JP2813402B2 - ２値の画素のパターンによって表される画像の解像度を変換するための方法及び装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、パターンの画素の値に基づいて、異なった
解像度を持つ置換表面が生成され且つ前記パターンの場
所に置かれる、２値の画素のパターンによって表される
画素の解像度を変換する方法及び装置に関する。

この種の方法及びこの種の装置は、米国特許第4,242,
678号から公知である。

画素を長方形のラスタに配列する結果として、斜めに
延びる即ち前記ラスタの主要方向には延びない画像境界
は、一連の階段の形で再生される。「階段化」として公
知なこの効果は、画像品質に対して悪影響を及ぼし、例
えば主要方向の両方に画素数を２倍にすることによって
画素画像を無差別に拡大する場合には、この効果は受け
入れ難い結果を急激にもたらすかも知れない。従って、
画素画像のどんな拡大の前にも、又は一般にはその画素
画像の解像度のどんな変更の前にも、その画素画像を非
ラスタ形式に変換し、又は少なくとも、最初の画素画像
の解像度に関して非常に高い解像度を有するラスタパタ
ーンに変換すること、従って階段化が消滅し、且つその
時に初めて結果として生じる中間画像を必要な解像度で
ラスタ上に写像することが推奨される。

公知の方法に従ってこの目的のために、各々の画素毎
に画素値が、求められる画素をその中心点とする３×３
の画素窓において測定される。この画素値の組合せは予
め作られた表の中で探索され、この表は可能な組合せの
各々に関する置換表面を含む。非常に高い解像度でラス
タ化された形状を有するこの置換表面が、求められる画
素の場所に置かれ、且つ求められる異なった解像度を持
つ新たな画素のパターンへと変換される。最初の画素の
全てについてこの置換を行うことによって、新たな画素
パターンが求められる解像度で構成される。

この公知の方法の欠点は、それが小さな解析区域（３
×３個の画素）及び更に小さな処理区間（１つの画素）
に限定され、従ってより大きな構造は適切には処理され
ないということである。その結果として、例えば45゜以
外の角度で伸びる斜めの画像境界は、置換表面において
尚ある程度の階段化を伴なって複写される。解析窓の拡
大が改善をもたらすことは確かだが、しかしその結果と
して、比較表の著しい拡大及び従って処理時間の著しい
増大をもたらすことになる。

本発明の目的は、あらゆる角度で伸びる画像境界につ
いて、適正な置換表面を与える方法及び装置を提供する
ことである。

この目的は、本発明によれば、請求項１の前文による
方法において、サブパターンが画素パターン内で探索さ
れ、探索される前記サブパターンば、並んで配置された
２つの直線画素列によって形成されるものであり、ここ
で前記サブパターンを形成する前記直線画素列には１つ
の画素からなる列も含まれ、また該直線画素列を構成す
る画素は列毎に同一の値を有するものであることと、そ
うしたサブパターンを形成する直線画素列の長さが画素
を単位として測定されることと、前記サブパターン内に
ある画素の値と前記サブパターンの直ぐ隣りにある画素
の値に基づいて、少なくとも１つの基本形状がそうした
サブパターンの各々の端部について選択されることと、
前記基体形状の長さを、前記サブパターンを形成る直線
画素列の長さの半分に等しいものにすることによって、
置換表面が前記基本形状から生成されることと、並びに
前記置換表面が前記サブパターンの当該の端部と中央と
の間の画素の位置に置かれることとを特徴とする方法に
よって達成される。

従って、前記置換表面の大きさは１つのもとの画素の
書式に限定されず、それらが置換するべき画素構造の寸
法に適合化される。その結果として、あらゆる角度で１
つの側部を有する置換表面が、長さ対幅の比率を調節す
ることによって、傾斜した側部を持つ基本形状から形成
されることが可能である。本発明による方法は又、画素
ラスタの主要な方向に平行に又は実質的に平行に伸びる
多くの線又は画素境界を含む画像が、少ない数の置換表
面によって描かれることが可能であり、従って、その結
果としてデータを削減するという利点を有する。

重要なサブパターンは、画素値において互いに異なる
１つより多くのの画素の列によって形成されるサブパタ
ーンである。これらの画像部分及び線の境界を形成す
る。そうしたサブパターンにおいては、基本形状は、サ
ブパターンの当該の端部の中に及びその直ぐ隣に位置す
る画素の値に基づいて選択される。従って、サブパター
ン全体の中に及びその周囲に位置する画素全てを解析す
ることは不必要である。

画像境界又は線の一方が画素ラスタの主要方向に伸
び、且つ他方がそれと鋭角を成すような、２つの画像境
界又は線が交差する場合には、これが斜めの画像境界と
解釈されるが故に、本発明による方法は最初の前記画像
境界に対して斜めの側部を有する置換表面をもたらす。
その結果として生じる誤差は、１つの画素の半分の大き
さであるにすぎず、従って非常に細い線（１つの画素の
幅の線）の場合にだけ目に見えるにすぎない。しかし、
長さだけが異なる２つのサブパターンが互いに隣接し、
同一の第１の方向に向けられ、且つ第１の方向に対して
垂直な第２の方向に１つの画素だけオフセットしている
場合には、この偏向は置換によって容易に補正されるこ
とが可能である。更に２つの部分的な表面によって、即
ち最長のサブパターンの基本形状に基づき且つ短い方の
サブパターンの長さの半分に等しい長さを有する第１の
部分的な表面と、その２つのサブパターンの長さの差の
半分に等しい長さを有する第２の部分的な表面とによっ
て作られた置換表面によって、最長のサブパターンの隣
接する端部の置換表面が置換される。

本発明による装置は他の請求項で説明される。

本発明による方法及び装置の更なる特徴及び利点は、
添付の図面に関連した以下の説明から明瞭になることだ
ろう。添付図面では、同じ照合番号は同じ部品を示す。

第１図は、正方形のラスタの中に配列された２値の
（即ち黒と白の）画素によって表される画像の一部を示
す。画素画像の基礎を形成する画像は１つの画素の幅を
有する１つの斜線である。しかしラスタ表現の直交性の
ため、画素画像は幾つかの垂直棒の形状を有する。これ
は既述の「階段化」の形状である。この種の画像が拡大
されなければならない時には、即ちより多くの数の画素
の上に画像化されなければならない時には、さもなけれ
ばその階段化状態も拡大されるが故に、画像は最初に非
ラスタ状の中間画像に変換されなければならない。その
後で、この中間画像は必要とされる新たな解像度を有す
るラスタパターン上に写像される。

非ラスタ状の中間画像は、本文書では「置換表面」と
呼ばれる要素によって構成され、これらの要素は常に画
素画像の幾つかの画素の代わりに置かれる。原則的には
この目的のために、置換表面がその中に置かれることが
可能な幾つかの小さな長方形区間が、画素が１つの列当
たりで同一の値を有する２つの隣接する直線状の列から
成る各々の画素の組合せ毎に取り上げられる。この種の
画素組合せは本文書では「サブパターン」と以下では呼
ばれ、置換表面のための区域は「位置長方形」と呼ばれ
る。１つの要素の列は、サブパターンの定義に含まれ
る。

第２図は、正方形ラスタ上に複写される、幾つかの生
じ得るサブパターンを示す。サブパターン1,2及び３は
ｙ方向に向けられ、サブパターン4,5及び６はｘ方向に
向けられている。サブパターンは２つの白から成る列、
１つの黒及び１つの白から成る列、並びに２つの黒から
成る列から成ることが可能である。原則的には、より大
きなサブパターンの一部であるサブパターンを含む全て
のサブパターンが考慮に入れられる。従って２つの画素
の長さを有するサブパターンは、同一の方向に置かれ且
つ１つの画素の長さを有する２つのサブパターンを含
む。そのうえ１つの列の画素は又、その隣接する２つの
列の各々と共に、サブパターンを形成することが可能で
ある。

以下に示される規則を受けて、置換表面をその位置長
方形内に置くため、１つのサブパターンについて２つの
位置長方形が範囲を定められる。１つの位置長方形はサ
ブパターンの長さ及び幅の半分の長さ及び幅を有し、２
つの画素列の間の境界線上にその１つの端部を接触させ
て置かれる。従って、サブパターンの両端部には位置長
方形が備えられる。

次の規則が適用される。

1.白の画素だけから成るサブパターンには位置長方形は
置かれない。

2.白の画素列と黒の画素列とが隣り合って置かれる場合
には、位置長方形はその結果として形成される最長のサ
ブパターン内にだけ置かれ、従って、同一方向を有し且
つ最長のサブパターン内に含まれるより短いサブパター
ンの中には置かれない。

3.2つの隣接する黒の画素の各々には位置長方形が備え
られ、黒の画素だけから成る長い方のサブパターン内に
は位置長方形は置かれない。

位置長方形が置かれない場所には、置換表面も置かれ
ない。

第３図は、２つの位置長方形の１つがその各々の場合
において示される幾つかのサブパターンの例を示す。こ
の図では黒の画素は一重のけばによって示され、位置長
方形は二重のけばによって示される。

第４図では例として、第１図の画素パターンに関して
幾つかの位置長方形が、それらの範囲がそれらのサブパ
ターン内に関して限定されるサブパターンと共に示され
る。示される位置長方形は、（周囲に亘って伸びるサブ
パターンを除く）この画素パターン内に置かれるべき合
計26の位置長方形の一部分のみを形成する。

１つの置換表面が上記の仕方で得られた位置長方形の
各々の中に置かれる。この置換表面は次々と、基本形状
から及びサブパターンの長さから得られる。基本形状
は、予め作られたセットから、サブパターン内の画素の
値とその直接的に隣接する画素の値とに基づいて選択さ
れる。このセットは画素パターンの置換表面がどんな場
合にも互いに重ない合えないように作られている。これ
は、重なり合うことが可能な位置長方形とは対照的であ
る。

１つの画素以上の長さを持つサブパターンについて
は、１つの画素の長さを有するサブパターンのための手
続きとは多少とも異なる手続きによって、その基本形状
が選択される。その２つの場合がここで別々に説明され
ることになる。

前述の規則２に基づいて、１つの画素以上の長さを持
つサブパターンが１つの白の画素列及び１つの黒の画素
列から成るならば、これらのサブパターンにだけ置換表
面が与えられる。そうしたサブパターンに関しては、サ
ブパターンの端部に直接的に隣接する画素は、サブパタ
ーンの組合せ自体と共に、基本形状の選択のために十分
な情報を与えるように見える。第５図では、選択に関し
重要な画素は文字Ａで示され、サブパターン自体は文字
Ｂで示される。

基本形状のセットがその関連する画素値と共に第６図
に要約された形で示される。この図では、その一端のみ
が示されるサブパターンが各々の上部の図において太い
線で囲まれる。そのサブパターンはＬ個の画素の長さを
持つと考えられる（Ｌ≧２）。基本形状の選択に適した
画素だけが示され、その黒の画素は一重けばによって表
される。

各々のサブパターン内に、位置長方形が一点破線で示
されるが、その位置長方形は常に1/2Lの長さを、即ち、
第６図に示される形状よりも短いものであることが可能
なそのサブパターンの長さの半分の長さを有するという
ことが留意されるべきである。各々の場合に、位置長方
形はそのサブパターンの上部境界に隣接する。

第６図の中間の各々の図では、与えられた画素値の組
合せに基づいて選択されるべき基本形状が、一点破線で
示される位置長方形に関連して示される。基本形状の一
般な形は、1/Lの値で満たされることによって特定の置
換表面に変換される。例えば、第６図の下側の図の各々
は、４つの画素の長さを持つサブパターン内の置換表面
を示す。基本形状及び置換表面の両方が、二重けばで示
される。

第６図に示されるセットは、ｘ軸、ｙ軸及びその両軸
における線対称変換によって並びに90゜回転されたこの
形状によって示されるものから生じる画素組合せがその
セットに含まれるが故に、置換形状の配置をもたらす画
素組合せのすべてを説明する。これは基本形状の選択に
関する48個の異なった位置をもたらす。そうした各々の
場合には、同一の画素組合せが異なった位置に属しても
よい。例えば、（図示されているような）垂直のサブパ
ターンはもちろん、水平なサブパターン（２つの軸に関
する線対称変換の後の位置）も、第６図のコラムｆに属
する。

１つの画素の長さを持つサブパターンが２つの白の画
素から成らないならば、上記の規則１に従って、そのサ
ブパターンには位置長方形が与えられる。そうしたサブ
パターンでは、原則的にそのサブパターンに隣接するす
べての画素が、基本形状の選択のために考慮される。こ
れは第５図と同一の仕方で第７図に示される。これらの
サブパターンの長さが常に１つの画素の長さであるが故
に、基本形状が直接的に置換表面として使用されること
が可能である。

第８図は、要約された形で示された、関連する画素組
合せを伴う基本形状／置換表面のセットである。この図
ではサブパターンは常に太線で囲まれる。黒の画素は一
重けばで示される。置換表面の選択に適さない値の画素
は省略されている。置換表面はその図の中に直線描か
れ、二重けばで示される。示された16の図から、ｘ軸、
ｙ軸及びその両軸における線対称変換によって、置換表
面の配置をもたらす全部で64個の画素組合せを得ること
が可能である。この図でも、そのセットの中で同一の画
素組合せが異なった位置と常に関連して数回生じること
が可能である。

第６図の上部の図及び第８図の図から、基本形状の選
択に適した画素は、３×３個の画素から成るマトリック
スの中に常に置かれることが明らかになるだろう。第６
図の図では、このマトリックスは上部の３つの列の画素
によって形成される。従って、画素パターンの解析のた
めには、３×３個の画素の解析窓を用いてサンプリング
することによって及び前述の２つのセットを用いてその
中の画素組合せを比較することによって、全ての必要な
情報が得られることが可能である。

第９図は、画素パターンによって表される画像の解像
度を変えることに関する、本発明による方法のフローチ
ャートである。画像情報はメモリ（RAM）内の画素値
（０又は１）の形で得ることが可能であると仮定する。

画素が画像の縁部を形成するか否かを連続的に調べな
ければならないことを避けるため、最初に白の画素の縁
部がそのパターンの周りに置かれる（第９図のステップ
11）。これらの画素自体は画像情報は与えず、端に処理
を容易にするだけである。

その後（ステップ12）３×３個の画素の解析窓が画素
パターンの論理位置に、即ち画像の左上部の角に適用さ
れる。ステップ13では、その窓の画素組合せが、第６図
に（要約的に）示される18個の組合せと比較される。そ
の窓の中の組合せが前記組合せの中に見つかれば、この
ことは、等しくない画素値の２つの画素列から成る１つ
以上のサブパターンの一部分をその組合せが形成すると
いうことを示し、関連する基本形状が決定され（ステッ
プ14）且つその関連するサブパターンの長さを測定する
ルーチンが開始される（ステップ15）。このルーチン
は、それが位置する列とは値が異なる画素が発見される
まで、その画素組合せと関連付けられた方向に両方の列
の画素を計数し、その後、サブパターンのこうして発見
された長さを戻す。後述される補正ステップ16を経て、
ステップ14及び15で集められたデータはステップ17にお
いて最初のラスタに関して形状コード、長さ、方向及び
位置によって特徴付けられる置換表面に変換される。ス
テップ18では、こうして得られた置換表面は「取り込ま
れ」、即ち新たなラスタの画素に変換され且つメモリの
中に格納される。ステップ19は１つのスイッチを形成
し、このスイッチは、１つ以上のサブパターンと関連付
けられた画素組合せの場合には、次のサブパターンを処
理するためにステップ14に差し戻し、且つそのすべての
サブパターンが処理され終わったならばその次のプログ
ラムステップへと差し向ける。

その後（ステップ20において）、解析窓の中の画素組
合せが第８図に（要約された形で）示された64個の組合
せのセットに見出されるか否かのチェックが、言い換え
れば、その解析窓の中央画素が２つの画素から成る１つ
以上のサブパターンの位置部分を形成するか否かのチェ
ックが行われる。その解析窓内の画素組合せが前記の表
に見出されないならば、ステップ20もステップ13から達
せられることが可能である。

ステップ20からの結果が肯定的であるならば、（この
場合には基本形状に等しい）この画素組合せと関連した
置換表面が決定され（ステップ21）且つ「取り込まれ」
（ステップ23）、ステップ23が再びステップ19と同様な
スイッチを形成する。ステップ20の結果が否定的なら
ば、ステップ21及び22は飛び越えられる。最後に、全て
の画素が既に解析され終わったか否かのチェックがステ
ップ24で終わると、その解析窓は１つの画素だけ移動し
（ステップ26）、解析が繰り返されるか又は置換動作が
完了される（25）。

上記の手続きによって（各々の端部からの）各サブパ
ターンの長さが２回測定されるが故に、第１の測定の後
にサブパターンの長さを記憶装置に格納し且つそのサブ
パターンの他方の端部が発見される時に同じものを読み
取ることによって、その方法は迅速化されることが可能
である。もちろん、これは幾らかのメモリスペースを要
するが、しかし速度を増大させる。

上記の方法は通常は良好な結果をもたらすが、場合に
よっては、直線の置換表面の方が良い選択であるような
場合に、斜めの置換表面が生成されることがある。原稿
画像が画素ラスタの主要方向に平行な非常に細い線を含
む時に、これは線の太さの顕著な変化を生起する。第10
図はこの幾つかの例を示し、30は１つの画素の太さの１
つの垂直線（27）及び２つの斜線（28,29）のラスタ化
表現であり、31は（二重けば）は上記の方法による置換
表面から作られた中間画像である。

その方法によってもたらされる小さな偏向は、非常に
細い線が含まれるが故に、ここでは線の太さ及び方向の
変化として目に見える。それらは、意図されたものでは
ないが、垂直部分から斜め部分への漸進的な移行を成す
置換表面32,33,34及び35に起因する。

これらの偏向は簡単な補正が可能である。これらの偏
向は第６図のコラムａ、ｄ又はｅによる基本形状の場合
にのみ生じる。基本形状から通常の仕方で生成されるが
しかし斜線部分のずっと短い方のサブパターンの半分に
等しい長さを持つ部分33′,34′及び35′と、最長のサ
ブパターンの長さの半分と短い方のサブパターンの長さ
の半分との差に等しい長さを有する矩形の充填部分3
3″,34″及び35″とから、２つの部分の置換表面を作る
ことによって、より良好な結果が得られることがａ及び
ｄの場合に発見されている。

第６図のコラムｅによる基本形状の場合には、関連す
るサブパターンの他方の端部の周囲の画素の値は、特に
第11図でｘ及びｙによって示される画素の値はその補正
のための決定要素である。その関連するサブパターンが
斜めの構造の一部分を成す（即ち、ｘ＝白且つｙ＝黒の
場合）ということがこれらの画素の検査から明らかであ
る時にのみ、標準的な方法が適用される。他の場合には
全て、基本形状による及び１つの画素の半分の長さによ
る部分32′と、矩形充填部分32″とから置換表面が構成
される。

このように説明された補正方法に従って、第10図の36
に示されるような中間画像が得られ、それは最初の画素
画像と更に良好に一致する。

その補正手続きは第９図に照合番号16で示され、第12
図に示される。置換表面を生成するためにデータが集め
られ終わった後で、補正手続き（40）が始まる。この手
続では、どんな基本形状が選択されたかを調べることに
よって、補正が必要か否かのチェックがステップ41で行
われる。

第６図のコラムｂ、ｃ又はｆによる基本形状の場合に
は、補正は必要なく、第９図の主要手続きに戻ることに
よって手続き（42）が終了する。第６図のコラムａ又は
ｄによる基本形状が選択されるならば（ステップ43）、
その後にステップ44では隣接のサブパターンの長さＬ′
が測定され、Ｌ′がＬより小さいならば、長さ1/2 L′
を持つ部分及び充填部分から置換表面が構成されなけれ
ばならない（ステップ45）という警告が与えられ、その
後で手続きが終了される（46）。その他の場合には、即
ち第６図のコラムｅによる基本形状が選択されたなら
ば、ステップ47において、サブパターンの他方の端部に
おける画素ｘ及びｙ（第11図）の値に関するテストが行
われる。ｘ及びｙの両方が白ならば、又はｘが黒なら
ば、その置換表面が１つの画素の半分の長さを持つ基本
形状による部分と充填部分とを有する２つの部分の置換
表面でなければならないという警告がステップ48で与え
られ、その後でその手続きが終了する（49）。その他の
場合には、その手続きはどんな働きもなく終了し（5
0）、また置換表面が標準的な方法によって生成され
る。

上述の方法を使用するための装置がブロック概略図の
形で第13図に示される。メモリ（RAM）60が、メモリ62
に接続された解析モジュール61に接続されている。メモ
リ60は又、メモリ64に接続された測定モジュール63に接
続されている。解析モジュール61及び測定モジュール63
は相互接続され、更にこの両モジュールは、相互接続さ
れた生成モジュール65及び補正モジュール66に接続され
ている。生成モジュール65は、メモリ（RAM）68に接続
された複製モジュール67に接続されている。円で表され
るモジュールはコンピュータ内で働くプログラムである
ばかりでなく、ハードウェアとしても具体化されること
が可能である。

最初の画像の情報はメモリ60内に画素値の形（ビット
マップ）で格納されることが可能である。解析モジュー
ル61はこのメモリにアクセスし、３×３マトリックス内
に配置された９個の画素の部分を第６図及び第８図に示
される画素組合せのセットと比較する。これらのセット
はメモリ62内に格納されている。３×３マトリックス内
の画素組合せが第６図に示されるセットの中に発見され
るならば、このことはサブパターンが見つかったことを
示し、解析モジュールは、その組合せに関連し且つメモ
リ62内に格納された基本形状を生成モジュール65及び補
正モジュール66に伝送し、また信号化されたサブパター
ンの長さを測定するよう測定モジュール63に命じる。測
定モジュールはメモリ60内の画素値を測定するためにメ
モリ60に対するフリーアクセスを有し、且つサブパター
ンの長さに等しい数の画素を計数する。この計数の結果
は測定モジュールによって生成モジュール65に伝送さ
れ、またサブパターンの他方の端部が信号化された時の
使用のために、メモリ64の中に格納される。

基本形状を受け取る際には、補正モジュール66はそれ
が作動しなければならないか否かをチェックし、もしそ
うならば、どんな補正が行われることが必要かをチェッ
クする。このための基準は既に第12図を参照して説明さ
れている。必要な場合には補正モジュールは、隣接のサ
ブパターンの長さを測定するように又は関連するサブパ
ターンの他方の端の画素値を測定するように測定モジュ
ール63に命じる。測定モジュール63は求められるデータ
を補正モジュール66に戻す。

基本形状、サブパターン長さ及び全ての補正データを
受け取った後で、生成モジュール65は置換表面を生成
し、必要とされる解像度のラスタパターン上に置換表面
を写像し且つ（図示されていない）プリンタ上の直接の
プリントアウトのために又は後の使用のための格納のた
めにそれをメモリ68の内に格納する複製モジュール67へ
と、置換表面を伝送する。

上記の方法で、メモリ60内の最初の画素パターン全体
が、異なった解像度を有する新たな画素パターンにその
装置によって変換され、メモリ68内に格納される。

本発明は上記の説明及び添付図面に関して説明されて
きたが、本発明はそれらに限定されるものではない。本
請求の範囲内で他の実施が可能であることは、当業者に
は明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は画素パターンの一部分を示す図、第２図はその
中に幾つかのサブパターンを伴う長方形ラスタを示す
図、第３図はその中に位置長方形を伴う幾つかのサブパ
ターンを含む正方形ラスタを示す図、第４図は幾つかの
位置長方形を備えた第１図の画素パターンを示す図、第
５図は周囲の画素を伴うサブパターンの１つの端部を示
す図、第６図は関連する基本形状及び置換表面を伴う画
素組合せのセットを示す図、第７図は周囲の画素を伴う
サブパターンを示す図、第８図は関連する基本形状を伴
う画素組合せのセットを示す図、第９図は本発明による
方法のフローチャート図、第10図は様々な仕方で生成さ
れた中間画像を伴う画像パターンを示す図、第11図は画
素組合せを示す図、第12図は本発明による方法における
補正手続きのフローチャート図、第13図は本発明による
装置の概略図である。 １〜６……サブパターン、32〜35……置換表面、60,62,
64,68……メモリ、61……解析モジュール、63……測定
モジュール、65……生成モジュール、67……複製モジュ
ール。

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】高い解像度でラスタ化された特定の形状を
   有しており、非ラスタ状の中間画像を構成するための置
   換表面が２値の画素パターンの画素値に基づいて生成さ
   れ且つ前記パターンの場所に置かれる、２値の画素のパ
   ターンによって表される画像の解像度を変換する方法に
   おいて、 サブパターンが画素パターン内で探索され、探索される
   前記サブパターンは、並んで配置された２つの直線画素
   列によって形成されるものであり、ここで前記サブパタ
   ーンを形成する前記直線画素列には１つの画素からなる
   列も含まれ、また該直線画素列を構成する画素は列毎に
   同一の値を有するものであることと、 そうしたサブパターンを形成する直線画素列の長さが画
   素を単位として測定されることと、 前記サブパターン内にある画素の値と前記サブパターン
   の直ぐ隣りにある画素の値に基づいて、少なくとも１つ
   の基体形状がそうしたサブパターンの各々の端部につい
   て選択されることと、 前記基体形状の長さを、前記サブパターンを形成する直
   線画素列の長さの半分に等しいものにすることによっ
   て、置換表面が前記基体形状から生成されることと、 並びに前記置換表面が前記サブパターンの当該の端部と
   中央との間の画素の位置に置かれることとを特徴とする
   方法。
2. 【請求項２】画素値において互いに異なり且つ１つの画
   素よりも多い長さを持つ列によって形成される前記サブ
   パターンの場合に、前記基体形状が、前記サブパターン
   内にある画素の値と前記サブパターンの当該の端部の直
   ぐ隣に位置する画素の値に基づいて選択されることを特
   徴とする請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】長さだけが異なる２つのサブパターンが互
   いに隣接し、同一の第１の方向に向けられ、且つ第１の
   方向に対して垂直な第２の方向に１つの画素だけオフセ
   ットしている場合には、２つの部分的な表面によって、
   即ち最長のサブパターンの基本形状に基づき且つ短い方
   のサブパターンの長さの半分に等しい長さを有する第１
   の部分的な表面と、その２つのサブパターンの長さの差
   の半分に等しい長さを有する第２の部分的な表面とによ
   って作られた新たな置換表面によって、最長のサブパタ
   ーンの隣接する端部の置換表面が置換されることを特徴
   とする請求項１又は２に記載の方法。
4. 【請求項４】２値の画素のパターンによって表される画
   像の解像度を変換する装置であって、 高い解像度でラスタ化された特定の形状を有しており、
   非ラスタ状の中間画像を構成するための置換表面を、画
   素の値の解析に基づいて決定し、前記パターンの場合に
   置く置換手段と、 異なった解像度をもつ新たな画素パターンの形状で前記
   置換表面を複製するための複製手段とから成る装置にお
   いて、 前記置換手段には、並んで置換された２つの直線画素列
   によって形成されるサブパターンを、画素パターン中に
   認識するための、さらにそうしたサブパターンの各々の
   端に関してもとのパターンの画素の値に基づいて基本形
   状を選択するための認識手段が備えられ、ここで前記サ
   ブパターンを形成する前記直線画素列には１つの画素か
   らなる列も含まれ、また該直線画素列を構成する画素は
   列毎に同一の値を有するものであり、 また、前記置換手段には、そうしたサブパターンを形成
   する直線画素列の長さを画素を単位として測定するため
   の測定手段と、前記サブパターンを形成する直線画素列
   の長さの半分に等しい長さを持つ置換表面を前記基本形
   状から生成するための適合化手段とが備えられることを
   特徴とする装置。
5. 【請求項５】検出された第１のサブパターンが、長さの
   点だけで前記第１のサブパターンと異なり且つ前記第１
   のサブパターンと同一の方向に向けられ、且つ第１の方
   向に対して垂直な第２の方向に第１のサブパターンに関
   して１つの画素だけオフセットした第２のサブパターン
   に隣接するか否かをチェックするための、並びに、この
   チェック結果が肯定的である場合には、２つの部分的な
   表面によって、即ち最長のサブパターンの基本形状に基
   づき且つ短い方のサブパターンの長さの半分に等しい長
   さを有する第１の部分的な表面と、第１及び第２のサブ
   パターンの長さの差の半分に等しい長さを有する第２の
   部分的な表面とによって作られた置換表面を最長のサブ
   パターンの隣接する端部に関して生成するように前記置
   換手段に命じるための補正手段も、前記置換手段に備え
   られていることを特徴とする請求項４に記載の装置。