JP2844374B2 - 半導体処理用部材 - Google Patents
半導体処理用部材Info
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- JP2844374B2 JP2844374B2 JP33644689A JP33644689A JP2844374B2 JP 2844374 B2 JP2844374 B2 JP 2844374B2 JP 33644689 A JP33644689 A JP 33644689A JP 33644689 A JP33644689 A JP 33644689A JP 2844374 B2 JP2844374 B2 JP 2844374B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明はSiエピタキシャル成長用サセプターや拡散
用ボートのような半導体処理用部材に関する。
用ボートのような半導体処理用部材に関する。
従来の技術 サセプターを例にとって説明すると、従来、サセプタ
ーは炭素基材の表面にSiC被膜を形成していた。たとえ
ば、CH3SiCl3を原料としたCVDにおいて1100〜1400℃の
温度で炭素基材の表面にSiC被膜を形成していた。
ーは炭素基材の表面にSiC被膜を形成していた。たとえ
ば、CH3SiCl3を原料としたCVDにおいて1100〜1400℃の
温度で炭素基材の表面にSiC被膜を形成していた。
また、特開平1-145400号には、黒鉛表面に中間層とし
てのSiCを形成し、しかるのち、その中間層の上にCVD法
によりSiC被膜を1100〜1400℃の温度で形成したシリコ
ンウェハー加熱治具が開示されている。
てのSiCを形成し、しかるのち、その中間層の上にCVD法
によりSiC被膜を1100〜1400℃の温度で形成したシリコ
ンウェハー加熱治具が開示されている。
発明が解決しようとする課題 従来はCVD法により炭素基材の表面に直接SiC被膜を形
成する場合も、中間層を介してCVD法によりSiC被膜を形
成する場合も、雰囲気温度は、1100〜1400℃であった。
そのため従来のSiC被膜はβ‐SiCから成っていた。β‐
SiC被膜はHClガスに対する耐食性が乏しく、早期に被膜
が侵食されてしまうという欠点を有していた。
成する場合も、中間層を介してCVD法によりSiC被膜を形
成する場合も、雰囲気温度は、1100〜1400℃であった。
そのため従来のSiC被膜はβ‐SiCから成っていた。β‐
SiC被膜はHClガスに対する耐食性が乏しく、早期に被膜
が侵食されてしまうという欠点を有していた。
発明の目的 そこで、本発明の目的とするところは、耐食性に優れ
た堅固なSiC被膜を設けた半導体処理用部材を提供する
ことである。
た堅固なSiC被膜を設けた半導体処理用部材を提供する
ことである。
発明の要旨 この目的を達成するために、この発明は請求項１及び
２に記載された半導体処理用部材を要旨としている。
２に記載された半導体処理用部材を要旨としている。
問題点を解決するための手段 半導体処理用部材の基材が炭素で作られていて、その
表面にSiC被膜が形成されており、そのSiC被膜にα‐Si
Cとβ‐SiCが混在しており、α‐SiCの占める割合が50
％以上である。または、SiC被膜はα‐SiCのみから成る
こともできる。
表面にSiC被膜が形成されており、そのSiC被膜にα‐Si
Cとβ‐SiCが混在しており、α‐SiCの占める割合が50
％以上である。または、SiC被膜はα‐SiCのみから成る
こともできる。
作用と効果 従来は、半導体処理部材の炭素基材にCVD法でSiC被膜
を形成するときに、温度条件を1100〜1400℃にしてい
た。このような処理温度であると、SiC被膜はすべてβ
‐SiCとなる。
を形成するときに、温度条件を1100〜1400℃にしてい
た。このような処理温度であると、SiC被膜はすべてβ
‐SiCとなる。
これに対し、従来よりも高い温度たとえば1600℃以上
の温度でCVDにより炭素基材にSiC被膜を形成すると、α
‐SiCとβ‐SiCが混在することを、本発明者は見い出し
た。
の温度でCVDにより炭素基材にSiC被膜を形成すると、α
‐SiCとβ‐SiCが混在することを、本発明者は見い出し
た。
炭素基材の表面に形成されたSiC被膜がα‐SiCを50％
以上含んでいると、被膜が緻密でしかも堅固である。と
くにα‐SiCのみからなるSiC被膜はHClガスに対する耐
食性が抜群である。
以上含んでいると、被膜が緻密でしかも堅固である。と
くにα‐SiCのみからなるSiC被膜はHClガスに対する耐
食性が抜群である。
実施例１ CH3SiCl3を原料としたCVDにおいてサセプターの炭素
基材の表面に1800℃の温度でSiCの被膜をコーティング
し、SiCの被膜を形成した。このサセプターをHCl100％
の条件でエッチングしたところ、200回繰り返しても全
く異常は認められなかった。
基材の表面に1800℃の温度でSiCの被膜をコーティング
し、SiCの被膜を形成した。このサセプターをHCl100％
の条件でエッチングしたところ、200回繰り返しても全
く異常は認められなかった。
実施例２ SiCl4とCH4またはC3H8の原料を用いてサセプターの炭
素基材の表面に1700℃の温度でSiC被膜をコーティング
し、α‐SiCとβ‐SiCの比率（Ｘ線回折による比率）が
７対３のサセプターを作った。このサセプターをHCl100
％の条件でエッチングしたところ、100回繰り返した時
点からSiCの浸食が認められ、130回でピンホールが発生
した。
素基材の表面に1700℃の温度でSiC被膜をコーティング
し、α‐SiCとβ‐SiCの比率（Ｘ線回折による比率）が
７対３のサセプターを作った。このサセプターをHCl100
％の条件でエッチングしたところ、100回繰り返した時
点からSiCの浸食が認められ、130回でピンホールが発生
した。
比較例 従来のβ‐SiCのみによってコーティングされたサセ
プターについて実施例１と同様のエッチング試験を行っ
たところ、50回で浸食が見られ、70回でピンホールが発
生した。
プターについて実施例１と同様のエッチング試験を行っ
たところ、50回で浸食が見られ、70回でピンホールが発
生した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市川 浩行 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番 地 東芝セラミックス株式会社小国製造 所内 (56)参考文献 特開 平１−145400（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 H01L 21/205
Claims (2)
- 【請求項１】炭素基材の表面にCVD法により形成されたS
iC被膜がα‐SiCとβ‐SiCとの混在状態になっており、
かつ、SiC被膜におけるα‐SiCの占める割合が50％以上
であることを特徴とする半導体処理用部材。 - 【請求項２】炭素基材の表面にCVD法により形成されたS
iC被膜がα‐SiCのみからなる半導体処理用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33644689A JP2844374B2 (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体処理用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33644689A JP2844374B2 (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体処理用部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03199377A JPH03199377A (ja) | 1991-08-30 |
| JP2844374B2 true JP2844374B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=18299224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33644689A Expired - Fee Related JP2844374B2 (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | 半導体処理用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2844374B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001009407A1 (fr) * | 1999-08-02 | 2001-02-08 | Tokyo Electron Limited | Materiau au carbure de silice, equipement de traitement de semi-conducteurs, et procede d'elaboration de materiau au carbure de silice |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001048649A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-20 | Asahi Glass Co Ltd | 炭化ケイ素およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP33644689A patent/JP2844374B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001009407A1 (fr) * | 1999-08-02 | 2001-02-08 | Tokyo Electron Limited | Materiau au carbure de silice, equipement de traitement de semi-conducteurs, et procede d'elaboration de materiau au carbure de silice |
| US6936102B1 (en) | 1999-08-02 | 2005-08-30 | Tokyo Electron Limited | SiC material, semiconductor processing equipment and method of preparing SiC material therefor |
| US7410923B2 (en) | 1999-08-02 | 2008-08-12 | Tokyo Electron Limited | SiC material, semiconductor device fabricating system and SiC material forming method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03199377A (ja) | 1991-08-30 |
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