JP2848086B2 - 発光性プリント基板上のフラックス残渣測定法 - Google Patents
発光性プリント基板上のフラックス残渣測定法Info
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- JP2848086B2 JP2848086B2 JP5648092A JP5648092A JP2848086B2 JP 2848086 B2 JP2848086 B2 JP 2848086B2 JP 5648092 A JP5648092 A JP 5648092A JP 5648092 A JP5648092 A JP 5648092A JP 2848086 B2 JP2848086 B2 JP 2848086B2
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は発光性プリント基板上の
フラックス残渣の測定法に関するものである。
フラックス残渣の測定法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】洗浄プリント基板上のフラックス残渣の
測定方法として、オメガメータを用いたイオン残渣の測
定や光学顕微鏡を用いた目視観察による評価がなされて
いる。
測定方法として、オメガメータを用いたイオン残渣の測
定や光学顕微鏡を用いた目視観察による評価がなされて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで洗浄プリント
基板上のフラックス残渣には非イオン性物質の存在も予
想されるため、イオン性および非イオン性有機物の検出
に対して有効性の高い測定手法が望まれる。また、その
評価においては基板全面のフラックス残渣に関してある
程度の定量性を有したデータが必要となる。さらに、発
光性の基板に対しては、基板からの蛍光とフラックスか
らの蛍光を識別する必要がある。本発明の目的は、この
ような問題点に鑑み、発光性プリント基板上の残留フラ
ックスの検出に有効な測定方法を提供することにある。
基板上のフラックス残渣には非イオン性物質の存在も予
想されるため、イオン性および非イオン性有機物の検出
に対して有効性の高い測定手法が望まれる。また、その
評価においては基板全面のフラックス残渣に関してある
程度の定量性を有したデータが必要となる。さらに、発
光性の基板に対しては、基板からの蛍光とフラックスか
らの蛍光を識別する必要がある。本発明の目的は、この
ような問題点に鑑み、発光性プリント基板上の残留フラ
ックスの検出に有効な測定方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】即ち、第１の発明は、洗
浄した発光性基板上のフラックス残渣を測定する方法に
おいて、可視、紫外領域の励起光を被測定基板表面に照
射して生じる蛍光強度を検出し、予め測定した発光性基
板の発光強度を基準とした時の前記蛍光強度の増加量か
ら、前記被測定基板上のフラックス残渣の定量測定を行
うことを特徴とする発光性プリント基板上のフラックス
残渣測定法である。第２の発明は、洗浄した発光性基板
上のフラックス残渣を測定する方法において、可視、紫
外領域の励起光を発光性基板表面に照射して生じる蛍光
の波長分散スペクトルからフラックス残渣の蛍光スペク
トルが分布を有しない波長領域の蛍光強度を測定し、特
定波長における発光性基板のみからの蛍光強度を規格化
する工程と、被測定基板より生じる蛍光の波長分散スペ
クトル測定を行い、前記規格化された蛍光強度から前記
特定波長における前記被測定基板上のフラックス残渣蛍
光強度の相対量を評価してフラックス残渣の定量測定を
行う工程とを備えてなることを特徴とする発光性プリン
ト基板上のフラックス残渣測定法である。第３の発明
は、発光性基板の波長分散スペクトルおよびフラックス
の波長分散スペクトルの各波形を既知として、測定の結
果得られた被測定基板の波長分散スペクトルを計算処理
により前記各波形に分離する工程と、分離されたフラッ
クス蛍光成分の強度およびその波長に関する積分値から
該被測定基板上のフラックス残渣の定量を行う工程とを
備えてなることを特徴とする発光性プリント基板上のフ
ラックス残渣測定法である。
浄した発光性基板上のフラックス残渣を測定する方法に
おいて、可視、紫外領域の励起光を被測定基板表面に照
射して生じる蛍光強度を検出し、予め測定した発光性基
板の発光強度を基準とした時の前記蛍光強度の増加量か
ら、前記被測定基板上のフラックス残渣の定量測定を行
うことを特徴とする発光性プリント基板上のフラックス
残渣測定法である。第２の発明は、洗浄した発光性基板
上のフラックス残渣を測定する方法において、可視、紫
外領域の励起光を発光性基板表面に照射して生じる蛍光
の波長分散スペクトルからフラックス残渣の蛍光スペク
トルが分布を有しない波長領域の蛍光強度を測定し、特
定波長における発光性基板のみからの蛍光強度を規格化
する工程と、被測定基板より生じる蛍光の波長分散スペ
クトル測定を行い、前記規格化された蛍光強度から前記
特定波長における前記被測定基板上のフラックス残渣蛍
光強度の相対量を評価してフラックス残渣の定量測定を
行う工程とを備えてなることを特徴とする発光性プリン
ト基板上のフラックス残渣測定法である。第３の発明
は、発光性基板の波長分散スペクトルおよびフラックス
の波長分散スペクトルの各波形を既知として、測定の結
果得られた被測定基板の波長分散スペクトルを計算処理
により前記各波形に分離する工程と、分離されたフラッ
クス蛍光成分の強度およびその波長に関する積分値から
該被測定基板上のフラックス残渣の定量を行う工程とを
備えてなることを特徴とする発光性プリント基板上のフ
ラックス残渣測定法である。
【０００５】
【作用】本発明においては、光を検出する手法であるた
め、発光性の有機残渣に対する検出感度が極めて高く、
蛍光性の基板に対しても有効である。さらに、定量の際
に基準となる基板からの蛍光強度の測定部位依存性をモ
ニターすることにより、信頼性の高い定量測定が可能と
なる。
め、発光性の有機残渣に対する検出感度が極めて高く、
蛍光性の基板に対しても有効である。さらに、定量の際
に基準となる基板からの蛍光強度の測定部位依存性をモ
ニターすることにより、信頼性の高い定量測定が可能と
なる。
【０００６】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳
細に説明する。本実施例中の蛍光スペクトル測定は、励
起光として水銀ランプ４０６ｎｍを用いた。まずフラッ
クス未塗布基板の蛍光スペクトルを測定し、図１の１に
示すようなスペクトルを得た。これを他のスペクトルに
対する基準スペクトルとする。これに対しフラックスを
塗布したプリント基板の蛍光スペクトル（図１の２）
は、該蛍光スペクトル１に対し強度の増大が認められ、
その強度比は５００ｎｍ付近で最大となる。従って５０
０ｎｍにおけるフラックス未塗布基板の蛍光強度３を基
準とし、これに対する蛍光強度４の増加を確認すること
により残渣の存在が確認される。フラックス残渣量の増
加と共に蛍光強度は図２に示すように増大するため、蛍
光強度３に対する蛍光強度４の増加量５から残渣の相対
量を評価することができる（請求項１の実施例）。
細に説明する。本実施例中の蛍光スペクトル測定は、励
起光として水銀ランプ４０６ｎｍを用いた。まずフラッ
クス未塗布基板の蛍光スペクトルを測定し、図１の１に
示すようなスペクトルを得た。これを他のスペクトルに
対する基準スペクトルとする。これに対しフラックスを
塗布したプリント基板の蛍光スペクトル（図１の２）
は、該蛍光スペクトル１に対し強度の増大が認められ、
その強度比は５００ｎｍ付近で最大となる。従って５０
０ｎｍにおけるフラックス未塗布基板の蛍光強度３を基
準とし、これに対する蛍光強度４の増加を確認すること
により残渣の存在が確認される。フラックス残渣量の増
加と共に蛍光強度は図２に示すように増大するため、蛍
光強度３に対する蛍光強度４の増加量５から残渣の相対
量を評価することができる（請求項１の実施例）。
【０００７】次に基板自身の蛍光強度が測定部位によっ
て変化する場合は、図３よりフラックス未塗布基板の蛍
光スペクトル１の波長領域においてフラックスの蛍光ス
ペクトル６が分布を有しない波長領域の蛍光強度７によ
って蛍光強度３の値を規格化し、これに対する増加量か
ら残渣の相対量を評価する（請求項２の実施例）。
て変化する場合は、図３よりフラックス未塗布基板の蛍
光スペクトル１の波長領域においてフラックスの蛍光ス
ペクトル６が分布を有しない波長領域の蛍光強度７によ
って蛍光強度３の値を規格化し、これに対する増加量か
ら残渣の相対量を評価する（請求項２の実施例）。
【０００８】図４は観測された蛍光スペクトル２をフラ
ックスから生じる蛍光スペクトル６とフラックス未塗布
基板の蛍光スペクトル１とに分離したものである。該ス
ペクトル６および該スペクトル１の波長分散プロファイ
ルをデータベースとして波形分離処理を行ったもので、
これにより得られたフラックスの蛍光スペクトル６の積
分値およびピーク強度からフラックス残渣量評価を行う
ことが可能である（請求項３の実施例）。これらの測定
法を用いて実際に発光性プリント基板に対し蛍光測定を
行ったところ、目視や実体顕微鏡では確認されないよう
なフラックス残渣を検出することが可能となった。また
測定部位によって基板自身の蛍光強度が顕著に変化する
ようなサンプルに対してもその影響を受けない残渣量の
評価が可能となった。
ックスから生じる蛍光スペクトル６とフラックス未塗布
基板の蛍光スペクトル１とに分離したものである。該ス
ペクトル６および該スペクトル１の波長分散プロファイ
ルをデータベースとして波形分離処理を行ったもので、
これにより得られたフラックスの蛍光スペクトル６の積
分値およびピーク強度からフラックス残渣量評価を行う
ことが可能である（請求項３の実施例）。これらの測定
法を用いて実際に発光性プリント基板に対し蛍光測定を
行ったところ、目視や実体顕微鏡では確認されないよう
なフラックス残渣を検出することが可能となった。また
測定部位によって基板自身の蛍光強度が顕著に変化する
ようなサンプルに対してもその影響を受けない残渣量の
評価が可能となった。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の測定法は
発光性プリント基板上のフラックス残渣の検出に有効で
ある。本発明により発光性の洗浄プリント基板から生じ
る蛍光成分中、フラックス残渣からの蛍光量およびスペ
クトルを評価することが可能となった。さらに基板発光
の測定部位依存性も考慮した残渣量の評価を行うことが
できた。
発光性プリント基板上のフラックス残渣の検出に有効で
ある。本発明により発光性の洗浄プリント基板から生じ
る蛍光成分中、フラックス残渣からの蛍光量およびスペ
クトルを評価することが可能となった。さらに基板発光
の測定部位依存性も考慮した残渣量の評価を行うことが
できた。
【図１】本発明の一実施例の発光性基板上フラックス残
渣の測定法の説明図である。
渣の測定法の説明図である。
【図２】本発明の一実施例の発光性基板上フラックス残
渣の測定法の説明図である。
渣の測定法の説明図である。
【図３】本発明の一実施例の発光性基板上フラックス残
渣の測定法の説明図である。
渣の測定法の説明図である。
【図４】本発明の一実施例の発光性基板上フラックス残
渣の測定法の説明図である。
渣の測定法の説明図である。
１ フラックス未塗布基板の蛍光スペクトル ２ フラックス塗布基板の蛍光スペクトル ３ 基板の蛍光スペクトル中５００ｎｍの蛍光強度 ４ フラックス塗布基板の蛍光スペクトル中５００ｎｍ
の蛍光強度 ５ フラックス残渣による蛍光増加量 ６ フラックスの蛍光スペクトル ７ 基板の蛍光スペクトル中６００ｎｍの蛍光強度
の蛍光強度 ５ フラックス残渣による蛍光増加量 ６ フラックスの蛍光スペクトル ７ 基板の蛍光スペクトル中６００ｎｍの蛍光強度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01N 21/88 G01N 21/64 H05K 3/26
Claims (3)
- 【請求項１】 洗浄した発光性基板上のフラックス残渣
を測定する方法において、可視、紫外領域の励起光を被
測定基板表面に照射して生じる蛍光強度を検出し、予め
測定した発光性基板の発光強度を基準とした時の前記蛍
光強度の増加量から、前記被測定基板上のフラックス残
渣の定量測定を行うことを特徴とする発光性プリント基
板上のフラックス残渣測定法。 - 【請求項２】 洗浄した発光性基板上のフラックス残渣
を測定する方法において、可視、紫外領域の励起光を発
光性基板表面に照射して生じる蛍光の波長分散スペクト
ルからフラックス残渣の蛍光スペクトルが分布を有しな
い波長領域の蛍光強度を測定し、特定波長における発光
性基板のみからの蛍光強度を規格化する工程と、被測定
基板より生じる蛍光の波長分散スペクトル測定を行い、
前記規格化された蛍光強度から前記特定波長における前
記被測定基板上のフラックス残渣蛍光強度の相対量を評
価してフラックス残渣の定量測定を行う工程とを備えて
なることを特徴とする発光性プリント基板上のフラック
ス残渣測定法。 - 【請求項３】 発光性基板の波長分散スペクトルおよび
フラックスの波長分散スペクトルの各波形を既知とし
て、測定の結果得られた被測定基板の波長分散スペクト
ルを計算処理により前記各波形に分離する工程と、分離
されたフラックス蛍光成分の強度およびその波長に関す
る積分値から該被測定基板上のフラックス残渣の定量を
行う工程とを備えてなることを特徴とする発光性プリン
ト基板上のフラックス残渣測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5648092A JP2848086B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 発光性プリント基板上のフラックス残渣測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5648092A JP2848086B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 発光性プリント基板上のフラックス残渣測定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05223748A JPH05223748A (ja) | 1993-08-31 |
| JP2848086B2 true JP2848086B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=13028263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5648092A Expired - Lifetime JP2848086B2 (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | 発光性プリント基板上のフラックス残渣測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2848086B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10939600B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-03-02 | International Business Machines Corporation | Flux residue detection |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60011764T2 (de) * | 1999-04-07 | 2005-07-07 | Mv Research Ltd. | Werkstoffsprüfung |
| WO2005033991A1 (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-14 | Plagenom Co., Ltd. | 材料情報提供方法および材料情報提供システム |
| JP2007010647A (ja) * | 2005-06-02 | 2007-01-18 | Miyazaki Tlo:Kk | 異物検出方法 |
| US20120114875A1 (en) * | 2010-11-10 | 2012-05-10 | Dewa Paul G | Surface contamination metrology |
| JP5973846B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-08-23 | 東レエンジニアリング株式会社 | 撥液性樹脂の改質パターン検査方法および装置 |
| CN113588679A (zh) * | 2021-06-11 | 2021-11-02 | 广州美维电子有限公司 | 检查褪膜不净的方法 |
-
1992
- 1992-02-10 JP JP5648092A patent/JP2848086B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10939600B2 (en) | 2018-11-28 | 2021-03-02 | International Business Machines Corporation | Flux residue detection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05223748A (ja) | 1993-08-31 |
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