JP2841938B2 - 光脱色性材料及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 - Google Patents
光脱色性材料及びこれを用いたレジストパターンの形成方法Info
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- JP2841938B2 JP2841938B2 JP3178772A JP17877291A JP2841938B2 JP 2841938 B2 JP2841938 B2 JP 2841938B2 JP 3178772 A JP3178772 A JP 3178772A JP 17877291 A JP17877291 A JP 17877291A JP 2841938 B2 JP2841938 B2 JP 2841938B2
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
の製造における写真食刻工程用のマスクのように被写体
の像のコントラストを増強させるための光脱色性材料及
びこれを用いてレジストパターンを形成する方法に関す
るものである。
の製造における写真食刻工程用のマスクのように被写体
の像のコントラストを増強させるための光脱色性材料及
びこれを用いてレジストパターンを形成する方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
半導体集積回路の高集積化、高密度化はリソグラフィー
技術の進歩により増大し、リソグラフィーにより形成さ
れる回路の最小線幅も約０．４μｍまで細くすることが
できるようになった。このような細い加工線幅を得るに
は、高開口レンズ（高ＮＡ）を有する装置を用いた縮小
投影法により紫外線露光する方法、基板上に直接描画す
る電子ビーム露光法、Ｘ線を用いたプロキシミティー露
光法を採用することができ、これらの方法のうちで、ス
ループットを犠牲にすることなくレジストパターンを形
成するためには縮小投影法により紫外線露光する方法が
最良である。
半導体集積回路の高集積化、高密度化はリソグラフィー
技術の進歩により増大し、リソグラフィーにより形成さ
れる回路の最小線幅も約０．４μｍまで細くすることが
できるようになった。このような細い加工線幅を得るに
は、高開口レンズ（高ＮＡ）を有する装置を用いた縮小
投影法により紫外線露光する方法、基板上に直接描画す
る電子ビーム露光法、Ｘ線を用いたプロキシミティー露
光法を採用することができ、これらの方法のうちで、ス
ループットを犠牲にすることなくレジストパターンを形
成するためには縮小投影法により紫外線露光する方法が
最良である。
【０００３】リソグラフィー技術において、ホトレジス
トを所望のパターン形状に露光し、現像してできるレジ
スト像は露光像のコントラストが大きいほど垂直に近い
壁を持つ形状になるが、非常に高い空間周波数での露光
を行う場合、露光像のコントラストが低下し、鮮明なレ
ジスト像を得ることができなくなる。
トを所望のパターン形状に露光し、現像してできるレジ
スト像は露光像のコントラストが大きいほど垂直に近い
壁を持つ形状になるが、非常に高い空間周波数での露光
を行う場合、露光像のコントラストが低下し、鮮明なレ
ジスト像を得ることができなくなる。
【０００４】そこで、解像度及びパターン形状の改善を
図る方法として、波長３００〜４５０ｎｍの光に対して
吸収極大を持つコントラスト増強用の光脱色性層（特公
昭６２−４０６９７，特開昭６２−２３４１４８号公報
参照）を用いたレジストパターン形成方法が提案されて
いる。また、解像度を向上させるため、ステッパの使用
する光の波長は４３６ｎｍ（ｇ線）、３６５ｎｍ（ｉ
線）、２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマレーザー）と短波長
化が進んでいるが、この短波長化により解像度は向上す
るものの、焦点深度を深くとることができず、従って超
微細なレジストパターンを形成することが困難であると
いう問題点がある。
図る方法として、波長３００〜４５０ｎｍの光に対して
吸収極大を持つコントラスト増強用の光脱色性層（特公
昭６２−４０６９７，特開昭６２−２３４１４８号公報
参照）を用いたレジストパターン形成方法が提案されて
いる。また、解像度を向上させるため、ステッパの使用
する光の波長は４３６ｎｍ（ｇ線）、３６５ｎｍ（ｉ
線）、２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマレーザー）と短波長
化が進んでいるが、この短波長化により解像度は向上す
るものの、焦点深度を深くとることができず、従って超
微細なレジストパターンを形成することが困難であると
いう問題点がある。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みなされもので、超
微細なレジストパターンを形成することが可能となるコ
ントラスト増強用の光脱色性材料及びこれを用いたレジ
ストパターン形成方法を提供することを目的とする。
微細なレジストパターンを形成することが可能となるコ
ントラスト増強用の光脱色性材料及びこれを用いたレジ
ストパターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は上記
目的を達成するため鋭意検討を行った結果、波長２００
〜３００ｎｍの光に対して光脱色性を有し、非脱色状態
における吸光係数と分子量との比が１０リットル／ｇ・
ｃｍより大きく、かつ非脱色状態における吸光係数と脱
色状態における吸光係数との比が５より大きい物質のう
ち、分子中に−Ｓｉ−（Ｓｉ）ｎ−で示される結合を有
するオルガノポリシラン、より具体的には下記一般式
（１）で表される繰り返し単位からなり、分子量が１
０，０００〜１００，０００であるオルガノポリシラン
を含有する材料がコントラスト増強用の光脱色性層を形
成するための材料として適していることを見い出した。
即ち、波長２００〜３００ｎｍの光に対して所定レベル
のコントラスト閾値をもつホトレジスト層の上に上記材
料からなる光脱色性層を形成し、露光を行った場合、焦
点深度を深くとることができるので超微細なレジストパ
ターンを形成することができ、かつ解像度に優れている
ことを見い出し、本発明をなすに至った。
目的を達成するため鋭意検討を行った結果、波長２００
〜３００ｎｍの光に対して光脱色性を有し、非脱色状態
における吸光係数と分子量との比が１０リットル／ｇ・
ｃｍより大きく、かつ非脱色状態における吸光係数と脱
色状態における吸光係数との比が５より大きい物質のう
ち、分子中に−Ｓｉ−（Ｓｉ）ｎ−で示される結合を有
するオルガノポリシラン、より具体的には下記一般式
（１）で表される繰り返し単位からなり、分子量が１
０，０００〜１００，０００であるオルガノポリシラン
を含有する材料がコントラスト増強用の光脱色性層を形
成するための材料として適していることを見い出した。
即ち、波長２００〜３００ｎｍの光に対して所定レベル
のコントラスト閾値をもつホトレジスト層の上に上記材
料からなる光脱色性層を形成し、露光を行った場合、焦
点深度を深くとることができるので超微細なレジストパ
ターンを形成することができ、かつ解像度に優れている
ことを見い出し、本発明をなすに至った。
【０００７】
【化２】 （式中、Ｒ１は２価の有機基、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４及びＲ
５は同一又は異なり、メチル基、エチル基、プロピル基
もしくはフェニル基のいずれかの基、ｎは１〜５の整数
を表す。）
５は同一又は異なり、メチル基、エチル基、プロピル基
もしくはフェニル基のいずれかの基、ｎは１〜５の整数
を表す。）
【０００８】従って、本発明は、ホトレジスト層の上層
に形成され、露光後に除去される光脱色性層を形成する
光脱色性材料であって、上記一般式（１）で表される繰
り返し単位からなり、分子量が１０，０００〜１００，
０００のオルガノポリシランを含有することを特徴とす
る光脱色性材料、及び、波長２００〜３００ｎｍの光に
対して所定レベルのコントラスト閾値を示すホトレジス
ト層の上層として上記の光脱色性材料からなる光脱色性
層を形成し、該光脱色性層及びホトレジスト層を選択的
に露光した後、上記光脱色性層を除去し、次いでホトレ
ジスト層を現像することを特徴とするレジストパターン
の形成方法を提供する。以下、本発明を更に詳しく説明
すると、本発明の光脱色性材料は、上記一般式（１）で
表される繰り返し単位からなるオルガノポリシランを含
有するものである。
に形成され、露光後に除去される光脱色性層を形成する
光脱色性材料であって、上記一般式（１）で表される繰
り返し単位からなり、分子量が１０，０００〜１００，
０００のオルガノポリシランを含有することを特徴とす
る光脱色性材料、及び、波長２００〜３００ｎｍの光に
対して所定レベルのコントラスト閾値を示すホトレジス
ト層の上層として上記の光脱色性材料からなる光脱色性
層を形成し、該光脱色性層及びホトレジスト層を選択的
に露光した後、上記光脱色性層を除去し、次いでホトレ
ジスト層を現像することを特徴とするレジストパターン
の形成方法を提供する。以下、本発明を更に詳しく説明
すると、本発明の光脱色性材料は、上記一般式（１）で
表される繰り返し単位からなるオルガノポリシランを含
有するものである。
【０００９】ここで、Ｒ１は２価の有機基であり、具体
的には次のものが例示されるが、これらに制限されるも
のではない。
的には次のものが例示されるが、これらに制限されるも
のではない。
【００１０】（１）下記式で示される芳香環構造のみを
有する２価の有機基。
有する２価の有機基。
【化３】
【００１１】（２）下記式で示される芳香環構造と鎖式
構造を有する２価の有機基。
構造を有する２価の有機基。
【化４】
【００１２】（３）下記式で示されるアルキレン基。
【化５】 −ＣＨ２−，−ＣＨ２ＣＨ２−，−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−
【００１３】（４）下記式で示されるヘテロ原子もしく
はヘテロ原子を含む２価の有機基。
はヘテロ原子を含む２価の有機基。
【化６】
【００１４】また、Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5はメチル基、エ
チル基、プロピル基又はフェニル基を表し、これらは互
いに同一であっても異なっていてもよいが、高分子材料
の溶解性の観点からは、例えばＲ2，Ｒ4がメチル基で、
Ｒ3，Ｒ5がフェニル基というように２種類以上の基の組
み合わせであることが好ましい。また、ｎは１〜５の整
数であるが、特に１であることが好ましい。
チル基、プロピル基又はフェニル基を表し、これらは互
いに同一であっても異なっていてもよいが、高分子材料
の溶解性の観点からは、例えばＲ2，Ｒ4がメチル基で、
Ｒ3，Ｒ5がフェニル基というように２種類以上の基の組
み合わせであることが好ましい。また、ｎは１〜５の整
数であるが、特に１であることが好ましい。
【００１５】また、このオルガノポリシランは非脱色状
態における吸光係数と分子量との比が１０リットル／ｇ
・ｃｍより大きく、かつ非脱色状態における吸光係数と
脱色状態における吸光係数との比が５より大きいもので
あるが、非脱色状態における吸光係数と分子量との比は
１００以上、非脱色状態における吸光係数と脱色状態に
おける吸光係数との比は３０以上であることが好まし
い。なお、このオルガノポリシランの分子量は１０，０
００〜１００，０００、特に２０，０００〜１００，０
００である。
態における吸光係数と分子量との比が１０リットル／ｇ
・ｃｍより大きく、かつ非脱色状態における吸光係数と
脱色状態における吸光係数との比が５より大きいもので
あるが、非脱色状態における吸光係数と分子量との比は
１００以上、非脱色状態における吸光係数と脱色状態に
おける吸光係数との比は３０以上であることが好まし
い。なお、このオルガノポリシランの分子量は１０，０
００〜１００，０００、特に２０，０００〜１００，０
００である。
【００１６】本発明の光脱色性材料は上記オルガノポリ
シランを単独で用いてもよく、上記オルガノポリシラン
と結合剤とを有機溶媒に溶解して混合し、回転注型可能
な光脱色性材料として用いることもできる。この混合物
は、（Ａ）有機溶剤１００部（重量部、以下同じ）、
（Ｂ）不活性有機重合体結合剤０〜３０部、好ましくは
０〜１５部、及び、（Ｃ）上記オルガノポリシラン１〜
３０部、好ましくは１〜１５部を混合したものが好適で
ある。
シランを単独で用いてもよく、上記オルガノポリシラン
と結合剤とを有機溶媒に溶解して混合し、回転注型可能
な光脱色性材料として用いることもできる。この混合物
は、（Ａ）有機溶剤１００部（重量部、以下同じ）、
（Ｂ）不活性有機重合体結合剤０〜３０部、好ましくは
０〜１５部、及び、（Ｃ）上記オルガノポリシラン１〜
３０部、好ましくは１〜１５部を混合したものが好適で
ある。
【００１７】ここで、（Ａ）成分の溶剤としては、トル
エン，キシレン，エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、
芳香族炭化水素とシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素と
の混合物、芳香族炭化水素とプロパノール，ブタノール
等のアルコール類との混合物などが挙げられる。
エン，キシレン，エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、
芳香族炭化水素とシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素と
の混合物、芳香族炭化水素とプロパノール，ブタノール
等のアルコール類との混合物などが挙げられる。
【００１８】（Ｂ）成分の結合剤としては、酢酸ビニル
の単重合体又は共重合体もしくはそれらの部分ケン化
物、スチレン又はその誘導体の共重合体、アクリル酸も
しくはメタクリル酸エステルの単重合体又は共重合体、
炭化水素可溶性セルロースエーテル類やセルロースエス
テル類、ポリビニルピロリドン単重合体又は共重合体、
トリオルガノシリル基を導入したポリビニルアルコール
やプルラン類などが挙げられる。
の単重合体又は共重合体もしくはそれらの部分ケン化
物、スチレン又はその誘導体の共重合体、アクリル酸も
しくはメタクリル酸エステルの単重合体又は共重合体、
炭化水素可溶性セルロースエーテル類やセルロースエス
テル類、ポリビニルピロリドン単重合体又は共重合体、
トリオルガノシリル基を導入したポリビニルアルコール
やプルラン類などが挙げられる。
【００１９】上記（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）成分を混合す
る場合、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分それぞれを（Ａ）成分
に溶解して溶液状態としたものを混合することが好まし
い。
る場合、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分それぞれを（Ａ）成分
に溶解して溶液状態としたものを混合することが好まし
い。
【００２０】本発明の光脱色性材料を用いたレジストパ
ターンを形成するには、図１及び図２に示すリソグラフ
ィー工程により行うことができる。図１はホトレジスト
層の上に光脱色性層を直接形成した例を示す。まず、ケ
イ素ウエハー等の基板１上にスピンコート等の方法でホ
トレジスト層２を形成し、このホトレジスト層２の上に
本発明の光脱色性材料をスピンコート等の方法で塗布し
て光脱色性層３を形成し、光脱色性層３に波長２００〜
３００ｎｍの紫外線４を縮小投影法により所望のパター
ン形状に露光し、即ち図１においてＡ部分を露光し、光
脱色性層３を除去し、現像液を用いて現像する方法によ
りレジストパターン５を形成することができる。
ターンを形成するには、図１及び図２に示すリソグラフ
ィー工程により行うことができる。図１はホトレジスト
層の上に光脱色性層を直接形成した例を示す。まず、ケ
イ素ウエハー等の基板１上にスピンコート等の方法でホ
トレジスト層２を形成し、このホトレジスト層２の上に
本発明の光脱色性材料をスピンコート等の方法で塗布し
て光脱色性層３を形成し、光脱色性層３に波長２００〜
３００ｎｍの紫外線４を縮小投影法により所望のパター
ン形状に露光し、即ち図１においてＡ部分を露光し、光
脱色性層３を除去し、現像液を用いて現像する方法によ
りレジストパターン５を形成することができる。
【００２１】図２は光脱色性層をホトレジスト層から隔
離するために両者の間にポリビニルアルコール等の中性
物質からなる薄い介在層６を設けた例を示す。
離するために両者の間にポリビニルアルコール等の中性
物質からなる薄い介在層６を設けた例を示す。
【００２２】図１及び図２に示した例においてはホトレ
ジスト層２としてポジ型レジストを用いたのでＢ部分が
レジストパターン５として残るが、ホトレジストとして
は、波長２００〜３００ｎｍの光に対して所定レベルの
コントラスト閾値を示すものであればポジ型、ネガ型の
いずれも使用することができる。このようなホトレジス
トとして、具体的にはＸＰ８８４３（シップレー製）な
どを挙げることができる。
ジスト層２としてポジ型レジストを用いたのでＢ部分が
レジストパターン５として残るが、ホトレジストとして
は、波長２００〜３００ｎｍの光に対して所定レベルの
コントラスト閾値を示すものであればポジ型、ネガ型の
いずれも使用することができる。このようなホトレジス
トとして、具体的にはＸＰ８８４３（シップレー製）な
どを挙げることができる。
【００２３】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２４】［実施例１］光脱色性材料として分子量約
３０，０００のポリ［ｐ−（１，２−ジメチルジフェニ
ルジシラニレン）フェニレン］及び分子量約１，６００
で水酸基含有量約５．４〜６％のスチレン−アリルアル
コール共重合体のそれぞれの５％エチルベンゼン溶液を
混合した混合物を用い、図１に示すリソグラフィー工程
に従ってレジストパターンを形成した。まず、ケイ素ウ
エハーからなる基板１の上にＸＰ８８４３（ポジレジス
ト）をスピンコートしてレジスト層２を形成し（図１
（ａ））、次にレジスト層２上に上記光脱色性材料をス
ピンコートして光脱色性層３を形成し（図１（ｂ））、
縮小投影法によりＡ部分に選択的に２４８ｎｍの紫外線
４を露光し（図１（ｃ））、その後、光脱色性層３をキ
シレンを用いて除去し、アルカリ現像液を用いて現像を
行い、レジストパターン５を形成した（図１（ｄ））。
得られたレジストパターンはコントラストが増強された
０．３μｍ解像のものであった。
３０，０００のポリ［ｐ−（１，２−ジメチルジフェニ
ルジシラニレン）フェニレン］及び分子量約１，６００
で水酸基含有量約５．４〜６％のスチレン−アリルアル
コール共重合体のそれぞれの５％エチルベンゼン溶液を
混合した混合物を用い、図１に示すリソグラフィー工程
に従ってレジストパターンを形成した。まず、ケイ素ウ
エハーからなる基板１の上にＸＰ８８４３（ポジレジス
ト）をスピンコートしてレジスト層２を形成し（図１
（ａ））、次にレジスト層２上に上記光脱色性材料をス
ピンコートして光脱色性層３を形成し（図１（ｂ））、
縮小投影法によりＡ部分に選択的に２４８ｎｍの紫外線
４を露光し（図１（ｃ））、その後、光脱色性層３をキ
シレンを用いて除去し、アルカリ現像液を用いて現像を
行い、レジストパターン５を形成した（図１（ｄ））。
得られたレジストパターンはコントラストが増強された
０．３μｍ解像のものであった。
【００２５】［実施例２］実施例１においてポリ［ｐ−
（１，２−ジメチルジフェニルジシラニレン）フェニレ
ン］の代わりに分子量１０，０００のポリ［ｐ−（１，
２−ジメチルジエチルジシラニレン）フェニレン］を用
いた以外は実施例１と同様にしてエチルベンゼン溶液を
調製し、実施例１と同様にしてレジストパターンを形成
したところ、得られたレジストパターンはコントラスト
が増強された０．３２５μｍ解像のものであった。
（１，２−ジメチルジフェニルジシラニレン）フェニレ
ン］の代わりに分子量１０，０００のポリ［ｐ−（１，
２−ジメチルジエチルジシラニレン）フェニレン］を用
いた以外は実施例１と同様にしてエチルベンゼン溶液を
調製し、実施例１と同様にしてレジストパターンを形成
したところ、得られたレジストパターンはコントラスト
が増強された０．３２５μｍ解像のものであった。
【００２６】［実施例３］光脱色性材料として分子量約
３０，０００のポリ［ｐ−（１，２−ジメチルジフェニ
ルジシラニレン）フェニレン］及び分子量約３，０００
で成分比６：４のポリビニルピロリドン−酢酸ビニル共
重合体のそれぞれの５％エチルベンゼン−１−ブタノー
ル溶液（重量比１：１）の混合物を用い、介在層として
分子量１０，０００のポリビニルアルコール５％水溶液
を用い、図２に示すリソグラフィー工程に従ってレジス
トパターンを形成した。まず、ケイ素ウエハー等からな
る基板１にＸＰ８８４３（ポジレジスト）をスピンコー
トしてレジスト層２を形成し（図２（ａ））、次に、レ
ジスト層２上に介在層６としてＢＣ−５（ＭｉｃｒｏＳ
ｉ社製）をスピンコートし（図２（ｂ））、更にその上
に上記光脱色性材料をスピンコートして光脱色性層７を
形成し（図２（ｃ））、縮小投影法によりＡ部分に選択
的に２４８ｎｍの紫外線４を露光した（図２（ｄ））。
その後、介在層６と光脱色性層７とを純水を用いて同時
に除去し、アルカリ現像液を用いて現像を行い、レジス
トパターン５を形成した（図２（ｅ））。得られたレジ
ストパターンはコントラストが増強された０．３μｍ解
像のものであった。
３０，０００のポリ［ｐ−（１，２−ジメチルジフェニ
ルジシラニレン）フェニレン］及び分子量約３，０００
で成分比６：４のポリビニルピロリドン−酢酸ビニル共
重合体のそれぞれの５％エチルベンゼン−１−ブタノー
ル溶液（重量比１：１）の混合物を用い、介在層として
分子量１０，０００のポリビニルアルコール５％水溶液
を用い、図２に示すリソグラフィー工程に従ってレジス
トパターンを形成した。まず、ケイ素ウエハー等からな
る基板１にＸＰ８８４３（ポジレジスト）をスピンコー
トしてレジスト層２を形成し（図２（ａ））、次に、レ
ジスト層２上に介在層６としてＢＣ−５（ＭｉｃｒｏＳ
ｉ社製）をスピンコートし（図２（ｂ））、更にその上
に上記光脱色性材料をスピンコートして光脱色性層７を
形成し（図２（ｃ））、縮小投影法によりＡ部分に選択
的に２４８ｎｍの紫外線４を露光した（図２（ｄ））。
その後、介在層６と光脱色性層７とを純水を用いて同時
に除去し、アルカリ現像液を用いて現像を行い、レジス
トパターン５を形成した（図２（ｅ））。得られたレジ
ストパターンはコントラストが増強された０．３μｍ解
像のものであった。
【００２７】［比較例］実施例１において、光脱色性層
を用いない以外は実施例１と同様にしてレジストパター
ンを形成した。このレジストパターンと光脱色性層を用
いた際に得られたレジストパターン（実施例１，２，
３）の比較を表１に示す。
を用いない以外は実施例１と同様にしてレジストパター
ンを形成した。このレジストパターンと光脱色性層を用
いた際に得られたレジストパターン（実施例１，２，
３）の比較を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、リソグラフィーに
おいて本発明の光脱色性材料を用いて光脱色性層を形成
することにより、超微細なレジストパターン形成時の露
光、現像に際して、スループットの低下がほとんどな
く、高コントラスト、高解像度、高精度のレジストパタ
ーンを形成することができ、従って半導体素子の微細化
が進み、かつ歩留まりが向上し、工業的に有用である。
おいて本発明の光脱色性材料を用いて光脱色性層を形成
することにより、超微細なレジストパターン形成時の露
光、現像に際して、スループットの低下がほとんどな
く、高コントラスト、高解像度、高精度のレジストパタ
ーンを形成することができ、従って半導体素子の微細化
が進み、かつ歩留まりが向上し、工業的に有用である。
【図１】本発明の光脱色性材料を用いたリソグラフィー
工程の一例を示す工程図である。
工程の一例を示す工程図である。
【図２】本発明の光脱色性材料を用いたリソグラフィー
工程の他の例を示す工程図である。
工程の他の例を示す工程図である。
【符号の説明】 １ 基板 ２ ホトレジスト層 ３ 光脱色性層 ４ 紫外線 ５ レジストパターン ６ 介在層 ７ 光脱色性層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 健一 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地 の１ 信越化学工業株式会社 合成技術 研究所内 (56)参考文献 特開 平２−251963（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−212851（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−106048（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−271745（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42
Claims (2)
- 【請求項１】 ホトレジスト層の上層に形成され、露光
後に除去される光脱色性層を形成する光脱色性材料であ
って、下記一般式（１）で表される繰り返し単位からな
り、分子量が１０，０００〜１００，０００のオルガノ
ポリシランを含有することを特徴とする光脱色性材料。 【化１】 （式中、Ｒ１は２価の有機基、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４及びＲ
５は同一又は異なり、メチル基、エチル基、プロピル基
もしくはフェニル基のいずれかの基、ｎは１〜５の整数
を表す。） - 【請求項２】 波長２００〜３００ｎｍの光に対して所
定レベルのコントラスト閾値を示すホトレジスト層の上
層として請求項１の光脱色性材料からなる光脱色性層を
形成し、該光脱色性層及びホトレジスト層を選択的に露
光した後、上記光脱色性層を除去し、次いでホトレジス
ト層を現像することを特徴とするレジストパターンの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3178772A JP2841938B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 光脱色性材料及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3178772A JP2841938B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 光脱色性材料及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH052268A JPH052268A (ja) | 1993-01-08 |
| JP2841938B2 true JP2841938B2 (ja) | 1998-12-24 |
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ID=16054359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP3178772A Expired - Fee Related JP2841938B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 光脱色性材料及びこれを用いたレジストパターンの形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2841938B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100891122B1 (ko) | 2002-12-23 | 2009-04-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전압유기 방지회로를 구비한 타이밍컨트롤러 리셋회로 |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP3178772A patent/JP2841938B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052268A (ja) | 1993-01-08 |
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