JP2814980B2 - Cell buffer control method - Google Patents

Cell buffer control method

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JP2814980B2
JP2814980B2 JP8090699A JP9069996A JP2814980B2 JP 2814980 B2 JP2814980 B2 JP 2814980B2 JP 8090699 A JP8090699 A JP 8090699A JP 9069996 A JP9069996 A JP 9069996A JP 2814980 B2 JP2814980 B2 JP 2814980B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はセルバッファ制御方
式に関し、特にATM(Asynchronous T
ransfer Mode(非同期転送モード))通信
装置におけるATMセル多重・分離、速度変換および信
号のフォーマット変換を行う場合に使用されるセルバッ
ファ制御方式に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cell buffer control system, and more particularly to an ATM (Asynchronous T).
The present invention relates to a cell buffer control method used for performing ATM cell multiplexing / demultiplexing, speed conversion, and signal format conversion in a transfer mode (asynchronous transfer mode) communication device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ATM通信装置におけるATMセ
ル多重・分離、速度変換および信号のフォーマット変換
を行う場合に使用されるセルバッファ制御回路は、単に
FIFO(First In First Out(先
入れ先出し))メモリを用い、メモリがいっぱいになっ
たことを示すFIFOのFULLフラグ信号、およびメ
モリが空になったことを示すEMPTYフラグ信号を用
いて、バッファの書込および読出制御を行っている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a cell buffer control circuit used for performing ATM cell multiplexing / demultiplexing, speed conversion, and signal format conversion in an ATM communication apparatus simply includes a FIFO (First In First Out) memory. The buffer writing and reading control is performed using a FULL flag signal of a FIFO indicating that the memory is full and an EMPTY flag signal indicating that the memory is empty.

【0003】図2は従来のセルバッファ制御回路の一例
のブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of a conventional cell buffer control circuit.

【0004】従来のセルバッファ制御回路は、図2に示
すように、ATMセルデータを蓄積する複数(N個)の
FIFOメモリ101と、セルデータのFIFOメモリ
101への書込制御を行う書込制御回路102と、読出
制御を行う読出制御回路103とから構成される。
As shown in FIG. 2, a conventional cell buffer control circuit includes a plurality (N) of FIFO memories 101 for storing ATM cell data and a write control for controlling writing of cell data to the FIFO memory 101. It comprises a control circuit 102 and a read control circuit 103 for performing read control.

【0005】セルデータをFIFOメモリ101へ書込
むときは、書込制御回路102において、FIFOメモ
リ101の中に空きメモリ空間があるかどうかをFIF
Oメモリ101のコントロール端子であるFULLフラ
グ出力信号を受けて照合し、空きメモリ空間があるとわ
かればデータワードはFIFOメモリ101のデータ入
力部INに与えられ、書込許可信号WRENを生成し、
空きメモリ空間がなくなるまでFIFOメモリ101に
データの書込みを継続する。
When writing cell data to the FIFO memory 101, the write control circuit 102 checks whether there is an empty memory space in the FIFO memory 101 or not.
Upon receiving the FULL flag output signal which is the control terminal of the O memory 101 and collating it, if it is found that there is free memory space, the data word is given to the data input IN of the FIFO memory 101 and the write enable signal WREN is generated.
Data writing to the FIFO memory 101 is continued until there is no free memory space.

【0006】セルデータをFIFOメモリ101から読
出すときは、読出制御回路103において、読出し前に
FIFOメモリ101のEMPTYフラグ出力信号を照
会し、メモリ内にデータの存在が確認できたならば、F
IFOメモリ101内のデータが空になるまで読出許可
信号RDENを生成して、セルデータを読出し続けると
いう制御を行っている。
When reading cell data from the FIFO memory 101, the read control circuit 103 checks the EMPTY flag output signal of the FIFO memory 101 before reading, and if the existence of data in the memory is confirmed, the read control circuit 103 reads
The control is performed such that the read permission signal RDEN is generated until the data in the IFO memory 101 becomes empty, and the cell data is continuously read.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ATMセルは固定長の
長さであるため、FIFOメモリの書込および読出制御
はセルデータ単位に行うが、装置に何らかの異常があり
書込み途中や読出し途中でクロック抜け等の障害が生じ
ると、セルデータのうち途中が抜けてFIFOメモリに
書込まれたり、あるセルと次のセルとの間に余分なデー
タがFIFOメモリに書込まれたりすることがある。こ
のとき、セル先頭からセル単位に読出されない状態に陥
る。
Since the ATM cell has a fixed length, write and read control of the FIFO memory is performed in units of cell data. When a failure such as a dropout occurs, a portion of the cell data may drop out and be written to the FIFO memory, or extra data may be written to the FIFO memory between a certain cell and the next cell. At this time, the cell is not read out from the head of the cell.

【0008】従来の方法では、この状態に陥ると、装置
が正常に復旧したとしても、一度、書込みまたは読出し
時にずれたデータが復旧されず、ずれたままのセルデー
タが出力され続けるという問題があった。
In the conventional method, when this state occurs, even if the device recovers normally, there is a problem in that the data shifted once at the time of writing or reading is not recovered, and the shifted cell data continues to be output. there were.

【0009】その理由は、ATMセルのセルバッファ制
御回路において、セル先頭位置から正常に読出処理して
いるかを検出し、正常に復旧させるための手段が設けら
れていないためである。
The reason is that the cell buffer control circuit of the ATM cell does not have means for detecting whether or not the reading process is normally performed from the cell head position and restoring to the normal state.

【0010】本発明は上記の点にかんがみてなされたも
ので、装置に何らかの異常があり、一度ずれたまま出力
され続ける異常状態を検出し、正常にセル先頭から読出
す状態に復旧させるセルバッファ制御方式を提供するこ
とを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and has a cell buffer for detecting an abnormal state in which there is some abnormality in a device and which continues to be output with a shift, and recovers to a state in which the cell is normally read from the head. It is intended to provide a control method.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、ATMセルのセルバッファ制御回路に
て、ATMセルの先頭を示す信号(セルパルス信号)を
セルデータとともに蓄積するためのビットを1ビット追
加して、セルパルス信号の書込み/読出しを行うととも
に、バッファ内のATMセルを管理するアップダウンカ
ウンタを用いてバッファの書込/読出制御を行い、読出
しを開始して最初にセルパルス信号が読出されない場合
はFIFOメモリおよびアップダウンカウンタをリセッ
ト処理する手段を有する。
According to the present invention, in order to achieve the above object, a cell buffer control circuit for an ATM cell stores a signal (cell pulse signal) indicating the head of the ATM cell together with cell data. One bit is added to perform writing / reading of a cell pulse signal, and write / read control of the buffer is performed by using an up / down counter for managing ATM cells in the buffer. A means for resetting the FIFO memory and the up / down counter when a signal is not read is provided.

【0012】ATMセルのセルバッファ制御回路におけ
るFIFOメモリの書込/読出制御を行う際に、クロッ
ク抜け等による装置の異常が発生した場合は、セルデー
タの先頭位置と主信号セルデータとがずれ、セル先頭か
らセル単位に書込み/読出しができないという異常状態
に陥ることがある。この異常状態を検出するために、F
IFOメモリの読出制御を行う際、読出しを開始して最
初にセルデータの先頭位置を示すセルパルス信号の有無
を判定し、判定結果に基づきFIFOメモリのリセット
処理を行う。この結果、装置の障害復旧後においてもセ
ル先頭からずれたままのセルデータが出力され続けるこ
とを防止し、障害復旧後からはセルの先頭位置からセル
単位にデータを読出す状態に復旧させることができる。
When an error occurs in the device due to a missing clock or the like during the write / read control of the FIFO memory in the cell buffer control circuit of the ATM cell, the head position of the cell data deviates from the main signal cell data. In some cases, writing / reading cannot be performed in cell units from the head of the cell. To detect this abnormal state, F
When reading control of the FIFO memory is performed, the presence or absence of a cell pulse signal indicating the head position of the cell data is determined first after reading is started, and the FIFO memory is reset based on the determination result. As a result, it is possible to prevent output of cell data that is shifted from the head of the cell even after recovery from the failure of the device, and to restore data to a state in which data is read from the head of the cell in cell units after recovery from the failure. Can be.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下本発明を図面に基づいて説明
する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.

【0014】図1は、本発明によるセルバッファ制御方
式を適用した一実施の形態のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment to which a cell buffer control system according to the present invention is applied.

【0015】本発明は、図1に示すように、ATMセル
データを蓄積する複数(N個)のFIFOメモリ1と、
書込許可信号生成回路21を有しセルデータのFIFO
メモリ1への書込制御を行う書込制御回路2と、先頭位
相判定回路31および読出許可信号生成回路32を有し
セルデータのFIFOメモリ1からの読出制御を行う読
出制御回路3と、FIFOメモリ1内のセル数を管理す
るセルカウンタ4とから構成される。
According to the present invention, as shown in FIG. 1, a plurality (N) of FIFO memories 1 for storing ATM cell data,
Has a write enable signal generation circuit 21 and a FIFO for cell data
A write control circuit 2 for performing write control on the memory 1, a read control circuit 3 having a leading phase determination circuit 31 and a read permission signal generation circuit 32, and performing read control of cell data from the FIFO memory 1; And a cell counter 4 for managing the number of cells in the memory 1.

【0016】書込制御回路2は書込許可信号生成回路2
1を有しており、書込許可信号生成回路21では、セル
データの先頭を示すセルパルス信号を受け、1セル分の
ATMセルデータとともに1ビットのセルパルス信号を
複数のFIFOメモリ1に書込むタイミングを決定し、
書込許可信号WRENを生成してFIFOメモリ1に出
力する。1セル分のデータの書込みが完了すると、セル
カウンタ4に対して、FIFOメモリ1内のセル数を管
理しているセルカウンタ4をカウントアップするための
1セル書込完了信号CWEPを送出する。
The write control circuit 2 includes a write enable signal generation circuit 2
The write enable signal generation circuit 21 receives a cell pulse signal indicating the beginning of cell data, and writes a 1-bit cell pulse signal to a plurality of FIFO memories 1 together with one cell of ATM cell data. And determine
The write enable signal WREN is generated and output to the FIFO memory 1. When the writing of data for one cell is completed, a one-cell write completion signal CWEP for counting up the cell counter 4 that manages the number of cells in the FIFO memory 1 is transmitted to the cell counter 4.

【0017】読出制御回路3は、読出許可信号生成回路
32と先頭位相判定回路31とから構成される。
The read control circuit 3 comprises a read permission signal generation circuit 32 and a leading phase determination circuit 31.

【0018】読出許可信号生成回路32では、セルカウ
ンタ4から出力されるFIFOメモリ1内の蓄積セル数
を示すカウンタ値を受け、FIFOメモリ1内に1セル
以上のセルデータが蓄積されたことを認識するとFIF
Oメモリ1に対して読出許可信号RDENを送出し、1
セル分のATMセルデータとともにメモリに書込んであ
る1ビットのセルパルス信号の読出しを行う。FIFO
メモリ1内の1セル分のデータ読出しが完了すると、セ
ルカウンタ4に対して、セルカウンタ4をカウントダウ
ンするための1セル読出完了信号CREPを送出する。
さらに、読出許可信号生成回路32では、FIFOメモ
リ1に対して読出許可信号RDENを送出する際にセル
データ先頭読出しのタイミングとなる基準位相信号を生
成し、先頭位相判定回路31へ出力する。
The read permission signal generating circuit 32 receives a counter value indicating the number of cells stored in the FIFO memory 1 output from the cell counter 4 and determines that one or more cell data has been stored in the FIFO memory 1. FIF when recognized
A read permission signal RDEN is sent to the O memory 1 and 1
The 1-bit cell pulse signal written in the memory is read together with the ATM cell data for the cells. FIFO
When data reading for one cell in the memory 1 is completed, a one-cell reading completion signal CREP for counting down the cell counter 4 is sent to the cell counter 4.
Further, the read permission signal generation circuit 32 generates a reference phase signal serving as a timing of cell data head read when transmitting the read permission signal RDEN to the FIFO memory 1, and outputs the reference phase signal to the head phase determination circuit 31.

【0019】先頭位相判定回路31は、先頭位相比較回
路33とリセット信号生成回路34とから構成される。
The leading phase judging circuit 31 comprises a leading phase comparing circuit 33 and a reset signal generating circuit 34.

【0020】先頭位相比較回路33では、複数のFIF
Oメモリ1から読出したセルパルス信号と読出許可信号
生成回路32から受けた読出し開始位置を示す基準位相
信号との位相比較を行い、セルパルス信号の位相と基準
位相信号の位相とがすべて一致しているか否かを比較判
定し、判定結果をリセット信号生成回路34へ出力す
る。
In the leading phase comparison circuit 33, a plurality of FIFs
A phase comparison is made between the cell pulse signal read from the O memory 1 and the reference phase signal indicating the read start position received from the read permission signal generation circuit 32, and whether the phase of the cell pulse signal and the phase of the reference phase signal are all the same. A comparison is made to determine whether or not the determination is affirmative, and the determination result is output to the reset signal generation circuit 34.

【0021】リセット信号生成回路34では、先頭位相
比較回路33から受けた判定結果に基づき、FIFOメ
モリ1のリセット処理を行う。基準位相信号の位相とF
IFOメモリ1から読出したセルパルス信号の位相とが
1つでも一致していない場合には、ATMセルが先頭位
置から正常に読出されていないということなので、異常
状態に陥ったことを検出したことになり、この場合、A
TMセルデータを蓄積しているFIFOメモリ1のリセ
ット処理を行うためのリセット信号RSTを生成して出
力する。
The reset signal generation circuit 34 performs a reset process of the FIFO memory 1 based on the determination result received from the leading phase comparison circuit 33. The phase of the reference phase signal and F
If any one of the phases of the cell pulse signal read from the IFO memory 1 does not match, it means that the ATM cell has not been correctly read from the head position, and it is detected that an abnormal state has occurred. In this case, A
A reset signal RST for resetting the FIFO memory 1 storing the TM cell data is generated and output.

【0022】FIFOメモリ1のEMPTYフラグはセ
ルカウンタ4のリセット端子と接続されており、FIF
Oメモリ1のリセット処理によってFIFOメモリ1内
に蓄積されているセルデータが空になり、FIFOメモ
リ1のEMPTYフラグがアクティブになった場合は、
セルカウンタ4をリセットし、カウンタ値を”0”にイ
ニシャライズする。
The EMPTY flag of the FIFO memory 1 is connected to the reset terminal of the cell counter 4,
When the cell data stored in the FIFO memory 1 becomes empty by the reset processing of the O memory 1 and the EMPTY flag of the FIFO memory 1 becomes active,
The cell counter 4 is reset, and the counter value is initialized to “0”.

【0023】このリセット処理により、FIFOメモリ
1への書込制御または読出制御が異常状態から正常状態
に復旧し、先頭位置から正常にATMセルが書込まれた
以降のデータ読出しからは、先頭位相がずれたままのデ
ータではなく、セル先頭位置からセル単位に正常データ
を読出す状態に復旧させることができる。
By this reset processing, the write control or the read control to the FIFO memory 1 is restored from the abnormal state to the normal state, and the data read after the ATM cell is normally written from the head position is shifted to the head phase. It is possible to restore a state in which normal data is read from the head position of the cell in a unit of cell, instead of the data that remains shifted.

【0024】セルカウンタ4はFIFOメモリ1内のセ
ル数を管理する機能を有しており、アップ/ダウンカウ
ンタから構成されている。このセルカウンタ4は書込制
御回路2から入力される1セル書込完了信号CWEPに
よりカウントアップし、読出制御回路3から入力される
1セル読出完了信号CREPによりカウントダウンする
ことによって、FIFOメモリ1内のデータをセル単位
に管理する。また、カウンタ値をFIFOメモリ1内の
蓄積セル数として読出制御回路3に送出し、読出制御回
路3ではカウンタ値が”0”のときはFIFOメモリ1
の読出しを禁止し、カウンタ値が”1”以上のときはF
IFOメモリ1の読出許可信号RDENをFIFOメモ
リ1に出力する。また、セルカウンタ4は、FIFOメ
モリ1からEMPTYフラグ信号を受け、FIFOメモ
リ1が空になった場合は、セルカウンタをリセットし、
カウンタ値を”0”にイニシャライズする機能を有して
いる。
The cell counter 4 has a function of managing the number of cells in the FIFO memory 1, and is composed of an up / down counter. The cell counter 4 counts up by a one-cell write completion signal CWEP input from the write control circuit 2 and counts down by a one-cell read completion signal CREP input from the read control circuit 3 to thereby store data in the FIFO memory 1. Is managed on a cell-by-cell basis. Further, the counter value is sent to the read control circuit 3 as the number of storage cells in the FIFO memory 1, and when the counter value is “0”, the read control circuit 3
Is prohibited, and when the counter value is "1" or more, F
A read permission signal RDEN for the FIFO memory 1 is output to the FIFO memory 1. The cell counter 4 receives the EMPTY flag signal from the FIFO memory 1, and resets the cell counter when the FIFO memory 1 becomes empty,
It has a function of initializing the counter value to “0”.

【0025】なお、上述の実施の形態では、先頭位相比
較回路33で、複数のFIFOメモリ1から読出したセ
ルパルス信号と読出許可信号生成回路32から受けた読
出し開始位置を示す基準位相信号との位相比較を行い、
セルパルス信号の位相と基準位相信号の位相とがすべて
一致しているか否かを比較判定するようにしたが、本発
明はこれに限らず、FIFOメモリ1からATMセルを
読出す際に、読出しを開始して最初にセルパルス信号が
読出されない場合に、FIFOメモリ1からのATMセ
ルの読出しがセル先頭からずれた状態であると検出する
ようにしてもよい。
In the above-described embodiment, the phase of the cell pulse signal read from the plurality of FIFO memories 1 and the reference phase signal received from the read permission signal generation circuit 32 and indicating the read start position are read by the leading phase comparison circuit 33. Make a comparison,
Although it is determined whether or not the phase of the cell pulse signal and the phase of the reference phase signal are all the same, the present invention is not limited to this, and when reading the ATM cell from the FIFO memory 1, the reading is performed. When the cell pulse signal is not read first after the start, it may be detected that the reading of the ATM cell from the FIFO memory 1 is shifted from the cell head.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のセルバッ
ファ制御方式によれば、ATMセルをセル先頭から書込
み、セル先頭から読出すセルバッファ制御方式におい
て、クロック抜け等による障害が発生した場合に、セル
データの先頭位置がずれたデータが障害復旧後もずれた
ままのセルデータが出力され続けることなく、障害復旧
後からは正常にセルの先頭位置からセル単位にデータを
読出す状態に復旧させることができるという効果があ
る。
As described above, according to the cell buffer control method of the present invention, in the cell buffer control method of writing ATM cells from the beginning of the cell and reading from the beginning of the cell, when a failure such as a clock drop occurs. In this state, the data whose cell data start position is shifted does not continue to be output after the recovery from the failure, and the data is read from the head position of the cell normally in cell units after the recovery from the failure. There is an effect that it can be restored.

【0027】その理由は、セルの先頭位置を示すセルパ
ルス信号を主信号セルデータとともに蓄積するためのビ
ットを1ビット追加し、FIFOメモリ内のATMセル
数をカウントするアップダウンカウンタを有し、FIF
Oメモリ内に蓄積されたATMセル数を管理し、セル単
位にFIFOメモリの書込/読出制御を行い、FIFO
メモリから読み出したセルパルス信号が最初に読出され
ない場合は、FIFOメモリおよびアップダウンカウン
タをリセットする手段を設けたためである。
The reason is that a bit for storing a cell pulse signal indicating the head position of the cell together with the main signal cell data is added by one bit, and an up / down counter for counting the number of ATM cells in the FIFO memory is provided.
The number of ATM cells stored in the O memory is managed, and write / read control of the FIFO memory is performed on a cell basis.
This is because a means for resetting the FIFO memory and the up / down counter when the cell pulse signal read from the memory is not read first is provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明によるセルバッファ制御方式を適用した
一実施の形態のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment to which a cell buffer control system according to the present invention is applied.

【図2】従来のセルバッファ制御回路の一例のブロック
図である。
FIG. 2 is a block diagram of an example of a conventional cell buffer control circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 FIFOメモリ 2 書込制御回路 3 読出制御回路 4 セルカウンタ 21 書込許可信号生成回路 31 先頭位相判定回路 32 読出許可信号生成回路 33 先頭位相比較回路 34 リセット信号生成回路 REFERENCE SIGNS LIST 1 FIFO memory 2 write control circuit 3 read control circuit 4 cell counter 21 write enable signal generation circuit 31 start phase determination circuit 32 read enable signal generation circuit 33 start phase comparison circuit 34 reset signal generation circuit

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 ATMセルを、FIFOメモリに一旦書
込み、セル単位に読出してから出力するセルバッファ制
御方式において、 前記FIFOメモリにATMセルを書込む際に、セル先
頭位置を示すセルパルス信号を前記FIFOメモリに格
納し、 前記FIFOメモリからATMセルを読出す際に、読出
し開始のタイミングである基準位相信号と前記セルパル
ス信号の読出しタイミングとが位相ずれしている場合
に、前記FIFOメモリからのATMセルの読出しがセ
ル先頭からずれた状態であると検出することを特徴とす
るセルバッファ制御方式。
1. A cell buffer control method for writing an ATM cell to a FIFO memory once, reading the ATM cell in a cell unit, and then outputting the read cell unit, wherein when writing the ATM cell to the FIFO memory, a cell pulse signal indicating a cell head position is output. When the ATM cell is stored in the FIFO memory and the ATM cell is read from the FIFO memory, the ATM cell from the FIFO memory is read when there is a phase shift between the reference phase signal, which is the read start timing, and the read timing of the cell pulse signal. A cell buffer control method for detecting that a cell read is shifted from the head of the cell.
【請求項2】 ATMセルをFIFOメモリに一旦書込
み、セル単位に読出してから出力するセルバッファ制御
方式において、 前記FIFOメモリにATMセルを書込む際に、セル先
頭位置を示すセルパルス信号を前記FIFOメモリに格
納し、 前記FIFOメモリからATMセルを読出す際に、読出
しを開始して最初に前記セルパルス信号が読出されない
場合に、前記FIFOメモリからのATMセルの読出し
がセル先頭からずれた状態であると検出することを特徴
とするセルバッファ制御方式。
2. A cell buffer control method in which an ATM cell is once written in a FIFO memory, read out in a cell unit, and then output. When writing an ATM cell in the FIFO memory, a cell pulse signal indicating a cell head position is supplied to the FIFO memory. When reading the ATM cell from the FIFO memory and reading the ATM cell from the FIFO memory, if the cell pulse signal is not read first after reading is started, the reading of the ATM cell from the FIFO memory is shifted from the cell head. A cell buffer control method characterized by detecting the presence of a cell buffer.
【請求項3】 前記FIFOメモリからのATMセルの
読出しがセル先頭からずれた状態であると検出した場合
に、前記FIFOメモリをリセットして前記FIFOメ
モリの内容をクリアすることを特徴とする請求項1また
は2に記載のセルバッファ制御方式。
3. The method according to claim 1, wherein when the reading of the ATM cell from the FIFO memory is detected as being shifted from the head of the cell, the FIFO memory is reset to clear the contents of the FIFO memory. Item 3. The cell buffer control method according to item 1 or 2.
【請求項4】 前記FIFOメモリからのATMセルの
読出しがセル先頭からずれた状態であると検出した場合
に、前記FIFOメモリ内のATMセルの数をカウント
するセルカウンタをリセットしてカウンタ値をゼロクリ
アすることを特徴とする請求項3に記載のバッファ制御
方式。
4. A cell counter for counting the number of ATM cells in the FIFO memory is reset when the reading of the ATM cells from the FIFO memory is detected as being shifted from the head of the cell. 4. The buffer control method according to claim 3, wherein the buffer is cleared to zero.
【請求項5】 ATMセルを、FIFOメモリに一旦書
込み、セル単位に読出してから出力するセルバッファ制
御回路において、 前記FIFOメモリに、セル先頭位置を示すセルパルス
信号を格納する領域を設け、 ATMセルとともに前記セルパルス信号を前記FIFO
メモリに書込む書込手段と、 ATMセルとともに前記セルパルス信号を前記FIFO
メモリから読出す読出手段と、 該読出手段による読出し開始のタイミングで、基準位相
信号を生成する基準位相信号生成手段と、 該基準位相信号生成手段からの基準位相信号の位相と、
前記読出手段による前記セルパルス信号の読出しタイミ
ングの位相とを比較する位相比較手段と、 該位相比較手段による比較の結果、位相がずれていた場
合に、前記FIFOメモリからのATMセルの読出しが
セル先頭からずれた状態であると異常を検出する異常検
出手段とを備えたことを特徴とするセルバッファ制御回
路。
5. A cell buffer control circuit for temporarily writing an ATM cell to a FIFO memory, reading the ATM cell in a cell unit, and outputting the read out cell, wherein the FIFO memory is provided with a region for storing a cell pulse signal indicating a cell head position. Together with the cell pulse signal from the FIFO
Writing means for writing to a memory;
Reading means for reading from the memory; reference phase signal generating means for generating a reference phase signal at a timing of starting reading by the reading means; phase of the reference phase signal from the reference phase signal generating means;
Phase comparing means for comparing the phase of the read timing of the cell pulse signal with the reading means; and, if the phase is shifted as a result of the comparison by the phase comparing means, reading of the ATM cell from the FIFO memory is started at the cell top. A cell buffer control circuit, comprising: abnormality detection means for detecting an abnormality when the state is shifted from the state.
【請求項6】 ATMセルを、FIFOメモリに一旦書
込み、セル単位に読出してから出力するセルバッファ制
御回路において、 前記FIFOメモリに、セル先頭位置を示すセルパルス
信号を格納する領域を設け、 ATMセルとともに前記セルパルス信号を前記FIFO
メモリに書込む書込手段と、 ATMセルとともに前記セルパルス信号を前記FIFO
メモリから読出す読出手段と、 該読出手段による読出しの際に、読出しを開始して最初
に前記セルパルス信号が読出されない場合に、前記FI
FOメモリからのATMセルの読出しがセル先頭からず
れた状態であると異常を検出する異常検出手段とを備え
たことを特徴とするセルバッファ制御回路。
6. A cell buffer control circuit for temporarily writing an ATM cell to a FIFO memory, reading the ATM cell in units of cells, and outputting the readout cell, wherein the FIFO memory is provided with a region for storing a cell pulse signal indicating a cell head position. Together with the cell pulse signal from the FIFO
Writing means for writing to a memory;
Reading means for reading from a memory; and when reading by the reading means, if the cell pulse signal is not read first after reading is started,
A cell buffer control circuit comprising: abnormality detection means for detecting an abnormality when the reading of the ATM cell from the FO memory is shifted from the head of the cell.
【請求項7】 前記異常検出手段が前記FIFOメモリ
からのATMセルの読出しがセル先頭からずれた状態で
あると異常を検出した場合に、前記FIFOメモリをリ
セットして前記FIFOメモリの内容をクリアするFI
FOメモリリセット手段をさらに設けたことを特徴とす
る請求項5または6に記載のセルバッファ制御回路。
7. The FIFO memory is reset to clear the contents of the FIFO memory when the abnormality detection means detects an abnormality that the reading of the ATM cell from the FIFO memory is shifted from the head of the cell. FI
7. The cell buffer control circuit according to claim 5, further comprising FO memory reset means.
【請求項8】 前記FIFOメモリ内のATMセルの数
をカウントするセルカウンタと、 前記異常検出手段が前記FIFOメモリからのATMセ
ルの読出しがセル先頭からずれた状態であると異常を検
出した場合に、前記セルカウンタをリセットしてカウン
タ値をゼロクリアするセルカウンタリセット手段とをさ
らに設けたことを特徴とする請求項7に記載のバッファ
制御回路。
8. A cell counter for counting the number of ATM cells in said FIFO memory, and said abnormality detecting means detecting an abnormality when reading of said ATM cells from said FIFO memory is out of the cell head. 8. The buffer control circuit according to claim 7, further comprising cell counter reset means for resetting the cell counter to clear the counter value to zero.
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