JP2848498B2

JP2848498B2 - ダイヤモンドの合成方法、ダイヤモンド被覆切削工具の製造方法、及びダイヤモンド被覆切削工具の製造方法

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Publication number: JP2848498B2
Application number: JP2319153A
Authority: JP
Inventors: 成幸林; 聡勝又
Original assignee: Nippon Tokushu Togyo KK
Current assignee: Nippon Tokushu Togyo KK
Priority date: 1989-11-25
Filing date: 1990-11-22
Publication date: 1999-01-20
Anticipated expiration: 2014-01-20
Also published as: EP0437704A3; CA2030486A1; JPH04130090A; EP0437704A2

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］第一発明は、ダイヤモンドの合成方法に関し、特に、
ダイヤモンドの生成速度と膜質の向上を可能ならしめた
ダイヤモンドの合成方法に関する。

また、第二および第三発明は、ダイヤモンド被覆切削
工具の製造方法及びその製造装置に関し、特に、反応系
を開放することなく複数の基体上に連続的にダイヤモン
ド類を合成することにより、ダイヤモンド類被覆の生産
性と膜質の向上を可能ならしめたダイヤモンド被覆切削
工具の製造方法及びその製造装置に関する。

［従来の技術］ダイヤモンドは硬度，電気特性，熱伝導性あるいは化
学的安定性などの点で優れており、各種工具のコーティ
ング材，耐摩耗性部材，研磨材，電子材料，発光素子，
光学材料，スピーカ材等として広い分野での利用が期待
されている。

現在、ダイヤモンドを合成する方法としては、高圧法
が主に採用されている。しかし近時、低圧気相合成法が
注目され、盛んに研究されているが、この低圧気相合成
法によるダイヤモンド合成においては、ダイヤモンドの
生成速度を速くすることが強く望まれている。

このような観点から種々研究がなされており、その結
果、原料ガスに着目した合成方法においては、原料ガス
としての炭素源ガス、特に一酸化炭素を用いると従来よ
り速くダイヤモンドの生成することが判った。

しかし、ダイヤモンドの生成を速めるために炭素源ガ
スの濃度を高めていくと、ダイヤモンドの結晶性が低下
したり、非ダイヤモンド成分のグラファイトやアモルフ
ァスカーボンが増加し、膜質劣化を生じるという問題が
あった。

そこで近年、炭素源ガスと水素ガスからなる原料ガス
中に含酸素化合物を添加するダイヤモンド合成法が開発
され特開昭61−158899号及び特開平１−197391号等で開
示されている。

一方、マイクロ波プラズマ法によるダイヤモンドの合
成方法などの気相法ダイヤモンドン類の合成方法におい
ては、一回の合成が終るごとに、原料ガスの供給および
マイクロ波の照射を停止し、減圧から常圧に戻した後、
基体を取り出すともに、次の基体を装入するバッチ方式
が従来採用されている。

ここで、ダイヤモンド類の合成時間全体を考慮する
と、ダイヤモンド類の合成速度以外の要因、すなわち、
基体の反応室への装入および取出しに要する時間の、合
成時間全体に占める割合も大きく軽視できないことが判
った。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、上述した特定の原料ガスを用いた従来
のダイヤモンドの合成方法には、以下に示す問題があ
る。

すなわち、特開昭61−158899号には、ダイヤモンド生
成ガスに、少なくとも炭化水素ガスと、酸素，一酸化炭
素，二酸化炭素等の酸素含有ガスを含ませる技術が開示
されている。しかし、炭化水素を含むガスを用いた場合
には、ダイヤモンドの膜質が低下することが知られてお
り、高品質のダイヤモンドを得るためには、炭化水素ガ
スの含有量を3Vol％以下とする必要があり、良質のダイ
ヤモンドを得られる範囲が狭く生成速度もそれ程速くは
ないという問題がある。

また、特開平１−197391号には、原料ガスとして一酸
化炭素ガスと水素ガスに、一酸化炭素及び二酸化炭素以
外の含酸素化合物（酸素，水等）を添加する技術が開示
されている。しかしこの方法は、従来の方法に比べてか
なり速くダイヤモンドを生成できるものの、合成条件の
詳細については具体的に言及されていない。

一方、基体上にダイヤモンド類を合成する方法におい
ては、上述のようにバッチ方式が採用されているため、
合成時間が長く、生産効率が悪いという問題がある。ま
た、基体の出し入れのために毎回反応系の開放、閉鎖が
必要であるため、不純物が混入し易く膜質の向上を図り
にくく、自動化も困難であるという問題がある。

本発明は上記の事情にかんがみてなされたもので、第
一の発明は、結晶性に優れた良質のダイヤモンドを、高
速度で生成できるようにしたダイヤモンドの合成方法の
提供を目的とする。

また、第二及び第三の発明は、特に、反応系を開放す
ることなく複数の基体上に、連続的にダイヤモンドある
いはダイヤモンド状炭素を合成するダイヤモンド被覆切
削工具製造方法の提供、及び、ダイヤモンド被覆切削工
具の製造方法の実施に直接使用でき、かつ実施に適した
ダイヤモンド被覆切削工具の製造装置の提供を目的とす
る。

［課題を解決するための手段］上記目的を達成するため、本発明者等は、鋭意研究を
重ねた結果、原料ガスとして一酸化炭素と水素ガスを用
い、この原料ガスのみの場合に通常は、主としてグラフ
ァイトが析出する基体温度および一酸化炭素ガス濃度条
件下において、微量の二酸化炭素ガスなどを添加するこ
とにより、従来に比べダイヤモンドの生成速度および膜
質が飛躍的に向上することを見出し、第一発明を完成す
るに至った。

また、特に、反応部に連通した予備室を設け、この予
備室内に複数の基体を装入しておき、各基体を順次反応
部に供給することにより、反応系を開放することなく複
数の基体上に連続的にダイヤモンドあるいはダイヤモン
ド状炭素を合成できることを見出し、第二および第三発
明を完成するに至った。

すなわち、第一発明のダイヤモンドの合成方法は、一
酸化炭素と水素ガスを原料ガスとしてダイヤモンドを気
相合成する方法において、［1000−（CO％）×1.3］℃
以上の基体温度で、一酸化炭素と水素との合計に対する
一酸化炭素の比率が10Vol％以上であるグラファイト含
有生成条件下（一酸化炭素を除く含酸素無機ガスを添加
しない場合の合成条件下）で、一酸化炭素を除く含酸素
無機ガスを添加するようにしてあり、好ましくは、含酸
素無機ガスを二酸化炭素とするとともに、この二酸化炭
素の一酸化炭素に対する添加率を0.2〜10Vol％、好まし
くは0.3〜5Vol％としてある。

また、第二発明のダイヤモンド被覆切削工具の製造方
法は、一酸化炭素と水素ガスとからなる原料ガスと、前
記一酸化炭素に対する添加率が0.2〜10Vol％である二酸
化炭素とから、グラファイト含有生成条件下で、基体の
表面にダイヤモンドを合成するようにしてある。

さらに、第三発明のダイヤモンド被覆切削工具の製造
装置は、反応部の直下に位置し、かつその反応部に直に
連通する予備室と、この予備室内に設けられ、複数の貫
通孔を備えるとともにこの貫通孔に載置した基体を前記
反応部の直下に位置決め可能な載置部と、前記貫通孔を
貫通し、前記反応部の直下にある基体を前記反応部に上
昇移送可能な移動手段とを具備した構成としてある。

以下、第一ないし第三発明について具体的に説明す
る。

まず、第一発明のダイヤモンドの合成方法を具体的に
説明する。

第一発明のダイヤモンドの合成方法としては、気相法
により結晶性ダイヤモンドを形成することのできる方法
であれば、特に制限はなく、例えば直流または交流アー
ク放電プラズマによる方法、高周波誘電放電プラズマに
よる方法、マイクロ波放電プラズマによる方法（有磁場
−CVD法、ECR法を含む。）、光エネルギーによる方法あ
るいはイオンビーム法、熱フィラメントによる加熱によ
り熱分解する熱分解法（EACVD法を含む。）、さらに燃
焼炎法、スパッタリング法などのいずれをも採用するこ
とができる。

特に、一酸化炭素ガスと水素ガスおよび含酸素無機ガ
スとの混合ガスにマイクロ波を照射し、プラズマを形成
させることにより活性化された該混合ガスを、基体に接
触させてダイヤモンドを生成させるマイクロ波プラズマ
CVD法、あるいは、発散磁界において生じるマイクロ波
吸収帯域に、広範囲にわたって高密度安定化プラズマを
発生せしめ、基体上にダイヤモンドを気相成長させる有
磁場CVD法などが好ましい。

この場合基体としては、一般的には、ガラス，サファ
イア等の透明基体あるいはシリコン，マンガン，バナジ
ウム，タリウム，アルミニウム，チタン，タングステ
ン，モリブデン，ゲルマニウムおよびクロムなどの金
属、これら金属の酸化物，窒化物，ほう化物および，炭
化物（例えば、SiC,Al₂O₃,Si₃N₄,サイアロンなど）、WC
−Co系などの超硬合金、Al₂O₃−Fe系、TiC−Ni系、TiC
−Co系およびB₄C−Fe系等のサーメットならびに各種セ
ラミックス等を用いることができる。透明基体を用いる
場合には、可視領域での透明度がよく、かつ表面平滑性
に優れたものを用いることが好ましい。

これら基体表面を、粉末状のダイヤモンド，炭化シリ
コン，窒化ほう素など100μｍ以下の砥粒の分散液を用
いて超音波処理を行ない傷付け処理を行なうと、基体上
に膜状のダイヤモンドが生成しやすくなる。また、基体
表面を鏡面仕上しておくと、この基体上には粒状のダイ
ヤモンドが生成しやすくなる。

そして、ダイヤモンド合成時における基体の表面温度
は、前記原料ガスの励起手段によって異なるので、一概
に決定することはできないが、通常、400〜1200℃、好
ましくは600〜1150℃であり、より好ましくは850〜1100
℃である。

この基体温度は、例えば、第１図に示すグラファイト
生成データにもとづき一酸化炭素ガスと水素ガスの比率
に応じ、基体温度≧［1000−（CO％）×1.3］℃ の式より求めた温度以上とすることが好ましい。

基体温度が、850℃より低いと、ダイヤモンドの生成
速度が遅くなったり、非ダイヤモンド成分の含有や結晶
性の低下など生成物の純度，均質性が失われたりする。
一方、1200℃より高くしても、それに見合った効果は得
られず、ダイヤモンドが生成されなかったり、エネルギ
ー効率の点でも不利になる。

原料ガスとしては、一酸化炭素ガスと水素ガスおよび
含酸素無機ガスを用いる。この場合、一酸化炭素と水素
ガスの比率は10:90〜98:2（Vol）、好ましくは20:80〜8
0:20（Vol）、より好ましくは40:60〜70:30（Vol）とす
る。一酸化炭素ガスの比率がこれ以上高くなるとダイヤ
モンドの結晶性が悪くなったり膜質が悪くなり、低くな
ると生成速度が遅くなる。

また、グラファイト生成条件下において、一酸化炭素
ガスと水素ガスに添加する含酸素無機ガスとしては、一
酸化炭素を除く、二酸化炭素，酸素，水，過酸化水素，
二酸化窒素，酸化窒素，酸化二窒素等を用いる。これら
のうち、ダイヤモンド合成時の条件制御の容易さからす
ると二酸化炭素を用いることが好ましい。

この含酸素無機ガスの添加量は、用いるガスの種類に
よって異なるが、二酸化炭素ガスを用いる場合には一酸
化炭素ガスに対して0.2〜10Vol％、好ましくは0.3〜5Vo
l％とする。二酸化炭素ガスの比率をこれ以上高くする
と、成膜速度が減少したり、場合によってはダイヤモン
ドが生成しなくなる。この原因は、明らかではないが、
プレカーサー（precurcer）が減少するのではないかと
考えられる。

また、二酸化炭素ガスの比率を低くすると、添加効果
がうすれグラファイト等の非ダイヤモンド成分を含有す
ることになり、膜質が低下することになる。

反応時間は、前記原料ガスの濃度，基体の種類，基体
の表面の温度，反応圧力，必要とするダイヤモンド薄膜
の厚さや粒子径などにより相違するので、これらに応じ
て適宜決定する。

ダイヤモンドの膜厚は0.1〜1000μｍ、好ましくは0.2
〜100μｍとし、より好ましくは0.3〜50μｍする。膜厚
がこれ以上薄い場合は、全体を覆った膜とならず、逆に
これ以上厚い場合は剥離が生じやすくなる。

本発明によるダイヤモンドの合成は、例えば、前記基
体を石英からなる反応部中のサセプター上に配し、圧力
10^-6〜10³Torrの条件下でマイクロ波を照射し、原料混
合ガスを導入して行なわれる。

この場合、ダイヤモンドの合成を連続的に行なうた
め、反応部に隣接して設けた密閉可能な予備室を二以上
設け、ダイヤモンドの合成と、基体の導入、取り出しを
別々に行なうようにすることもできる。

また、反応部に連通した予備室内に複数の基体を装入
しておき、合成反応部の雰囲気を実質的に変化させない
で、基体をプラズマ部に移動させることによっても、効
率的に合成することができる。このような反応装置を用
いるとダイヤモンドの合成を連続的に行なうことができ
る。

なお、第一発明の合成方法は、上述した具体例に限定
されず、気相法によるダイヤモンド合成全般に使用でき
る。

次に、第二発明のダイヤモンド被覆切削工具の製造方
法と、この方法発明の実施に直接使用することができる
第三発明のダイヤモンド被覆切削工具の製造装置につい
て説明する。

説明の便宜上、まず、第三発明の製造装置について説
明する。

第６図は、本第三発明の一実施例に係るダイヤモンド
被覆切削工具の製造装置（マイクロ波プラズマCVD装
置）を示す概略図、第７図は同じく載置台の平面図であ
る。

図面において、１は反応管であり、ダイヤモンド類の
合成を行なう反応部２の側部にはマイクロ波発振器３か
ら導波管によりマイクロ波が照射されるようになってい
る。

４は反応管１に連通して設けられた予備室であり、図
示せざる排気系によって反応管１と同じ圧力に保たれ
る。

５は載置台（基体ホルダー）であり、複数の基体６が
載置できるようになっている。基体６は、通常、支持体
（サセプター）７を介して載置台５上に載置される。基
体６は、通常、支持体７上に一個載置されるが、複数の
基体を載置することもできる。

この載置台５は円板状をしており、かつ、図示せざる
駆動手段によって回転軸5aを矢印方向に回転することに
より、載置台の一部が反応管１の内部の所定位置Ａに位
置決めされるようになっている。これにより、載置台５
上の基体６は順次所定位置に移動される。

また、載置台５は、第７図に示すように90度の間隔で
支持体７、すなわち基体６を載置している。そして、支
持体７を載置する部分には、後述する移動手段（支持
棒）より大きく、支持体７よりは小さい径の貫通孔９が
穿設してある（第９図参照）。さらに、この貫通孔９の
周縁には、支持体７がずれ動かないようにするための切
欠部10が設けてある。

なお、基体６または基体を搭載した支持体７の載置台
５への供給は予備室４に設けられた装入部８から行なわ
れる。

11は棒状体をした移動手段であり、その先端には、支
持体７の底部に設けた係合凹部7aと係合する突起11aが
形成してある。この移動手段11は、図示せざる駆動手段
によって反応管１内を上下動できるようになっており、
基体６を所定位置Ａと合成を行なう合成反応位置Ｂとの
間で往復移動させる。

次に、上記構成からなるダイヤモンド被覆切削工具の
製造装置を用いて行なうダイヤモンド被覆切削工具の製
造方法について説明する。

まず、装入部８より基体６を搭載した複数の支持体７
を搬入し、これら支持体７を載置台５上に載置する。装
入部８を閉鎖した後、図示せざる排気系によって反応管
１および反応室４内を所定の圧力になるまで排気する。

次いで、載置台５を回転させて、一の基体６を反応部
内部の所定位置Ａに位置決めする。続いて移動手段11を
上昇させ、支持体７とともに基体６を反応管１の合成反
応位置Ｂへ移動させる。そしてここで、基体６上にダイ
ヤモンド類を合成させる。このときの合成条件は適宜選
択される。

反応終了後、移動手段11を下降させ、支持体７ととも
に基体６を載置台５上に戻す。その後、載置台５を90゜
回転させて新たな基体６を反応部の所定位置Ａに位置決
めする。

以上の操作を繰り返すことにより、複数の基体上にダ
イヤモンドを連続的に合成できる。

また、この場合、ダイヤモンド類の合成時間をタイマ
ー等でセットしておき、これを基準にしてすべての動作
をシーケンシャルに行なうようにすれば、複数の基体す
べてに連続的にダイヤモンド類を合成することを完全に
自動化できる。

なお、反応部におけるダイヤモンド類の反応条件は、
ダイヤモンド合成時はもとより、予備室４内に装入され
ている複数の基体６を合成反応位置Ｂに移動させる場合
にも一定の状態にしておくことが好ましい。すなわち、
圧力、ガス流量、プラズマ出力等のダイヤモンド類の合
成条件を一定に保った状態で基体６を所定位置Ａと合成
反応位置Ｂとの間で移動させることが好ましい。ただ
し、圧力だけは反応時の圧力（通常40Torr程度）から10
Torr程度に下げておくことが、プラズマを消失させない
ために好ましい。

また、第三発明のダイヤモンド被覆切削工具の製造装
置は上記実施例に限定されるものではない。例えば、載
置台５を第８図に示すように、正方形状に形成し、基体
を縦および横方向に配置するとともに、この載置台５を
前後左右にスライドさせて基体６を所定位置Ａに位置決
めするようにしてもよい。

また、載置台５への支持体７の装入方法としては、第
７図のように載置台５の円周上に設けた穴によるものの
他、それぞれの穴の外方部を欠落させたＵ字型とするこ
ともできる。このようにすると、装入，取出しがより容
易となる。

さらに、予備室４内に装入しておく基体６（支持体
７）の数は四個にあるいは九個に限られず複数個の任意
の個数とすることができる。

さらにまた、基体６を所定位置Ａへ位置決めする手
段、および所定位置Ａと合成反応位置Ｂとの間で基体６
を往復動させる手段等は、実施例に示された態様のもの
に限定されず、公知の搬送手段が採用される。例えば、
公知の搬送手段としては、ロボットアームによる搬送や
ベルトコンベア（垂直方向の移動含む）による搬送等が
挙げられる。

上述した、第二および第三発明は、マイクロ波プラズ
マ法および同装置を用いたものに限定されず、気相法に
よるダイヤモンド類の合成全般に使用できる。なお、ダ
イヤモンド類とは、結晶性のダイヤモンドのみでなく、
ダイヤモンド状炭素などを含むものである。

［実施例］実施例１次の条件によってダイヤモンドを合成した。

＜条件＞原料ガス：流量 100SCCM 成分 CO 59Vol％ H₂ 40Vol％ CO₂ 1Vol％基体：窒化硅素系切削工具表面温度1000℃ 反応圧力:40Torr 反応時間:5時間合成法：マイクロプラズマCVD法（出力400W マイク
ロ波周波数 2.45GH_Z）比較例１ CO₂を添加することなく原料ガスの成分をCO:60Vol％,
H₂:40Vol％とした以外は実施例１と同じ条件でダイヤモ
ンドを得た。

比較例２原料ガスの成分をCO:15Vol％,H₂:85Vol％とした以外
は実施例１と同じ条件でダイヤモンドを得た。

参考例１原料ガスの成分をCO:7Vol％,H₂:93Vol％,900℃とした
以外は、実施例１と同じ条件でダイヤモンドを得た。

＜結果＞これらの結果を表１に示す。また、実施例１および比
較例1,2のラマンスペクイトルを第２〜４図に示す。

実施例2,3 原料ガスの成分をCO:50Vol％,H₂:50Vol％とし、さら
にCO₂/CO＝1.25Vol％および、2.5Vol％とした以外は実
施例１と同じ条件でダイヤモンドを得た。

＜結果＞これらのラマンスペクトルを第５図に示す。

実施例４原料ガスの成分をCO:60Vol％,H₂:40Vol％とし、さら
にCO₂/CO＝1.0Vol％とした以外は実施例１と同じ条件で
ダイヤモンドを得た。膜厚は18μｍであった。

また、実施例1,4、比較例1,2、参考例１で得られた被
覆切削工具を用いて切削試験を行なった。

なお、切削条件は以下の通りである。

切削方法−外周長手連続切削（乾式切削）切削材−アルミ合金（AC8A）切削条件−ａ）切削速度:600m/min ｂ）送り :0.1mm/rev ｃ）切込み :0.25mm この結果を表２に示す。

実施例５第６図に示したダイヤモンド被覆切削工具の製造装置
を用い、第７図に示す基体ホルダー（載置台）にあらか
じめ載置してある各サセプター（支持体）上に四個の窒
化珪素系切削工具チップ（基体）を搭載し、装入部を閉
鎖して、予備室および反応部内の排気を行なった。支持
棒（移動手段）によって切削工具チップを搭載したサセ
プターのうちの一を反応部における反応位置へ移動させ
た。

次いで、原料ガスとしてCO 15Vol％、H₂85Vol％の混
合ガスを用い、混合ガスの流量100SCCM、基体の表面温
度970℃、圧力40Torr、マイクロ波の出力350W（周波数
2.45GH_z）の条件下、５時間反応させて切削工具チップ
上にダイヤモンドを成長させた。

反応終了後、補助減圧装置によって系内の圧力を10To
rrに下げた以外は、他の反応条件を変更あるいは停止す
ることなく一定に保ちつつ、支持棒を下降させて、サセ
プターを基体ホルダー上に戻した。ホルダーを90゜回転
して二個目のサセプターを支持棒によって反応位置へ移
動させ、圧力を40Torrに戻し、上記と同様にして反応を
行なった。以上の操作を繰返し、四個すべての切削工具
チップについてダイヤモンド合成を行ない、ダイヤモン
ド被覆チップを得た。

なお、これらの操作は、合成時間を５時間にセットす
ることにより、すべて自動化して行なった。このときの
基体の移動に要する時間は、１分間であった。

得られたダイヤモンド被覆チップのダイヤモンドの厚
さは10μであった。また、合成時間は、チップ装入から
取り出しまで約22時間であり、従来のバッチ式合成装置
を用いた場合（28時間）に比べ合成時間の短縮が図られ
た。

また、切削工具チップは、寿命が延長するのみなら
ず、切削面仕上がりが良好で、被切削材の溶着もないな
ど優れた結果を得られた。

なお、基体支持体の数を10個とした載置台を用いて同
様にダイヤモンドの合成を行なった結果、それぞれ、均
一なダイヤモンド被覆基体が得られた。

［発明の効果］以上のように、第一発明のダイヤモンドの合成方法に
よれば、結晶性が良く膜質に優れたダイヤモンドを高速
で合成することができる。

また、第二発明のダイヤモンド被覆切削工具の製造方
法及び第三発明のダイヤモンド被覆切削工具の製造装置
によれば、特に、反応系を開放することなく複数の基体
上に連続的にダイヤモンド類を合成することができ、し
たがって生産効率の向上を図ることができる。

さらに、純度の高いダイヤモンド類を合成できるとと
もに、ダイヤモンド類の合成の自動化，省力化を容易に
実現できる。

またさらに、第三発明によれば、第二発明を簡単かつ
確実に実施できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はグラファイト生成条件図、第２図は実施例１の
ラマンスペクトルを示す図、第３図は比較例１のラマン
スペクトルを示す図、第４図は比較例２のラマンスペク
トルを示す図、第５図は実施例２および３のラマンスペ
クトルを示す図、第６図は第三発明の一実施例に係るダ
イヤモンド類の合成装置を示す概略図、第７図は同じく
載置台の平面図、第８図は同じく載置台の他の態様を示
す平面図、第９図は同じく第７図の部分断面図である。 1:反応部、2:反応部 3:マイクロ波発振器、4:予備室 5:載置台、6:基体 7:支持体、11:移動手段 A:所定位置、B:合成反応位置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平１−290594（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−117996（ＪＰ，Ａ) 特開平１−198015（ＪＰ，Ａ) 特開平１−257191（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−132592（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】一酸化炭素と水素ガスを原料ガスとしてダ
イヤモンドを気相合成する方法において、［1000−（CO
％）×1.3］℃以上の基体温度で、一酸化炭素と水素と
の合計に対する一酸化炭素の比率が10Vol％以上である
グラファイト含有生成条件下で、一酸化炭素を除く含酸
素無機ガスを添加してダイヤモンドを合成することを特
徴としたダイヤモンドの合成方法。
【請求項２】含酸素無機ガスを二酸化炭素とするととも
に、この二酸化炭素の一酸化炭素に対する添加率を0.2
〜10Vol％としたことを特徴とする請求項１記載のダイ
ヤモンドの合成方法。
【請求項３】一酸化炭素と水素ガスとからなる原料ガス
と、前記一酸化炭素に対する添加率が0.2〜10Vol％であ
る二酸化炭素とから、グラファイト含有生成条件下で、
基体の表面にダイヤモンドを合成することを特徴とする
ダイヤモンド被覆切削工具の製造方法。
【請求項４】反応部の直下に位置し、かつその反応部に
直に連通する予備室と、この予備室内に設けられ、複数
の貫通孔を備えるとともにこの貫通孔に載置した基体を
前記反応部の直下に位置決め可能な載置部と、前記貫通
孔を貫通し、前記反応部の直下にある基体を前記反応部
に上昇移送可能な移動手段とを具備することを特徴とす
るダイヤモンド被覆切削工具の製造装置。