JP2794847B2 - フリップチップのボンディング装置およびボンディング方法 - Google Patents
フリップチップのボンディング装置およびボンディング方法Info
- Publication number
- JP2794847B2 JP2794847B2 JP1298254A JP29825489A JP2794847B2 JP 2794847 B2 JP2794847 B2 JP 2794847B2 JP 1298254 A JP1298254 A JP 1298254A JP 29825489 A JP29825489 A JP 29825489A JP 2794847 B2 JP2794847 B2 JP 2794847B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bond
- land
- flip chip
- light
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はフリップチップのボンディング装置に関し、
殊にマイクロバンプを有するフリップチップを、基板の
ランドにボンディングするための手段に関する。
殊にマイクロバンプを有するフリップチップを、基板の
ランドにボンディングするための手段に関する。
（従来の技術） 第６図は、フリップチップＰを基板100にボンディン
グした状態を示すものであって、Ｂ′はフリップチップ
Ｐの下面に突設された半田バンプであり、このバンプ
Ｂ′を基板100に形成されたランド（電極）101上に着地
させ、次いでこの基板100を加熱炉に送って加熱処理す
ることにより、半田バンプＢ′を溶融硬化させるように
なっていた。この半田バンプＢ′は、フリップチップＰ
とランド101を電気的に接続するリード機能と共に、こ
のフリップチップＰを基板100に固着する固着機能を有
している。
グした状態を示すものであって、Ｂ′はフリップチップ
Ｐの下面に突設された半田バンプであり、このバンプ
Ｂ′を基板100に形成されたランド（電極）101上に着地
させ、次いでこの基板100を加熱炉に送って加熱処理す
ることにより、半田バンプＢ′を溶融硬化させるように
なっていた。この半田バンプＢ′は、フリップチップＰ
とランド101を電気的に接続するリード機能と共に、こ
のフリップチップＰを基板100に固着する固着機能を有
している。
ところで、高密度、高集積化の要請に応えるために
は、バンプは極力小形化してその数を増やさねばならな
いことから、第７図に示すように、小形化されたバンプ
Ｂを有するフリップチップＰが提案されている。このよ
うに小形化されたバンプＢは、一般にマイクロバンプと
呼ばれ、Au,Alなどにより形成されており、上記半田バ
ンプＢ′とは区別される。
は、バンプは極力小形化してその数を増やさねばならな
いことから、第７図に示すように、小形化されたバンプ
Ｂを有するフリップチップＰが提案されている。このよ
うに小形化されたバンプＢは、一般にマイクロバンプと
呼ばれ、Au,Alなどにより形成されており、上記半田バ
ンプＢ′とは区別される。
ところが上記リード機能は、バンプを小形化マイクロ
バンプＢにしても支障はないが、上記固着機能は著しく
低下し、フリップチップＰは基板100から脱落しやすく
なる問題を生じる。
バンプＢにしても支障はないが、上記固着機能は著しく
低下し、フリップチップＰは基板100から脱落しやすく
なる問題を生じる。
この問題を解決するために、基板のランドに、予めUV
樹脂のような光硬化性絶縁樹脂を塗布しておき、この樹
脂上にフリップチップを移載した後、この樹脂に光を照
射してこれを硬化させる手段が提案されている。この手
段によれば、固着機能は樹脂により負担されるので、上
記問題は解決されることとなる。
樹脂のような光硬化性絶縁樹脂を塗布しておき、この樹
脂上にフリップチップを移載した後、この樹脂に光を照
射してこれを硬化させる手段が提案されている。この手
段によれば、固着機能は樹脂により負担されるので、上
記問題は解決されることとなる。
（発明が解決しようとする課題） ところで光硬化性絶縁樹脂は、光が照射されて一旦硬
化すると、その固着力はきわめて大きいことから、ボン
ディングに失敗した場合に、フリップチップを基板から
取りはずして再度ボンディングし直すことは殆ど不可能
である。したがってフリップチップは、マイクロバンプ
を正確にランドに合致させてボンディングしなければな
らない。
化すると、その固着力はきわめて大きいことから、ボン
ディングに失敗した場合に、フリップチップを基板から
取りはずして再度ボンディングし直すことは殆ど不可能
である。したがってフリップチップは、マイクロバンプ
を正確にランドに合致させてボンディングしなければな
らない。
ところが、小形化されたマイクロバンプをランドに正
確に合致させることはかなり困難であり、更には上記合
致が正確であっても、マイクロバンプの大きさにばらつ
きがあったりすると、マイクロバンプをランドに確実に
接触させることはできず、上記リード機能を達成できな
いこととなる。このような課題は未解決であり、したが
ってマイクロバンプを有するフリップチップを基板にボ
ンディングするための具体的装置は、まだ提案されてい
ない現状にある。
確に合致させることはかなり困難であり、更には上記合
致が正確であっても、マイクロバンプの大きさにばらつ
きがあったりすると、マイクロバンプをランドに確実に
接触させることはできず、上記リード機能を達成できな
いこととなる。このような課題は未解決であり、したが
ってマイクロバンプを有するフリップチップを基板にボ
ンディングするための具体的装置は、まだ提案されてい
ない現状にある。
そこで本発明は、マイクロバンプを有するフリップチ
ップを、基板に確実にボンディングできる装置を提供す
ることを目的とする。
ップを、基板に確実にボンディングできる装置を提供す
ることを目的とする。
（課題を解決するための手段） このために本発明のフリップチップのボンディング装
置は、マイクロバンプを表面側にして配設されたフリッ
プチップを吸着し、このフリップチップを上下反転させ
てマイクロバンプを下面側にする上下反転装置と、ボン
ド供給部に備えられた光硬化性絶縁樹脂から成るボンド
を、位置決め部に位置決めされた基板のランドに塗布す
るボンド塗布手段と、上下反転された上記フリップチッ
プのマイクロバンプを、上記ボンドが塗布されたランド
に合致させて移載する移載ヘッドと、この移載ヘッドの
ノズルに荷重を加えて、マイクロバンプをランドに押し
付ける加圧装置と、上記基板の下方から上記ボンドに光
を照射してこのボンドを硬化させる光照射装置と、上記
ランドに接続された上記基板の電極部にプローブを接触
させて、上記マイクロバンプとランドを導通する電流を
検出することにより、このマイクロバンプとランドの接
触の良否を判別するチェッカーを備え、この接触が良と
判断された場合に、上記光照射装置により上記ボンドに
光を照射してこのボンドを硬化させるようにしている。
置は、マイクロバンプを表面側にして配設されたフリッ
プチップを吸着し、このフリップチップを上下反転させ
てマイクロバンプを下面側にする上下反転装置と、ボン
ド供給部に備えられた光硬化性絶縁樹脂から成るボンド
を、位置決め部に位置決めされた基板のランドに塗布す
るボンド塗布手段と、上下反転された上記フリップチッ
プのマイクロバンプを、上記ボンドが塗布されたランド
に合致させて移載する移載ヘッドと、この移載ヘッドの
ノズルに荷重を加えて、マイクロバンプをランドに押し
付ける加圧装置と、上記基板の下方から上記ボンドに光
を照射してこのボンドを硬化させる光照射装置と、上記
ランドに接続された上記基板の電極部にプローブを接触
させて、上記マイクロバンプとランドを導通する電流を
検出することにより、このマイクロバンプとランドの接
触の良否を判別するチェッカーを備え、この接触が良と
判断された場合に、上記光照射装置により上記ボンドに
光を照射してこのボンドを硬化させるようにしている。
また本発明のフリップチップのボンディング方法は、
光硬化性絶縁樹脂から成るボンドをボンド塗布手段によ
り位置決め部に位置決めされた光透過性の基板のランド
に塗布する工程と、移載ヘッドによりフリップチップの
マイクロバンプを上記ボンドが塗布されたランドに合致
させて移載する工程と、加圧装置により移載ヘッドのノ
ズルに荷重を加えてマイクロバンプをランドに押し付け
る工程と、上記ランドに接続された上記基板の電極部に
チェッカーのプローブを接触させて、上記マイクロバン
プとランドを導通する電流を検出することにより、この
マイクロバンプとランドの接触の良否を判別する工程
と、この接触が良と判断された場合に、光照射装置によ
り上記ボンドに光を照射してこのボンドを硬化させる工
程と、を含む。
光硬化性絶縁樹脂から成るボンドをボンド塗布手段によ
り位置決め部に位置決めされた光透過性の基板のランド
に塗布する工程と、移載ヘッドによりフリップチップの
マイクロバンプを上記ボンドが塗布されたランドに合致
させて移載する工程と、加圧装置により移載ヘッドのノ
ズルに荷重を加えてマイクロバンプをランドに押し付け
る工程と、上記ランドに接続された上記基板の電極部に
チェッカーのプローブを接触させて、上記マイクロバン
プとランドを導通する電流を検出することにより、この
マイクロバンプとランドの接触の良否を判別する工程
と、この接触が良と判断された場合に、光照射装置によ
り上記ボンドに光を照射してこのボンドを硬化させる工
程と、を含む。
（作用） 上記構成において、フリップチップを上下反転させて
光透過性の基板に移載し、加圧装置によりフリップチッ
プを基板に押し付けて、マイクロバンプをランドに接触
させる。そして光照射装置により光を照射してボンドを
硬化させ、フリップチップを基板にボンディングする。
この場合、チェッカーによりマイクロバンプとランドの
接触状態が良と確認したうえで、ボンドに光を照射して
これを硬化させ、フリップチップを基板にボンディング
する。
光透過性の基板に移載し、加圧装置によりフリップチッ
プを基板に押し付けて、マイクロバンプをランドに接触
させる。そして光照射装置により光を照射してボンドを
硬化させ、フリップチップを基板にボンディングする。
この場合、チェッカーによりマイクロバンプとランドの
接触状態が良と確認したうえで、ボンドに光を照射して
これを硬化させ、フリップチップを基板にボンディング
する。
（実施例） 次に、図面を参照しながら本発明の実施例を説明す
る。
る。
第１図は、フリップチップのボンディング装置の正面
図であって、この装置は、サブ移載ヘッド１と、移載ヘ
ッド２と、ボンド塗布ヘッド３の３つのヘッドを有して
おり、各ヘッド１〜３は、それぞれ摺動板5,6,7に装着
されている。各摺動板５〜７は、結合部材４により連結
されており、水平ガイド９に沿って、横方向Ｎに摺動自
在となっている。右側の摺動板７は、水平ロッド51,揺
動ロッド52,垂直ロッド53を介して駆動部８に連結され
ており、この駆動部８に駆動されて、各摺動板５〜７に
装着された３つのヘッド１〜３は、同時に横方向Ｎに往
復動して、後に詳述するように、サブ移載ヘッド１はチ
ップ供給部11のフリップチップＰをステージ12に移載
し、また移載ヘッド２はステージ12上のチップＰを基板
10に移載し、ボンド塗布ヘッド３はボンド供給部14のボ
ンド16を基板10に塗布する。なおボンド塗布ヘッドとし
ては、ディスペンサ方式のものでもよく、この場合ボン
ドを貯溜するシリンジがボンド供給部となる。
図であって、この装置は、サブ移載ヘッド１と、移載ヘ
ッド２と、ボンド塗布ヘッド３の３つのヘッドを有して
おり、各ヘッド１〜３は、それぞれ摺動板5,6,7に装着
されている。各摺動板５〜７は、結合部材４により連結
されており、水平ガイド９に沿って、横方向Ｎに摺動自
在となっている。右側の摺動板７は、水平ロッド51,揺
動ロッド52,垂直ロッド53を介して駆動部８に連結され
ており、この駆動部８に駆動されて、各摺動板５〜７に
装着された３つのヘッド１〜３は、同時に横方向Ｎに往
復動して、後に詳述するように、サブ移載ヘッド１はチ
ップ供給部11のフリップチップＰをステージ12に移載
し、また移載ヘッド２はステージ12上のチップＰを基板
10に移載し、ボンド塗布ヘッド３はボンド供給部14のボ
ンド16を基板10に塗布する。なおボンド塗布ヘッドとし
ては、ディスペンサ方式のものでもよく、この場合ボン
ドを貯溜するシリンジがボンド供給部となる。
３つのヘッド１〜３の下方には、チップ供給部11と、
チップＰの位置ずれ補正ステージ12と、基板10の位置決
め部13と、ボンド皿15を備えたボンド供給部14が、間隔
をおいて並設されている。ボンド皿15には、UV樹脂のよ
うな光硬化性絶縁樹脂により作られたボンド16が貯溜さ
れている。また上記各部11〜14の上方には、モータやカ
ム等の駆動手段（図外）に駆動されて上下方向に往復回
動する押圧レバー54が配設されている。
チップＰの位置ずれ補正ステージ12と、基板10の位置決
め部13と、ボンド皿15を備えたボンド供給部14が、間隔
をおいて並設されている。ボンド皿15には、UV樹脂のよ
うな光硬化性絶縁樹脂により作られたボンド16が貯溜さ
れている。また上記各部11〜14の上方には、モータやカ
ム等の駆動手段（図外）に駆動されて上下方向に往復回
動する押圧レバー54が配設されている。
サブ移載ヘッド１とボンド塗布ヘッド３には、昇降子
56が連結されており、レバー54が下方に回動すると、昇
降子56の上端部に軸着されたローラ57は下方に押圧され
て、各ヘッド1,3のノズル31とボンド塗布ピン33は下降
し、また押圧状態が解除されると、ノズル31と塗布ピン
33は、ばね材55のばね力により上昇する。
56が連結されており、レバー54が下方に回動すると、昇
降子56の上端部に軸着されたローラ57は下方に押圧され
て、各ヘッド1,3のノズル31とボンド塗布ピン33は下降
し、また押圧状態が解除されると、ノズル31と塗布ピン
33は、ばね材55のばね力により上昇する。
チップ供給部11には、フリップチップＰが貼着された
ウェハー20と、このフリップチップＰを突き上げる突き
上げピン21を備えたダイエジェクタ22と、ウェハー20の
支持板18と、ウェハー20をXY方向に移動させるXYテーブ
ル19と、チップＰの上下反転装置23が設けられている。
ダイエジェクタ22は、駆動部70に駆動され、ピン21が突
没することにより、ウェハー20上のチップＰを突き上げ
る。
ウェハー20と、このフリップチップＰを突き上げる突き
上げピン21を備えたダイエジェクタ22と、ウェハー20の
支持板18と、ウェハー20をXY方向に移動させるXYテーブ
ル19と、チップＰの上下反転装置23が設けられている。
ダイエジェクタ22は、駆動部70に駆動され、ピン21が突
没することにより、ウェハー20上のチップＰを突き上げ
る。
上下反転装置23は、モータ24に駆動されて180゜間欠
回転するアーム25を備えており、このアーム25の両端部
には、チップ吸着部26,27が設けられている。チップＰ
は、マイクロバンプＢを表面側にして、ウェハー20に貼
着されており、ウェハー20上のチップＰを吸着し、アー
ム25が180゜間欠回転することにより、このチップＰを
上下反転させてバンプＢを下面側にする。58はウェハー
20上のチップＰを観察するカメラである。
回転するアーム25を備えており、このアーム25の両端部
には、チップ吸着部26,27が設けられている。チップＰ
は、マイクロバンプＢを表面側にして、ウェハー20に貼
着されており、ウェハー20上のチップＰを吸着し、アー
ム25が180゜間欠回転することにより、このチップＰを
上下反転させてバンプＢを下面側にする。58はウェハー
20上のチップＰを観察するカメラである。
サブ移載ヘッド１は、上下反転されたチップＰをその
ノズル31に吸着してテイクアップし、上述のように横方
向Ｎに往復動することにより、ステージ12上に移送搭載
する。このテイクアップや搭載を行う場合は、上記のよ
うにレバー54が回動して、ノズル31を昇降させる。ステ
ージ12上には、位置補正爪34があり、この補正爪34がXY
方向に摺動してチップＰの側壁面に押当することによ
り、チップＰの位置ずれを荒補正する。この荒補正は、
移載ヘッド２のコレット式ノズル32が、チップＰ上に正
しく着地して、このチップＰを確実に吸着できるように
するために行われるものである。
ノズル31に吸着してテイクアップし、上述のように横方
向Ｎに往復動することにより、ステージ12上に移送搭載
する。このテイクアップや搭載を行う場合は、上記のよ
うにレバー54が回動して、ノズル31を昇降させる。ステ
ージ12上には、位置補正爪34があり、この補正爪34がXY
方向に摺動してチップＰの側壁面に押当することによ
り、チップＰの位置ずれを荒補正する。この荒補正は、
移載ヘッド２のコレット式ノズル32が、チップＰ上に正
しく着地して、このチップＰを確実に吸着できるように
するために行われるものである。
基板10の位置決め部13は、XYテーブル13a,13bから成
っている。Ｙテーブル13bには、位置決め部材35が立設
されており、この位置決め部材35の上端部に基板10は位
置決めされている。またＹテーブル13b上には、第２の
Ｘテーブル36が配設されており、その上に、UV光を照射
する光照射装置40が設けられている。この光照射装置40
は、基板10の下方から光を照射し、基板10に塗布された
光硬化性絶縁樹脂から成るボンド16を硬化させる。この
基板10は、ガラスなどのUV光を透過する光透過性の素材
にて作られている。
っている。Ｙテーブル13bには、位置決め部材35が立設
されており、この位置決め部材35の上端部に基板10は位
置決めされている。またＹテーブル13b上には、第２の
Ｘテーブル36が配設されており、その上に、UV光を照射
する光照射装置40が設けられている。この光照射装置40
は、基板10の下方から光を照射し、基板10に塗布された
光硬化性絶縁樹脂から成るボンド16を硬化させる。この
基板10は、ガラスなどのUV光を透過する光透過性の素材
にて作られている。
30はＹテーブル13bの側部に装着されたカメラであ
り、Ｙテーブル13bが右方に移動することにより（第１
図鎖線参照）、このカメラ30は移載ヘッド２のノズル33
に吸着されたチップＰの下面のマイクロバンプＢを観察
する。59は位置決め部13の上方に設けられた基板10の観
察用カメラである。42はチェッカーであり、後に詳述す
るように、プローブ43が基板10に形成された電極部に接
触し、チップＰのマイクロバンプＢと、ランドの接触状
態の良否を選別する。
り、Ｙテーブル13bが右方に移動することにより（第１
図鎖線参照）、このカメラ30は移載ヘッド２のノズル33
に吸着されたチップＰの下面のマイクロバンプＢを観察
する。59は位置決め部13の上方に設けられた基板10の観
察用カメラである。42はチェッカーであり、後に詳述す
るように、プローブ43が基板10に形成された電極部に接
触し、チップＰのマイクロバンプＢと、ランドの接触状
態の良否を選別する。
45は摺動板６に装着されて、移載ヘッド２と一体的に
往復動する加圧装置であって、第２図に示すように、シ
リンダ46と、シリンダ46のロッド47から側方に延出する
シャフト48と、このシャフト48の先端部に装着されて、
ノズル32の上端部に結合された結合子49と、ノズル32を
下方に付勢するコイルばね50から成っている。この加圧
装置45は、シリンダ46がOFFとなることにより、ばね50
のばね力によりノズル32に荷重を加え、チップＰを基板
10に押圧する（第２図鎖線参照）。またシリンダ46のロ
ッド47が上方に突出すると、ノズル32はばね50のばね力
に抗して上昇し、チップＰの押圧状態を解除する（同図
実線参照）。
往復動する加圧装置であって、第２図に示すように、シ
リンダ46と、シリンダ46のロッド47から側方に延出する
シャフト48と、このシャフト48の先端部に装着されて、
ノズル32の上端部に結合された結合子49と、ノズル32を
下方に付勢するコイルばね50から成っている。この加圧
装置45は、シリンダ46がOFFとなることにより、ばね50
のばね力によりノズル32に荷重を加え、チップＰを基板
10に押圧する（第２図鎖線参照）。またシリンダ46のロ
ッド47が上方に突出すると、ノズル32はばね50のばね力
に抗して上昇し、チップＰの押圧状態を解除する（同図
実線参照）。
第３図は、チップＰを基板10に搭載した状態を示すも
のであって、60は基板10の上面に形成されたランド、61
はランド60から導出するリード部、62はリード部61の先
端部に形成された電極部である。本装置は上記のような
構成により成り、次に全体の動作を説明する。
のであって、60は基板10の上面に形成されたランド、61
はランド60から導出するリード部、62はリード部61の先
端部に形成された電極部である。本装置は上記のような
構成により成り、次に全体の動作を説明する。
第１図において、エジェクタピン21が上昇して、ウェ
ハー20上のチップＰを突き上げ、吸着部26はチップＰを
吸着する。次いでアーム25は180゜回転し、チップＰを
上下反転させる。次いでサブ移載ヘッド１のノズル31は
このチップＰを吸着してテイクアップし、ステージ12に
移載する。次いで位置補正爪34はXY方向に摺動し、チッ
プＰの位置ずれを荒補正する。
ハー20上のチップＰを突き上げ、吸着部26はチップＰを
吸着する。次いでアーム25は180゜回転し、チップＰを
上下反転させる。次いでサブ移載ヘッド１のノズル31は
このチップＰを吸着してテイクアップし、ステージ12に
移載する。次いで位置補正爪34はXY方向に摺動し、チッ
プＰの位置ずれを荒補正する。
次いで移載ヘッド２のノズル32はこのチップＰを吸着
してテイクアップし、基板10の位置決め部13へ移送す
る。このチップＰを基板10に搭載する前に、Ｙテーブル
13bは側方へ移動して、カメラ30により、ノズル32に吸
着されたチップＰのマイクロバンプＢの位置ずれを下方
から監察する。またこれに先立ちカメラ59により基板10
のランド60が予め観察されている。そこでチップＰのバ
ンプＢをランド60に合致させるべく、XYテーブル13a,13
bを作動させる。次いで加圧装置45のシリンダ46はOFFと
なり、ノズル32はばね50のばね力により下降してチップ
Ｐを基板10上に着地させ、マイクロバンプＢをランド60
に押し付ける。
してテイクアップし、基板10の位置決め部13へ移送す
る。このチップＰを基板10に搭載する前に、Ｙテーブル
13bは側方へ移動して、カメラ30により、ノズル32に吸
着されたチップＰのマイクロバンプＢの位置ずれを下方
から監察する。またこれに先立ちカメラ59により基板10
のランド60が予め観察されている。そこでチップＰのバ
ンプＢをランド60に合致させるべく、XYテーブル13a,13
bを作動させる。次いで加圧装置45のシリンダ46はOFFと
なり、ノズル32はばね50のばね力により下降してチップ
Ｐを基板10上に着地させ、マイクロバンプＢをランド60
に押し付ける。
このランド60には、ボンド塗布ヘッド３の塗布ピン33
により、予めボンド16が塗布されているが、上記のよう
に加圧装置45によりチップＰを基板10に押圧することに
より、マイクロバンプＢをランド60にしっかり接触させ
る。
により、予めボンド16が塗布されているが、上記のよう
に加圧装置45によりチップＰを基板10に押圧することに
より、マイクロバンプＢをランド60にしっかり接触させ
る。
次いでチェッカー42のプローブ43が、ランド60から導
出したリード部61の先端部の電極部62に接触し（第３図
参照）、チップＰとランド60の間を導通する電流を検出
して、バンプＢとランド60の接触状態の良否を判別す
る。
出したリード部61の先端部の電極部62に接触し（第３図
参照）、チップＰとランド60の間を導通する電流を検出
して、バンプＢとランド60の接触状態の良否を判別す
る。
次いで判別結果が良であるならば、校照射装置40が作
動し、ボンド16に光を照射してボンド16を硬化させる。
ボンド16は硬化収縮特性を有しており、したがって硬化
することにより、マイクロバンプＢをランド60にしっか
りと接合させる。
動し、ボンド16に光を照射してボンド16を硬化させる。
ボンド16は硬化収縮特性を有しており、したがって硬化
することにより、マイクロバンプＢをランド60にしっか
りと接合させる。
ところで第４図に示すように、チップP1,P2,P3・・・
を互いに近接させて横並びにボンディングしていく場
合、基板10に塗布されたボンド16すべてに光が照射され
て全範囲L1が硬化していると、チップP2の側方にばり出
して硬化したボンド16aが邪魔になって、次のチップP3
を前のチップ２に近接させてボンディングすることはで
きない。したがって光はボンド16のすべてに照射せず
に、一部L2に照射し、側方へばり出した部分のボンドは
硬化させないでおき、次のチップP2を前のチップP1に近
接させてボンディングした後で、光を照射して硬化させ
る。なお光照射装置40は、基板10の長さ方向に沿ってＸ
方向に移動して、各チップP1,P2・・・のボンド16に光
を照射できるように、第２のＸテーブル36により、Ｙテ
ーブル13b上を移動する。
を互いに近接させて横並びにボンディングしていく場
合、基板10に塗布されたボンド16すべてに光が照射され
て全範囲L1が硬化していると、チップP2の側方にばり出
して硬化したボンド16aが邪魔になって、次のチップP3
を前のチップ２に近接させてボンディングすることはで
きない。したがって光はボンド16のすべてに照射せず
に、一部L2に照射し、側方へばり出した部分のボンドは
硬化させないでおき、次のチップP2を前のチップP1に近
接させてボンディングした後で、光を照射して硬化させ
る。なお光照射装置40は、基板10の長さ方向に沿ってＸ
方向に移動して、各チップP1,P2・・・のボンド16に光
を照射できるように、第２のＸテーブル36により、Ｙテ
ーブル13b上を移動する。
ところで、フリップチップＰの寸法のばらつき等の為
に、チップＰの上面が完全な水平面とならない場合があ
り、その場合、ノズル32によりチップＰを基板10に押圧
しにくい。そこで第５図に示すように、ノズルシャフト
64の途中に、弾性リングのような弾性材から成るばらつ
き吸収手段63を介在させ、この弾性材63の弾性により上
記ばらつきを吸収すれば、チップＰを確実に基板10に押
し付けることができる。
に、チップＰの上面が完全な水平面とならない場合があ
り、その場合、ノズル32によりチップＰを基板10に押圧
しにくい。そこで第５図に示すように、ノズルシャフト
64の途中に、弾性リングのような弾性材から成るばらつ
き吸収手段63を介在させ、この弾性材63の弾性により上
記ばらつきを吸収すれば、チップＰを確実に基板10に押
し付けることができる。
（発明の効果） 以上説明したように本発明によれば、加圧装置により
フリップチップを押圧することにより、マイクロバンプ
を基板のランドに確実に接触させることができ、またチ
ェッカーにより、マイクロバンプとランドの接触状態の
良否を判別したうえで、ボンド光を照射して硬化させる
ようにしているので、歩留りを大巾に向上できる。
フリップチップを押圧することにより、マイクロバンプ
を基板のランドに確実に接触させることができ、またチ
ェッカーにより、マイクロバンプとランドの接触状態の
良否を判別したうえで、ボンド光を照射して硬化させる
ようにしているので、歩留りを大巾に向上できる。
図は本発明の実施例を示すものであって、第１図はボン
ディング装置の正面図、第２図は加圧装置の正面図、第
３図は基板の平面図、第４図はボンディング中の基板の
側面図、第５図は移載ヘッドの他の実施例の正面図、第
６図は半田バンプを有するフリップチップのボンディン
グ図、第７図はマイクロバンプを有するフリップチップ
のボンディング図である。 Ｂ……マイクロバンプ Ｐ……フリップチップ １……サブ移載ヘッド ２……移載ヘッド ３……ボンド塗布ヘッド 10……基板 11……チップ供給部 12……位置ずれ補正ステージ 13……位置決め部 14……ボンド供給部 16……ボンド 23……上下反転装置 31……サブ移載ヘッドのノズル 32……移載ヘッドのノズル 40……光照射装置 42……チェッカー 43……プローブ 45……加圧装置
ディング装置の正面図、第２図は加圧装置の正面図、第
３図は基板の平面図、第４図はボンディング中の基板の
側面図、第５図は移載ヘッドの他の実施例の正面図、第
６図は半田バンプを有するフリップチップのボンディン
グ図、第７図はマイクロバンプを有するフリップチップ
のボンディング図である。 Ｂ……マイクロバンプ Ｐ……フリップチップ １……サブ移載ヘッド ２……移載ヘッド ３……ボンド塗布ヘッド 10……基板 11……チップ供給部 12……位置ずれ補正ステージ 13……位置決め部 14……ボンド供給部 16……ボンド 23……上下反転装置 31……サブ移載ヘッドのノズル 32……移載ヘッドのノズル 40……光照射装置 42……チェッカー 43……プローブ 45……加圧装置
Claims (2)
- 【請求項１】マイクロバンプを表面側にして配設された
フリップチップを吸着し、このフリップチップを上下反
転させてマイクロバンプを下面側にする上下反転装置
と、ボンド供給部に備えられた光硬化性絶縁樹脂から成
るボンドを、位置決め部に位置決めされた光透過性の基
板のランドに塗布するボンド塗布手段と、上下反転され
た上記フリップチップのマイクロバンプを、上記ボンド
が塗布されたランドに合致させて移載する移載ヘッド
と、この移載ヘッドのノズルに荷重を加えて、マイクロ
バンプをランドに押し付ける加圧装置と、上記基板の下
方から上記ボンドに光を照射してこのボンドを硬化させ
る光照射装置と、上記ランドに接続された上記基板の電
極部にプローブを接触させて、上記マイクロバンプとラ
ンドを導通する電流を検出することにより、このマイク
ロバンプとランドの接触の良否を判別するチェッカーを
備え、この接触が良と判断された場合に、上記光照射装
置により上記ボンドに光を照射してこのボンドを硬化さ
せるようにしたことを特徴とするフリップチップのボン
ディング装置。 - 【請求項２】光硬化性絶縁樹脂から成るボンドをボンド
塗布手段により位置決め部に位置決めされた光透過性の
基板のランドに塗布する工程と、移載ヘッドによりフリ
ップチップのマイクロバンプを上記ボンドが塗布された
ランドに合致させて移載する工程と、加圧装置により移
載ヘッドのノズルに荷重を加えてマイクロバンプをラン
ドに押し付ける工程と、上記ランドに接続された上記基
板の電極部にチェッカーのプローブを接触させて、上記
マイクロバンプとランドを導通する電流を検出すること
により、このマイクロバンプとランドの接触の良否を判
別する工程と、この接触が良と判断された場合に、光照
射装置により上記ボンドに光を照射してこのボンドを硬
化させる工程と、を含むことを特徴とするフリップチッ
プのボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298254A JP2794847B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | フリップチップのボンディング装置およびボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1298254A JP2794847B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | フリップチップのボンディング装置およびボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03159197A JPH03159197A (ja) | 1991-07-09 |
| JP2794847B2 true JP2794847B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=17857239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1298254A Expired - Fee Related JP2794847B2 (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | フリップチップのボンディング装置およびボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794847B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6839959B1 (en) | 1999-05-06 | 2005-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Component mounting apparatus |
| JP4203723B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2009-01-07 | 澁谷工業株式会社 | 電子部品の反転供給装置 |
| JP4571460B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2010-10-27 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 電子部品の実装方法及び実装装置 |
| JP2007129131A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品実装装置および積層部品製造方法 |
| JP2007250704A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Nippon Avionics Co Ltd | 半田付け装置とこの半田付け装置を用いたエリアアレイ型部品の半田付け方法及びエリアアレイ型部品の取り外し方法。 |
| JP2015065383A (ja) | 2013-09-26 | 2015-04-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 部品実装装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5824017B2 (ja) * | 1979-09-10 | 1983-05-18 | 株式会社新川 | チツプボンダ−における反転装置 |
| JPH0656862B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1994-07-27 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP1298254A patent/JP2794847B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03159197A (ja) | 1991-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5631191A (en) | Method for connecting a die to electrically conductive traces on a flexible lead-frame | |
| CN109103117B (zh) | 结合半导体芯片的设备和结合半导体芯片的方法 | |
| KR20080079885A (ko) | 칩 본딩 툴, 그 본딩 툴을 구비하는 플립 칩 본딩 장치 및 방법 | |
| CN113130728B (zh) | 一种led芯片巨量转移方法 | |
| JP6234277B2 (ja) | 圧着ヘッド、それを用いた実装装置および実装方法 | |
| JPH07240435A (ja) | 半導体パッケージの製造方法、半導体の実装方法、および半導体実装装置 | |
| JP2794847B2 (ja) | フリップチップのボンディング装置およびボンディング方法 | |
| US6043670A (en) | Method for testing integrated circuits | |
| US20030138993A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device | |
| JP2765190B2 (ja) | フリップチップのボンディング装置 | |
| KR100628900B1 (ko) | 반도체 칩의 실장방법 | |
| JP3949031B2 (ja) | チップ実装方法 | |
| JP2001338946A (ja) | チップ実装方法 | |
| KR102298753B1 (ko) | 클램핑 장치 | |
| JP5098939B2 (ja) | ボンディング装置及びボンディング方法 | |
| KR102141203B1 (ko) | 본딩 헤드 및 이를 갖는 칩 본딩 장치 | |
| JPH0680704B2 (ja) | 半導体素子接続装置 | |
| KR102284943B1 (ko) | 본딩 장치 및 본딩 방법 | |
| TWI656582B (zh) | Semiconductor device mounting method and mounting device | |
| JP4268155B2 (ja) | 部品の実装装置 | |
| JPH08204319A (ja) | はんだ供給方法及びはんだ加工装置 | |
| JPH03120844A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその装置 | |
| JPH1041353A (ja) | 導電性ボールのボンディング用粘液の塗布装置 | |
| JP2005217435A (ja) | 部品の実装方法と装置 | |
| JPH0567639A (ja) | 半導体素子の実装方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |