)はCーC線に沿う断面方向から、それぞれ、テー
プキャリアを見た場合の該テープキャリアを配置して金
型内に樹脂注入した状態を示している。
【図4】半導体装置を示しており、(a)はその平面図
であり、(b)は(a)のAーA線に沿う断面図であ
る。
【図5】従来例の金型の要部断面図であり、図4のBー
B線に沿う断面方向からテープキャリアを見た場合の該
テープキャリアを配置して金型内に樹脂注入した状態を
示している。
【図6】従来例の金型の要部断面図であり、(a)は、
図4のBーB線に沿う断面方向から、(b)はCーC線
に沿う断面方向から、それぞれ、テープキャリアを見た
場合の該テープキャリアを配置して金型内に樹脂注入し
た状態を示している。
【符号の説明】
2 テープキャリア 20 金型 22 上金型 24 下金型 26 キャビティー 28 ゲート 40 テープキャリアの弛み 42 回り込み樹脂 44 突起部 46 絞りブロック 48 樹脂溜まり
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/56

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テープキャリアにICチップを搭載して
    なる半導体装置をトランスファ成型で樹脂封止する金型
    であって、キャビティ内に樹脂を注入するためのゲート
    部を構成する該金型の一部に、テープキャリアの弛みを
    押さえる突起部を設けたことを特徴とする半導体装置樹
    脂封止用金型。
  2. 【請求項2】 該金型を構成する上金型または下金型
    の、一方には通過樹脂に熱を加えるための絞りブロック
    を設け、他方には絞りブロックを挟んで前記突起部を少
    なくとも2箇所に設けたことを特徴とする請求項1に記
    載の半導体装置樹脂封止用金型。
  3. 【請求項3】 テープキャリアにICチップを搭載して
    なる半導体装置をトランスファ成型で樹脂封止する金型
    であって、キャビティ内に樹脂を注入するためのゲート
    部を構成する該金型の一部に、樹脂溜まりを設けたこと
    を特徴とする半導体装置樹脂封止用金型。
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