JP2838044B2 - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JP2838044B2
JP2838044B2 JP22508894A JP22508894A JP2838044B2 JP 2838044 B2 JP2838044 B2 JP 2838044B2 JP 22508894 A JP22508894 A JP 22508894A JP 22508894 A JP22508894 A JP 22508894A JP 2838044 B2 JP2838044 B2 JP 2838044B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、データを読出し自在に
記憶する記憶部を備えた半導体集積回路に関し、詳細に
は、その半導体集積回路が複数個、互いにカスケード接
続されて共通の出力データバスに接続され、それら複数
の半導体集積回路の記憶部に記憶されたデータが出力デ
ータバスに順次出力されるタイプの半導体集積回路に関
する。
【0002】
【従来の技術】例えばRAM(Randam Acce
ss Memory)や連想メモリ(Associet
ive Memory,内容アドレス式メモリ;Con
tent Addresable Memory(CA
M))等において、メモリ容量が不足する場合には、同
一のメモリを複数個カスケード接続し、外部からは、あ
たかも、大容量の1つのメモリであるかのように動作す
るように、あらかじめ構成しておくことが考えられてい
る。
【0003】図6は、複数の半導体集積回路がカスケー
ド接続された状態を示す模式図である。簡単のため、以
下、各半導体集積回路を、「チップ」と称することがあ
る。各チップ10a,…,10k,…は、外部で参照す
る必要のあるデータを記憶する記憶部20a,…,20
k,…を有している。それら複数のチップ10a,…,
10k,…は共通の出力データバス30と共通の制御線
40に接続されており、制御線40を経由して、データ
出力の指示を表わす制御信号Sが入力されると、記憶部
20a,…,20k,…のデータが出力データバス30
に出力される。その際、複数のチップ10a,…,10
k,…からの出力データバス30へのデータ出力が競合
しないよう、各チップ10a,…,10k,…にはプラ
イオリティ信号入力端子11a,…,11k,…および
プライオリティ信号出力端子12a,…,12k,…が
備えられており、それらを順次接続しておくことによっ
て、前段側(図6の上側)に接続されたチップほど、デ
ータ出力に関し高い優先度が与えられるように構成され
ている。すなわち、プライオリティ信号入力端子11
a,…,11k,…からは、自分よりも前段側に接続さ
れたいずれかのチップにデータ出力の優先権が存在する
ことを表わす第1のプライオリティ信号PI_ が入力さ
れ、その第1のプライオリティ信号PI_ が入力されて
いる間は、自分は、自分の記憶部のデータを出力データ
バス30には出力せず、その第1のプライオリティ信号
PI_ の入力が停止した後、自分の記憶部のデータを出
力する。また、プライオリティ信号出力端子12a,
…,12k,…からは、プライオリティ信号入力端子1
1a,…,11k,…から、上記第1のプライオリティ
信号PI_ が入力されているか、あるいはそのプライオ
リティ信号PI_ の入力が停止しても自分自身がデータ
出力を行っているときは、後段側に接続されたチップか
らのデータの出力を禁止する第2のプライオリティ信号
PO_ を出力し、第1のプライオリティ信号入力端子1
1a,…,11k,…からのプライオリティ信号PI_
の入力が停止し、かつ自分のデータ出力も終了した時点
でプライオリティ信号出力端子12a,…,12k,…
からの第2のプライオリティ信号PO_ の出力を停止す
る。
【0004】以上のように構成することによって、カス
ケード接続された複数のチップ10a,…,10k,…
から、出力データバス30に、データが順次出力され
る。図7は、図6に示す、カスケード接続されたときに
順次出力を可能とする半導体集積回路(チップ)の内部
構成図である。図7に示す半導体集積回路(チップ)1
0の、プライオリティ信号入力端子11からは、第1の
プライオリティ信号PI_ が入力される。この第1のプ
ライオリティ信号PI_ は、このチップ10よりも前段
側のいずれかのチップにデータ出力の優先権があるとき
に“L”レベルにとどまり、前段側の全てのチップのデ
ータ出力が終了した時点で“H”レベルとなる。自分が
最前段の場合、それ以上優先度の高いチップは存在しな
いのだから、プライオリティ信号入力端子11は、常に
“H”レベルの信号が入力されるようにプルアップされ
る。
【0005】プライオリティ信号入力端子11から第1
のプライオリティ信号PI_ (“L”レベルの信号)が
入力されている場合、その“L”レベルの信号はゲート
回路13を経由し第2のプライオリティ信号PO_
(“L”レベルの信号)として後段側のチップに伝達さ
れる。またこのチップ10には、出力データバス30に
出力すべき出力データが格納される記憶部20、および
その記憶部20に対応してプライオリティフラグレジス
タ24が備えられている。このプライオリティフラグレ
ジスタ24には、記憶部20に出力データが格納された
時点でプライオリティフラグが格納され、そのプライオ
リティフラグレジスタ24のQ出力が“H”レベルとな
る。また、この記憶部20に格納された出力データ(出
力データが複数存在するときは、最終の出力データ)が
読み出された時点で、その格納されたプライオリティフ
ラグがリセットされ、そのQ出力が“L”レベルとな
る。
【0006】制御線40を経由してデータ出力のための
制御クロック信号Sが入力される。その制御クロック信
号Sはフリップフロップ52に伝達されるとともに、ゲ
ート回路54の反転入力端子に入力される。自分にデー
タ出力の優先権がないときは、アンドゲート57の出力
は“L”レベルにあり、したがってフリップフロップ5
2には、制御クロック信号Sの入力によって論理“0”
が記憶され、そのQ出力端子から“L”レベルの信号が
出力される。したがってゲート回路54の出力である制
御信号S1は“H”レベルに固定される。プライオリテ
ィ信号入力端子11から入力される信号が“H”レベル
に変化することによりデータ出力のプライオリティが自
分に回ってくると、自分に出力すべきデータが存在する
場合、即ち、プライオリティフラグレジスタ24にプラ
イオリティフラグが格納されている場合はアンドゲート
57の出力が“H”レベルとなり、制御クロック信号S
によりフリップフロップ52に論理“1”が記憶され、
そのQ出力が“H”レベルとなる。そうすると、ゲート
回路54の出力である制御信号S1は、制御クロック信
号Sがそのままゲート回路54を通過したクロック信号
となる。
【0007】ゲート回路54から出力された制御信号S
1は、アドレス制御部55に入力される。このアドレス
制御部55は、制御信号S1の各立ち下がりの時点で読
出しアドレスを順次更新するものである。このアドレス
制御部55から出力されたアドレス信号はデコーダ部5
6に入力されてデコードされる。デコーダ部56から出
力された読出しアドレスは記憶部20に供給される。
【0008】記憶部20では、デコーダ部56から供給
された読出しアドレスに対応する記憶領域に記憶された
出力データが読み出される。この記憶部20のデータ読
出し線と、このチップ10の外部において複数のチップ
に跨って延在する出力データバス30との間には、トラ
イステートバッファ61が配置されており、記憶部20
から読み出されたデータは、そのトライステートバッフ
ァ61がオン状態にあるときには、そのトライステート
バッファ61を経由して、出力データバス30に出力さ
れる。
【0009】トライステートバッファ61のオン/オフ
は、アンド回路57により制御される。すなわち、プラ
イオリティ信号入力端子11からのプライオリティ信号
PI _ の入力が停止(“H”レベルに変化)すると、自
分のチップ10の記憶部20に出力すべきデータが記憶
されている場合にはアンドゲート57の出力が“H”レ
ベルとなってトライステートバッファ61がオン状態と
なり、自分のチップ10の記憶部20から読み出された
データが出力データバス30に出力される。また自分の
チップ10の記憶部20から出力すべきデータが全て出
力されると、プライオリティフラグレジスタ24のQ出
力が“L”レベルに変化し、アンドゲート57の出力も
“L”レベルに変化し、トライステートバッファ61が
オフ状態となる。これとともに、前述したように、プラ
イオリティ信号出力端子12からの第2のプライオリテ
ィ信号PO_ の出力が停止(“H”レベルに変化)し、
次段に接続されたチップにデータ出力の優先権を引き渡
す。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】図8は、図7に示す半
導体集積回路の動作を表わすタイミングチャートであ
る。プライオリティ信号入力端子11からの第1のプラ
イオリティ信号PI_ (“L”レベル)の入力が停止
(“H”レベルに変化)することにより自分にデータ出
力の優先権がまわってきた直後の制御クロック信号Sの
立ち下がりで、アドレス制御部55(図7参照)がアド
レスの生成を開始し、時間t1をかけてアドレスが生成
され、今度はその生成されたアドレスがデコーダ部56
に入力されて時間t2をかけてデコードされ、そのデコ
ードの後、記憶部20に記憶された出力デタが時間t3
をかけて出力データバス30に出力されるものとする。
すなわち、ここでは、データ出力の優先権が自分に移っ
てきたことを認識した後、 (1)アドレス生成 時間t1 (2)デコード 時間t2 (3)データ出力 時間t3 という3段階の動作を行なう必要があり、これらの動作
が必要であるためにデータ出力に時間がかかるという問
題がある。特に、読出しアドレス自体がメモリに書き込
まれており、例えば制御クロック信号をカウントしてカ
ウントアップする毎にそのカウント値をアドレスとして
メモリから読出しアドレスを読み出し、これにより出力
すべきデータの格納アドレスを知るように構成された場
合、データ出力にさらに多大な時間を要するという問題
がある。
【0011】本発明は、上記事情に鑑み、カスケード接
続される半導体集積回路において、データ出力の高速化
が図られた半導体集積回路を提供することを目的とす
る。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体集積回路は、データを読出し自在に記憶する
記憶部を有する半導体集積回路であって、該半導体集積
回路複数が互いにカスケード接続されて共通の出力デー
タバスに接続され、これら複数の半導体集積回路の記憶
部に記憶されたデータが出力データバスに順次出力され
る半導体集積回路において、 (1)記憶部に記憶された、出力されるべき未出力のデ
ータが1個以下であることを検出することにより残り1
個検出信号を生成する残り1個検出回路 (2)記憶部に記憶された、出力されるべき未出力のデ
ータが0個であることを検出することにより残り0個検
出信号を生成する残り0個検出回路 (3)上記複数の半導体集積回路のうち自分よりも前段
側に接続された全ての半導体集積回路に亘って、記憶部
に記憶された、出力されるべき未出力のデータが合計1
個以下であることを表わす第1の残り1個伝搬信号を入
力する第1の信号入力端子 (4)上記複数の半導体集積回路のうち自分よりも前段
側に接続された全ての半導体集積回路に亘って、記憶部
に記憶された、出力されるべき未出力のデータが0個で
あることを表わす第1の残り0個伝搬信号を入力する第
2の信号入力端子 (5)上記第1の残り1個伝搬信号の入力の有無、上記
第1の残り0個伝搬信号の入力の有無、上記残り1個検
出信号の生成の有無、および上記残り0個検出信号の生
成の有無に基づいて、上記複数の半導体集積回路のうち
自分自身および自分よりも前段側に接続された全ての半
導体集積回路に亘って、記憶部に記憶された、出力され
るべき未出力のデータが合計1個以下であることを表わ
す第2の残り1個伝搬信号を生成する第1の伝搬信号生
成回路 (6)上記第1の残り0個伝搬信号の入力の有無および
上記残り0個検出信号の生成の有無に基づいて、上記複
数の半導体集積回路のうち自分自身および自分よりも前
段側に接続された全ての半導体集積回路に亘って、記憶
部に記憶された、出力されるべき未出力のデータが0個
であることを表わす第2の残り0個伝搬信号を生成する
第2の伝搬信号生成回路 (7)上記第2の残り1個伝搬信号を出力する第1の信
号出力端子 (8)上記第2の残り0個伝搬信号を出力する第2の信
号出力端子を備えたことを特徴とする。
【0013】ここで、上記本発明の半導体集積回路にお
いて、 (9)上記第1の残り1個伝搬信号の入力を受けて、記
憶部の、出力すべき未出力のデータが記憶された領域の
アドレスの生成を開始するアドレス生成回路と、 (10)上記第1の残り0個伝搬信号の入力を受けて、
記憶部に記憶された、出力すべき未出力のデータの出力
を開始するデータ出力回路とを備えた構成とすることが
好ましい。
【0014】
【作用】本発明の半導体集積回路は、従来のプライオリ
ティ信号と同等の、残り0個伝搬信号を伝搬させるだけ
でなく、残り1個伝搬信号を生成して伝搬させるもので
あるため、残り1個伝搬信号が伝搬してきたときに、ア
ドレス生成を開始しておき、残り0個伝搬信号が伝搬し
てきたとき、即ち、自分にデータ出力の優先権が回わっ
てきたときに直ちにデータを出力することができ、デー
タ出力の時間が短縮される。
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1は、本発明の半導体集積回路の一実施例の内部構成図
である。図7に示す従来例と同一の回路要素には、図7
に付した番号と同一の番号を付して示し、相違点を中心
に説明する。
【0016】図1に示すチップ10Aには、第1の信号
入力端子11Aと第2の信号入力端子11Bが備えられ
ている。第1の信号入力端子11Aからは、自分のチッ
プ10Aよりも前段側に接続された全てのチップに亘っ
て、それらのチップの記憶部に記憶された、出力される
べき未出力のデータが合計1個以下であることを表わ
す、第1の残り1個伝搬信号MIが入力される。この第
1の信号入力端子11Aから入力される信号が“L”レ
ベルにあるときは前段側の全てのチップに亘って出力す
べき未出力のデータが合計2個以上存在することを意味
し、この第1の残り1個伝搬信号MIは、前段側の全て
のチップに亘って出力すべき未出力のデータが合計1個
以下になったときに“H”レベルに変化する。
【0017】また、第2の信号入力端子11Bからは、
自分のチップ10Aよりも前段側に接続された全てのチ
ップに亘って、それらのチップの記憶部に記憶された、
出力されるべき未出力のデータが0個であることを表わ
す、第1の残り0個伝搬信号が入力される。この第2の
信号入力端子11Bから入力される信号が“L”レベル
にあるときは、前段側の全てのチップに亘って、出力す
べき未出力のデータが合計1個以上存在することを意味
し、この第1の残り0個伝搬信号SIは、前段側の全て
のチップに亘って出力すべき未出力のデータが0個にな
ったときに“H”レベルに変化する。この第1の残り0
個伝搬信号SIは、図7に示す従来例におけるプライオ
リティ信号入力端子11から入力される第1のプライオ
リティ信号と同様の性格を有している。ただし、ここで
は第1のプライオリティ信号(“L”レベル)の論理が
変化した後の“H”レベルの信号を、第1の残り0個伝
搬信号SIと称している。
【0018】第1の信号入力端子11Aから、残り1個
伝搬信号MI(“H”レベル)が未だ入力されていない
(即ち、“L”レベルの信号が入力されている)とき
は、その“L”レベルの信号はゲート回路14を経由
し、“L”レベルの信号として、第1の信号出力端子1
2Aから出力され次段のチップに入力される。換言する
と、第1の信号入力端子11Aから第1の残り1個伝搬
信号MIが入力されていないときは、自分のチップ10
Aからも、第2の残り1個伝搬信号MOは出力されな
い。
【0019】また、これと同様に、第2の信号入力端子
11Bから、残り0個伝搬信号SI(“H”レベル)が
未だ入力されていない(即ち、“L”レベルの信号が入
力されている)ときは、その“L”レベルの信号は、ゲ
ート回路15を経由し、“L”レベルの信号として、第
2の信号出力端子12Bから出力され、次段のチップに
入力される。換言すると、第2の信号入力端子11Bか
ら第1の残り0個伝搬信号SIが入力されていないとき
は、自分のチップ10Aからも、第2の残り0個伝搬信
号SOは出力されない。
【0020】また、このチップ10Aには、記憶部20
に対応して、残り1個検出回路24Aと、残り0個検出
回路24Bが備えられている。残り1個検出回路24A
は、記憶部20に記憶された、出力されるべき未出力の
データが1個以下であることを検出して残り1個検出信
号(“H”レベル)を出力する回路であり、残り0個検
出回路24Bは、記憶部20に記憶された、出力される
べき未出力のデータが0個であることを検出して残り0
個検出信号(“H”レベル)を出力する回路である。こ
の残り0個検出回路24Bは、信号の論理が反転してい
ることを除き、前述した従来例(図7参照)におけるプ
ライオリティフラグレジスタ24に相当する。
【0021】ゲート回路14は、前述したように、第1
の信号入力端子11Aから第1の残り1個伝搬信号MI
が入力されないうちは、第1の信号出力端子12Aから
も第2の残り1個伝搬信号MOを出力しないが、第1の
信号入力端子11Aから第1の残り1個伝搬信号MI
(“H”レベル)が入力されても、自分のチップ10A
の残り1個検出回路24Aから残り1個検出信号が出力
されないうちは、第2の残り1個伝搬信号MOは出力し
ない。また、ゲート回路14は、入力側の信号を反転し
て入力するアンドゲート14aの作用により、前段側か
ら第1の残り1個伝搬信号MIが入力され、かつ自分の
チップ10Aの残り1個検出回路24Aから残り1個検
出信号が出力されても、前段側から第1の残り0個伝搬
信号SIが入力されず、かつ、自分のチップ10Aの残
り0個検出回路24Bからも残り0個検出信号MOが出
力されていないときは、第2の残り1個伝搬信号は出力
しない。この場合、前段側のチップに、出力すべき、未
出力のデータが1個残っており、しかも自分のチップ1
0Aにも出力すべき未出力のデータが1個存在し、した
がって出力すべき未出力のデータが合計2個存在し、し
たがって、次段のチップには、出力すべき未出力のデー
タが未だ2個以上存在していることを知らせる必要があ
るからである。
【0022】また、ゲート回路15からは、前段側から
第1の残り0個伝搬信号SIが入力され、かつ自分のチ
ップ10Aの残り0個検出回路24Bから残り0個検出
信号が出力されると、出力すべき未出力のデータの残り
が0個である旨を次段のチップに伝えるべく、第2の残
り0個伝搬信号SOが出力される。この第2の残り0個
伝搬信号SOは、第2信号出力端子12Bを経由して外
部に出力され、次段のチップに伝達される。
【0023】図2は、図1に示す実施例の動作タイミン
グチャートである。以下、図1とともに図2を参照して
説明を続行する。フリップフロップ52のD入力端子
は、第1の信号入力端子11Aに接続されている。この
ため、前段側から第1の残り1個伝搬信号MIが入力さ
れると、制御クロック信号Sの次の立ち上がりでフリッ
プフロップ52に論理“1”が格納され、そのQ出力が
“H”レベルとなる。すなわち、第1の残り1個伝搬信
号MIが入力されると、制御クロック信号Sがゲート回
路54を通過し、制御信号S1としてアドレス制御部5
5に入力され、アドレス制御部55ではこれを受けてア
ドレスの生成を開始する。このアドレス制御部55で生
成されたアドレスは制御信号S1(制御クロック信号
S)の次の立ち上がりのタイミングでフリップフロップ
59に格納され、デコーダ部56に入力され、アドレス
デコードが行なわれる。この間、前段側のチップでは、
出力すべき最後のデータの出力が行なわれる。制御信号
S1(制御クロック信号S)が次に立ち下がると、この
時点では、既にデコードは終了しているため、記憶部2
0から直ちにデータの読み出しが行なわれる。
【0024】また、このときには前段側から、既に残り
0個伝搬信号SIが入力されており、ゲート回路58で
はこれを受けて“H”レベルの信号を出力し、トライス
テートバッファ61がオン状態にあるため、記憶部20
から読み出されたデータは、トライステートバッファ6
1を経由し、出力データバス30に出力される。このよ
うに、図1に示す実施例では、前段側からの第1の残り
1個伝搬信号MIの入力を受けて自分のチップ10Aの
出力の準備を開始し、前段側からの第1の残り0個伝搬
信号入力後の制御信号S1(制御クロック信号S)の最
初の立ち下がりでいきなりデータの読出しを行なうよう
にし、その後も、データの読出しと、次に読み出すべき
データのアドレスの生成,デコードとを同時に並行して
行なうようにしたため、データ出力に要する時間が大幅
に短縮される。
【0025】図3は、残り1個検出回路および残り0個
検出回路の一例を示した回路図である。記憶部20(図
1参照)のデータ1個ずつを記憶する各記憶領域に対応
して1個ずつ出力データ格納フラグレジスタ80a,8
0b,…,80nが備えられている。
【0026】各出力データ格納フラグレジスタ80a,
80b,…,80nには、各プリセット信号線81a,
81b,…,81n、および各クロック信号線82a,
82b,…,82nが接続されている。また、これらの
出力データフラグレジスタ80a,80b,…,80n
のD入力端子はグラウンドに接続されている。記憶部2
0の記憶領域に出力データが格納されると、対応するプ
リセット信号線(プリセット信号線81a,81b,
…,81nのいずれか)にプリセット用パルス信号が出
力され、対応する出力データ格納フラグレジスタ(出力
データ格納フラグレジスタ80a,80b,…,80n
のいずれか)に論理“1”の出力データ格納フラグがセ
ットされ、そのQ出力が“H”レベルとなる。また、ク
ロック信号線82a,82b,…,82nは、図1に示
すデコーダ部56に接続されており、記憶部20のある
記憶領域のデータが読み出されるとその記憶領域に対応
するクロック信号線(クロック信号線82a,82b,
…,82n)を経由して、その記憶領域に対応する出力
データ格納フラグレジスタ(出力データ格納フラグレジ
スタ80a,80b,…,80nのいずれか)にクロッ
ク信号が入力され、その対応する出力データ格納フラグ
レジスタに格納されていた出力データ格納フラグがリセ
ットされ、そのQ出力が“L”レベルとなる。
【0027】全ての出力データ格納フラグレジスタ80
a,80b,…,80nのQ出力は、ゲート回路83に
入力される。ゲート回路83は、全ての出力データ格納
フラグレジスタ80a,80b,…,80nのQ出力が
“L”レベルにあるときに、“H”レベルの信号を出力
する。すなわち、このゲート回路83の出力が、残り0
個検出信号となる。
【0028】また、図3に示す残り1個検出回路90に
は、データセンス線91とレファレンス線92が延びて
おり、それらデータセンス線91とレファレンス線92
は、差動増幅型のセンスアンプ100に接続されてい
る。また、データセンス線91、レファレンス線92に
は、各出力データ格納フラグレジスタ80a,80b,
…,80nのそれぞれに対応して、互いに直列に接続さ
れたトランジスタペア93a,93b,…,93n;9
4a,94b,…,94nが接続されている。また、デ
ータセンス線91、レファレンス線92には、さらにも
う1つずつのトランジスタペア95,96が接続されて
いる。これら各トランジスタペア93a,93b,…,
93n;94a,94b,…,94n;95;96を構
成する各2つのトランジスタのうち、データセンス線9
1ないしレファレンス線92に直接接続されているトラ
ンジスタは、データセンス線91、レファレンス線92
のプリチャージを確実にするためのものであり、それら
のトランジスタのゲートはプリチャージ線97に接続さ
れている。また、それら各トランジスタペア93a,9
3b,…,93n;94a,94b,…,94n;9
5;96を構成する各2つのトランジスタのうち、グラ
ウンドに接続されたトランジスタは、データセンス用の
トランジスタである。これらデータセンス用トランジス
タのうち、トランジスタペア93a,93b,…,93
nを構成するデータセンス用トランジスタのゲートは、
それぞれ対応する出力データ格納フラグレジスタ80
a,80b,…,80nのQ出力端子と接続されてい
る。また、残りのトランジスタペア94a,94b,
…,94n;95;96を構成するデータセンス用トラ
ンジスタのゲートは、トランジスタペア96のデータセ
ンス用トランジスタを除き、グラウンドに接続されてい
る。トランジスタペア96のデータセンス用トランジス
タのゲートは電源VDDに接続されている。またトランジ
スタペア95;96を除く他のトランジスタペア93
a,93b,…,93n;94a,94b,…,94n
はいずれも寸法(電流引き込み能力)の同じトランジス
タペアであるが、トランジスタペア95;96の電流引
き込み能力は、他のトランジスタペア93a,93b,
…,93n;94a,94b,…,94nの1.5倍の
能力を有している。
【0029】プリチャージ線97に“L”レベルのプリ
チャージ信号が印加されると、VDDから、Pチャンネル
トランジスタ98,99を介して、データセンス線9
1、レファレンス線92に電荷が供給され、それらデー
タセンス線91、レファレンス線92がプリチャージさ
れる。また、Pチャンネルトランジスタ101により、
データセンス線91とレファレンス線92のセンスアン
プ100の入力近傍が短絡され、それらデータセンス線
91とレファレンス線92の電位が完全に同一となるよ
うにイコライズされる。さらにPチャンネルトランジス
タ102,103がオン状態となってセンスアンプ10
0の内部もイコライズされる。
【0030】次いで、プリチャージ線97に印加された
信号が“H”レベルに変化すると、データセンス線9
1、レファレンス線92にプリチャージされた電荷がデ
ィスチャージされるが、レファレンス線92の電荷は、
トランジスタペア96のみを経由してディスチャージさ
れる。前述したように、このトランジスタペア96は、
他のトランジスタペア93a,93b,…,93n;9
4a,94b,…,94nそれぞれと比べ1.5倍の電
流引き込み能力を有している。
【0031】一方、データセンス線91は、出力データ
格納フラグレジスタ80a,80b,…,80nのう
ち、論理“1”の出力データ格納フラグが格納されてい
る(Q出力が“H”レベルにある)出力データ格納フラ
グレジスタに対応するトランジスタペアを経由してディ
スチャージされる。したがって、データセンス線91
は、トランジスタペア93a,93b,…,93nのう
ちの2つ以上のトランジスタペアを経由してディスチャ
ージされるとき(即ち、これは、図1に示す記憶部20
に出力すべき未出力のデータが2個以上残っていること
を意味する)は、データセンス線91の方がレファレン
ス線92よりも速くディスチャージされ、このディスチ
ャージの速度の差がセンスアンプ90で検出される。デ
ータセンス線91の方がレファレンス線92よりも速く
ディスチャージされるときは、インバータ104の出力
信号は“L”レベルとなる。
【0032】一方、記憶部20(図1参照)に記憶され
た、出力すべき未出力のデータが1個の場合、データセ
ンス線91は、トランジスタペア93a,93b,…,
93nのうちのいずれか1個のトランジスタペアのみを
経由してディスチャージされ、レファレンス線92をデ
ィスチャージするトランジスタペア96は、1.5倍の
電流引き込み能力を有することからレファレンス線92
の方が速くディスチャージされ、これがセンスアンプ1
00でセンスされて、インバータ104から“H”レベ
ルの信号が出力される。記憶部20に出力すべき未出力
のデータがなくなったときは、データセンス線91はデ
ィスチャージされず、したがってこのときもインバータ
104の出力は“H”レベルとなる。すなわち、このイ
ンバータ104の出力が残り1個検出信号となる。
【0033】図4は、本発明の半導体集積回路の他の実
施例の特徴部分の構成ブロック図、図5はその動作タイ
ミングチャートである。この図4に示す実施例には、図
3に示す実施例におけるアドレス制御部55に代えて、
カウンタ70とメモリ71が備えられている。このメモ
リ71には、記憶部20に格納された出力データの格納
アドレスが記憶されている。
【0034】図5に示すように、第1の残り1個伝搬信
号MIが入力された次の制御クロック信号Sの立ち下が
りで、図4に示すチップ10Bのカウンタ70から値
“0”が出力され、メモリ71のアドレス“0”から記
憶部20の読出しアドレス“30H”が読み出され、制
御クロック信号Sの次の立ち上がりでフリップフロップ
59に格納されてデコーダ部56に供給される。デコー
ダ部56ではこれを受けてアドレス30Hをデコードす
る。制御クロック信号Sの次の立ち下がりのタイミング
では、既に準備が完了しているため、いきなりデータ出
力が行なわれる。このように、この実施例の場合も、第
1の残り1個伝搬信号を受けてデータ出力の準備を開始
し、その後も、データ出力と、次に出力すべきデータの
アドレスの生成(カウンタ70のカウントアップ、メモ
リ71からのアドレスの読出し、およびデコーダ部56
におけるアドレスデコード)とが並行して行なわれ、し
たがって高速のデータ出力が可能となる。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路は、残り0個伝搬信号のほか残り1個伝搬信号を
生成して伝搬する構成であるため、データ出力の優先権
が自分に回わってくる前にデータ出力の準備を行なうこ
とができ、高速のデータ出力が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体集積回路の一実施例の内部構成
図である。
【図2】図1に示す実施例の動作タイミングチャートで
ある。
【図3】残り1個検出回路および残り0個検出回路の一
例を示した回路図である。
【図4】本発明の半導体集積回路の他の実施例の特徴部
分の構成ブロック図である。
【図5】図4に示す半導体集積回路の動作タイミングチ
ャートである。
【図6】複数の半導体集積回路がカスケード接続された
状態を示す模式図である。
【図7】図6に示す、カスケード接続されたときに順次
出力を可能とする半導体集積回路(チップ)の内部構成
図である。
【図8】図7に示す半導体集積回路の動作を表わすタイ
ミングチャートである。
【符号の説明】
10,10A,10B 半導体集積回路(チップ) 11A 第1の信号入力端子 11B 第2の信号入力端子 12A 第1の信号出力端子 12B 第2の信号出力端子 20 記憶部 24A 残り1個検出回路 24B 残り0個検出回路

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データを読出し自在に記憶する記憶部を
    有する半導体集積回路であって、該半導体集積回路複数
    が互いにカスケード接続されて共通の出力データバスに
    接続され、これら複数の半導体集積回路の前記記憶部に
    記憶されたデータが前記出力データバスに順次出力され
    る半導体集積回路において、 前記記憶部に記憶された、出力されるべき未出力のデー
    タが1個以下であることを検出することにより残り1個
    検出信号を生成する残り1個検出回路と、 前記記憶部に記憶された、出力されるべき未出力のデー
    タが0個であることを検出することにより残り0個検出
    信号を生成する残り0個検出回路と、 前記複数の半導体集積回路のうち自分よりも前段側に接
    続された全ての半導体集積回路に亘って、前記記憶部に
    記憶された、出力されるべき未出力のデータが合計1個
    以下であることを表わす第1の残り1個伝搬信号を入力
    する第1の信号入力端子と、 前記複数の半導体集積回路のうち自分よりも前段側に接
    続された全ての半導体集積回路に亘って、前記記憶部に
    記憶された、出力されるべき未出力のデータが0個であ
    ることを表わす第1の残り0個伝搬信号を入力する第2
    の信号入力端子と、 前記第1の残り1個伝搬信号の入力の有無、前記第1の
    残り0個伝搬信号の入力の有無、前記残り1個検出信号
    の生成の有無、および前記残り0個検出信号の生成の有
    無に基づいて、前記複数の半導体集積回路のうち、自分
    自身および自分よりも前段側に接続された全ての半導体
    集積回路に亘って、前記記憶部に記憶された、出力され
    るべき未出力のデータが合計1個以下であることを表わ
    す第2の残り1個伝搬信号を生成する第1の伝搬信号生
    成回路と、 前記第1の残り0個伝搬信号の入力の有無および前記残
    り0個検出信号の生成の有無に基づいて、前記複数の半
    導体集積回路のうち、自分自身および自分よりも前段側
    に接続された全ての半導体集積回路に亘って、前記記憶
    部に記憶された、出力されるべき未出力のデータが0個
    であることを表わす第2の残り0個伝搬信号を生成する
    第2の伝搬信号生成回路と、 前記第2の残り1個伝搬信号を出力する第1の信号出力
    端子と、 前記第2の残り0個伝搬信号を出力する第2の信号出力
    端子とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記第1の残り1個伝搬信号の入力を受
    けて、前記記憶部の、出力すべき未出力のデータが記憶
    された領域のアドレスの生成を開始するアドレス生成回
    路と、 前記第1の残り0個伝搬信号の入力を受けて、前記記憶
    部に記憶された、出力すべき未出力のデータの出力を開
    始するデータ出力回路とを備えたことを特徴とする請求
    項1記載の半導体集積回路。
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