JP2815984B2 - Semiconductor device - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体のチップの細線リードをサポートテープで支持
するTAB方式を用いた半導体装置に関し、 封止用樹脂との接着性を良くし、リードフレームでの
耐実装ストレスを向上させ、パッケージのひび割れや細
線リードの切断を防ぎ信頼性の向上を目的とし、 プラスチック封止型ICでテープキャリア方式を使用
し、サポートテープで細線リードを支持する半導体装置
において、細線リードを支持するサポータテープに複数
個のスルーホールを設け、且つサポートテープの所定箇
所に面取りを施す。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Summary] The present invention relates to a semiconductor device using a TAB method in which a thin wire lead of a semiconductor chip is supported by a support tape. For the purpose of improving the reliability and preventing cracking of the package and cutting of the fine wire lead, and improving the reliability, the tape carrier method is used for the plastic-encapsulated IC, and the fine wire lead is used for the semiconductor device that supports the fine wire lead with the support tape. A plurality of through holes are provided in the supporter tape to be supported, and chamfering is performed on a predetermined portion of the support tape.
半導体のチップのボンディングされた細線リードをサ
ポートテープで支持するTAB方式（Tape Automated Bond
ing以下TAB方式と呼ぶ）を用いた半導体装置に関する。TAB method (Tape Automated Bond) that supports the bonded thin wire leads of the semiconductor chip with support tape
(hereinafter referred to as a TAB method).
ICチップはチップ本体のみでは機能しないため、ICチ
ップのパッケージングを行い、プリント基板等との接続
を行う。その際、ICチップとリードフレームを細線リー
ドでボンディングすると細線リードとベースの間に空隙
ができ、この空隙のために封止樹脂注入の際、細線リー
ドが振動することがある。この空隙を埋め、細線リード
を支持するためにサポートテープが必要になる。さら
に、細線リードや、サポートテープ、ベース等は各材質
の違いがある。従って、材質が異なっても耐性に優れた
パッケージングが求められている。Since the IC chip does not function only with the chip body, the IC chip is packaged and connected to a printed circuit board or the like. At this time, if the IC chip and the lead frame are bonded with the fine wire lead, a space is formed between the fine wire lead and the base, and the fine wire lead may vibrate when the sealing resin is injected due to the space. A support tape is needed to fill the gap and support the fine wire leads. Further, fine wire leads, support tapes, bases, and the like have different materials. Therefore, there is a demand for a packaging having excellent resistance even if the material is different.
プラスチック封止型IC素子でTAB方式を使用した半導
体装置ではICチップとリードフレーム間の細線リードの
振動や歪みから保護するために細線リードを支持するサ
ポートテープが必要である。In a semiconductor device using a TAB method as a plastic-encapsulated IC element, a support tape for supporting the fine wire leads is necessary to protect the fine wire leads from vibration and distortion between the IC chip and the lead frame.
第３図は従来のプラスチック封止型ICの一例を示す。
30は細線リードであり、31は細線リード30を支持するた
めのサポートテープであり、32はICチップ、33はリード
フレームである。封止はICチップ32に悪影響を及ぼす塵
埃、薬品、湿気や、機械的な破壊から保護するためにな
される。FIG. 3 shows an example of a conventional plastic-sealed IC.
Numeral 30 denotes a fine wire lead, 31 denotes a support tape for supporting the fine wire lead 30, 32 denotes an IC chip, and 33 denotes a lead frame. Sealing is performed to protect the IC chip 32 from dust, chemicals, moisture, and mechanical destruction.
ICチップ32は細線リード30でリードフレーム33にボン
ディングされており、サポートテープ31は細線リード30
とリードフレーム33の間にできる空隙で細線リード30を
支持するために設けられている。The IC chip 32 is bonded to the lead frame 33 with the fine wire lead 30, and the support tape 31 is
It is provided for supporting the fine wire lead 30 with a gap formed between the lead wire 33 and the lead frame 33.
また、第４図は従来のTAB方式プラスチック封止型IC
の一部の断面図を示す。第３図と同一構成部分には同一
符号を振し、その説明を省略する。40は封止樹脂で細線
リード30やサポートテープ31を封止する。樹脂封止は樹
脂をトランスファーモールドにより注入し、ICチップ32
表面に密着し、完全に被覆する。Fig. 4 shows a conventional TAB plastic sealed IC.
2 shows a partial cross-sectional view of FIG. The same components as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Reference numeral 40 denotes a sealing resin for sealing the fine wire leads 30 and the support tape 31. For resin encapsulation, resin is injected by transfer molding, and the IC chip 32
Close contact with the surface and complete coverage.
細線リード30を支持するサポートテープ31の材質は吸
湿性のあるカプトン（ポリイミド膜）であるので、封止
すると封止用の樹脂との接着性が悪く、細線リード30が
振動して位置ずれや切断を生じることがある。また、サ
ポートテープ31と細線リード30とは膨張率が異なるため
に細線リード30がテープの膨張や収縮のために切断され
ることもあるという問題がある。Since the material of the support tape 31 that supports the fine wire lead 30 is Kapton (polyimide film) having a hygroscopic property, when the material is sealed, the adhesiveness to the sealing resin is poor, and the fine wire lead 30 vibrates, causing misalignment or misalignment. May cause cutting. In addition, since the support tape 31 and the thin wire lead 30 have different expansion rates, there is a problem that the thin wire lead 30 may be cut due to expansion or contraction of the tape.
さらに封止する樹脂はICチップ32や細線リード30との
接着性が弱いために、プリント基板等に装着する段階で
パッケージに実装ストレスを与えると、ひび割れを起こ
す。Further, since the sealing resin has weak adhesion to the IC chip 32 and the fine wire lead 30, when mounting stress is applied to the package at the stage of mounting on a printed circuit board or the like, cracking occurs.
また、第４図中、ａはサポートテープ31のエッジ部分
と封止樹脂40との間にできるひび割れを示す。これはサ
ポートテープ31に外力が集中するためや温度変化による
もので、その場合ａのようなエッジ部分にひびが入りや
すい等の問題があった。In FIG. 4, a indicates a crack formed between the edge portion of the support tape 31 and the sealing resin 40. This is because the external force is concentrated on the support tape 31 or due to a temperature change. In this case, there is a problem that the edge portion such as a is easily cracked.
本発明は上記の点に鑑みなされたもので封止用樹脂と
の接着性を良くし、リードフレーム33での耐実装ストレ
スを向上させ、細線リード30の振動による切断等、及び
やパッケージのひび割れを防ぎ、信頼性のある半導体装
置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, improves the adhesiveness with a sealing resin, improves the mounting stress in the lead frame 33, cuts the thin wires 30 by vibration, etc., and slightly cracks the package. And to provide a reliable semiconductor device.
上記課題は細線リードを支持するサポートテープに複
数個のスルーホールを設け、また、サポートテープの所
定箇所に面取りを施すように構成することにより解決さ
れる。The above object is achieved by providing a plurality of through holes in a support tape for supporting fine wire leads and chamfering a predetermined portion of the support tape.
サポートテープにスルーホールを設けることにより樹
脂がスルーホールに注入され、スルーホールが樹脂で固
められ、接着性が強くなる。また、応力が集中し易いサ
ポートテープのエッジ部分の面取りを施すことによりエ
ッジ部分に集中する応力を分散する。By providing a through hole in the support tape, the resin is injected into the through hole, the through hole is solidified with the resin, and the adhesiveness is enhanced. Also, the stress concentrated on the edge portion is dispersed by chamfering the edge portion of the support tape where the stress tends to concentrate.
第１図は本発明の実施例の平面図を示す。同図中、第
３図と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。10はサポートテープ、11はスルーホールである。FIG. 1 shows a plan view of an embodiment of the present invention. 3, the same parts as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. 10 is a support tape, 11 is a through hole.
サポートテープ10は細線リード30を支持し、細線リー
ド30はICチップ32とリードフレーム33をボンディングし
ている。The support tape 10 supports the fine wire leads 30, and the fine wire leads 30 bond the IC chip 32 and the lead frame 33.
テープ状のリードフレーム33にはICチップ32、サポー
トテープ10が設けられている。細線リード30はICチップ
の電極とボンディングされ、ICチップの電極はパッド上
に形成されている。An IC chip 32 and a support tape 10 are provided on a tape-shaped lead frame 33. The fine wire lead 30 is bonded to the electrode of the IC chip, and the electrode of the IC chip is formed on the pad.
サポートテープ10のスルーホール11はサポートテープ
10の全面に任意の配列で複数個設ける。また、これによ
りプラスチック樹脂がサポートテープ10の上下のどちら
からでも注入することができ、サポートテープ10を挟ん
で上下に封止樹脂があるので、封止樹脂に周囲を固めら
れて細線リード30と共に固定される。Support tape 10 is through tape 11
A plurality are provided in an arbitrary arrangement on the entire surface of 10. Also, this allows the plastic resin to be injected from either the upper or lower side of the support tape 10, and the sealing resin is provided above and below the support tape 10, so that the periphery is solidified by the sealing resin and the fine wire leads 30 are joined together. Fixed.
スルーホール11の大きさは例えば50〜60ミクロンの大
きさであっても封止樹脂が注入されるには十分であり、
また、スルーホール11の数は細線リード30を支持するこ
とができる強度の範囲で全体的に多く設けた方が封止樹
脂との接着力が強くなる。The size of the through hole 11 is enough to inject the sealing resin even if the size is, for example, 50 to 60 microns,
In addition, the larger the number of through holes 11 as a whole in the range of the strength capable of supporting the fine wire lead 30, the stronger the adhesive force with the sealing resin.
第２図は本発明の実施例の断面図を示す。第１図、第
３図と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。20はサポートテープ10のエッジである。サポートテ
ープ10を断面から見ると上下４ヵ所のエッジがあり、そ
のうち細線リード30を支持していないほうの下部の２つ
のエッジ20の部分に対し、ケミカルエッチングまたはプ
レスにより面取りを施す。FIG. 2 shows a sectional view of an embodiment of the present invention. 1 and 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. Reference numeral 20 denotes an edge of the support tape 10. When the support tape 10 is viewed from the cross section, there are four upper and lower edges, of which the lower two edges 20 that do not support the fine wire lead 30 are chamfered by chemical etching or pressing.
これにより封止樹脂21を注入したときサポートテープ
のエッジ20との接着面が円弧状であるので、いままでサ
ポートテープ10のエッジ20に集中していた応力が分散さ
れる。Accordingly, when the sealing resin 21 is injected, the adhesive surface with the edge 20 of the support tape has an arc shape, so that the stress that has been concentrated on the edge 20 of the support tape 10 is dispersed.
従って、本発明の実施例でのリードフレーム33におい
て、耐実装ストレスのパッケージクラック性では許容吸
湿時間が２倍以上となる。Therefore, in the lead frame 33 according to the embodiment of the present invention, the allowable moisture absorption time is twice or more in the package crack resistance against the mounting stress.
以上のように本発明によればサポートテープにスルー
ホールを設けることにより封止樹脂がサポートテープの
スルーホールに注入される。これによりアンカー効果が
生じ、サポートテープの周囲が固められ、接着性が向上
し、細線リードの振動や、膨張、収縮による細線リード
の断線が防止できる。As described above, according to the present invention, by providing a through hole in the support tape, the sealing resin is injected into the through hole of the support tape. As a result, an anchor effect is generated, the periphery of the support tape is hardened, the adhesiveness is improved, and breakage of the fine wire lead due to vibration, expansion and contraction of the fine wire lead can be prevented.
また、サポートテープのエッジの面取りを行うことに
よりエッジに集中する力が拡散し、ICチップの中部に応
力が集中してもその衝撃が和らげられる。また、実装の
時に膨張・収縮によるひび割れ等が起こり難くなり信頼
性の向上が図れるという特長がある。Also, by chamfering the edge of the support tape, the force concentrated on the edge is diffused, and even if the stress is concentrated on the central part of the IC chip, the impact is reduced. Further, there is a feature that cracks and the like due to expansion and contraction hardly occur at the time of mounting and reliability can be improved.
第１図は本発明の実施例の平面図、 第２図は本発明の実施例の断面図、 第３図は従来のプラスチック封止型ICの平面図、 第４図は従来のプラスチック封止型ICの断面図である。 図において、 10はサポートテープ、 11はスルーホール、 30は細線リード、 32はICチップ、 33はリードフレーム、 20はエッジ、 40は封止樹脂、 41はパッド を示す。 1 is a plan view of an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a plan view of a conventional plastic-sealed IC, and FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of a type IC. In the figure, 10 is a support tape, 11 is a through hole, 30 is a fine wire lead, 32 is an IC chip, 33 is a lead frame, 20 is an edge, 40 is a sealing resin, and 41 is a pad.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/60 311 H01L 23/28──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/60 311 H01L 23/28
Claims (1)
ジでテープキャリア方式を使用し、サポートテープで前
記ICに設けられた電極と外部とを接続する複数本の細線
リードを支持する半導体装置において、 前記サポートテープに複数個のスルーホールを設け、且
つ前記サポートテープの所定箇所に面取りを施すことを
特徴とする半導体装置。1. A semiconductor device which uses a tape carrier system in a package in which an IC is sealed with plastic and supports a plurality of fine wire leads for connecting electrodes provided on the IC to the outside with a support tape, A semiconductor device, wherein a plurality of through holes are provided in a support tape, and a predetermined portion of the support tape is chamfered.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17587990A JP2815984B2 (en) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17587990A JP2815984B2 (en) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463451A JPH0463451A (en) | 1992-02-28 |
| JP2815984B2 true JP2815984B2 (en) | 1998-10-27 |
Family
ID=16003810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17587990A Expired - Fee Related JP2815984B2 (en) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2815984B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG68542A1 (en) * | 1993-06-04 | 1999-11-16 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP3329073B2 (en) * | 1993-06-04 | 2002-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP17587990A patent/JP2815984B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0463451A (en) | 1992-02-28 |
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