JP2833588B2 - フォトディテクタおよびその製造方法 - Google Patents
フォトディテクタおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2833588B2 JP2833588B2 JP8200636A JP20063696A JP2833588B2 JP 2833588 B2 JP2833588 B2 JP 2833588B2 JP 8200636 A JP8200636 A JP 8200636A JP 20063696 A JP20063696 A JP 20063696A JP 2833588 B2 JP2833588 B2 JP 2833588B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photodetector
- conductivity type
- type
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 51
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 4
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035236—Superlattices; Multiple quantum well structures
- H01L31/035254—Superlattices; Multiple quantum well structures including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System, e.g. Si-SiGe superlattices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトディテクタ
およびその製造方法に関し、特にシリコン基板上にプレ
ーナ構造に形成されるフォトディテクタおよびその製造
方法に関する。
およびその製造方法に関し、特にシリコン基板上にプレ
ーナ構造に形成されるフォトディテクタおよびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信システム等に用いられるフォトデ
ィテクタとしては、一般に、例えば、ＩｎＧａＡｓＰ等
の化合物によるフォトディテクタが広く用いられてい
る。しかし、シリコンプロセスとの整合性の良い点で
は、シリコンもしくは、ＳｉＧｅを光吸収層に用いたフ
ォトディテクタが有利であり、シリコントランジスタと
同一基板上にフォトディテクタを搭載したＯＥＩＣの開
発が行われている。
ィテクタとしては、一般に、例えば、ＩｎＧａＡｓＰ等
の化合物によるフォトディテクタが広く用いられてい
る。しかし、シリコンプロセスとの整合性の良い点で
は、シリコンもしくは、ＳｉＧｅを光吸収層に用いたフ
ォトディテクタが有利であり、シリコントランジスタと
同一基板上にフォトディテクタを搭載したＯＥＩＣの開
発が行われている。
【０００３】ここで、フォトディテクタの構造は大別し
て、表面入射型と導波路型の二つがある。表面入射型の
場合は、光の入射方向は基板に対して深さ方向であり、
導波路型は、基板の表面に平行な方向である。両者とも
フォトディテクタの光感度を高める方法の一つとして、
その光吸収層を厚くする手段がある。表面入射型の場
合、光吸収層を厚くすることで、光の入射経路が長くな
り、より深い位置まで光が通過する分だけ、光の吸収が
できるので、光感度が高くなる。一方、導波路型の場
合、ファイバからでた光の受光断面積が広くなる分だ
け、光を受光しやすくなるので、結果としてフォトディ
テクタの光感度が高くなる。
て、表面入射型と導波路型の二つがある。表面入射型の
場合は、光の入射方向は基板に対して深さ方向であり、
導波路型は、基板の表面に平行な方向である。両者とも
フォトディテクタの光感度を高める方法の一つとして、
その光吸収層を厚くする手段がある。表面入射型の場
合、光吸収層を厚くすることで、光の入射経路が長くな
り、より深い位置まで光が通過する分だけ、光の吸収が
できるので、光感度が高くなる。一方、導波路型の場
合、ファイバからでた光の受光断面積が広くなる分だ
け、光を受光しやすくなるので、結果としてフォトディ
テクタの光感度が高くなる。
【０００４】例えば、１９９５ ＩＥＤＭ Ｔｅｃｈ．
Ｄｉｇ，ｐ５８３には、ＳｉＧｅを用いたフォトディテ
クタに関する報告がなされている。図６（ａ），（ｂ）
は、このフォトディテクタの構成を示す平面図と断面図
である。シリコン基板１上にＮ+ 型埋込層２を介して、
Ｎ型エピタキシャル層３を成長し、Ｎ型カソード引き出
し領域４を例えばリンのイオン注入で形成し、光吸収層
を形成する場所をシリコンエッチングで開口し、酸化膜
を成長した後、エッチバックを行い側壁酸化膜６を形成
する。そして、Ｓｉ／ＳｉＧｅ超格子層７、Ｐ+ 型コン
タクト層８を連続的に選択成長した後、表面に被膜した
シリコン酸化膜９にコンタクト穴を開けアルミ電極１２
を形成する。この場合、光吸収層を厚くするほど、カソ
ード側の引き出し抵抗はＮ型エピタキシャル層３の抵抗
率および膜厚にかなり影響することになる。
Ｄｉｇ，ｐ５８３には、ＳｉＧｅを用いたフォトディテ
クタに関する報告がなされている。図６（ａ），（ｂ）
は、このフォトディテクタの構成を示す平面図と断面図
である。シリコン基板１上にＮ+ 型埋込層２を介して、
Ｎ型エピタキシャル層３を成長し、Ｎ型カソード引き出
し領域４を例えばリンのイオン注入で形成し、光吸収層
を形成する場所をシリコンエッチングで開口し、酸化膜
を成長した後、エッチバックを行い側壁酸化膜６を形成
する。そして、Ｓｉ／ＳｉＧｅ超格子層７、Ｐ+ 型コン
タクト層８を連続的に選択成長した後、表面に被膜した
シリコン酸化膜９にコンタクト穴を開けアルミ電極１２
を形成する。この場合、光吸収層を厚くするほど、カソ
ード側の引き出し抵抗はＮ型エピタキシャル層３の抵抗
率および膜厚にかなり影響することになる。
【０００５】図７（ａ），（ｂ）は、特開平４−１１４
４６９に開示されている光吸収層を厚くした場合の表面
入射型シリコンフォトディテクタの構成を示す平面図と
断面図である。このデバイスは、Ｐ型シリコン基板２１
上にＮ+ 型埋込層２２を介して、第１Ｎ型エピタキシャ
ル層２３を成長し、中間Ｎ+ 型拡散層２４を形成した上
に第２Ｎ型エピタキシャル層２６を成長し、Ｎ+ 型カソ
ード補償拡散層２７、Ｐ+ 型拡散層２８を形成してダイ
オードを形成している。また、この発明では、Ｐ型埋込
層２５を形成することで、空乏層の拡がりを助けて、さ
らに光感度を高める効果が含まれている。ここで、光吸
収層が厚くなると、Ｎ+ 型埋込層２２からの距離が長く
なるので、カソード側の直列抵抗が高くなり、高速応答
に不利である。
４６９に開示されている光吸収層を厚くした場合の表面
入射型シリコンフォトディテクタの構成を示す平面図と
断面図である。このデバイスは、Ｐ型シリコン基板２１
上にＮ+ 型埋込層２２を介して、第１Ｎ型エピタキシャ
ル層２３を成長し、中間Ｎ+ 型拡散層２４を形成した上
に第２Ｎ型エピタキシャル層２６を成長し、Ｎ+ 型カソ
ード補償拡散層２７、Ｐ+ 型拡散層２８を形成してダイ
オードを形成している。また、この発明では、Ｐ型埋込
層２５を形成することで、空乏層の拡がりを助けて、さ
らに光感度を高める効果が含まれている。ここで、光吸
収層が厚くなると、Ｎ+ 型埋込層２２からの距離が長く
なるので、カソード側の直列抵抗が高くなり、高速応答
に不利である。
【０００６】そこで、従来は、図７のフォトディテクタ
のように、第１Ｎ型エピタキシャル層２３を形成した後
に、中間Ｎ+ 型拡散層２４を設けている。さらに、同一
基板上に形成するバイポーラトランジスタのコレクタ引
き出し領域形成と同時に、Ｎ+ 型カソード補償拡散層２
７を形成することによって、カソード側の直列抵抗を十
分に低くする手段がとられていた。
のように、第１Ｎ型エピタキシャル層２３を形成した後
に、中間Ｎ+ 型拡散層２４を設けている。さらに、同一
基板上に形成するバイポーラトランジスタのコレクタ引
き出し領域形成と同時に、Ｎ+ 型カソード補償拡散層２
７を形成することによって、カソード側の直列抵抗を十
分に低くする手段がとられていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来のフォトデ
ィテクタの第１の問題点は、光吸収層を厚くした場合
に、低濃度のエピタキシャル層の厚さが悪影響して、カ
ソード側が高抵抗になり、高速応答に不利であることで
ある。その理由は、空乏層を広げるためには、エピタキ
シャル層を高濃度に成長出来ない、また結晶性の問題か
ら高濃度エピタキシャル層は成長が困難であるからであ
る。第２の問題点は、バイポーラトランジスタと同時形
成する場合に、２回のエピタキシャル成長を必要として
いるため、プロセスが長く生産性が悪いことである。そ
の理由は、バイポーラトランジスタの高速応答性を損な
わないためには、その部分のエピタキシャル層の厚さを
１μｍ以上に厚くできないためである。
ィテクタの第１の問題点は、光吸収層を厚くした場合
に、低濃度のエピタキシャル層の厚さが悪影響して、カ
ソード側が高抵抗になり、高速応答に不利であることで
ある。その理由は、空乏層を広げるためには、エピタキ
シャル層を高濃度に成長出来ない、また結晶性の問題か
ら高濃度エピタキシャル層は成長が困難であるからであ
る。第２の問題点は、バイポーラトランジスタと同時形
成する場合に、２回のエピタキシャル成長を必要として
いるため、プロセスが長く生産性が悪いことである。そ
の理由は、バイポーラトランジスタの高速応答性を損な
わないためには、その部分のエピタキシャル層の厚さを
１μｍ以上に厚くできないためである。
【０００８】本発明の目的は、フォトディテクタの光吸
収層を厚くして、光感度を向上したまま、カソード側の
抵抗成分を低減することが出来、高速応答が可能であ
り、かつ、生産性の向上および設計の自由度を高めるこ
とを可能にしたフォトディテクタを提供することにあ
る。
収層を厚くして、光感度を向上したまま、カソード側の
抵抗成分を低減することが出来、高速応答が可能であ
り、かつ、生産性の向上および設計の自由度を高めるこ
とを可能にしたフォトディテクタを提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコン基板
上に完全プレーナ構造に形成されたフォトディテクタに
おいて、シリコン基板に形成した凹部内部に、表面に平
行な層をなす選択エピタキシャル成長層を光吸収層とし
て有し、凹部底部および側壁部のシリコン基板内部に、
カソード側引き出し部の一部としてＮ型拡散層を有す
る。
上に完全プレーナ構造に形成されたフォトディテクタに
おいて、シリコン基板に形成した凹部内部に、表面に平
行な層をなす選択エピタキシャル成長層を光吸収層とし
て有し、凹部底部および側壁部のシリコン基板内部に、
カソード側引き出し部の一部としてＮ型拡散層を有す
る。
【００１０】本発明において、Ｎ型拡散層は側壁絶縁層
によって光吸収層と絶縁されており、また、側壁部のＮ
型拡散層はシリコン基板表面から凹部底部にまで連続し
ていて、シリコン基板表面に形成したカソード引き出し
領域と電気的に接続している。また、濃度は１０17ｃｍ
-3以上が望ましい。
によって光吸収層と絶縁されており、また、側壁部のＮ
型拡散層はシリコン基板表面から凹部底部にまで連続し
ていて、シリコン基板表面に形成したカソード引き出し
領域と電気的に接続している。また、濃度は１０17ｃｍ
-3以上が望ましい。
【００１１】また、本発明によれば、第１導電型シリコ
ン基板上に高濃度第２導電型の埋込層を形成する工程
と、埋込層上に２導電型のエピタキシャル層を成長する
工程と、エピタキシャル層にイオン注入によって引き出
し領域を形成する工程と、エピタキシャル層にシリコン
エッチングによって凹部を形成する工程と、凹部に第１
拡散層および第２拡散層を形成する工程と、凹部の側壁
に絶縁膜を形成する工程と、凹部の内部に光吸収層およ
び第１導電型のコンタクト層を選択的に成長する工程
と、表面に絶縁膜を被膜する工程と、フォトディテクタ
のカソードコンタクトとアノードコンタクトを開口する
工程と、各電極を形成する工程とを有するフォトディテ
クタの製造方法が得られる。第１拡散層および第２拡散
層の形成は、イオン注入または拡散によって行うことが
できる。
ン基板上に高濃度第２導電型の埋込層を形成する工程
と、埋込層上に２導電型のエピタキシャル層を成長する
工程と、エピタキシャル層にイオン注入によって引き出
し領域を形成する工程と、エピタキシャル層にシリコン
エッチングによって凹部を形成する工程と、凹部に第１
拡散層および第２拡散層を形成する工程と、凹部の側壁
に絶縁膜を形成する工程と、凹部の内部に光吸収層およ
び第１導電型のコンタクト層を選択的に成長する工程
と、表面に絶縁膜を被膜する工程と、フォトディテクタ
のカソードコンタクトとアノードコンタクトを開口する
工程と、各電極を形成する工程とを有するフォトディテ
クタの製造方法が得られる。第１拡散層および第２拡散
層の形成は、イオン注入または拡散によって行うことが
できる。
【００１２】シリコン基板に形成した凹部底部および側
壁部のシリコン基板内部に、Ｎ型拡散層を有するため、
Ｎ型エピタキシャル層を介するより、カソード抵抗を低
く出来る。また、Ｎ型拡散層は凹部形成後にイオン注入
もしくは拡散によって自己整合的に形成できるので、パ
ターニングを必要としない。また、基板内部に中間の導
電層を必要としないので工程の簡略化が出来る。また、
深さにもよらないので、設計の自由度が高くなる。
壁部のシリコン基板内部に、Ｎ型拡散層を有するため、
Ｎ型エピタキシャル層を介するより、カソード抵抗を低
く出来る。また、Ｎ型拡散層は凹部形成後にイオン注入
もしくは拡散によって自己整合的に形成できるので、パ
ターニングを必要としない。また、基板内部に中間の導
電層を必要としないので工程の簡略化が出来る。また、
深さにもよらないので、設計の自由度が高くなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態の
フォトディテクタの平面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ′線での断面図である。図１（ａ）では
引き出しアルミ電極１２と表面に被膜するシリコン酸化
膜９を省略している。このフォトディテクタはシリコン
基板表面から入射した光を検出する表面入射型フォトデ
ィテクタであり、シリコンチップ１６内にフォトディテ
クタが完全プレーナ構造で形成されている。
て説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態の
フォトディテクタの平面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ′線での断面図である。図１（ａ）では
引き出しアルミ電極１２と表面に被膜するシリコン酸化
膜９を省略している。このフォトディテクタはシリコン
基板表面から入射した光を検出する表面入射型フォトデ
ィテクタであり、シリコンチップ１６内にフォトディテ
クタが完全プレーナ構造で形成されている。
【００１４】シリコン基板１上にＮ+ 型埋込層２とＮ型
エピタキシャル層３を順次成長して、Ｎ型エピタキシャ
ル層３の表面から長方形の枠型に側壁酸化膜６に囲まれ
た凹部を形成して、この凹部の底部および周辺部にＮ型
拡散層５を有し、さらに凹部の内部には光吸収層として
Ｓｉ／ＳｉＧｅ超格子層７とＰ+ 型Ｓｉコンタクト層８
を順次成長して充填している。また、凹部の外側に、Ｎ
型拡散層５に隣接したＮ型カソード引き出し領域４を形
成した構成になっている。シリコンチップ１６の表面に
は保護膜としてシリコン酸化膜９を形成する。さらに、
シリコン酸化膜９に設けられたカソードコンタクト１
０、アノードコンタクト１１を介してフォトディテクタ
のアルミ電極１２が設けられている。
エピタキシャル層３を順次成長して、Ｎ型エピタキシャ
ル層３の表面から長方形の枠型に側壁酸化膜６に囲まれ
た凹部を形成して、この凹部の底部および周辺部にＮ型
拡散層５を有し、さらに凹部の内部には光吸収層として
Ｓｉ／ＳｉＧｅ超格子層７とＰ+ 型Ｓｉコンタクト層８
を順次成長して充填している。また、凹部の外側に、Ｎ
型拡散層５に隣接したＮ型カソード引き出し領域４を形
成した構成になっている。シリコンチップ１６の表面に
は保護膜としてシリコン酸化膜９を形成する。さらに、
シリコン酸化膜９に設けられたカソードコンタクト１
０、アノードコンタクト１１を介してフォトディテクタ
のアルミ電極１２が設けられている。
【００１５】次に、このフォトディテクタの製造工程に
ついて図面を用いて説明する。まず図２（ａ）に示すよ
うに、シリコン基板１上にＮ+ 型埋込層２を形成し、さ
らにＮ型エピタキシャル層３を成長する。厚さは、例え
ば３〜５μｍ程度とする。次いで、フォトレジスト（図
示せず）をマスクにリンのイオン注入を行い、例えば、
１０００℃の窒素雰囲気で３０分間熱処理を行い、所望
の位置にＮ型カソード引き出し領域４を形成する。
ついて図面を用いて説明する。まず図２（ａ）に示すよ
うに、シリコン基板１上にＮ+ 型埋込層２を形成し、さ
らにＮ型エピタキシャル層３を成長する。厚さは、例え
ば３〜５μｍ程度とする。次いで、フォトレジスト（図
示せず）をマスクにリンのイオン注入を行い、例えば、
１０００℃の窒素雰囲気で３０分間熱処理を行い、所望
の位置にＮ型カソード引き出し領域４を形成する。
【００１６】続いて、図２（ｂ）に示すように、シリコ
ン酸化膜１３をマスクにＮ型エピタキシャル層３にシリ
コンエッチングを行い、約３〜４μｍ深さに相当するフ
ォトディテクタ凹部１４を形成する。そして、リンの斜
めイオン注入を、例えば角度４５度、加速エネルギー３
０ｋｅＶ、ドーズ量約１×１０13ｃｍ-2で行い、さらに
１０００℃の窒素雰囲気で３０分間熱処理を行い、Ｎ型
拡散層５を形成する。この際、Ｎ型拡散層５はＮ型カソ
ード引き出し領域４およびＮ+ 型埋込層２に電気的に接
続していることが望ましい。
ン酸化膜１３をマスクにＮ型エピタキシャル層３にシリ
コンエッチングを行い、約３〜４μｍ深さに相当するフ
ォトディテクタ凹部１４を形成する。そして、リンの斜
めイオン注入を、例えば角度４５度、加速エネルギー３
０ｋｅＶ、ドーズ量約１×１０13ｃｍ-2で行い、さらに
１０００℃の窒素雰囲気で３０分間熱処理を行い、Ｎ型
拡散層５を形成する。この際、Ｎ型拡散層５はＮ型カソ
ード引き出し領域４およびＮ+ 型埋込層２に電気的に接
続していることが望ましい。
【００１７】次に、全面にシリコン酸化膜を堆積した
後、エッチバックによってフォトディテクタ凹部１４の
側壁に側壁酸化膜６を形成して、図３（ａ）に示すよう
な構造を形成する。そして、図３（ｂ）に示すように、
フォトディテクタ凹部１４の底部に露出しているＮ型拡
散層５上に酸化膜選択を利用して、Ｓｉ／ＳｉＧｅ超格
子層７とＰ+ 型Ｓｉコンタクト層８を連続して選択成長
する。さらに、表面にシリコン酸化膜１３を成長した
後、カソードコンタクト１０およびアノードコンタクト
１１形成場所に開口し、アルミ電極１２を設ける。以上
のような工程によって、図１に示すようなフォトディテ
クタを作製する。
後、エッチバックによってフォトディテクタ凹部１４の
側壁に側壁酸化膜６を形成して、図３（ａ）に示すよう
な構造を形成する。そして、図３（ｂ）に示すように、
フォトディテクタ凹部１４の底部に露出しているＮ型拡
散層５上に酸化膜選択を利用して、Ｓｉ／ＳｉＧｅ超格
子層７とＰ+ 型Ｓｉコンタクト層８を連続して選択成長
する。さらに、表面にシリコン酸化膜１３を成長した
後、カソードコンタクト１０およびアノードコンタクト
１１形成場所に開口し、アルミ電極１２を設ける。以上
のような工程によって、図１に示すようなフォトディテ
クタを作製する。
【００１８】次に、本発明の動作について、図面を参照
にして詳細に説明する。上述したように、フォトディテ
クタの光感度を高めるためには、光吸収層の厚さを厚く
しなければならず、図６（ｂ）に示すように、そのため
に基板表面からＮ+ 型埋込層２までの距離が長くなるの
で、Ｎ型エピタキシャル層３が低濃度であるため、カソ
ード側の直列抵抗が高くなる。
にして詳細に説明する。上述したように、フォトディテ
クタの光感度を高めるためには、光吸収層の厚さを厚く
しなければならず、図６（ｂ）に示すように、そのため
に基板表面からＮ+ 型埋込層２までの距離が長くなるの
で、Ｎ型エピタキシャル層３が低濃度であるため、カソ
ード側の直列抵抗が高くなる。
【００１９】そこで、図１（ｂ）に示すように、シリコ
ン基板１上にＮ+ 型埋込層２を介して成長したＮ型エピ
タキシャル層３に形成した凹部内部に選択エピタキシャ
ル成長によってＳｉ／ＳｉＧｅ超格子層７を光吸収層と
して形成し、凹部底部および側壁部にカソード側引き出
し部の一部としてＮ型拡散層５を設けている。Ｎ型拡散
層５はＮ型エピタキシャル層３よりも高濃度に形成出来
るので、光吸収層で発生した電流はＮ+ 型埋込層２とＮ
型拡散層５を介して、Ｎ型カソード引き出し領域４へ流
れるので非常に低抵抗化が出来る。したがって、時定数
が小さくなるので高速応答に有利である。
ン基板１上にＮ+ 型埋込層２を介して成長したＮ型エピ
タキシャル層３に形成した凹部内部に選択エピタキシャ
ル成長によってＳｉ／ＳｉＧｅ超格子層７を光吸収層と
して形成し、凹部底部および側壁部にカソード側引き出
し部の一部としてＮ型拡散層５を設けている。Ｎ型拡散
層５はＮ型エピタキシャル層３よりも高濃度に形成出来
るので、光吸収層で発生した電流はＮ+ 型埋込層２とＮ
型拡散層５を介して、Ｎ型カソード引き出し領域４へ流
れるので非常に低抵抗化が出来る。したがって、時定数
が小さくなるので高速応答に有利である。
【００２０】また、図７の従来例のように、Ｎ型エピタ
キシャル層を２回に分けて、中間Ｎ+ 型拡散層２４を形
成する必要が無いため、プロセスの簡略化が出来る。
キシャル層を２回に分けて、中間Ｎ+ 型拡散層２４を形
成する必要が無いため、プロセスの簡略化が出来る。
【００２１】さらに、フォトディテクタ形成用凹部の深
さによらず、Ｎ型拡散層５は自己整合的に形成できるの
で、光吸収層の厚さは任意に選べるので、設計の自由度
は高くなる。
さによらず、Ｎ型拡散層５は自己整合的に形成できるの
で、光吸収層の厚さは任意に選べるので、設計の自由度
は高くなる。
【００２２】次に本発明の第２の実施の形態について、
図面を参照して説明する。第１の実施の形態と違うの
は、その製造方法であり、最終的なフォトディテクタの
平面図は図１（ａ）であり、Ａ−Ａ′線での断面図は図
１（ｂ）に示すような構造になる。次に、このフォトデ
ィテクタの製造工程について図面を用いて説明する。ま
ず図４（ａ）に示すように、シリコン基板１上にＮ+ 型
埋込層２を形成し、さらにＮ型エピタキシャル層３を成
長する。厚さは、例えば３〜５μｍ程度とする。次い
で、フォトレジスト（図示せず）をマスクにリンのイオ
ン注入を行い、例えば、１０００℃の窒素雰囲気で３０
分間熱処理を行い、所望の位置にＮ型カソード引き出し
領域４を形成する。
図面を参照して説明する。第１の実施の形態と違うの
は、その製造方法であり、最終的なフォトディテクタの
平面図は図１（ａ）であり、Ａ−Ａ′線での断面図は図
１（ｂ）に示すような構造になる。次に、このフォトデ
ィテクタの製造工程について図面を用いて説明する。ま
ず図４（ａ）に示すように、シリコン基板１上にＮ+ 型
埋込層２を形成し、さらにＮ型エピタキシャル層３を成
長する。厚さは、例えば３〜５μｍ程度とする。次い
で、フォトレジスト（図示せず）をマスクにリンのイオ
ン注入を行い、例えば、１０００℃の窒素雰囲気で３０
分間熱処理を行い、所望の位置にＮ型カソード引き出し
領域４を形成する。
【００２３】続いて、図４（ｂ）に示すように、シリコ
ン酸化膜１３をマスクにＮ型エピタキシャル層３にシリ
コンエッチングを行い、約３〜４μｍ深さに相当するフ
ォトディテクタ凹部１４を形成する。そして、高濃度に
ヒ素を含むシリカ塗布膜１５を全面に塗布した後、１０
００℃の窒素雰囲気で３０分間熱処理を行い、Ｎ型拡散
層５を形成する。この際、Ｎ型拡散層５はＮ型カソード
引き出し領域４およびＮ+ 型埋込層２に電気的に接続し
ていることをが望ましい。
ン酸化膜１３をマスクにＮ型エピタキシャル層３にシリ
コンエッチングを行い、約３〜４μｍ深さに相当するフ
ォトディテクタ凹部１４を形成する。そして、高濃度に
ヒ素を含むシリカ塗布膜１５を全面に塗布した後、１０
００℃の窒素雰囲気で３０分間熱処理を行い、Ｎ型拡散
層５を形成する。この際、Ｎ型拡散層５はＮ型カソード
引き出し領域４およびＮ+ 型埋込層２に電気的に接続し
ていることをが望ましい。
【００２４】次に、シリカ塗布膜１５を除去後、全面に
シリコン酸化膜を堆積した後、エッチバックによってフ
ォトディテクタ凹部１４の側壁に側壁酸化膜６を形成し
て、図５（ａ）に示すような構造を形成する。次に、図
５（ｂ）に示すように、フォトディテクタ凹部１４の底
部に露出しているＮ型拡散層５上に酸化膜選択を利用し
て、Ｓｉ／ＳｉＧｅ超格子層７とＰ+ 型Ｓｉコンタクト
層８を連続して選択成長する。表面にシリコン酸化膜９
を成長し、カソードコンタクト１０およびアノードコン
タクト１１形成場所に開口し、アルミ電極１２を設け
る。以上のような工程によって、図１（ａ），（ｂ）に
示すフォトディテクタを作製する。
シリコン酸化膜を堆積した後、エッチバックによってフ
ォトディテクタ凹部１４の側壁に側壁酸化膜６を形成し
て、図５（ａ）に示すような構造を形成する。次に、図
５（ｂ）に示すように、フォトディテクタ凹部１４の底
部に露出しているＮ型拡散層５上に酸化膜選択を利用し
て、Ｓｉ／ＳｉＧｅ超格子層７とＰ+ 型Ｓｉコンタクト
層８を連続して選択成長する。表面にシリコン酸化膜９
を成長し、カソードコンタクト１０およびアノードコン
タクト１１形成場所に開口し、アルミ電極１２を設け
る。以上のような工程によって、図１（ａ），（ｂ）に
示すフォトディテクタを作製する。
【００２５】この実施の形態では、シリカ塗布膜１５か
らの拡散によって、Ｎ型拡散層５を形成しているので、
深さ方向の制御性はあまりないが、第１の実施の形態に
比べて、イオン注入によるダメージが少ないため、その
後の光吸収層の選択エピタキシャル成長に影響を及ぼし
にくい点が優れている。
らの拡散によって、Ｎ型拡散層５を形成しているので、
深さ方向の制御性はあまりないが、第１の実施の形態に
比べて、イオン注入によるダメージが少ないため、その
後の光吸収層の選択エピタキシャル成長に影響を及ぼし
にくい点が優れている。
【００２６】
【発明の効果】以上述べた本発明の第１の効果は、フォ
トディテクタの光感度を向上するために、光吸収層を厚
くしても、カソード側の抵抗成分を低くすることが出来
るため、高速応答が可能となる。その理由は、フォトデ
ィテクタ形成用凹部の底部および側壁部のシリコン基板
内部にＮ型拡散層を有し、Ｎ型エピタキシャル層よりも
高濃度なＮ型拡散層を介してカソード側に電流が流れる
ためである。
トディテクタの光感度を向上するために、光吸収層を厚
くしても、カソード側の抵抗成分を低くすることが出来
るため、高速応答が可能となる。その理由は、フォトデ
ィテクタ形成用凹部の底部および側壁部のシリコン基板
内部にＮ型拡散層を有し、Ｎ型エピタキシャル層よりも
高濃度なＮ型拡散層を介してカソード側に電流が流れる
ためである。
【００２７】第２の効果は、カソード引き出し領域と埋
込層の間に中間層を必要としないので、プロセスの簡略
化が出来る。その理由は、基板表面からフォトディテク
タ形成用凹部底部にまで連続して側壁部のＮ型拡散層を
容易に形成することが出来るためである。
込層の間に中間層を必要としないので、プロセスの簡略
化が出来る。その理由は、基板表面からフォトディテク
タ形成用凹部底部にまで連続して側壁部のＮ型拡散層を
容易に形成することが出来るためである。
【００２８】第３の効果は、フォトディテクタの光吸収
層の厚さを任意に設計してもカソード側の低抵抗化が可
能であるため、設計の自由度が高くなる。その理由は、
フォトディテクタ凹部形成後に、自己整合的に底部およ
び側壁部のＮ型拡散層を形成できるためである。
層の厚さを任意に設計してもカソード側の低抵抗化が可
能であるため、設計の自由度が高くなる。その理由は、
フォトディテクタ凹部形成後に、自己整合的に底部およ
び側壁部のＮ型拡散層を形成できるためである。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施の形態の
フォトディテクタの構成を示す平面図と断面図である。
フォトディテクタの構成を示す平面図と断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施の形態の
フォトディテクタの製造工程を示す断面図である。
フォトディテクタの製造工程を示す断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施の形態の
フォトディテクタの図２に続く製造工程を示す断面図で
ある。
フォトディテクタの図２に続く製造工程を示す断面図で
ある。
【図４】（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施の形態の
フォトディテクタの製造工程を示す断面図である。
フォトディテクタの製造工程を示す断面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施の形態の
フォトディテクタの図４に続く製造工程を示す断面図で
ある。
フォトディテクタの図４に続く製造工程を示す断面図で
ある。
【図６】（ａ），（ｂ）は従来のフォトディテクタの一
例の構成を示す平面図と断面図である。
例の構成を示す平面図と断面図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は従来のフォトディテクタの別
の一例の構成を示す平面図と断面図である。
の一例の構成を示す平面図と断面図である。
１，２１，２９ シリコン基板 ２，２２ Ｎ+ 型埋込層 ３ Ｎ型エピタキシャル層 ４ Ｎ型カソード引き出し領域 ５ Ｎ型拡散層 ６ 側壁酸化膜 ７ Ｓｉ／ＳｉＧｅ超格子層 ８ Ｐ+ 型Ｓｉコンタクト層 ９，１３，１３′ シリコン酸化膜 １０，３１ カソードコンタクト １１，３２ アノードコンタクト １２，３０ アルミ電極 １４ フォトディテクタ凹部 １５ シリカ塗布膜 １６，３３ シリコンチップ ２３ 第１Ｎ型エピタキシャル層 ２４ 中間Ｎ+ 型拡散層 ２５ Ｐ型埋込層 ２６ 第２Ｎ型エピタキシャル層 ２７ Ｎ+ 型カソード補償拡散層 ２８ Ｐ+ 型拡散層
Claims (10)
- 【請求項１】 シリコン基板に完全プレーナ構造に形成
されたフォトディテクタにおいて、前記フォトディテク
タが、前記シリコン基板内部に形成された側壁絶縁膜で
囲まれた凹部を有し、前記凹部内に前記シリコン基板の
表面に平行に形成された光吸収層および第１導電型のコ
ンタクト層を有し、前記凹部底部に第２導電型の第１拡
散層を有し、前記凹部側壁部に前記シリコン基板表面か
ら前記第１拡散層に達する第２導電型の第２拡散層を有
し、前記凹部周囲あるいは一部に前記第２拡散層と電気
的に接続した高濃度第２導電型の引き出し領域を有する
ことを特徴とするフォトディテクタ。 - 【請求項２】 前記シリコン基板内部に形成した前記第
１拡散層の直下に高濃度第２導電型の埋込層を有するこ
とを特徴とする請求項１に記載のフォトディテクタ。 - 【請求項３】 前記シリコン基板が第１導電型シリコン
基板上に成長した第２導電型のエピタキシャル層で有る
ことを特徴とする請求項１または２に記載のフォトディ
テクタ。 - 【請求項４】 前記シリコン基板が第１導電型シリコン
基板であることを特徴とする請求項１または２記載のフ
ォトディテクタ。 - 【請求項５】 前記第１導電型がＰ型であり、前記第２
導電型がＮ型であることを特徴とする請求項１から４の
いずれかに記載のフォトディテクタ。 - 【請求項６】 前記第１導電型がＮ型であり、前記第２
導電型がＰ型であることを特徴とする請求項１から４の
いずれかに記載のフォトディテクタ。 - 【請求項７】 前記第１拡散層の濃度が１０17ｃｍ-3以
上であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに
記載のフォトディテクタ。 - 【請求項８】 前記第２拡散層の濃度が１０17ｃｍ-3以
上であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに
記載のフォトディテクタ。 - 【請求項９】 第１導電型シリコン基板上に高濃度第２
導電型の埋込層を形成する工程と、前記埋込層上に第２
導電型のエピタキシャル層を成長する工程と、前記エピ
タキシャル層にイオン注入によって引き出し領域を形成
する工程と、前記エピタキシャル層にシリコンエッチン
グによって凹部を形成する工程と、前記凹部に斜めイオ
ン注入および、その後の熱処理によって第１拡散層およ
び第２拡散層を形成する工程と、前記凹部の側壁に絶縁
膜を形成する工程と、前記凹部の内部に光吸収層および
第１導電型のコンタクト層を選択的に成長する工程と、
表面に絶縁膜を被膜する工程と、フォトディテクタのカ
ソードコンタクトとアノードコンタクトを開口する工程
と、各電極を形成する工程とを有するフォトディテクタ
の製造方法。 - 【請求項１０】 第１導電型シリコン基板上に高濃度第
２導電型の埋込層を形成する工程と、前記埋込層上に第
２導電型のエピタキシャル層を成長する工程と、前記エ
ピタキシャル層にイオン注入によって引き出し領域を形
成する工程と、前記エピタキシャル層にシリコンエッチ
ングによって凹部を形成する工程と、前記凹部にヒ素を
含む塗布膜を塗布し、その後の熱処理によって第１拡散
層および第２拡散層を形成する工程と、前記凹部の側壁
に絶縁膜を形成する工程と、前記凹部の内部に光吸収層
および第１導電型のコンタクト層を選択的に成長する工
程と、表面に絶縁膜を被膜する工程と、フォトディテク
タのカソードコンタクトとアノードコンタクトを開口す
る工程と、各電極を形成する工程とを有するフォトディ
テクタの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8200636A JP2833588B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | フォトディテクタおよびその製造方法 |
| KR1019970035882A KR100253820B1 (ko) | 1996-07-30 | 1997-07-29 | 포토디텍터 및 그의 제조방법 |
| DE19732624A DE19732624A1 (de) | 1996-07-30 | 1997-07-29 | Fotodetektor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US08/902,283 US5942789A (en) | 1996-07-30 | 1997-07-29 | Photodetector and method for fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8200636A JP2833588B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | フォトディテクタおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051025A JPH1051025A (ja) | 1998-02-20 |
| JP2833588B2 true JP2833588B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=16427690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8200636A Expired - Fee Related JP2833588B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | フォトディテクタおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5942789A (ja) |
| JP (1) | JP2833588B2 (ja) |
| KR (1) | KR100253820B1 (ja) |
| DE (1) | DE19732624A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3016371B2 (ja) * | 1997-03-26 | 2000-03-06 | 日本電気株式会社 | 光検出器の製造方法 |
| DE19714054A1 (de) * | 1997-04-05 | 1998-10-08 | Daimler Benz Ag | SiGe-Photodetektor mit hohem Wirkungsgrad |
| US6625367B2 (en) * | 2000-08-21 | 2003-09-23 | Triquint Technology Holding Co. | Optoelectronic device having a P-contact and an N-contact located over a same side of a substrate and a method of manufacture therefor |
| JP3910817B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2007-04-25 | ユーディナデバイス株式会社 | 半導体受光装置 |
| US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| US7110629B2 (en) * | 2002-07-22 | 2006-09-19 | Applied Materials, Inc. | Optical ready substrates |
| CN1795592A (zh) * | 2003-05-29 | 2006-06-28 | 应用材料股份有限公司 | 掺杂质基底的波导检测器 |
| US7529435B2 (en) * | 2003-05-29 | 2009-05-05 | Applied Materials, Inc. | Serial routing of optical signals |
| WO2005001519A2 (en) * | 2003-05-29 | 2005-01-06 | Applied Materials, Inc. | Embedded waveguide detectors |
| US7205624B2 (en) * | 2003-10-07 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned implanted waveguide detector |
| US20050214964A1 (en) * | 2003-10-07 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. Patent Counsel, Legal Affairs Dept. | Sige super lattice optical detectors |
| JP2006133723A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-05-25 | Sony Corp | 光導波モジュール及び光・電気複合デバイス、並びにこれらの製造方法 |
| WO2007027615A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-08 | Applied Materials, Inc. | Ridge technique for fabricating an optical detector and an optical waveguide |
| WO2010028177A1 (en) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | Sionyx, Inc. | High sensitivity photodetectors, imaging arrays, and high efficiency photovoltaic devices produced using ion implantation and femtosecond laser irradiation |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US20120146172A1 (en) | 2010-06-18 | 2012-06-14 | Sionyx, Inc. | High Speed Photosensitive Devices and Associated Methods |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US20130016203A1 (en) | 2011-07-13 | 2013-01-17 | Saylor Stephen D | Biometric imaging devices and associated methods |
| US9201124B2 (en) * | 2011-07-14 | 2015-12-01 | National Semiconductor Corporation | Die-sized atomic magnetometer and method of forming the magnetometer |
| US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| KR20150130303A (ko) | 2013-02-15 | 2015-11-23 | 사이오닉스, 아이엔씨. | 안티 블루밍 특성 및 관련 방법을 가지는 높은 동적 범위의 cmos 이미지 센서 |
| WO2014151093A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Sionyx, Inc. | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| WO2014209421A1 (en) | 2013-06-29 | 2014-12-31 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187554A (en) * | 1987-08-11 | 1993-02-16 | Sony Corporation | Bipolar transistor |
| CH684971A5 (de) * | 1989-03-16 | 1995-02-15 | Landis & Gyr Tech Innovat | Ultraviolettlicht-Sensor. |
| JPH04114469A (ja) * | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Sharp Corp | 回路内蔵受光素子 |
| JP3108528B2 (ja) * | 1992-05-28 | 2000-11-13 | 株式会社東芝 | 光位置検出半導体装置 |
| JP2799540B2 (ja) * | 1993-04-19 | 1998-09-17 | シャープ株式会社 | 受光素子 |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP8200636A patent/JP2833588B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-29 US US08/902,283 patent/US5942789A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-07-29 KR KR1019970035882A patent/KR100253820B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-07-29 DE DE19732624A patent/DE19732624A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19732624A1 (de) | 1998-02-05 |
| KR980012575A (ko) | 1998-04-30 |
| JPH1051025A (ja) | 1998-02-20 |
| KR100253820B1 (ko) | 2000-04-15 |
| US5942789A (en) | 1999-08-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2833588B2 (ja) | フォトディテクタおよびその製造方法 | |
| JP2867983B2 (ja) | フォトディテクタおよびその製造方法 | |
| US6436781B2 (en) | High speed and low parasitic capacitance semiconductor device and method for fabricating the same | |
| JP2002057352A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| US6580095B2 (en) | Circuit-containing photodetector, method of manufacturing the same, and optical device using circuit-containing photodetector | |
| JPS636877A (ja) | ヘテロ接合型バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| US6136628A (en) | Method for fabricating photodetector | |
| US7427530B2 (en) | Method of manufacturing photo diodes having a conductive plug contact to a buried layer | |
| US20070272996A1 (en) | Self-aligned implanted waveguide detector | |
| US5488002A (en) | Method for manufacturing self-aligned bipolar transistors using double diffusion | |
| US6146957A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a buried region with higher impurity concentration | |
| US5569613A (en) | Method of making bipolar junction transistor | |
| US20050214964A1 (en) | Sige super lattice optical detectors | |
| JP4401036B2 (ja) | フォトダイオードの製造方法 | |
| US5893759A (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
| JP2000124496A (ja) | 半導体受光装置とその製造方法 | |
| JPH0376126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2828126B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH02226777A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| KR20230048041A (ko) | 태양 전지 제조 | |
| JPH02253666A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPH11330529A (ja) | 半導体受光装置及びその製造方法 | |
| JPS6362100B2 (ja) | ||
| JPH01278777A (ja) | Ｍｏｓｆｅｔの製造方法 | |
| JPH0476510B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980901 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |