JP2798052B2 - 液晶装置 - Google Patents

液晶装置

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JP2798052B2
JP2798052B2 JP8119006A JP11900696A JP2798052B2 JP 2798052 B2 JP2798052 B2 JP 2798052B2 JP 8119006 A JP8119006 A JP 8119006A JP 11900696 A JP11900696 A JP 11900696A JP 2798052 B2 JP2798052 B2 JP 2798052B2
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361Assembling flexible printed circuits with other printed circuits

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はポケットテレビ、壁
掛けテレビ、プロジェクションテレビ、ラップトップパ
ソコン、ゲーム機等に用いられる液晶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、液晶パネルへの半導体や半導
体部品の接続、あるいは光センサーへの集積回路類の接
続、さらには各種回路基板への表面実装部品の接続など
のように、接続端子が相対峙して細かいピッチでならん
でいる場合の接続方法として、半田付けや導電ペースト
による方法が広く用いられている。しかし、これらの方
法は導電性接続部材を導電回路部のみに限定して形成し
なければならないので、高密度、高精細化の進む微細回
路の接続には困難をきたしてきた。近年、回路の接続材
料について検討が加えられ、相対峙する回路間に金属粒
子やプラスチック粒子に金属メッキを施した導電性微粒
子と接着剤成分を含む異方導電性の接着部材層を設け、
加圧、加熱加圧あるいは加圧光硬化手段を用いることに
よって、回路間を電気的に接続すると同時に隣接回路間
に絶縁性を付与しながら、相対峙する回路を接着固定す
るという方法が提案されている。
【0003】この様な異方導電性接着剤を用いて液晶パ
ネルの回路と他の回路基板とを接続する方法としては、
例えば、ポリイミドテープの上に銅箔の回路パターンを
形成し、これにICを登載実装した半導体部品を液晶パ
ネルの実装端子上に接続するというものや、ICチップ
をそのままフェイスダウンして液晶パネルの接続用回路
上に接続するというものがある。
【0004】図6は、従来の回路基板の接続方法の一例
を示すものである。図6において、ポリイミドからなる
TAB用テープ材料21上には、接続回路たる銅箔パタ
ーン22が形成されており、この銅箔パターン22には
錫メッキが施されている。一方、液晶パネル23の基板
上には接続用回路24が形成されており、接続用回路2
4と銅箔パターン22は異方導電性接着25を介して電
気的に接続されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ここで、異方導電性接
着剤25は、絶縁性接着剤層中に、プラスチック粒子に
金属メッキが施された導電性微粒子26が混在分散され
たものとなっており、硬化前はシート状である。異方導
電性接着剤25は、このようなシート状の状態で接続用
回路24と銅箔パターン22との間に挟持される。そし
て、回路基板の上からヒーターツールにより加熱および
加圧が施されることによって硬化し、導電性微粒子26
が接続用回路24と銅箔パターン22の両方に接触す
る。その結果、接続用回路24と銅箔パターン22の電
気的導通が実現する。図6より明らかなように、従来
は、プラスチック粒子に金属メッキを施した導電性微粒
子26の変形が、その弾性限界を越えない程度に加圧が
施されていた。
【0006】一方、図6に示すような回路基板において
は接続ピッチを小さく抑えなければならない宿命にある
ため、プラスチック粒子の大きさは直径5〜10μm程
度とかなり小さな寸法にしなければならない。一般に、
金属メッキを施すプラスチック粒子にはポリスチレン系
のものが多く用いられるが、ポリスチレン系のプラスチ
ック粒子の弾性限界は極めて小さく5kgw/cm2 程度
である。よって、直径5〜10μm程度という小さな寸
法のプラスック粒子を弾性限界を越えない程度に、すな
わちプラスチック粒子が破砕あるいはクラックを起こさ
ない程度に押しつぶすには、その変形量を1〜2μm程
度に抑えなければならない。
【0007】しかるに、プラスチック粒子の変形量を1
〜2μm程度に抑えるにはたいへん難度の高い技術を要
する。まず、ヒーターツールによる加熱および加圧を押
しつけるものに対してきわめて良い平行度で行なうとと
もに、ヒーターツールそのものの平面度を出さなければ
ならない。通常、おのおの1μm以下の精度に収めなけ
ればならないが、このような高い精度に収めるのはきわ
めて難しい。しかも、仮に上記ヒーターツールを常温に
おいて平面研磨して平面度を1μmの精度に収めたとし
ても、加熱した際にこの平面度が保たれているかどうか
は保証されず、通常平面度は低下しまう。
【0008】さらに、プラスチック粒子を弾性限界を超
えない程度に弱く液晶パネルの接続用回路に押し付けな
ければならないが、この場合、導電性微粒子と液晶パネ
ルの接続用回路24との導通接続は単に接触によっての
み図られている事となってしまい、相対峙する接続回路
の接続信頼性がかなり低減してしまうことも考えられ
る。特に、なんらかの影響で接続用回路の表面に薄い酸
化膜が出来てしまったような場合にはなおさらである。
【0009】このように、プラスチック粒子を押しつぶ
す量を均一にし、かつプラスチック粒子の変形量を1〜
2μm程度に抑えるというのはかなり困難である。従っ
て、従来は、プラスチック粒子の変形量のばらつきが所
々で大きくなってしまい、場所によってはその限界応力
を越えて変形してしまうことがあった。その結果、プラ
スチック粒子は中途半端に破壊してしまい、接続回路ど
うしが点、あるいはきわめて小面積で接触している状態
となり、接続信頼性がかなり低くなってしまう。
【0010】そこで、本発明は従来のこのような欠点を
解決し、回路基板どうしの接続加工性を向上し、かつ接
続の信頼性を向上させることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板間
に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と
接続される接続パターンが形成され、前記接続パターン
と前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性
導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、
前記接続パターンの一部には、前記導電性微粒子による
食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】図1、図2は、それぞれ本発明の
一実施形態を示したものである。図1はTABテープを
実装した例、図2はICチップを直接パネルの実装端子
面に登載実装した例を要部断面図をもって示したもので
ある。さらに図3、図4、図5は図1および図2の接続
部を中心に、さらに拡大し詳細に示した断面図である。
図1〜図5に於て、1はTAB用テープ材料、2は接続
回路たる銅箔パターンであり、この銅箔パターン2には
錫メッキが施されている。3は液晶パネル、5は回路基
板上に形成された接続用回路を示す。また、図中6は接
続用回路4と銅箔パターン2の間に存在する異方導電性
接着剤であり、7は導電性微粒子、8は絶縁性接着剤層
を示す。さらに、9はICチップ、10はICチップの
接続用回路たる金バンプを示す。また11、13、14
は導電性薄膜層、12は絶縁性薄膜層を示す。絶縁性薄
膜層12は、例えば液晶パネルの回路パターンを形成す
る工程において意識的に形成することもあれば、金属薄
膜の上に例えばITO等の別の導電性薄膜を形成する際
に非意識的に形成されてしまうこともある。
【0013】絶縁性接着剤層8と導電性微粒子7とから
なる異方導電性接着剤6は、硬化前シート状をしてお
り、この状態で接続用回路5と銅箔パターン2の間に挟
持される。そして、回路基板の上からヒーターツールに
より加熱および加圧が施され、これによって異方導電性
接着剤6が硬化し、導電性微粒子7が接続用回路5と銅
箔パターン2の両方に接触し、さらに接続用回路5に力
強く押し付けられ、ついには接続用回路5には導電性微
粒子の形状に対応した陥没性の穴があけられ、この様な
導電性微粒子7の接続用回路5への食い込みによっても
接続用回路5と銅箔パターン2との電気的導通が図られ
る。なお、一般に絶縁性接着剤層8は熱硬化性の接着剤
を基材としており、例えばエポキシ系の主材と硬化材を
ブレンドした材料からなる。ヒーターツールによって加
熱を行なうと、硬化材の周囲にまぶしてあるコート材が
溶けて、主材と硬化材が反応し、絶縁性接着剤8が硬化
する。
【0014】このように、導電性微粒子7を液晶パネル
の接続用回路5に食い込ませるまで単純完全押し付け指
向で圧着するようにすれば、回路基板たるTABテープ
の上からヒーターツールを押しつけるとき、押しつけら
れる回路部品に対するヒーターツールの平行度は比較的
緩やかで良く、ヒーターツールそのものの表面の平面度
も比較的緩やかで良い。加工精度が比較的緩やかでも良
いため加工難度が低く、したがって、加工コストを低減
することが可能となる。
【0015】さらに、昨今、液晶パネルの進歩はめざま
しいものがあり、とくにMIM、TFTといったアクテ
ィブマトリックスパネルの開発進度はめざましいものが
ある。STNのような単純マトリックスパネルと異な
り、アクティブマトリックスパネルは一般には配線パタ
ーンが2種類以上の多層配線となっている。例えば、M
IMパネルのMIM素子を形成した基板には、最下層に
はタンタルの薄膜、第2層にはタンタルの酸化膜である
五酸化タンタル、さらにその上にはCrやITOが形成
されいる。これらの層のうち、実装端子を構成するもの
はパネルのサイズ、めざす目的等によって若干異なる
が、図3に示すようなタンタル(導電性薄膜11)とI
TO(導電性薄膜13)の2層構造、図4に示すような
タンタル(導電性薄膜11)、五酸化タンタル(絶縁性
薄膜12)、ITO(導電性薄膜13)の3層構造、図
5に示すようなタンタル(導電性薄膜11)、五酸化タ
ンタル(絶縁性薄膜12)、Cr(導電性薄膜13)、
ITO(導電性薄膜14)の4層構造が考えられる。T
FT基板においても同様に、実装端子は複数の薄膜層で
構成されている。
【0016】このうち、図4に示すタンタル11、五酸
化タンタル12、ITO13の3層構造の実装端子構造
や、図5に示すタンタル11、五酸化タンタル12、C
r13、ITO14の4層構造の実装端子構造では、複
数の導電性薄膜の間に絶縁性の酸化膜が形成されている
ため、酸化膜の上下の導電性薄膜層の間のピンホールの
存在等により最表面と最下層との間の抵抗が端子によっ
て大きく異なってくる。ピンホールが多い程最表面と最
下層との間の抵抗が低くなり、ピンホールが少ない程抵
抗が高くなる。ここで、図1、図2からわかるように、
TAB用テープ1の接続用回路2やフェイスダウンにて
実装されるICチップ9の金バンプ10は、上記実装端
子の最表面(ITO13、14)に接続されるのに対
し、パネルの内部の画素部にはパネルの実装端子の最下
層(タンタル11)が接続されていることが多い。この
ような場合、外部回路や駆動ICからの信号は、実装端
子の最表面から供給されることになる。すると、接続用
回路2や金バンプ10とパネルの内部パターンとの間に
は、パネルの実装端子たる接続用回路5の最表面の導電
性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗が付加される
ことになり、しかも、最表面の導電性薄膜と最下層の導
電性薄膜との間の抵抗が端子によって大きく違ってしま
うこととなる。しかるに、液晶パネルの画像品質は、パ
ネル接続用回路5の最表面の導電性薄膜と最下層の導電
性薄膜との間の抵抗によって大きく影響されてしまうた
め、抵抗のばらつきが大きいと液晶パネルの画像品質が
著しく低下してしまい、最もひどい場合は線欠陥になっ
てしまう。このようなばらつきは、ピンホールを少なく
することによりできるだけ抑えることが望ましいが、ス
パッタの原理、その他の薄膜形成方法からして、薄膜間
のピンホールを皆無にすることは不可能である。
【0017】したがって、このピンホールを積極的に多
くして、接続用回路5の最表面の薄膜層と最下層の薄膜
層との間の抵抗を同じように低下させることが必要とな
る。本発明は、この様なピンホールに相当するものを外
から積極的に形成するものである。すなわち、異方導電
接着剤6中に存在する導電性微粒子7によって、積極的
にパネル上の実装端子たる接続用回路5の最表面層を強
く押し付け、酸化膜を突き破ることにより、接続用回路
5の最表面の薄膜層と最下層の薄膜層との間の抵抗を一
様に低減させることが可能となる。
【0018】この様に、導電性微粒子によって接続用回
路5の酸化膜層を突き破るようにすることにより、多数
のTABテープ1やICチップ9を接続する際、TAB
テープ1間、あるいはICチップ9間の接続抵抗のばら
つきが低減し、その結果、画像品質の低減を防ぐことが
出来る。また、液晶パネル内への画像信号の書き込みを
行いやすくすることができ、これによっても画質の向上
を図ることができる。可能である。さらに、接続用回路
5の最表面の薄膜層と最下層の薄膜層の間の抵抗を一様
に低減することにより、接続の信頼性を著しく向上させ
ることも可能となる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、一対の
基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路
基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続端
子と前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方
性導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であっ
て、前記接続パターンの一部には、前記導電性微粒子に
よる食い込み陥没部が形成されてなることにより、液晶
パネルの画像品質を向上させ、接続用回路の接続信頼性
を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例を示す要部断面図。
【図2】 本発明の一実施例を示す要部断面図。
【図3】 本発明の実施例における接続部の詳細断面
図。
【図4】 本発明の実施例における接続部の詳細断面
図。
【図5】 本発明の実施例における接続部の詳細断面
図。
【図6】 従来技術を示す要部断面図。
【符号の説明】
1,21 TABテープ 2,22 TABテープ上の接続用回路 3,23 液晶パネル 5,24 液晶パネル上の接続用回路 6,25 異方導電性接着剤 7,26 導電性微粒子 8 絶縁性接着剤層 9 ICチップ 10 金バンプ 11 導電性薄膜 12 絶縁性薄膜 13 導通性薄膜 14 導通性薄膜

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の基板間に液晶が挟持され、前記基
    板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが
    形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導
    電性微粒子が含まれた異方性導電接着剤を介して接続さ
    れてなる液晶装置であって、前記接続パターンの一部に
    は、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成され
    てなることを特徴とする液晶装置。
  2. 【請求項2】 前記接続パターンは少なくとも2層以上
    の積層構造であることを特徴とする請求項1記載の液晶
    装置。
  3. 【請求項3】前記接続パターンは、第1の導電層上に絶
    縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第2の導電層
    が形成されてなる積層構造を有し、前記絶縁層及び前記
    第2の導電層の一部には、前記導電性微粒子による食い
    込み陥没部が形成されてなることを特徴とする請求項1
    記載の液晶装置。
  4. 【請求項4】 前記接続パターンは、第1の導電層上に
    絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第2の導電
    層が形成され、前記第2の導電層の上にさらに第3の導
    電層が形成されてなる積層構造を有し、前記絶縁層、前
    記第2の導電層、及び前記第3の導電層の一部には、前
    記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなる
    ことを特徴とする請求項1記載の液晶装置。
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JP2000002882A (ja) 1998-06-16 2000-01-07 Toshiba Electronic Engineering Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP3642239B2 (ja) * 1999-10-06 2005-04-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器

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