JP2786151B2 - 酸化バナジウム薄膜及びそれを用いたボロメータ型赤外線センサ - Google Patents
酸化バナジウム薄膜及びそれを用いたボロメータ型赤外線センサInfo
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- JP2786151B2 JP2786151B2 JP8071983A JP7198396A JP2786151B2 JP 2786151 B2 JP2786151 B2 JP 2786151B2 JP 8071983 A JP8071983 A JP 8071983A JP 7198396 A JP7198396 A JP 7198396A JP 2786151 B2 JP2786151 B2 JP 2786151B2
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- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，酸化バナジウム薄
膜及びそれを用いたボロメータ型赤外線センサに関す
る。
膜及びそれを用いたボロメータ型赤外線センサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来，室温動作のボロメータ型赤外線セ
ンサ材料としては，酸化チタン（ＴｉＯx ），二酸化バ
ナジウム（ＶＯ2 ）などがよく使われてきた（B.E.Cole
et. al., 米国特許第５２８６９７６号，二木久夫セラ
ミック半導体 エレセラ出版委員会編（１９７８）第９
９頁，Guzman et. al.: Materials Research Bulletin
２９（１９９４）第５０９頁，及びJerominek et. al.:
Optical Engineering３２（１９９３）第２０９２頁，
参照））。これらの材料は，ボロメータ型赤外線センサ
として重要な性質の一つである比抵抗の温度変化率が大
きいという特性を満たしている。特に，二酸化バナジウ
ム（ＶＯ2 ）は，約７０℃以下では，図４のグラフに示
すように，他の酸化物と比較して大きいため，ボロメー
タ型赤外線センサに用いるには優れた材料である。
ンサ材料としては，酸化チタン（ＴｉＯx ），二酸化バ
ナジウム（ＶＯ2 ）などがよく使われてきた（B.E.Cole
et. al., 米国特許第５２８６９７６号，二木久夫セラ
ミック半導体 エレセラ出版委員会編（１９７８）第９
９頁，Guzman et. al.: Materials Research Bulletin
２９（１９９４）第５０９頁，及びJerominek et. al.:
Optical Engineering３２（１９９３）第２０９２頁，
参照））。これらの材料は，ボロメータ型赤外線センサ
として重要な性質の一つである比抵抗の温度変化率が大
きいという特性を満たしている。特に，二酸化バナジウ
ム（ＶＯ2 ）は，約７０℃以下では，図４のグラフに示
すように，他の酸化物と比較して大きいため，ボロメー
タ型赤外線センサに用いるには優れた材料である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，酸化チタン
（ＴｉＯx ）薄膜は比抵抗が０．０１Ωｃｍとボロメー
タ材料としては適当な値であるが抵抗の温度変化率（Ｔ
ＣＲ）は−０．２％／Ｋと小さいという問題点がある。
（ＴｉＯx ）薄膜は比抵抗が０．０１Ωｃｍとボロメー
タ材料としては適当な値であるが抵抗の温度変化率（Ｔ
ＣＲ）は−０．２％／Ｋと小さいという問題点がある。
【０００４】一方，図４から，スパッタ法で作製した二
酸化バナジウム（ＶＯ2 ）薄膜の室温での比抵抗は約１
０Ωｃｍ，室温でのＴＣＲは約−３．５％である。これ
はボロメータ材料としては非常に優れた特性を有してい
る。
酸化バナジウム（ＶＯ2 ）薄膜の室温での比抵抗は約１
０Ωｃｍ，室温でのＴＣＲは約−３．５％である。これ
はボロメータ材料としては非常に優れた特性を有してい
る。
【０００５】しかしながら，二酸化バナジウム（Ｖ
Ｏ2 ）は，約７０℃で金属−半導体転移が起こるため高
温領域で使用するボロメータ型赤外線センサ材料として
は不適当である。この転移は，結晶の構造変化によるも
のであって，変形を伴うことが知られている（光石：エ
レクトロセラミックス（１９７４）第４４頁，参照）。
二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）は，定温相においてはＶ4+
が２個ずつ対をなした単斜晶系で半導体的性質を，高温
相においてはＶ4+が等間隔にＣ軸方向に並んだルチル構
造（正方晶系）で金属的性質を示す。図５に図４に示し
た二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）の低温相におけるＸ線回
折パターンを示す。このパターンは，ＪＣＰＤＳ（Join
t Comittee on Powder Diffraction Standard)カードに
おける４３−１０５１のパターンによく一致する。
Ｏ2 ）は，約７０℃で金属−半導体転移が起こるため高
温領域で使用するボロメータ型赤外線センサ材料として
は不適当である。この転移は，結晶の構造変化によるも
のであって，変形を伴うことが知られている（光石：エ
レクトロセラミックス（１９７４）第４４頁，参照）。
二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）は，定温相においてはＶ4+
が２個ずつ対をなした単斜晶系で半導体的性質を，高温
相においてはＶ4+が等間隔にＣ軸方向に並んだルチル構
造（正方晶系）で金属的性質を示す。図５に図４に示し
た二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）の低温相におけるＸ線回
折パターンを示す。このパターンは，ＪＣＰＤＳ（Join
t Comittee on Powder Diffraction Standard)カードに
おける４３−１０５１のパターンによく一致する。
【０００６】したがって，二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）
をボロメータ型赤外線センサに用いると，約７０℃以下
では問題ないが，それ以上の温度では使用できない。ま
た，転移点において，構造変化による体積変化を伴うた
め，約７０℃以上までを対象とした温度サイクル試験を
行うと，クラックや剥離の原因となり，信頼性が低くな
るという問題点が生じる。
をボロメータ型赤外線センサに用いると，約７０℃以下
では問題ないが，それ以上の温度では使用できない。ま
た，転移点において，構造変化による体積変化を伴うた
め，約７０℃以上までを対象とした温度サイクル試験を
行うと，クラックや剥離の原因となり，信頼性が低くな
るという問題点が生じる。
【０００７】そこで，本発明の技術的課題は，酸化バナ
ジウムの中で二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）と同程度の比
抵抗の温度変化率を有し，かつ氷点下温度から１００℃
を超える温度範囲まで結晶構造の変化を伴わない，つま
り金属−半導体転移を起こさない酸化バナジウム薄膜を
ボロメータ型赤外線センサ用材料として用いることによ
りクラックも剥離も起こさず，かつ１００℃以上の高温
まで使用できる酸化バナジウム薄膜とそれを用いたボロ
メータ型赤外線センサとを提供することにある。
ジウムの中で二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）と同程度の比
抵抗の温度変化率を有し，かつ氷点下温度から１００℃
を超える温度範囲まで結晶構造の変化を伴わない，つま
り金属−半導体転移を起こさない酸化バナジウム薄膜を
ボロメータ型赤外線センサ用材料として用いることによ
りクラックも剥離も起こさず，かつ１００℃以上の高温
まで使用できる酸化バナジウム薄膜とそれを用いたボロ
メータ型赤外線センサとを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，ボロメ
ータ型赤外線センサに用いる酸化バナジウム薄膜におい
て，前記酸化バナジウムをＶＯx と表したときにｘの範
囲が１．８７５＜ｘ＜２．０を満たすことを特徴とする
酸化バナジウム薄膜が得られる。
ータ型赤外線センサに用いる酸化バナジウム薄膜におい
て，前記酸化バナジウムをＶＯx と表したときにｘの範
囲が１．８７５＜ｘ＜２．０を満たすことを特徴とする
酸化バナジウム薄膜が得られる。
【０００９】また，本発明によれば，前記酸化バナジウ
ム薄膜において，−３０℃〜１３０℃の範囲において，
金属−半導体転移を伴なわず，且つ−１％／Ｋを超える
２５℃での比抵抗の温度変化率を備えていることを特徴
とする酸化バナジウム薄膜が得られる。
ム薄膜において，−３０℃〜１３０℃の範囲において，
金属−半導体転移を伴なわず，且つ−１％／Ｋを超える
２５℃での比抵抗の温度変化率を備えていることを特徴
とする酸化バナジウム薄膜が得られる。
【００１０】さらに，本発明によれば，前記したうちの
いずれかの酸化バナジウム薄膜を半導体基板上に形成し
てなることを特徴とするボロメータ型赤外線センサが得
られる。
いずれかの酸化バナジウム薄膜を半導体基板上に形成し
てなることを特徴とするボロメータ型赤外線センサが得
られる。
【００１１】ここで，本発明を更に具体的に説明する。
本発明における酸化バナジウム薄膜は，Ｘ線回折によっ
て調べるとＪＣＰＤＳカードにおける３１−１４３８の
二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）に一致する。しかしこれ
は，先の図４及び図５に示した二酸化バナジウム（ＶＯ
2 ）とは明らかに異なるものである。一般に，酸化バナ
ジウムは，不定比酸化物となり得るので，本発明におけ
る酸化バナジウムは，ＪＣＰＤＳカードには「二酸化バ
ナジウム」と示されているが，本発明における酸化バナ
ジウムをＶＯx と表したときのｘは二酸化バナジウムに
おける２からは若干外れている可能性がある。しかし，
酸化バナジウムでｘ＝１．８７５（Ｖ8 Ｏ15）の場合は
二酸化バナジウムの結晶構造，比抵抗の温度特性とは明
らかに異なるマグネリ相と呼ばれる相として知られてい
るので，ｘの値はこれよりも大きいことは確かである。
本発明における酸化バナジウム薄膜は，Ｘ線回折によっ
て調べるとＪＣＰＤＳカードにおける３１−１４３８の
二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）に一致する。しかしこれ
は，先の図４及び図５に示した二酸化バナジウム（ＶＯ
2 ）とは明らかに異なるものである。一般に，酸化バナ
ジウムは，不定比酸化物となり得るので，本発明におけ
る酸化バナジウムは，ＪＣＰＤＳカードには「二酸化バ
ナジウム」と示されているが，本発明における酸化バナ
ジウムをＶＯx と表したときのｘは二酸化バナジウムに
おける２からは若干外れている可能性がある。しかし，
酸化バナジウムでｘ＝１．８７５（Ｖ8 Ｏ15）の場合は
二酸化バナジウムの結晶構造，比抵抗の温度特性とは明
らかに異なるマグネリ相と呼ばれる相として知られてい
るので，ｘの値はこれよりも大きいことは確かである。
【００１２】また，本発明における酸化バナジウム薄膜
の還元処理条件よりも高い温度（４５０℃）で還元処理
を行った場合には，Ｖ2 Ｏ3 単相膜となる。反対に低い
温度（３５０℃）で還元処理を行った場合には，典型的
なＶＯ2 （ＪＣＰＤＳ４３−１０５１）が現れることか
ら，本発明における酸化バナジウムをＶＯx と表したと
きにｘの値は２よりも小さいと推定される。
の還元処理条件よりも高い温度（４５０℃）で還元処理
を行った場合には，Ｖ2 Ｏ3 単相膜となる。反対に低い
温度（３５０℃）で還元処理を行った場合には，典型的
なＶＯ2 （ＪＣＰＤＳ４３−１０５１）が現れることか
ら，本発明における酸化バナジウムをＶＯx と表したと
きにｘの値は２よりも小さいと推定される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１４】本発明の実施の一形態による酸化バナジウ
ム薄膜を以下の方法によって製造した。
ム薄膜を以下の方法によって製造した。
【００１５】まず，シリコン（Ｓｉ）のウエハ（１００
面）上に，熱酸化膜を２００ｎｍ形成し，その（Ｓｉ／
ＳｉＯ2 基板）上に酸化バナジウム薄膜をゾルゲル法ま
たはスパッタ法で１００ｎｍ形成し，さらに拡散炉で酸
素を流しながら４５０℃で１時間熱処理することによっ
て五酸化バナジウム（Ｖ2 Ｏ5 ）薄膜を得た。形成した
Ｖ2 Ｏ5 膜を拡散炉中でアルゴン−水素混合ガス（水素
３０％）を０．５１／ｍｉｎ流しながら４００℃で８時
間還元処理を行った。還元された酸化バナジウム薄膜の
同定のためにＸ線回折を行った。図１は得られた酸化バ
ナジウム薄膜のＸ線回折パターンを示している。
面）上に，熱酸化膜を２００ｎｍ形成し，その（Ｓｉ／
ＳｉＯ2 基板）上に酸化バナジウム薄膜をゾルゲル法ま
たはスパッタ法で１００ｎｍ形成し，さらに拡散炉で酸
素を流しながら４５０℃で１時間熱処理することによっ
て五酸化バナジウム（Ｖ2 Ｏ5 ）薄膜を得た。形成した
Ｖ2 Ｏ5 膜を拡散炉中でアルゴン−水素混合ガス（水素
３０％）を０．５１／ｍｉｎ流しながら４００℃で８時
間還元処理を行った。還元された酸化バナジウム薄膜の
同定のためにＸ線回折を行った。図１は得られた酸化バ
ナジウム薄膜のＸ線回折パターンを示している。
【００１６】次に，還元処理によって得られた酸化バナ
ジウム薄膜の表面に，銀ペーストで電極を形成し，これ
を恒温槽に入れて槽内の温度を−３０℃〜１３０℃まで
変化させながら４端子法で薄膜の抵抗値の温度依存性を
求めた。
ジウム薄膜の表面に，銀ペーストで電極を形成し，これ
を恒温槽に入れて槽内の温度を−３０℃〜１３０℃まで
変化させながら４端子法で薄膜の抵抗値の温度依存性を
求めた。
【００１７】図２は，この酸化バナジウム薄膜の抵抗値
の温度依存性を示している。図２に示すように，−３０
℃〜１３０℃の温度範囲で単調に増加する傾向を示して
いる。
の温度依存性を示している。図２に示すように，−３０
℃〜１３０℃の温度範囲で単調に増加する傾向を示して
いる。
【００１８】また，高温Ｘ線回折装置によって室温から
２００℃での酸化バナジウム薄膜の回折パターンを測定
し，結晶構造の変化を調べた。その結果を図３に示す。
２００℃での酸化バナジウム薄膜の回折パターンを測定
し，結晶構造の変化を調べた。その結果を図３に示す。
【００１９】次に，図１乃至図３を参照しながら，製造
された本発明の実施の一形態による酸化バナジウム薄膜
について説明する。また，先に述べた図４及び図５は二
酸化バナジウム薄膜のＸ線回折パターンおよび抵抗の温
度特性の文献値を示しているが比較のために参照する。
された本発明の実施の一形態による酸化バナジウム薄膜
について説明する。また，先に述べた図４及び図５は二
酸化バナジウム薄膜のＸ線回折パターンおよび抵抗の温
度特性の文献値を示しているが比較のために参照する。
【００２０】図１から明らかなように，本発明の実施の
一形態による酸化バナジウム薄膜は，室温での比抵抗が
約０．２Ωｃｍ，抵抗の温度変化率（ＴＣＲ）は−１．
６％／Ｋであった。一方，図４からスパッタ法で作製し
た比較例に係る二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）薄膜の室温
での比抵抗は約１０Ωｃｍ，室温でのＴＣＲは約−３．
５％であることがわかる。しかし，図４から，ＶＯ2 薄
膜では６５℃付近に金属−半導体転移があり，抵抗が約
３桁変化している。
一形態による酸化バナジウム薄膜は，室温での比抵抗が
約０．２Ωｃｍ，抵抗の温度変化率（ＴＣＲ）は−１．
６％／Ｋであった。一方，図４からスパッタ法で作製し
た比較例に係る二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）薄膜の室温
での比抵抗は約１０Ωｃｍ，室温でのＴＣＲは約−３．
５％であることがわかる。しかし，図４から，ＶＯ2 薄
膜では６５℃付近に金属−半導体転移があり，抵抗が約
３桁変化している。
【００２１】一方，図２から本発明の実施の一形態にお
ける酸化バナジウム薄膜は，−３０℃から１３０℃まで
金属−半導体転移に伴う比抵抗の急激な変化は現れてい
ない。また，図３からは，２００℃では他のピークが現
れているものの２０℃〜１５０℃まで回折ピークに図５
と差がないことがわかる。
ける酸化バナジウム薄膜は，−３０℃から１３０℃まで
金属−半導体転移に伴う比抵抗の急激な変化は現れてい
ない。また，図３からは，２００℃では他のピークが現
れているものの２０℃〜１５０℃まで回折ピークに図５
と差がないことがわかる。
【００２２】したがって，本発明の実施の一形態におけ
る酸化バナジウム薄膜は，ＪＣＰＤＳ３１−１４３８か
らはＶＯ2 とされているが，７０℃付近に金属−半導体
転移を有するＶＯ2 薄膜とは明らかに異なるといえる。
る酸化バナジウム薄膜は，ＪＣＰＤＳ３１−１４３８か
らはＶＯ2 とされているが，７０℃付近に金属−半導体
転移を有するＶＯ2 薄膜とは明らかに異なるといえる。
【００２３】また，図２に表した本発明の実施の一形態
における酸化バナジウム薄膜は，ＶＯ2 薄膜よりも比抵
抗はおよそ２桁小さいもののＴＣＲは近い値になってい
る。また，ボロメータ型赤外線センサ材料によく使用さ
れる酸化チタン（ＴｉＯx ）薄膜におけるＴＣＲと比較
してもおよそ１桁大きい。さらに，−３０℃から１３０
℃という幅広い温度範囲で急激な比抵抗の変化がなくＴ
ＣＲが直線的に変化する。
における酸化バナジウム薄膜は，ＶＯ2 薄膜よりも比抵
抗はおよそ２桁小さいもののＴＣＲは近い値になってい
る。また，ボロメータ型赤外線センサ材料によく使用さ
れる酸化チタン（ＴｉＯx ）薄膜におけるＴＣＲと比較
してもおよそ１桁大きい。さらに，−３０℃から１３０
℃という幅広い温度範囲で急激な比抵抗の変化がなくＴ
ＣＲが直線的に変化する。
【００２４】以上，説明したように，本発明の実施の一
形態における酸化バナジウム薄膜は，Ｓｉ／ＳｉＯ2 基
板上に作製した厚さ約１００ｎｍの酸化バナジウム薄膜
において，−２５℃〜１３０℃の範囲で金属−半導体転
移を伴わなずかつ２５℃での比抵抗が０．２Ωｃｍ，お
よび室温での比抵抗の温度変化率が−１．６％／Ｋとい
う値が得られた。これによってボロメータ型赤外線セン
サ，特に氷点下温度から１００℃以上で使用でき，かつ
高温での信頼性に優れた材料を得ることができる。
形態における酸化バナジウム薄膜は，Ｓｉ／ＳｉＯ2 基
板上に作製した厚さ約１００ｎｍの酸化バナジウム薄膜
において，−２５℃〜１３０℃の範囲で金属−半導体転
移を伴わなずかつ２５℃での比抵抗が０．２Ωｃｍ，お
よび室温での比抵抗の温度変化率が−１．６％／Ｋとい
う値が得られた。これによってボロメータ型赤外線セン
サ，特に氷点下温度から１００℃以上で使用でき，かつ
高温での信頼性に優れた材料を得ることができる。
【００２５】また，本発明の実施の一形態における酸化
バナジウム薄膜は，酸化数が未同定であるものの優れた
ボロメータ型赤外線センサ材料であるといえる。
バナジウム薄膜は，酸化数が未同定であるものの優れた
ボロメータ型赤外線センサ材料であるといえる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように，本発明において
は，酸化バナジウムの中で二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）
と同程度の比抵抗の温度変化率を有し，かつ氷点下温度
から１００℃を超える温度範囲まで結晶構造の変化を伴
わない，つまり金属−半導体転移を起こさない酸化バナ
ジウム薄膜をボロメータ型赤外線センサ用材料として用
いることによりクラックも剥離も起こさず，かつ１００
℃以上の高温まで使用できる酸化バナジウム薄膜とそれ
を用いたボロメータ型赤外線センサとを提供することが
できる。
は，酸化バナジウムの中で二酸化バナジウム（ＶＯ2 ）
と同程度の比抵抗の温度変化率を有し，かつ氷点下温度
から１００℃を超える温度範囲まで結晶構造の変化を伴
わない，つまり金属−半導体転移を起こさない酸化バナ
ジウム薄膜をボロメータ型赤外線センサ用材料として用
いることによりクラックも剥離も起こさず，かつ１００
℃以上の高温まで使用できる酸化バナジウム薄膜とそれ
を用いたボロメータ型赤外線センサとを提供することが
できる。
【図１】本発明の実施の一形態における酸化バナジウム
薄膜の室温におけるＸ線回折パターンである。参考のた
めにＶＯ2 （ＪＣＰＤＳ４３−１０５８，３１−１４３
８），マグネリ相（Ｖ8 Ｏ15）（ＪＣＰＤＳ１８−１４
４８）のピーク位置を示した。
薄膜の室温におけるＸ線回折パターンである。参考のた
めにＶＯ2 （ＪＣＰＤＳ４３−１０５８，３１−１４３
８），マグネリ相（Ｖ8 Ｏ15）（ＪＣＰＤＳ１８−１４
４８）のピーク位置を示した。
【図２】本発明の実施の一形態における酸化バナジウム
薄膜の比抵抗の温度特性を示す図である。
薄膜の比抵抗の温度特性を示す図である。
【図３】本発明の実施の一形態における酸化バナジウム
薄膜の２０℃〜２００℃におけるＸ線回折パターンであ
る。
薄膜の２０℃〜２００℃におけるＸ線回折パターンであ
る。
【図４】従来の７０℃付近に金属−半導体転移を有する
ＶＯ2 薄膜の比抵抗の温度特性（文献値）を示す図であ
る。
ＶＯ2 薄膜の比抵抗の温度特性（文献値）を示す図であ
る。
【図５】比較のための図４のＶＯ2 薄膜のＸ線回折パタ
ーンを示す図（文献値）である。
ーンを示す図（文献値）である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田 直樹 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平９−145481（ＪＰ，Ａ) 特表 平７−509057（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G01J 1/02 G01J 5/02
Claims (3)
- 【請求項１】 ボロメータ型赤外線センサに用いる酸化
バナジウム薄膜において，前記酸化バナジウムをＶＯx
と表したときにｘの範囲が１．８７５＜ｘ＜２．０を満
たすことを特徴とする酸化バナジウム薄膜。 - 【請求項２】 請求項１記載の酸化バナジウム薄膜にお
いて，−３０℃〜１３０℃の範囲において，金属−半導
体転移を伴なわず，且つ−１％／Ｋを超える２５℃での
比抵抗の温度変化率を備えていることを特徴とする酸化
バナジウム薄膜。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の酸化バナジウム薄
膜を半導体基板上に形成してなることを特徴とするボロ
メータ型赤外線センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071983A JP2786151B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 酸化バナジウム薄膜及びそれを用いたボロメータ型赤外線センサ |
| US08/754,140 US5801383A (en) | 1995-11-22 | 1996-11-22 | VOX film, wherein X is greater than 1.875 and less than 2.0, and a bolometer-type infrared sensor comprising the VOX film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071983A JP2786151B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 酸化バナジウム薄膜及びそれを用いたボロメータ型赤外線センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09257565A JPH09257565A (ja) | 1997-10-03 |
| JP2786151B2 true JP2786151B2 (ja) | 1998-08-13 |
Family
ID=13476216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8071983A Expired - Lifetime JP2786151B2 (ja) | 1995-11-22 | 1996-03-27 | 酸化バナジウム薄膜及びそれを用いたボロメータ型赤外線センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2786151B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9153366B2 (en) | 2011-03-28 | 2015-10-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resistor and resistance element |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3303786B2 (ja) | 1998-08-13 | 2002-07-22 | 日本電気株式会社 | ボロメータ型赤外線センサ |
| JP3080093B2 (ja) | 1998-09-01 | 2000-08-21 | 日本電気株式会社 | ボロメータ用酸化物薄膜および該酸化物薄膜を用いた赤外線センサ |
| JP3812382B2 (ja) | 2001-08-02 | 2006-08-23 | 日本電気株式会社 | ボロメータ用酸化物薄膜とその製造方法及び赤外線センサ |
| KR20030019772A (ko) * | 2001-08-31 | 2003-03-07 | (주)니즈 | 비냉각 방식의 열 감지 센서용 바나듐 다이옥사이드박막의 제조방법 |
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