JP2833349B2 - ダイナミックメモリ制御方式 - Google Patents
ダイナミックメモリ制御方式Info
- Publication number
- JP2833349B2 JP2833349B2 JP4151056A JP15105692A JP2833349B2 JP 2833349 B2 JP2833349 B2 JP 2833349B2 JP 4151056 A JP4151056 A JP 4151056A JP 15105692 A JP15105692 A JP 15105692A JP 2833349 B2 JP2833349 B2 JP 2833349B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dynamic memory
- memory
- refresh
- circuit
- power saving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、情報処理機器に使用さ
れるダイナミックメモリの制御方式に関する。
れるダイナミックメモリの制御方式に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のダイナミックメモリ制御は、一定
時間、例えば約１６μｓｅｃに１回の割合でダイナミッ
クメモリに対しリフレッシュサイクルを起動している。
時間、例えば約１６μｓｅｃに１回の割合でダイナミッ
クメモリに対しリフレッシュサイクルを起動している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のダイナミッ
クメモリ制御方式では、一定時間ごとにリフレッシュサ
イクルを起動する必要があるため、消費電力はこのリフ
レッシュサイクルにより律されていた。
クメモリ制御方式では、一定時間ごとにリフレッシュサ
イクルを起動する必要があるため、消費電力はこのリフ
レッシュサイクルにより律されていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
【０００５】本発明のダイナミックメモリ制御方式は、
ダイナミックメモリへのアクセス制御を行うメモリ制御
部と、ダイナミックメモリの周囲温度を計測する温度セ
ンサと、メモリアクセスの間隔を計測し一定時間以上ア
クセスがない場合に省電力モード動作を指示する動作モ
ード判定回路と、前記動作モード判定回路から省電力モ
ード動作指示があった場合にシステムクロックを規定周
波数まで低下することができるシステムクロック生成回
路と、前記動作モード判定回路から省電力モード動作指
示があった場合に前記温度センサからの温度情報と前記
省電力モード動作時のシステムクロック周波数からダイ
ナミックメモリのリフレッシュ間隔を決定し前記メモリ
制御部へリフレッシュ要求を発行するリフレッシュ制御
回路とを有する。
ダイナミックメモリへのアクセス制御を行うメモリ制御
部と、ダイナミックメモリの周囲温度を計測する温度セ
ンサと、メモリアクセスの間隔を計測し一定時間以上ア
クセスがない場合に省電力モード動作を指示する動作モ
ード判定回路と、前記動作モード判定回路から省電力モ
ード動作指示があった場合にシステムクロックを規定周
波数まで低下することができるシステムクロック生成回
路と、前記動作モード判定回路から省電力モード動作指
示があった場合に前記温度センサからの温度情報と前記
省電力モード動作時のシステムクロック周波数からダイ
ナミックメモリのリフレッシュ間隔を決定し前記メモリ
制御部へリフレッシュ要求を発行するリフレッシュ制御
回路とを有する。
【０００６】
【作用】一般にダイナミックメモリは低温であるほどリ
フレッシュ間隔を長くすることができるが、通常のダイ
ナミックメモリの規格は０°Ｃから７０°Ｃの周囲温度
をカバーできるリフレッシュ間隔であるため、約１６μ
ｓｅｃに１回の割合でリフレッシュをする必要がある。
フレッシュ間隔を長くすることができるが、通常のダイ
ナミックメモリの規格は０°Ｃから７０°Ｃの周囲温度
をカバーできるリフレッシュ間隔であるため、約１６μ
ｓｅｃに１回の割合でリフレッシュをする必要がある。
【０００７】本発明では、周囲温度に応じてリフレッシ
ュ間隔を可変とし、通常の規格よりも長い値に設定する
ことが可能である。
ュ間隔を可変とし、通常の規格よりも長い値に設定する
ことが可能である。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】本発明の一実施例のブロック図を示す図１
を参照すると、本実施例はダイナミックメモリ１１，温
度センサ１２，リフレッシュ要求回路１３およびメモリ
制御回路１４から成る。
を参照すると、本実施例はダイナミックメモリ１１，温
度センサ１２，リフレッシュ要求回路１３およびメモリ
制御回路１４から成る。
【００１０】温度センサ１２はダイナミックメモリ１１
の周囲温度を計測し、温度情報信号ａによりリフレッシ
ュ要求回路１３に温度情報を伝える。リフレッシュ要求
回路１３は温度情報信号ａ経由で得られた現在のダイナ
ミックメモリ１１の周囲温度において許される最長のリ
フレッシュ間隔を決定する。次に、決定したリフレッシ
ュ間隔でメモリ制御回路１４に対しリフレッシュ要求信
号ｂによりリフレッシュ要求を行う。
の周囲温度を計測し、温度情報信号ａによりリフレッシ
ュ要求回路１３に温度情報を伝える。リフレッシュ要求
回路１３は温度情報信号ａ経由で得られた現在のダイナ
ミックメモリ１１の周囲温度において許される最長のリ
フレッシュ間隔を決定する。次に、決定したリフレッシ
ュ間隔でメモリ制御回路１４に対しリフレッシュ要求信
号ｂによりリフレッシュ要求を行う。
【００１１】リフレッシュ要求回路１３はリフレッシュ
間隔の更新を一定の時間間隔毎に温度情報信号ａを確認
することにより行う。メモリ制御回路１４は、リフレッ
シュ要求信号ｂとメモリアクセス要求信号ｄの要求を調
停しダイナミックメモリ１１をメモリ制御信号ｃでリフ
レッシュ制御及びアクセス制御を行う。
間隔の更新を一定の時間間隔毎に温度情報信号ａを確認
することにより行う。メモリ制御回路１４は、リフレッ
シュ要求信号ｂとメモリアクセス要求信号ｄの要求を調
停しダイナミックメモリ１１をメモリ制御信号ｃでリフ
レッシュ制御及びアクセス制御を行う。
【００１２】本発明の他の実施例のブロック図を示す図
２を参照すると、本実施例はダイナミックメモリ２１，
温度センサ２２，リフレッシュ要求回路２３，メモリ制
御回路２４，システムクロック生成回路２５および動作
モード判定回路２６から成る。
２を参照すると、本実施例はダイナミックメモリ２１，
温度センサ２２，リフレッシュ要求回路２３，メモリ制
御回路２４，システムクロック生成回路２５および動作
モード判定回路２６から成る。
【００１３】温度センサ２２はダイナミックメモリ２１
の周囲温度を計測し、温度情報信号ａａにより通しリフ
レッシュ要求回路２３に温度情報を伝える。動作モード
判定回路２６はメモリアクセス要求信号ｄｄを監視し一
定時間以上アクセス要求がない場合は消費電力抑制モー
ドと判断し、動作モード信号ｆｆによりシステムクロッ
ク生成回路２５及びリフレッシュ要求回路２３へ動作モ
ードの通知をする。
の周囲温度を計測し、温度情報信号ａａにより通しリフ
レッシュ要求回路２３に温度情報を伝える。動作モード
判定回路２６はメモリアクセス要求信号ｄｄを監視し一
定時間以上アクセス要求がない場合は消費電力抑制モー
ドと判断し、動作モード信号ｆｆによりシステムクロッ
ク生成回路２５及びリフレッシュ要求回路２３へ動作モ
ードの通知をする。
【００１４】システムクロック生成回路２５はシステム
内の動作基準クロックを生成しシステム内にクロック信
号ｅｅを供給する。また動作モード信号ｆｆの状態によ
り、消費電力抑制モードである場合はクロック信号ｅｅ
をシステムに許される最低の周波数で繰返すように変更
する。消費電力抑制モードでない通常モードの場合はシ
ステムに許される最高の周波数のクロック信号ｅｅを生
成する。
内の動作基準クロックを生成しシステム内にクロック信
号ｅｅを供給する。また動作モード信号ｆｆの状態によ
り、消費電力抑制モードである場合はクロック信号ｅｅ
をシステムに許される最低の周波数で繰返すように変更
する。消費電力抑制モードでない通常モードの場合はシ
ステムに許される最高の周波数のクロック信号ｅｅを生
成する。
【００１５】リフレッシュ要求回路２３は温度情報信号
ａａにより得られた現在のダイナミックメモリ２１の周
囲温度において許される最長のリフレッシュ間隔を決定
する。そして、この決定したリフレッシュ間隔でメモリ
制御回路２４に対しリフレッシュ要求信号ｂによりリフ
レッシュ要求を行う。ここで、リフレッシュ要求間隔の
決定はクロック信号ｅｅを基準に行うため、動作モード
信号ｆｆによりクロック信号の周波数を判断する。
ａａにより得られた現在のダイナミックメモリ２１の周
囲温度において許される最長のリフレッシュ間隔を決定
する。そして、この決定したリフレッシュ間隔でメモリ
制御回路２４に対しリフレッシュ要求信号ｂによりリフ
レッシュ要求を行う。ここで、リフレッシュ要求間隔の
決定はクロック信号ｅｅを基準に行うため、動作モード
信号ｆｆによりクロック信号の周波数を判断する。
【００１６】メモリ制御回路２４は、リフレッシュ要求
信号ｂｂとメモリアクセス要求信号ｄｄの要求を調停し
ダイナミックメモリ２１をメモリ制御信号ｃｃでリフレ
ッシュ制御及びアクセス制御を行う。
信号ｂｂとメモリアクセス要求信号ｄｄの要求を調停し
ダイナミックメモリ２１をメモリ制御信号ｃｃでリフレ
ッシュ制御及びアクセス制御を行う。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明はダイナミッ
クメモリの周囲温度で許される最長のリフレッシュ間隔
でリフレッシュ行うことにより消費電力を低減すること
ができる。また、メモリアクセス頻度が少ないアイドル
状態時にはシステムクロックの周波数を低下させること
により更に消費電力を低減することができる。
クメモリの周囲温度で許される最長のリフレッシュ間隔
でリフレッシュ行うことにより消費電力を低減すること
ができる。また、メモリアクセス頻度が少ないアイドル
状態時にはシステムクロックの周波数を低下させること
により更に消費電力を低減することができる。
【図１】本発明の一実施例のブロック図である。
【図２】本発明の他の実施例のブロック図である。
１１ ダイナミックメモリ １２ 温度センサ １３ リフレッシュ要求回路 １４ メモリ制御回路 ２１ ダイナミックメモリ ２２ 温度センサ ２３ リフレッシュ要求回路 ２４ メモリ制御回路 ２５ システムクロック生成回路 ２６ 動作モード判定回路
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイナミックメモリへのアクセス制御を
行うメモリ制御部と、ダイナミックメモリの周囲温度を
計測する温度センサと、メモリアクセスの間隔を計測し
一定時間以上アクセスがない場合に省電力モード動作を
指示する動作モード判定回路と、前記動作モード判定回
路から省電力モード動作指示があった場合にシステムク
ロックを規定周波数まで低下することができるシステム
クロック生成回路と、前記動作モード判定回路から省電
力モード動作指示があった場合に前記温度センサからの
温度情報と前記省電力モード動作時のシステムクロック
周波数からダイナミックメモリのリフレッシュ間隔を決
定し前記メモリ制御部へリフレッシュ要求を発行するリ
フレッシュ制御回路とを有することを特徴とするダイナ
ミックメモリ制御方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4151056A JP2833349B2 (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | ダイナミックメモリ制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4151056A JP2833349B2 (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | ダイナミックメモリ制御方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05342865A JPH05342865A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2833349B2 true JP2833349B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=15510337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4151056A Expired - Fee Related JP2833349B2 (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | ダイナミックメモリ制御方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833349B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6438057B1 (en) * | 2001-07-06 | 2002-08-20 | Infineon Technologies Ag | DRAM refresh timing adjustment device, system and method |
| JP4392740B2 (ja) | 2001-08-30 | 2010-01-06 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶回路 |
| KR100455393B1 (ko) * | 2002-08-12 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | 리프레시 플래그를 발생시키는 반도체 메모리 장치 및반도체 메모리 시스템. |
-
1992
- 1992-06-11 JP JP4151056A patent/JP2833349B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05342865A (ja) | 1993-12-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6442699B1 (en) | Power control method and apparatus therefor | |
| US5630145A (en) | Method and apparatus for reducing power consumption according to bus activity as determined by bus access times | |
| JP3578082B2 (ja) | 処理実行装置及び記録媒体 | |
| US7793134B2 (en) | Information processing apparatus working at variable operating frequency | |
| JP2833349B2 (ja) | ダイナミックメモリ制御方式 | |
| JP2002343079A (ja) | Ｄｒａｍ装置およびｄｒａｍ装置のリフレッシュ方法 | |
| JP3962924B2 (ja) | 半導体装置、半導体回路、電子機器及びクロック供給制御方法 | |
| JPH05120870A (ja) | Ｄ−ｒａｍのリフレツシユ方式 | |
| JPH11272365A (ja) | 冷却ファンの速度制御方式、及び電子機器 | |
| JP2812114B2 (ja) | Ｓｃｓｉコントローラ | |
| JPH10333789A (ja) | コンピュータ | |
| JPH0883133A (ja) | コンピュータシステム及びそのクロック制御方法 | |
| JP3962923B2 (ja) | 半導体装置、半導体回路、電子機器及びクロック供給制御方法 | |
| JP2522571B2 (ja) | 電子機器のデ―タ転送装置 | |
| JP2647962B2 (ja) | 表示制御装置 | |
| JPH0448262B2 (ja) | ||
| JP2760958B2 (ja) | コンピュータ装置及びその電力管理方法 | |
| JP3548943B2 (ja) | 割り込み制御方法 | |
| JPH07160519A (ja) | リアルタイムデータ処理方法 | |
| JPH0271299U (ja) | ||
| JPH0271298U (ja) | ||
| JPH01277394A (ja) | メモリリフレッシュ制御回路 | |
| JPH04199449A (ja) | デバイス制御装置 | |
| JPH08263166A (ja) | コンピュータの電力節減方法及びその装置 | |
| JPH04113091U (ja) | 環境予測電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980901 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071002 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081002 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091002 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091002 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101002 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |