JP2836638B2 - 薄膜回路基板及びその製造方法 - Google Patents
薄膜回路基板及びその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 情報処理機器及び通信機器に使用される薄膜回路基板
に関し、 回路途中の切断を必要とする部分のレーザーによる切
断を効率良く確実に行なうことを可能にすることを目的
とし、 絶縁基板上に金属を導体として回路が形成され、且つ
該回路の途中に導体切断予定部を有する薄膜回路基板に
おいて、上記導体切断予定部の導体上に有機樹脂膜が被
着されて成るように構成する。
に関し、 回路途中の切断を必要とする部分のレーザーによる切
断を効率良く確実に行なうことを可能にすることを目的
とし、 絶縁基板上に金属を導体として回路が形成され、且つ
該回路の途中に導体切断予定部を有する薄膜回路基板に
おいて、上記導体切断予定部の導体上に有機樹脂膜が被
着されて成るように構成する。
本発明は情報処理機器及び通信機器に使用される薄膜
回路基板に関する。
回路基板に関する。
従来、セラミックやガラスなどの基板上に形成される
薄膜配線回路において、電気的接続を変更する場合は、
変更する部分の導体をレーザーによりカットし、新らた
に配線する部分はディスクリートワイヤにより配線する
方法がとられている。第５図は従来の薄膜回路基板にお
けるレーザーカット部を示す図であり、（ａ）図はカッ
ト前、（ｂ）図はカット後をそれぞれ示している。
薄膜配線回路において、電気的接続を変更する場合は、
変更する部分の導体をレーザーによりカットし、新らた
に配線する部分はディスクリートワイヤにより配線する
方法がとられている。第５図は従来の薄膜回路基板にお
けるレーザーカット部を示す図であり、（ａ）図はカッ
ト前、（ｂ）図はカット後をそれぞれ示している。
上記従来の導体をレーザーにてカットする方法では、
金属がレーザー（YAGの場合、波長1.06μｍ）を反射し
やすいため、レーザーカット性が悪く、カット後の絶縁
性及びカット時の作業性が悪く、数回のレーザーショッ
トによっても不良となる頻度が高いという問題があっ
た。
金属がレーザー（YAGの場合、波長1.06μｍ）を反射し
やすいため、レーザーカット性が悪く、カット後の絶縁
性及びカット時の作業性が悪く、数回のレーザーショッ
トによっても不良となる頻度が高いという問題があっ
た。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、回路途中の切断を
必要とする部分のレーザーによる切断を効率良く確実に
行なうことができる薄膜回路基板を提供することを目的
とする。
必要とする部分のレーザーによる切断を効率良く確実に
行なうことができる薄膜回路基板を提供することを目的
とする。
第１図は本発明の原理説明図である。
本発明では、絶縁基板１上に形成された導体２の上に
有機樹脂膜３を形成したことを特徴とし、さらに上記有
機樹脂膜３にレーザー４を照射し、該有機樹脂膜３と共
に導体２を同時に切断することを特徴とする。
有機樹脂膜３を形成したことを特徴とし、さらに上記有
機樹脂膜３にレーザー４を照射し、該有機樹脂膜３と共
に導体２を同時に切断することを特徴とする。
Cu,Cr,Auなどの金属では、第２図に示すように波長1.
06μｍ（YAGレーザーの波長）のところで反射率が数十
％以上であるのに対し、有機樹脂膜では反射率が０に近
い。このためレーザーエネルギーは効率良くレーザーカ
ット部に吸収され、同時に導体もカットすることができ
る。
06μｍ（YAGレーザーの波長）のところで反射率が数十
％以上であるのに対し、有機樹脂膜では反射率が０に近
い。このためレーザーエネルギーは効率良くレーザーカ
ット部に吸収され、同時に導体もカットすることができ
る。
第３図は本発明の薄膜回路基板を示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面
図である。
（ａ）は平面図、（ｂ）はａ図のｂ−ｂ線における断面
図である。
同図において、１はセラミック、ガラス等の絶縁基
板、２は該絶縁基板１の上に設けられた回路の導体であ
り、該導体２には例えば厚さ500ÅのCrと、厚さ５μｍ
のCuと、厚さ1500ÅのCrからなる３層の導体、又は厚さ
1000ÅのTiWと、厚さ２μｍのNiと、厚さ1500ÅのTiWと
からなる３層の導体が用いられる。５は該導体２の切断
予定部、６は回路修正用のディスクリートワイヤをボン
ディングするためのパッドであり、導体の切断予定部５
の導体上には有機樹脂膜３が被着されている。この有機
樹脂膜３には、ポリイミド又はレジスト等が用いられ、
この厚さは１〜５μｍ程度が良く（15μｍ以上ではパタ
ーンカット性が逆に悪くなる。）、またその幅Ａは導体
２の幅Ｂより僅かに狭い方が良い。なおこの有機樹脂膜
３の幅Ａが導体２の幅Ｂより広いとレーザー照射後に炭
化した樹脂が残り絶縁性が悪くなる。またこの有機樹脂
膜３の導体２上への形成には、直接樹脂を印刷するスク
リーン印刷法か、又は感光性樹脂（例えば感光性ポリイ
ミド）を用いて露光・現像しパターン形成するフォトリ
ソグラフィ法があり、特に後者のフォトリソグラフィ法
はファインパターンの形成に適している。
板、２は該絶縁基板１の上に設けられた回路の導体であ
り、該導体２には例えば厚さ500ÅのCrと、厚さ５μｍ
のCuと、厚さ1500ÅのCrからなる３層の導体、又は厚さ
1000ÅのTiWと、厚さ２μｍのNiと、厚さ1500ÅのTiWと
からなる３層の導体が用いられる。５は該導体２の切断
予定部、６は回路修正用のディスクリートワイヤをボン
ディングするためのパッドであり、導体の切断予定部５
の導体上には有機樹脂膜３が被着されている。この有機
樹脂膜３には、ポリイミド又はレジスト等が用いられ、
この厚さは１〜５μｍ程度が良く（15μｍ以上ではパタ
ーンカット性が逆に悪くなる。）、またその幅Ａは導体
２の幅Ｂより僅かに狭い方が良い。なおこの有機樹脂膜
３の幅Ａが導体２の幅Ｂより広いとレーザー照射後に炭
化した樹脂が残り絶縁性が悪くなる。またこの有機樹脂
膜３の導体２上への形成には、直接樹脂を印刷するスク
リーン印刷法か、又は感光性樹脂（例えば感光性ポリイ
ミド）を用いて露光・現像しパターン形成するフォトリ
ソグラフィ法があり、特に後者のフォトリソグラフィ法
はファインパターンの形成に適している。
なお本実施例において有機樹脂膜を用いる理由は、導
体切断用のレーザー照射後に残渣が残らぬ様に蒸発する
必要があり、無機膜、例えばSiO2では融点（1710℃）が
高く蒸発が起りにくいため使用できないが、有機樹脂は
600℃程度で蒸発し残渣が残らないためである。
体切断用のレーザー照射後に残渣が残らぬ様に蒸発する
必要があり、無機膜、例えばSiO2では融点（1710℃）が
高く蒸発が起りにくいため使用できないが、有機樹脂は
600℃程度で蒸発し残渣が残らないためである。
このように構成された本実施例は必要により、切断予
定部５をレーザーにてカットすることができる。レーザ
ーカット条件としては、例えば第４図（ａ）の如く導体
幅100μｍ、有機樹脂膜幅80μｍの場合、レーザーとし
てYAGレーザーを用い、波長:1.60μｍ、パワー：コンス
タントウエーブで８〜10W（瞬間的には数kW）、レーザ
ースポット径:100〜120μｍ、レーザー照射時間:80〜10
0n Secとし、切断予定部５の有機樹脂膜３に照射するこ
とにより１回の照射で導体２を切断することができる。
これは有機樹脂膜３のレーザー光に対する反射率が金属
に比して著しく小さく、殆んど０に近いため、レーザー
のエネルギーが効率良く吸収できるためである。なお有
機樹脂膜３の幅が第４図（ｂ）の如く120μｍと導体幅
より広い場合には樹脂膜３の両端が中途半端に残り絶縁
不良となる。
定部５をレーザーにてカットすることができる。レーザ
ーカット条件としては、例えば第４図（ａ）の如く導体
幅100μｍ、有機樹脂膜幅80μｍの場合、レーザーとし
てYAGレーザーを用い、波長:1.60μｍ、パワー：コンス
タントウエーブで８〜10W（瞬間的には数kW）、レーザ
ースポット径:100〜120μｍ、レーザー照射時間:80〜10
0n Secとし、切断予定部５の有機樹脂膜３に照射するこ
とにより１回の照射で導体２を切断することができる。
これは有機樹脂膜３のレーザー光に対する反射率が金属
に比して著しく小さく、殆んど０に近いため、レーザー
のエネルギーが効率良く吸収できるためである。なお有
機樹脂膜３の幅が第４図（ｂ）の如く120μｍと導体幅
より広い場合には樹脂膜３の両端が中途半端に残り絶縁
不良となる。
次に本実施例の応用例を第５図及び第６図により説明
する。
する。
第５図（ａ）は、マザープリント板20とその上に搭載
されるLSI 21との中間に中間基板22が配置され、該中間
基板22により、マザープリント板20とLSI 21とを電気的
に接続した電子回路である。同図（ｂ）〜（ｄ）は本応
用例の中間基板22を示す図であり、該中間基板22には、
（ｂ）図に示すように中央部にLSIを搭載するためのパ
ッド23が形成され、その周囲に予備のグランド用パッド
24、電源用パッド25等のパッドが形成されている。LSI
を搭載するパッド23は、（ｃ）及び（ｄ）図に示すよう
に、LSIの端子ピンを半田付けするパッド26と、ディス
クリートワイヤを半田接続するパッド27と、バイア28に
接続したパッド29とが連接して設けられ、パッド27と29
の間の導体上には有機樹脂膜30が被着されて導体切断部
となっている。
されるLSI 21との中間に中間基板22が配置され、該中間
基板22により、マザープリント板20とLSI 21とを電気的
に接続した電子回路である。同図（ｂ）〜（ｄ）は本応
用例の中間基板22を示す図であり、該中間基板22には、
（ｂ）図に示すように中央部にLSIを搭載するためのパ
ッド23が形成され、その周囲に予備のグランド用パッド
24、電源用パッド25等のパッドが形成されている。LSI
を搭載するパッド23は、（ｃ）及び（ｄ）図に示すよう
に、LSIの端子ピンを半田付けするパッド26と、ディス
クリートワイヤを半田接続するパッド27と、バイア28に
接続したパッド29とが連接して設けられ、パッド27と29
の間の導体上には有機樹脂膜30が被着されて導体切断部
となっている。
このように構成された本応用例は、第６図に示すよう
にパッド26に半田接続されたLSIの端子をバイア28を通
さずに他に接続する必要がある場合、パッド27とパッド
29の間の切断部をレーザーにて切断し、パッド27にディ
スクリートワイヤ31の一端を半田接続し、他端を所要の
パッド32に半田接続するのである。本応用例によれば、
このようにして容易に回路を変更することができる。
にパッド26に半田接続されたLSIの端子をバイア28を通
さずに他に接続する必要がある場合、パッド27とパッド
29の間の切断部をレーザーにて切断し、パッド27にディ
スクリートワイヤ31の一端を半田接続し、他端を所要の
パッド32に半田接続するのである。本応用例によれば、
このようにして容易に回路を変更することができる。
次に本発明の薄膜回路基板の製造方法の実施例を第７
図により説明する。
図により説明する。
先ず（ａ）図の如く予めバイア７が形成されたセラミ
ック等の絶縁基板１の両面（片面ずつでも可）にスパッ
ターによりCr/Cu/Crの導体膜８を形成する。次に（ｂ）
図の如く基板両面の導体膜８をエッチングによりパター
ニングする。次いで（ｃ）図の如く両面に片面ずつポリ
イミド絶縁層９を形成する。次に（ｄ）図の如く両面
（片面ずつでも可）にスパッターによりCr/Cu/Crの導体
膜10を形成し、その上に（ｅ）図の如くはんだ付けパッ
ドとなる部分にNi/Auめっき11を形成した後、（ｆ）図
の如くエッチングにより導体膜10をパターニングして導
体２を形成する。最後に（ｇ）図及び第８図の平面図に
示す如く保護用の有機樹脂膜（ポリイミド）３′を形成
すると同時に導体切断予定部上に有機樹脂膜（ポリイミ
ド）３を形成するのである。この場合、導体切断予定部
上の有機樹脂膜３とその周囲の保護用有機樹脂膜３′と
の間にはレーザーカット時に炭化した樹脂が残らない様
にある幅で空白部を残しておく。
ック等の絶縁基板１の両面（片面ずつでも可）にスパッ
ターによりCr/Cu/Crの導体膜８を形成する。次に（ｂ）
図の如く基板両面の導体膜８をエッチングによりパター
ニングする。次いで（ｃ）図の如く両面に片面ずつポリ
イミド絶縁層９を形成する。次に（ｄ）図の如く両面
（片面ずつでも可）にスパッターによりCr/Cu/Crの導体
膜10を形成し、その上に（ｅ）図の如くはんだ付けパッ
ドとなる部分にNi/Auめっき11を形成した後、（ｆ）図
の如くエッチングにより導体膜10をパターニングして導
体２を形成する。最後に（ｇ）図及び第８図の平面図に
示す如く保護用の有機樹脂膜（ポリイミド）３′を形成
すると同時に導体切断予定部上に有機樹脂膜（ポリイミ
ド）３を形成するのである。この場合、導体切断予定部
上の有機樹脂膜３とその周囲の保護用有機樹脂膜３′と
の間にはレーザーカット時に炭化した樹脂が残らない様
にある幅で空白部を残しておく。
本実施例によれば、導体切断予定部上の有機樹脂膜が
保護用の有機樹脂膜と同時に形成することができるの
で、前者の形成のための工数を特に増加する必要はな
い。また切断予定部のレーザーによく切断が容易確実に
行なえることは前実施例と同様である。
保護用の有機樹脂膜と同時に形成することができるの
で、前者の形成のための工数を特に増加する必要はな
い。また切断予定部のレーザーによく切断が容易確実に
行なえることは前実施例と同様である。
以上説明した様に、本発明によれば、導体の切断予定
部上に該導体の幅より僅かに狭い幅の有機樹脂膜を被着
しておくことにより、レーザーカット性を向上し、且つ
カット後の絶縁不良の発生も防止でき、薄膜回路基板の
品質向上に寄与するところ大である。
部上に該導体の幅より僅かに狭い幅の有機樹脂膜を被着
しておくことにより、レーザーカット性を向上し、且つ
カット後の絶縁不良の発生も防止でき、薄膜回路基板の
品質向上に寄与するところ大である。
第１図は本発明の原理説明図、 第２図は各種金属の反射率を示す図、 第３図は本発明の薄膜回路基板の実施例を示す図、 第４図は本発明の実施例のレーザーカット条件による切
断結果を説明するための図、 第５図は本発明の実施例の応用例を示す図、 第６図は応用例の配線変更状態を示す図、 第７図は本発明の薄膜配線基板の製造方法の実施例を示
す図、 第８図は第７図（ｇ）の平面図、 第９図は従来のレーザーカット方法を説明するための図
である。 図において、 １は絶縁基板、 ２は導体、 3,3′は有機樹脂膜、 ４はレーザー、 ５は切断予定部、 ６はパッド、 ７はバイア、 8,10は導体膜、 ９は絶縁層、 11はNiAu膜、 を示す。
断結果を説明するための図、 第５図は本発明の実施例の応用例を示す図、 第６図は応用例の配線変更状態を示す図、 第７図は本発明の薄膜配線基板の製造方法の実施例を示
す図、 第８図は第７図（ｇ）の平面図、 第９図は従来のレーザーカット方法を説明するための図
である。 図において、 １は絶縁基板、 ２は導体、 3,3′は有機樹脂膜、 ４はレーザー、 ５は切断予定部、 ６はパッド、 ７はバイア、 8,10は導体膜、 ９は絶縁層、 11はNiAu膜、 を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀬山 清隆 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 森泉 清和 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−266892（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 3/22 B23K 26/00 - 26/18
Claims (4)
- 【請求項１】絶縁基板（１）上に金属を導体（２）とし
て回路が形成され、且つ該回路の途中に導体切断予定部
（５）を有する薄膜回路基板において、 上記導体切断予定部（５）の導体（２）上に該導体
（２）の幅より僅かに小さい幅を有する有機樹脂膜
（３）が被着されて成ることを特徴とする薄膜回路基
板。 - 【請求項２】絶縁基板（１）上に金属を導体（２）とし
て回路が形成され、該導体（２）を含んで絶縁基板
（１）上に保護用の有機樹脂膜（３′）が被着され、且
つ前記導体（２）の切断予定部（５）の周囲は該切断予
定部（５）上の有機樹脂膜（３）を残して除去されてい
ることを特徴とする薄膜回路基板。 - 【請求項３】請求項１又は２記載の薄膜回路基板を用
い、その導体切断予定部（５）にレーザーを照射して有
機樹脂膜（３）と導体（２）を同時に切断することを特
徴とする薄膜回路基板の製造方法。 - 【請求項４】請求項２記載の薄膜回路基板における導体
切断予定部（５）上の有機樹脂膜（３）を、該導体切断
予定部（５）の周囲に空白部を設けて薄膜回路基板の保
護膜形成時に、該保護用の有機樹脂膜（３′）と同時に
同一材料で形成することを特徴とする薄膜回路基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2201515A JP2836638B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 薄膜回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2201515A JP2836638B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 薄膜回路基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487391A JPH0487391A (ja) | 1992-03-19 |
| JP2836638B2 true JP2836638B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=16442326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2201515A Expired - Fee Related JP2836638B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 薄膜回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2836638B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111061102B (zh) * | 2019-12-17 | 2022-12-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP2201515A patent/JP2836638B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0487391A (ja) | 1992-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |