JP2795953B2 - ガラスへのマーキング方法 - Google Patents
ガラスへのマーキング方法Info
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- JP2795953B2 JP2795953B2 JP4570990A JP4570990A JP2795953B2 JP 2795953 B2 JP2795953 B2 JP 2795953B2 JP 4570990 A JP4570990 A JP 4570990A JP 4570990 A JP4570990 A JP 4570990A JP 2795953 B2 JP2795953 B2 JP 2795953B2
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- marking
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、TEA−CO2レーザを用いてガラスへのマー
キングを行うマーキング方法に関するものである。
キングを行うマーキング方法に関するものである。
[従来の技術] 従来、ガラスの表面にマーキングを施す方法として、
主としてサンドブラスト法が行われていた。この方法は
マーキングしようとするガラスの表面に、砂を高速で吹
付けることにより、ガラスの表面の一部を削り取ってマ
ーキングするというものである。
主としてサンドブラスト法が行われていた。この方法は
マーキングしようとするガラスの表面に、砂を高速で吹
付けることにより、ガラスの表面の一部を削り取ってマ
ーキングするというものである。
[発明が解決しようとする課題] このサンドブラスト法によるマーキング方法は、マー
キングのために吹付けられた砂の粉末が全部除去されず
に、ガラスの表面に付着して残ることがある。ガラスの
表面に砂の粉末の残った部分があると、マーキング終了
後、ガラスを積み重ねたりする際にガラスの表面に砂に
よる傷が出来たりするという問題がある。その上、この
サンドブラスト法は運転コストが高く、自動化が難しい
という問題もある。
キングのために吹付けられた砂の粉末が全部除去されず
に、ガラスの表面に付着して残ることがある。ガラスの
表面に砂の粉末の残った部分があると、マーキング終了
後、ガラスを積み重ねたりする際にガラスの表面に砂に
よる傷が出来たりするという問題がある。その上、この
サンドブラスト法は運転コストが高く、自動化が難しい
という問題もある。
ここで、電子部品等のマーキングに応用されているレ
ーザマーキング法を、ガラスのマーキングに適用すれ
ば、上記欠点を解消できると考えられる。
ーザマーキング法を、ガラスのマーキングに適用すれ
ば、上記欠点を解消できると考えられる。
しかし、既に商品化されているレーザマーキング装置
のうち、YAGレーザはガラスへの透過率が高いので使用
不可能である。一方、TEA−CO2レーザは10.6μmの赤外
線レーザなので、ガラスの吸収率が高く、マーキングが
可能と考えられる。そこで、TEA−CO2レーザを所望のパ
ターンでガラスに照射して実験してみたところ、一応マ
ーキングは可能であるけれども、実用に耐え得るほどマ
ーキングが鮮明にできなかった。
のうち、YAGレーザはガラスへの透過率が高いので使用
不可能である。一方、TEA−CO2レーザは10.6μmの赤外
線レーザなので、ガラスの吸収率が高く、マーキングが
可能と考えられる。そこで、TEA−CO2レーザを所望のパ
ターンでガラスに照射して実験してみたところ、一応マ
ーキングは可能であるけれども、実用に耐え得るほどマ
ーキングが鮮明にできなかった。
TEA−CO2レーザをガラスに照射して文字等をマーキン
グしようとした場合に、マーキングが鮮明にできない原
因を分析してみると、TEA−CO2レーザの照射を受けたガ
ラスの表面はレーザ光による熱歪みによってガラス表面
にマイクロクラックが生じ、この状態で表面をブラシな
どでこすると、ガラスの結晶の大きさに応じて塊状に飛
散する。この時、大きな塊りでガラスが飛散すると、照
射パターン通りに鮮明なマーキングをすることができな
いことが判明した。
グしようとした場合に、マーキングが鮮明にできない原
因を分析してみると、TEA−CO2レーザの照射を受けたガ
ラスの表面はレーザ光による熱歪みによってガラス表面
にマイクロクラックが生じ、この状態で表面をブラシな
どでこすると、ガラスの結晶の大きさに応じて塊状に飛
散する。この時、大きな塊りでガラスが飛散すると、照
射パターン通りに鮮明なマーキングをすることができな
いことが判明した。
第3図はTEA−CO2レーザの照射を受けて塊状に飛散し
たガラスの表面の説明図で、同図(イ)はパターン
「H」の文字がマーキングされた状態を示し、同図
(ロ)は同図(イ)のパターンの斜線部分を拡大した図
である。
たガラスの表面の説明図で、同図(イ)はパターン
「H」の文字がマーキングされた状態を示し、同図
(ロ)は同図(イ)のパターンの斜線部分を拡大した図
である。
第3図(ロ)から明らかなように、照射パターンの境
界付近で、ある部分は大きな塊となってガラスの破片が
飛散してしまい、マーキングの歪が大きくなるという問
題がある。
界付近で、ある部分は大きな塊となってガラスの破片が
飛散してしまい、マーキングの歪が大きくなるという問
題がある。
レーザ光照射によって取除かれたガラス表面のマーキ
ングパターン部分は、スリガラス状になって透明感がな
くなって散乱光によってマーキングが鮮明に見えるのが
望ましいにもかかわらず、ガラス破片の大きな塊が抜け
てしまうと、その部分がスリガラス状にならず、視認性
悪くなる。
ングパターン部分は、スリガラス状になって透明感がな
くなって散乱光によってマーキングが鮮明に見えるのが
望ましいにもかかわらず、ガラス破片の大きな塊が抜け
てしまうと、その部分がスリガラス状にならず、視認性
悪くなる。
この発明はかかる課題を解決するためになされたもの
で、TEA−CO2レーザをガラスに照射した時に生じるガラ
スの大きな塊状の飛散を防止して実用に耐え得る鮮明な
マーキング方法を可能にしたガラスへのマーキング方法
を提供することを目的とする。
で、TEA−CO2レーザをガラスに照射した時に生じるガラ
スの大きな塊状の飛散を防止して実用に耐え得る鮮明な
マーキング方法を可能にしたガラスへのマーキング方法
を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記の目的を達成するために、この発明のガラスへの
マーキング方法は、TEA−CO2レーザ発振装置から発振さ
れたレーザビームを金属製のメッシュに照射し、このメ
ッシュを透過したレーザビームをレンズにより集光し、
レンズの入射側または出射側に設けられた反射ミラーで
折返して、ガラスよりなる被加工物にスポット照射する
とともに、反射ミラーを制御して照射されたビームスポ
ットを所望のパターンに走査するものである。
マーキング方法は、TEA−CO2レーザ発振装置から発振さ
れたレーザビームを金属製のメッシュに照射し、このメ
ッシュを透過したレーザビームをレンズにより集光し、
レンズの入射側または出射側に設けられた反射ミラーで
折返して、ガラスよりなる被加工物にスポット照射する
とともに、反射ミラーを制御して照射されたビームスポ
ットを所望のパターンに走査するものである。
[作用] 上記の方法によれば、ガラスの表面にはメッシュ状の
レーザ光が所望のパターンで照射される。しかも剥離す
るガラスの塊りの大きさは金属メッシュの網の目(開口
部)の大きさによって制限されて小さなものとなり、パ
ターンは鮮明になると共に、レーザのビーム径に左右さ
れず、大面積のマーキングができる。
レーザ光が所望のパターンで照射される。しかも剥離す
るガラスの塊りの大きさは金属メッシュの網の目(開口
部)の大きさによって制限されて小さなものとなり、パ
ターンは鮮明になると共に、レーザのビーム径に左右さ
れず、大面積のマーキングができる。
[実施例] 第1図はこの発明の一実施例のガラスへのマーキング
方法を行う装置の説明図である。
方法を行う装置の説明図である。
第1図において、1はTEA−CO2レーザ発振装置,2は金
属製のメッシュ,3はこのメッシュ2を透過した光を集光
させる集光レンズ,4はこの集光レンズ3を折返すための
反射ミラー,5は反射ミラー4に到達したビームを所望の
パターンに走査させる制御機構,6は反射ミラー4で折返
したビームを照射させるガラスからなるワーク(被加工
物),7はワーク6に照射されるビームスポットを示して
いる。
属製のメッシュ,3はこのメッシュ2を透過した光を集光
させる集光レンズ,4はこの集光レンズ3を折返すための
反射ミラー,5は反射ミラー4に到達したビームを所望の
パターンに走査させる制御機構,6は反射ミラー4で折返
したビームを照射させるガラスからなるワーク(被加工
物),7はワーク6に照射されるビームスポットを示して
いる。
第1図の装置において、TEA−CO2レーザ発振装置1か
ら発振されたレーザ光は金属製のメッシュ2を照射し、
このメッシュ2を透過したレーザビームは、集光レンズ
3で集光され、反射ミラー4に反射して、ガラスよりな
るワーク6にスポット照射される。
ら発振されたレーザ光は金属製のメッシュ2を照射し、
このメッシュ2を透過したレーザビームは、集光レンズ
3で集光され、反射ミラー4に反射して、ガラスよりな
るワーク6にスポット照射される。
また、反射ミラー4は、入射するレーザビームに対し
保持角度が可変に保持されており、制御機構5によって
制御されている。従って、反射ミラー4で反射したレー
ザビームは、ワーク6上のビームスポット7が所望のパ
ターンを描くように走査される。
保持角度が可変に保持されており、制御機構5によって
制御されている。従って、反射ミラー4で反射したレー
ザビームは、ワーク6上のビームスポット7が所望のパ
ターンを描くように走査される。
このマーキングの方法では、ワーク6のガラス表面の
パターンを形成しようとする部分にメッシュ状のレーザ
光が照射され、その照射された部分と照射されない部分
とで熱歪みが細かく生じ、その後、その歪んだ部分をブ
ラッシングすることにより、多少の衝撃が与えられ、レ
ーザ光照射が行われた部分の表面のガラスが小さな破片
となって剥離される。
パターンを形成しようとする部分にメッシュ状のレーザ
光が照射され、その照射された部分と照射されない部分
とで熱歪みが細かく生じ、その後、その歪んだ部分をブ
ラッシングすることにより、多少の衝撃が与えられ、レ
ーザ光照射が行われた部分の表面のガラスが小さな破片
となって剥離される。
この実施例では、金属製メッシュ2の開口部を通過し
たレーザ光のみによってパターンが形成されることにな
るので、パターン形成により剥離されるガラスの塊りの
大きさは第2図(イ)に示すように大きな塊となること
はなく、第2図(ロ)の如く、小さな塊のみが飛散して
できたくぼみによりスリガラス状のパターンが形成され
る。即ち、剥離される塊りの大きさは金属製のメッシュ
2の大きさに制限されて小さなものとなり、鮮明なパタ
ーンが得られる。
たレーザ光のみによってパターンが形成されることにな
るので、パターン形成により剥離されるガラスの塊りの
大きさは第2図(イ)に示すように大きな塊となること
はなく、第2図(ロ)の如く、小さな塊のみが飛散して
できたくぼみによりスリガラス状のパターンが形成され
る。即ち、剥離される塊りの大きさは金属製のメッシュ
2の大きさに制限されて小さなものとなり、鮮明なパタ
ーンが得られる。
上記実施例は、具体的にはワーク6としては窓ガラス
等に使われている青板を、また金属製のメッシュ2とし
てリン青銅(またはステンレス)よりなるメッシュを用
い、1ショットが10Joul/cm 2以上のエネルギーのレー
ザ光を照射してマーキングを行った。そして、金属メッ
シュの大きさとしてはワークであるガラスの材質によっ
ても異なるが、剥離されるガラスの塊りの大きさの直径
が0.1〜0.2mmになるようにメッシュの網の目の大きさ
(開口率)を決めた。また、照射するレーザのショット
数も、ワークであるガラスの材質に応じて決まるもので
あるので、それに応じてショット数を決めた。
等に使われている青板を、また金属製のメッシュ2とし
てリン青銅(またはステンレス)よりなるメッシュを用
い、1ショットが10Joul/cm 2以上のエネルギーのレー
ザ光を照射してマーキングを行った。そして、金属メッ
シュの大きさとしてはワークであるガラスの材質によっ
ても異なるが、剥離されるガラスの塊りの大きさの直径
が0.1〜0.2mmになるようにメッシュの網の目の大きさ
(開口率)を決めた。また、照射するレーザのショット
数も、ワークであるガラスの材質に応じて決まるもので
あるので、それに応じてショット数を決めた。
[発明の効果] 以上説明したとおり、この発明は、TEA−CO2レーザ発
振装置から発振されたレーザビームを金属製のメッシュ
に照射し、このメッシュを透過したレーザビームをレン
ズにより集光し、レンズの入射側または出射側に設けら
れた反射ミラーで折返して、ガラスよりなる被加工物に
スポット照射するとともに、反射ミラーを制御して照射
されたビームスポットを所望のパターンに走査するの
で、マーキングのために剥離されるガラスの塊りの大き
さは金属メッシュの網の目の大きさによって制限されて
小さくなるので、鮮明なパターンが形成されると共にレ
ーザのビーム径に左右されない大面積のマーキングがで
きる。
振装置から発振されたレーザビームを金属製のメッシュ
に照射し、このメッシュを透過したレーザビームをレン
ズにより集光し、レンズの入射側または出射側に設けら
れた反射ミラーで折返して、ガラスよりなる被加工物に
スポット照射するとともに、反射ミラーを制御して照射
されたビームスポットを所望のパターンに走査するの
で、マーキングのために剥離されるガラスの塊りの大き
さは金属メッシュの網の目の大きさによって制限されて
小さくなるので、鮮明なパターンが形成されると共にレ
ーザのビーム径に左右されない大面積のマーキングがで
きる。
【図面の簡単な説明】 第1図はこの発明の一実施例のガラスへのマーキング方
法を行う装置の説明図,第2図(イ),(ロ)はそれぞ
れ金属製のメッシュ及びマスクの像が結像された場合の
ガラスの飛散状態を説明するための図,第3図はTEA−C
O2レーザの照射を受けて塊状に飛散したガラスの表面の
説明図で、同図(イ)はパターン「H」の文字がマーキ
ングされた状態,同図(ロ)は同図(イ)のパターンの
斜線部分を拡大した図である。 図中. 1:TEA−CO2レーザ発振装置 2:金属製のメッシュ 3:集光レンズ 4:反射ミラー 5:制御機構 6:ワーク 7:ビームスポット
法を行う装置の説明図,第2図(イ),(ロ)はそれぞ
れ金属製のメッシュ及びマスクの像が結像された場合の
ガラスの飛散状態を説明するための図,第3図はTEA−C
O2レーザの照射を受けて塊状に飛散したガラスの表面の
説明図で、同図(イ)はパターン「H」の文字がマーキ
ングされた状態,同図(ロ)は同図(イ)のパターンの
斜線部分を拡大した図である。 図中. 1:TEA−CO2レーザ発振装置 2:金属製のメッシュ 3:集光レンズ 4:反射ミラー 5:制御機構 6:ワーク 7:ビームスポット
Claims (1)
- 【請求項1】TEA−CO2レーザ発振装置から発振されたレ
ーザビームを金属製のメッシュに照射し、このメッシュ
を透過したレーザビームをレンズにより集光し、レンズ
の入射側または出射側に設けられた反射ミラーで折返し
て、ガラスよりなる被加工物にスポット照射するととも
に、反射ミラーを制御して照射されたビームスポットを
所望のパターンに走査することを特徴とするガラスへの
マーキング法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4570990A JP2795953B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | ガラスへのマーキング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4570990A JP2795953B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | ガラスへのマーキング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03252334A JPH03252334A (ja) | 1991-11-11 |
JP2795953B2 true JP2795953B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=12726881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4570990A Expired - Fee Related JP2795953B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | ガラスへのマーキング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2795953B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06230321A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-08-19 | Menicon Co Ltd | 眼用レンズのマーキング方法 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP4570990A patent/JP2795953B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03252334A (ja) | 1991-11-11 |
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Legal Events
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