JP2829454B2 - 蛍光ｘ線膜厚測定方法 - Google Patents
蛍光ｘ線膜厚測定方法Info
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- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 title 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 33
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 5
- 241000254158 Lampyridae Species 0.000 claims 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線を用いた金属メ
ッキ等の膜厚測定に関する。
ッキ等の膜厚測定に関する。
【０００２】
【従来の技術】一次Ｘ線の照射ビーム径の数倍の幅を有
する極めて細いサンプルを測定しようとする場合、一次
Ｘ線の照射位置と、測定サンプル上の測定点を、人間が
サンプルのカメラ画像等を参考にしながら合致させるの
は極めて困難である。その理由は、一次Ｘ線が実際に照
射されている位置と、実照射位置を示す十字線等のマー
カが、正確に一致するように機械的な調整を行なうのが
難しいこと、仮に一致していたとしても、カメラ画像の
倍率が２０倍、サンプルの幅を５０ミクロンとすると、
肉眼で見えるサンプルの幅は１ミリであるから、そのサ
ンプルの中心に一次Ｘ線ビームを合わせ込むのは、かな
り困難である。従ってそういった細いサンプルを測定す
るためには、自動的に測定位置を探索するための手段が
必要となる。従来、図２に示すようにコリメータ２によ
りコリメートされた一次Ｘ線の照射ビーム１６で極めて
細いサンプル７を測定する手段としては、測定開始ビー
ム位置Ａからある一定の送り量４だけテーブル９を移動
させ、テーブル９が停止したところで膜厚測定を行い、
測定が終了したら再びテーブル９を移動させ、次の膜厚
測定を行うと言った具合にしてサンプル７の近傍の膜厚
を、サンプル７に対して相対的に一次Ｘ線ビーム１６が
サンプルを横切るような方向６にスキャンしながら測定
し、全ての測定点を測定し終わった後、結果として得ら
れた膜厚の中で最大の値をサンプル７の膜厚とするとい
うものであった。
する極めて細いサンプルを測定しようとする場合、一次
Ｘ線の照射位置と、測定サンプル上の測定点を、人間が
サンプルのカメラ画像等を参考にしながら合致させるの
は極めて困難である。その理由は、一次Ｘ線が実際に照
射されている位置と、実照射位置を示す十字線等のマー
カが、正確に一致するように機械的な調整を行なうのが
難しいこと、仮に一致していたとしても、カメラ画像の
倍率が２０倍、サンプルの幅を５０ミクロンとすると、
肉眼で見えるサンプルの幅は１ミリであるから、そのサ
ンプルの中心に一次Ｘ線ビームを合わせ込むのは、かな
り困難である。従ってそういった細いサンプルを測定す
るためには、自動的に測定位置を探索するための手段が
必要となる。従来、図２に示すようにコリメータ２によ
りコリメートされた一次Ｘ線の照射ビーム１６で極めて
細いサンプル７を測定する手段としては、測定開始ビー
ム位置Ａからある一定の送り量４だけテーブル９を移動
させ、テーブル９が停止したところで膜厚測定を行い、
測定が終了したら再びテーブル９を移動させ、次の膜厚
測定を行うと言った具合にしてサンプル７の近傍の膜厚
を、サンプル７に対して相対的に一次Ｘ線ビーム１６が
サンプルを横切るような方向６にスキャンしながら測定
し、全ての測定点を測定し終わった後、結果として得ら
れた膜厚の中で最大の値をサンプル７の膜厚とするとい
うものであった。
【０００３】なお、蛍光Ｘ線膜厚測定は、一定強度の一
次Ｘ線ビーム１６をサンプル７に照射して、それにより
サンプル７から発生するある特定元素の蛍光Ｘ線の強度
をＸ線検出器により検出して、その強度からサンプル７
に処理されている膜の厚さを測定するものである。
次Ｘ線ビーム１６をサンプル７に照射して、それにより
サンプル７から発生するある特定元素の蛍光Ｘ線の強度
をＸ線検出器により検出して、その強度からサンプル７
に処理されている膜の厚さを測定するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の探索方法は、Ｘ
線ビーム１６を一方向に一定間隔４でスキャンし、その
間隔４ごとに得られた膜厚値のみの情報から、細いサン
プル７の妥当な膜厚を算出している。この方法ではサン
プルの位置情報があらかじめ何もないので、Ｘ線ビーム
１６の送り量４をなるべく小さくして、ビーム１６がサ
ンプル７上に確実にあたるように配慮する必要がある。
そうすると必然的に測定回数が多くなり、その回数分だ
け膜厚計算も必要となり、１つの細いサンプル７の膜厚
を計算するのに非常に時間がかることになる。
線ビーム１６を一方向に一定間隔４でスキャンし、その
間隔４ごとに得られた膜厚値のみの情報から、細いサン
プル７の妥当な膜厚を算出している。この方法ではサン
プルの位置情報があらかじめ何もないので、Ｘ線ビーム
１６の送り量４をなるべく小さくして、ビーム１６がサ
ンプル７上に確実にあたるように配慮する必要がある。
そうすると必然的に測定回数が多くなり、その回数分だ
け膜厚計算も必要となり、１つの細いサンプル７の膜厚
を計算するのに非常に時間がかることになる。
【０００５】測定時間を短くしようとすれば、Ｘ線ビー
ム１６の送り量４を大きくするか、測定開始位置Ａをな
るべくサンプル７に近づけて、膜厚測定の回数を減少さ
せなければならない。しかし、前述したように、送り量
４を大きくするとＸ線ビーム１６がサンプル７に確実に
あたらなくなる。また、サンプル７の近くに合わせると
言っても、そのような曖昧な位置に測定開始点Ａを合わ
せるのは実際には困難であるから、ある程度安全を見越
して、Ｘ線ビーム１６が確実にサンプル７を横切るよう
な位置、すなわち測定回数が多くなるような位置から測
定を開始する必要があった。従って従来の方法では、こ
のような細いサンプル７を高速に測定することができな
いという課題があった。
ム１６の送り量４を大きくするか、測定開始位置Ａをな
るべくサンプル７に近づけて、膜厚測定の回数を減少さ
せなければならない。しかし、前述したように、送り量
４を大きくするとＸ線ビーム１６がサンプル７に確実に
あたらなくなる。また、サンプル７の近くに合わせると
言っても、そのような曖昧な位置に測定開始点Ａを合わ
せるのは実際には困難であるから、ある程度安全を見越
して、Ｘ線ビーム１６が確実にサンプル７を横切るよう
な位置、すなわち測定回数が多くなるような位置から測
定を開始する必要があった。従って従来の方法では、こ
のような細いサンプル７を高速に測定することができな
いという課題があった。
【０００６】そこで、この発明の目的は、従来のこのよ
うな課題を解決するため、細いサンプルの測定位置を自
動的かつ高速に決定するための手段を得ることである。
うな課題を解決するため、細いサンプルの測定位置を自
動的かつ高速に決定するための手段を得ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、図１に示すように一次Ｘ線を発生するためのＸ線発
生系と、一次Ｘ線をコリメートするためのコリメータ
と、測定サンプルを置くテーブルと、テーブル移動機構
と、サンプルからの蛍光Ｘ線を検出するための検出器
と、検出器からの信号を増幅するアンプと、アンプから
の信号を特定のＸ線の強度として積算するための波高弁
別積算カウンタ回路と、演算及び膜厚計算を行う演算処
理部とからなる蛍光Ｘ線微小部膜厚計において、細いサ
ンプルを、一次Ｘ線ビームでスキャンしながら、同時に
得られる蛍光Ｘ線の積算強度を一定のサンプリング間隔
で観測することによって、細いサンプルの測定位置探索
の高速化が図れるようにした。
に、図１に示すように一次Ｘ線を発生するためのＸ線発
生系と、一次Ｘ線をコリメートするためのコリメータ
と、測定サンプルを置くテーブルと、テーブル移動機構
と、サンプルからの蛍光Ｘ線を検出するための検出器
と、検出器からの信号を増幅するアンプと、アンプから
の信号を特定のＸ線の強度として積算するための波高弁
別積算カウンタ回路と、演算及び膜厚計算を行う演算処
理部とからなる蛍光Ｘ線微小部膜厚計において、細いサ
ンプルを、一次Ｘ線ビームでスキャンしながら、同時に
得られる蛍光Ｘ線の積算強度を一定のサンプリング間隔
で観測することによって、細いサンプルの測定位置探索
の高速化が図れるようにした。
【０００８】
【作用】上記のように構成された蛍光Ｘ線微小部膜厚計
において、コリメータを通過した一次Ｘ線は、コリメー
トされ、サンプルに照射される。サンプルから放出され
る蛍光Ｘ線の単位時間中あたりの強度は、サンプルに含
まれる元素によりそのエネルギ領域は異なるが、そのサ
ンプルに応じた特定のエネルギ領域に着目すれば、コリ
メートされた一次Ｘ線がサンプルに照射される面積の割
合に比例する。図３に示すように、測定開始ビームＡの
位置Ｘ0 からサンプルがｘｓ離れた位置に置かれていた
とする。Ｘ線ビームをＡからＧへサンプルを横切るよう
にスキャンさせながら、その間のサンプルの素材蛍光Ｘ
線積算強度Ｉ（ｘ）と、位置ｘの関係をグラフにする
と、図３のようになる。区間Ａ−Ｂ及び区間Ｆ−Ｇは、
サンプルに一次Ｘ線ビームがまったくあたっていない区
間、区間Ｂ−Ｃ及び区間Ｅ−Ｆは一次Ｘ線ビームが部分
的にあたっている区間、区間Ｃ−Ｅは、一次Ｘ線ビーム
がサンプルに完全にあたっている区間をそれぞれ示して
いる。
において、コリメータを通過した一次Ｘ線は、コリメー
トされ、サンプルに照射される。サンプルから放出され
る蛍光Ｘ線の単位時間中あたりの強度は、サンプルに含
まれる元素によりそのエネルギ領域は異なるが、そのサ
ンプルに応じた特定のエネルギ領域に着目すれば、コリ
メートされた一次Ｘ線がサンプルに照射される面積の割
合に比例する。図３に示すように、測定開始ビームＡの
位置Ｘ0 からサンプルがｘｓ離れた位置に置かれていた
とする。Ｘ線ビームをＡからＧへサンプルを横切るよう
にスキャンさせながら、その間のサンプルの素材蛍光Ｘ
線積算強度Ｉ（ｘ）と、位置ｘの関係をグラフにする
と、図３のようになる。区間Ａ−Ｂ及び区間Ｆ−Ｇは、
サンプルに一次Ｘ線ビームがまったくあたっていない区
間、区間Ｂ−Ｃ及び区間Ｅ−Ｆは一次Ｘ線ビームが部分
的にあたっている区間、区間Ｃ−Ｅは、一次Ｘ線ビーム
がサンプルに完全にあたっている区間をそれぞれ示して
いる。
【０００９】区間Ａ−Ｂで観測される単位時間当たりの
蛍光Ｘ線強度をｉ、一次Ｘ線ビームの移動スピードをｖ
とすれば、区間Ａ−Ｂにおける、計算上の蛍光Ｘ線積算
強度ＩＣ（ｘ）と位置ｘの関係は次のようになる。 ＩＣ（ｘ） ＝ （ｉ／ｖ） × ｘ 従って、実際に観測される蛍光Ｘ線積算強度をＩ（ｘ）
とすれば、ＩＣ（ｘ）がＩ（ｘ）と等しい場合には、一
次Ｘ線ビームがまだサンプルに達していないことがわか
る。実際に得られる蛍光Ｘ線積算強度は、一定時間間隔
でサンプリングされたものであるから、サンプリング時
の一次Ｘ線ビーム位置を ｘ0 ，ｘ1 ．．．．．ｘn とすれば得られる蛍光Ｘ線積算強度は、 Ｉ（ｘ0 ），Ｉ（ｘ1 ）．．．．Ｉ（ｘn ） である。Ｘ線ビームをスキャンしていってはじめて実際
の測定値と計算による積算強度の予測値が一致しなくな
った位置をＸjとすれば、サンプル１９の右端エッジ位
置ｘLは、ｘj-1とｘjの間にあることがわかる。このよ
うにしてサンプ右端のおよその位置がわかったところ
で、一次Ｘ線ビームのスキャンスピードを遅くして、位
置ｘj-1から、より細かいプロファイルをとることによ
って、サンプルの位置をより正確に決める。それからＸ
線ビームをサンプル上に移動して、膜厚測定を行う。
蛍光Ｘ線強度をｉ、一次Ｘ線ビームの移動スピードをｖ
とすれば、区間Ａ−Ｂにおける、計算上の蛍光Ｘ線積算
強度ＩＣ（ｘ）と位置ｘの関係は次のようになる。 ＩＣ（ｘ） ＝ （ｉ／ｖ） × ｘ 従って、実際に観測される蛍光Ｘ線積算強度をＩ（ｘ）
とすれば、ＩＣ（ｘ）がＩ（ｘ）と等しい場合には、一
次Ｘ線ビームがまだサンプルに達していないことがわか
る。実際に得られる蛍光Ｘ線積算強度は、一定時間間隔
でサンプリングされたものであるから、サンプリング時
の一次Ｘ線ビーム位置を ｘ0 ，ｘ1 ．．．．．ｘn とすれば得られる蛍光Ｘ線積算強度は、 Ｉ（ｘ0 ），Ｉ（ｘ1 ）．．．．Ｉ（ｘn ） である。Ｘ線ビームをスキャンしていってはじめて実際
の測定値と計算による積算強度の予測値が一致しなくな
った位置をＸjとすれば、サンプル１９の右端エッジ位
置ｘLは、ｘj-1とｘjの間にあることがわかる。このよ
うにしてサンプ右端のおよその位置がわかったところ
で、一次Ｘ線ビームのスキャンスピードを遅くして、位
置ｘj-1から、より細かいプロファイルをとることによ
って、サンプルの位置をより正確に決める。それからＸ
線ビームをサンプル上に移動して、膜厚測定を行う。
【００１０】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説
明する。図１において、細いサンプル７は、素材Ｃｕの
うえにＡｕメッキを施した幅８０μｍの短冊形状をして
いる。細いサンプル７は、Ｘ−Ｙテーブル移動機構１０
によりＸ−Ｙ方向に移動可能な鉄製のテーブル９の上に
支持されている。一次Ｘ線は、Ｘ線管球２０から発生さ
れ、コリメータ２より一次Ｘ線ビーム１６にコリメート
されて、細かいサンプル７またーブル９を照射する。
明する。図１において、細いサンプル７は、素材Ｃｕの
うえにＡｕメッキを施した幅８０μｍの短冊形状をして
いる。細いサンプル７は、Ｘ−Ｙテーブル移動機構１０
によりＸ−Ｙ方向に移動可能な鉄製のテーブル９の上に
支持されている。一次Ｘ線は、Ｘ線管球２０から発生さ
れ、コリメータ２より一次Ｘ線ビーム１６にコリメート
されて、細かいサンプル７またーブル９を照射する。
【００１１】一次Ｘ線ビーム１６の照射により発生する
蛍光Ｘ線１７は、Ｘ線検出器１１により検出される。Ｘ
線検出器１１により検出された蛍光Ｘ線１７は、アンプ
１２により増幅される。アンプ１２からの信号は波高弁
別積算カウンタ１３により特定のエネルギ（ＣｕのＸ線
エネルギ）の蛍光Ｘ線強度とに弁別し取り込まれる。波
高弁別積算カウンタ１３のデータは、演算処理部１４に
より演算処理される。
蛍光Ｘ線１７は、Ｘ線検出器１１により検出される。Ｘ
線検出器１１により検出された蛍光Ｘ線１７は、アンプ
１２により増幅される。アンプ１２からの信号は波高弁
別積算カウンタ１３により特定のエネルギ（ＣｕのＸ線
エネルギ）の蛍光Ｘ線強度とに弁別し取り込まれる。波
高弁別積算カウンタ１３のデータは、演算処理部１４に
より演算処理される。
【００１２】次に本発明の測定方法を図４のフローチャ
ートに基づいて説明する。まず初めに細いサンプル７の
位置をＸ−Ｙ移動機構１０により一次線ビーム１６のは
ずれる位置にする。また、Ｘ−Ｙ移動機構のうち一方、
例えばＸ移動機構の作用により一次Ｘ線ビーム１６が細
いサンプル上を横断する位置に細かいサンプル７を置
く。つまり、初めにサンプル７に一次Ｘ線ビーム１６が
細かいサンプル７に照射しないように、つまりその脇を
照射するように配置する。
ートに基づいて説明する。まず初めに細いサンプル７の
位置をＸ−Ｙ移動機構１０により一次線ビーム１６のは
ずれる位置にする。また、Ｘ−Ｙ移動機構のうち一方、
例えばＸ移動機構の作用により一次Ｘ線ビーム１６が細
いサンプル上を横断する位置に細かいサンプル７を置
く。つまり、初めにサンプル７に一次Ｘ線ビーム１６が
細かいサンプル７に照射しないように、つまりその脇を
照射するように配置する。
【００１３】 （１）装置全体を稼働し、測定を開始する。Ｘ線照射位
置をＸ0 とする。 （２）一次Ｘ線ビーム１６は、照射位置Ｘ0 での単位時
間あたりの素材の蛍光Ｘ線強度Ｉ0 を測定し統計誤差Ｉ
Ｅを計算する。 ＩＥ＝（Ｉ0 ）1/2 （３）一次Ｘ線ビーム１６を一定速度（４０μｍ／秒）
でＸ−Ｙ移動機構１０を動かし、つまりサンプルを図１
で示す左右方向に動かし、一次Ｘ線ビーム１６の照射に
よる蛍光Ｘ線強度の積算を開始する。
置をＸ0 とする。 （２）一次Ｘ線ビーム１６は、照射位置Ｘ0 での単位時
間あたりの素材の蛍光Ｘ線強度Ｉ0 を測定し統計誤差Ｉ
Ｅを計算する。 ＩＥ＝（Ｉ0 ）1/2 （３）一次Ｘ線ビーム１６を一定速度（４０μｍ／秒）
でＸ−Ｙ移動機構１０を動かし、つまりサンプルを図１
で示す左右方向に動かし、一次Ｘ線ビーム１６の照射に
よる蛍光Ｘ線強度の積算を開始する。
【００１４】 （４）現在の一次Ｘ線ビーム１６の照射位置Ｘを読み込
む。 （５）現在の積算強度Ｉ（ｘ）を読み込む。 （６）現在の予測積算強度ＩＣ（ｘ）を計算する。 ＩＣ（ｘ）＝現在までの測定時間×Ｉ0 （７）ＩＣ（ｘ）とＩ（ｘ）を次の式にて比較する。
む。 （５）現在の積算強度Ｉ（ｘ）を読み込む。 （６）現在の予測積算強度ＩＣ（ｘ）を計算する。 ＩＣ（ｘ）＝現在までの測定時間×Ｉ0 （７）ＩＣ（ｘ）とＩ（ｘ）を次の式にて比較する。
【００１５】 Ｉ（ｘ）＞Ｉ（ｘ）＋ＩＥ×３ （７）' （７）の式を満足しないときは（３）に戻り、
Ｘ−Ｙ移動機構を動かし測定を続ける。（７）の式を満
足するときは次に移り、その時の一次Ｘ線ビーム１６の
位置ＸR を記憶する。 （８）一次Ｘ線ビーム１６の照射位置を１段前の位置、
つまりＸR-1 に戻し、スキャン速度を遅くして（５μｍ
／秒）単位時間あたりの素材の蛍光Ｘ線強度（ｉ）を測
定しプロファイルをとる。プロファイルは図６のように
なる。
Ｘ−Ｙ移動機構を動かし測定を続ける。（７）の式を満
足するときは次に移り、その時の一次Ｘ線ビーム１６の
位置ＸR を記憶する。 （８）一次Ｘ線ビーム１６の照射位置を１段前の位置、
つまりＸR-1 に戻し、スキャン速度を遅くして（５μｍ
／秒）単位時間あたりの素材の蛍光Ｘ線強度（ｉ）を測
定しプロファイルをとる。プロファイルは図６のように
なる。
【００１６】 （９）図６の強度の差分ｉ’を計算する。つまり微分す
ると図７のようになる。 （１０）図７より正、負のピーク位置ＸP1とＸP2の中点
位置ＸS を求める。ＸS は細いサンプル７の中心位置と
なる。 （１１）一次Ｘ線ビーム１６をＸS 位置に照射するよう
にＸ−Ｙ移動装置を駆動し、サンプルの膜厚測定を行
う。
ると図７のようになる。 （１０）図７より正、負のピーク位置ＸP1とＸP2の中点
位置ＸS を求める。ＸS は細いサンプル７の中心位置と
なる。 （１１）一次Ｘ線ビーム１６をＸS 位置に照射するよう
にＸ−Ｙ移動装置を駆動し、サンプルの膜厚測定を行
う。
【００１７】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、蛍光Ｘ
線の積算強度を観測しているので、Ｘ線ビームのスピー
ドを従来に比較して高速にしても、Ｘ線ビームがサンプ
ルを横切ったかどうかは確実に判定することができる。
従って測定開始位置に影響されることなく、サンプルの
位置探索を高速かつ確実に行うことができるという効果
がある。
線の積算強度を観測しているので、Ｘ線ビームのスピー
ドを従来に比較して高速にしても、Ｘ線ビームがサンプ
ルを横切ったかどうかは確実に判定することができる。
従って測定開始位置に影響されることなく、サンプルの
位置探索を高速かつ確実に行うことができるという効果
がある。
【図１】本装置の概略斜視図である。
【図２】従来の測定方法を示す概略斜視図である。
【図３】Ｘ線ビーム照射位置に対する蛍光Ｘ線積算強度
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図４】実施例の測定手順を示したフローチャートであ
る。
る。
【図５】実施例におけるＸ線ビーム位置と蛍光Ｘ線積算
強度を示すグラフである。
強度を示すグラフである。
【図６】実施例におけるＸ線ビーム位置と単位時間の蛍
光Ｘ線強度を示すグラフである。
光Ｘ線強度を示すグラフである。
【図７】実施例におけるＸ線ビーム位置と単位時間の蛍
光Ｘ線強度変化量を示すグラフである。
光Ｘ線強度変化量を示すグラフである。
２ コリメータ ４ 一次Ｘ線ビーム送り量 ７ サンプル ９ テーブル １０ テーブル移動機構 １１ Ｘ線検出器 １２ アンプ １３ 波高弁別積算カウンタ １４ 演算処理部 １６ 一次Ｘ線ビーム １７ 蛍光Ｘ線
Claims (2)
- 【請求項１】 一次Ｘ線を発生するためのＸ線発生系
と、サンプルに照射する前記一次Ｘ線をコリメートする
ためのコリメータと、前記サンプルを置くテーブルと、
前記テーブルを移動させるためのテーブル移動機構と、
前記サンプルからの蛍光Ｘ線を検出するためのＸ線検出
器と、前記Ｘ線検出器からの信号を増幅するアンプと、
前記アンプからの信号を特定のエネルギーの蛍光Ｘ線強
度として取り込むための波高弁別積算カウンタ回路と、
前記波高弁別積算カウンタ回路に取り込まれた信号を演
算及び膜厚計算を行う演算処理部とからなる蛍光Ｘ線膜
厚測定装置を用いた蛍光Ｘ線膜厚測定方法において、 （１） 前記コリメートされた一次Ｘ線の照射ビームを
その径の数倍の幅を持つ細いサンプルから幅方向にはず
れる位置を測定開始点とし、 （２） 前記一次Ｘ線を前記細いサンプル方向に一定の
スピードでスキャンしながら、 （３） 特定の時間ごとに前記蛍光Ｘ線の積算強度を観
測して、 （４） 前記観測した積算強度と、前記観測した位置に
おける、前記細いサンプルをはずれた区間をスキャンし
た時に対して予測される蛍光Ｘ線積算強度とを比較し、 （５） 前記観測した積算強度の方が大きくなったら直
前の観測位置に戻り、スキャン速度を前期スピードより
落として前と同方向にスキャンし、単位時間当たりの蛍
光Ｘ線強度のプロファイルをとり、 （６） 前記プロファイルを基に前記一次Ｘ線照射ビー
ムを前記細 いサンプル上に移動して、 膜厚測定を行うことを特徴とする蛍光Ｘ線膜厚測定方
法。 - 【請求項２】 前記プロファイルの各測定点と次の測定
点の蛍光Ｘ線強度の差分を計算し、該差分の正、負のピ
ーク位置の中点位置を求め、該中点位置を一次Ｘ線ビー
ムが照射するようテーブルを移動し前記細いサンプルの
膜厚測定を行うことを特徴とする請求項１記載の蛍光Ｘ
線膜厚測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4074735A JP2829454B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 蛍光ｘ線膜厚測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4074735A JP2829454B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 蛍光ｘ線膜厚測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102032A JPH06102032A (ja) | 1994-04-12 |
| JP2829454B2 true JP2829454B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=13555794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4074735A Expired - Lifetime JP2829454B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 蛍光ｘ線膜厚測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2829454B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105446033B (zh) * | 2015-11-27 | 2019-04-05 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种监控金属膜厚的方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59210312A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-29 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | パタ−ン位置検出装置 |
| JPS631910A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-06 | Hitachi Ltd | 寸法測定装置 |
| JPS6366407A (ja) * | 1987-08-24 | 1988-03-25 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 螢光ｘ線膜厚計に於ける測定点調整方法 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP4074735A patent/JP2829454B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06102032A (ja) | 1994-04-12 |
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