JP2776044B2 - 多値出力駆動装置 - Google Patents
多値出力駆動装置Info
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- JP2776044B2 JP2776044B2 JP3066138A JP6613891A JP2776044B2 JP 2776044 B2 JP2776044 B2 JP 2776044B2 JP 3066138 A JP3066138 A JP 3066138A JP 6613891 A JP6613891 A JP 6613891A JP 2776044 B2 JP2776044 B2 JP 2776044B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多値出力駆動装置に関
し、特に複数の電圧値を駆動する多値出力駆動装置に関
する。
し、特に複数の電圧値を駆動する多値出力駆動装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、かかる多値出力駆動装置は、プラ
ズマディスプレイ（以下ＰＤＰと称す）やエレクトロル
ミネセンス等を駆動する装置として用いられている。
ズマディスプレイ（以下ＰＤＰと称す）やエレクトロル
ミネセンス等を駆動する装置として用いられている。
【０００３】図６はかかる従来の一例を示す多値出力駆
動装置の回路図である。図６に示すように、従来の多値
出力駆動装置は、ＰＭＯＳＦＥＴおよびＮＭＯＳＦＥＴ
からなる維持信号源１と、Ｎ個のトランジスタ２７，２
８およびダイオード２９〜３１と、２個のオープンドレ
インＩＣ３２，３５とを有している。このオープンドレ
インＩＣ３２，３５はそれぞれＮＭＯＳＦＥＴ３３，制
御回路３４と、ＮＭＯＳＦＥＴ３６，制御回路３７とで
構成される。また、出力Ｏ１〜ＯｎはＡＣメモリー型Ｐ
ＤＰの走査側電極に接続される（図示省略）。
動装置の回路図である。図６に示すように、従来の多値
出力駆動装置は、ＰＭＯＳＦＥＴおよびＮＭＯＳＦＥＴ
からなる維持信号源１と、Ｎ個のトランジスタ２７，２
８およびダイオード２９〜３１と、２個のオープンドレ
インＩＣ３２，３５とを有している。このオープンドレ
インＩＣ３２，３５はそれぞれＮＭＯＳＦＥＴ３３，制
御回路３４と、ＮＭＯＳＦＥＴ３６，制御回路３７とで
構成される。また、出力Ｏ１〜ＯｎはＡＣメモリー型Ｐ
ＤＰの走査側電極に接続される（図示省略）。
【０００４】図７は図６における回路動作を説明するた
めの各種信号のタイミング図である。図７に示すよう
に、トランジスタ２７，２８に供給される維持信号２
は、ＡＣメモリーＰＤＰの放電を維持するパルスであ
り、維持信号源１で作成される。このパルス２はトラン
ジスタ２７，２８を介し出力Ｏ１〜Ｏｎに印加される。
一方、制御回路３４，３７に制御されるＮＭＯＳＦＥＴ
３３，３６がオフである時、トランジスタ２７のベース
は開放されるため、スイッチオンの状態となり、維持信
号源１からのパルス２をそのまま伝達する。また、図７
のタイミングでＮＭＯＳＦＥＴ３３（Ｔｒ３３）をオン
にすると、ダイオード３０を通してトランジスタ２７の
ベース電位を引き下げ、トランジスタ２７をオフにし、
さらにダイオード２９を通して出力Ｏ１を−ＶＥに固定
する。この電圧−ＶＥは消去パルス電圧であり、このパ
ルスでＡＣメモリーＰＤＰの維持放電を停止させる。次
に、ＮＭＯＳＦＥＴ３３をオフ状態ち戻すと、抵抗Ｒ１
を介してトランジスタ２７のベースはバイアスされる。
従って、出力Ｏ１はこの時のコレクタ電位０Ｖにまで、
抵抗Ｒ１とベースに接続される容量の時定数で比較的ゆ
っくりと立ち上る。同様にして、ＮＭＯＳＦＥＴ３６を
オンにすると、Ｏ１出力は−ＶＷまで立ち下がる。この
電圧−ＶＷは書込みパルス電圧であり、このパルスでＡ
ＣメモリーＰＤＰの維持放電を開始させる。
めの各種信号のタイミング図である。図７に示すよう
に、トランジスタ２７，２８に供給される維持信号２
は、ＡＣメモリーＰＤＰの放電を維持するパルスであ
り、維持信号源１で作成される。このパルス２はトラン
ジスタ２７，２８を介し出力Ｏ１〜Ｏｎに印加される。
一方、制御回路３４，３７に制御されるＮＭＯＳＦＥＴ
３３，３６がオフである時、トランジスタ２７のベース
は開放されるため、スイッチオンの状態となり、維持信
号源１からのパルス２をそのまま伝達する。また、図７
のタイミングでＮＭＯＳＦＥＴ３３（Ｔｒ３３）をオン
にすると、ダイオード３０を通してトランジスタ２７の
ベース電位を引き下げ、トランジスタ２７をオフにし、
さらにダイオード２９を通して出力Ｏ１を−ＶＥに固定
する。この電圧−ＶＥは消去パルス電圧であり、このパ
ルスでＡＣメモリーＰＤＰの維持放電を停止させる。次
に、ＮＭＯＳＦＥＴ３３をオフ状態ち戻すと、抵抗Ｒ１
を介してトランジスタ２７のベースはバイアスされる。
従って、出力Ｏ１はこの時のコレクタ電位０Ｖにまで、
抵抗Ｒ１とベースに接続される容量の時定数で比較的ゆ
っくりと立ち上る。同様にして、ＮＭＯＳＦＥＴ３６を
オンにすると、Ｏ１出力は−ＶＷまで立ち下がる。この
電圧−ＶＷは書込みパルス電圧であり、このパルスでＡ
ＣメモリーＰＤＰの維持放電を開始させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多値出
力駆動装置は、各出力当りディスクリートのトランジス
タ，抵抗，ダイオードを必要とし、オープンドレインド
ライバＩＣも２個必要とするため、部品数が多いという
欠点がある。また、二つのオープンドレインドライバＩ
Ｃに印加している電圧が−ＶＥと−ＶＷと異なり、各制
御回路に入力するロジック信号のレベルが異なるため、
光アイソレーション等のレベル変換回路を要する他に、
小型化且つロウコスト化が難しいという欠点がある。さ
らに、−ＶＥから０Ｖ迄の立上り及び−ＶＷから０Ｖへ
の立上りは、抵抗およびトランジスタのベースにつなが
る容量の時定数でゆっくりと立上るため、消去および書
込み動作に時間を要する。すなわち、書込みライン数を
増やせないので、維持パルスを増やして輝度を上げるこ
とが難しいという欠点がある。また更に、ダイオードＤ
１，オープンドレインドライバＩＣ３２で構成される−
ＶＥの回路は、電流を引き込むこと（ｐｕｌｌ動作）し
かできず、電流を押し出すこと（ｐｕｓｈ動作）ができ
ないため、−ＶＥよりも低い−ＶＳＵＳ，−ＶＷから−
ＶＥへ直接引き上げることができず、駆動条件が制約さ
れる。つまり、多値電圧の中の中間電圧でｐｕｓｈ−ｐ
ｕｌｌ動作できないという欠点がある。
力駆動装置は、各出力当りディスクリートのトランジス
タ，抵抗，ダイオードを必要とし、オープンドレインド
ライバＩＣも２個必要とするため、部品数が多いという
欠点がある。また、二つのオープンドレインドライバＩ
Ｃに印加している電圧が−ＶＥと−ＶＷと異なり、各制
御回路に入力するロジック信号のレベルが異なるため、
光アイソレーション等のレベル変換回路を要する他に、
小型化且つロウコスト化が難しいという欠点がある。さ
らに、−ＶＥから０Ｖ迄の立上り及び−ＶＷから０Ｖへ
の立上りは、抵抗およびトランジスタのベースにつなが
る容量の時定数でゆっくりと立上るため、消去および書
込み動作に時間を要する。すなわち、書込みライン数を
増やせないので、維持パルスを増やして輝度を上げるこ
とが難しいという欠点がある。また更に、ダイオードＤ
１，オープンドレインドライバＩＣ３２で構成される−
ＶＥの回路は、電流を引き込むこと（ｐｕｌｌ動作）し
かできず、電流を押し出すこと（ｐｕｓｈ動作）ができ
ないため、−ＶＥよりも低い−ＶＳＵＳ，−ＶＷから−
ＶＥへ直接引き上げることができず、駆動条件が制約さ
れる。つまり、多値電圧の中の中間電圧でｐｕｓｈ−ｐ
ｕｌｌ動作できないという欠点がある。
【０００６】本発明の目的は、かかる部品数の低減と、
小型化および低コスト化と、維持パルスや多値電圧の増
大とを達成することのできる多値出力駆動装置を提供す
ることにある。
小型化および低コスト化と、維持パルスや多値電圧の増
大とを達成することのできる多値出力駆動装置を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の多値出力駆動装
置は、複数の電極を持つ表示パネルを複数の電圧値で駆
動する多値出力駆動装置において、第１および第２の電
源間に直列に接続したＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴおよび
Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴと，前記Ｐチャネル型ＭＯＳ
ＦＥＴおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴの接続点並びに
前記第１および第２の電源の中間電圧を供給する第３の
電源間に接続した双方向性スイッチを形成するための２
つのＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴと，前記Ｐチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ並びに前記
２つのＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴを制御するためのレベ
ル変換器とを複数組備え、前記Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥ
ＴおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴの接続点を出力端子
とする複数の多値出力ドライバＩＣを１つの半導体基板
上に搭載して構成される。
置は、複数の電極を持つ表示パネルを複数の電圧値で駆
動する多値出力駆動装置において、第１および第２の電
源間に直列に接続したＰチャネル型ＭＯＳＦＥＴおよび
Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴと，前記Ｐチャネル型ＭＯＳ
ＦＥＴおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴの接続点並びに
前記第１および第２の電源の中間電圧を供給する第３の
電源間に接続した双方向性スイッチを形成するための２
つのＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴと，前記Ｐチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ並びに前記
２つのＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴを制御するためのレベ
ル変換器とを複数組備え、前記Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥ
ＴおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴの接続点を出力端子
とする複数の多値出力ドライバＩＣを１つの半導体基板
上に搭載して構成される。
【０００８】
【０００９】
【実施例】次に、本発明の関連技術および実施例につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１０】図１は本発明の関連技術を示す多値出力駆
動装置の回路図である。図１に示すように、本発明の関
連技術は、電源−ＶＳＵＳと接地間に直列接続したＰチ
ャネル型ＭＯＳＦＥＴ（ＰＭＯＳ）およびＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳ）からなり且つそれらの接続点か
ら維持信号２を出力する維持信号源１と、各種電源−Ｖ
Ｅ，−ＶＷ，−ＶＷ＋５，ＶＤＤおよび制御入力１３の
供給を受けＯ１〜Ｏｎに各種の電圧値を出力する多値出
力ドライバＩＣ３とを有する。この多値出力ドライバＩ
Ｃ３は１つの半導体基板上に形成され、ｎ個の出力Ｏ１
〜Ｏｎの各出力部、例えば出力Ｏ１は駆動ＭＯＳＦＥＴ
７〜９とそれらを駆動するレベル変換器４〜６とそれら
を制御する制御回路１２及びマトリクスダイオード１
０，１１とを有している。また、制御入力１３は−ＶＷ
を基準とした５Ｖ振幅の信号を入力し、制御回路１２は
Ｏ１ａ〜Ｏ１ｃ信号を出力する。また、レベル変換器４
〜６は−ＶＷ〜−ＶＷ＋５Ｖの振幅を−ＶＷ〜ＶＤＤの
振幅に変換し、駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９のゲートに入力
する。これら駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９はゲート酸化膜を
厚くして高耐圧化し、−ＶＷ〜ＶＤＤの高電圧振幅に耐
えられるように設定される。
動装置の回路図である。図１に示すように、本発明の関
連技術は、電源−ＶＳＵＳと接地間に直列接続したＰチ
ャネル型ＭＯＳＦＥＴ（ＰＭＯＳ）およびＮチャネルＭ
ＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳ）からなり且つそれらの接続点か
ら維持信号２を出力する維持信号源１と、各種電源−Ｖ
Ｅ，−ＶＷ，−ＶＷ＋５，ＶＤＤおよび制御入力１３の
供給を受けＯ１〜Ｏｎに各種の電圧値を出力する多値出
力ドライバＩＣ３とを有する。この多値出力ドライバＩ
Ｃ３は１つの半導体基板上に形成され、ｎ個の出力Ｏ１
〜Ｏｎの各出力部、例えば出力Ｏ１は駆動ＭＯＳＦＥＴ
７〜９とそれらを駆動するレベル変換器４〜６とそれら
を制御する制御回路１２及びマトリクスダイオード１
０，１１とを有している。また、制御入力１３は−ＶＷ
を基準とした５Ｖ振幅の信号を入力し、制御回路１２は
Ｏ１ａ〜Ｏ１ｃ信号を出力する。また、レベル変換器４
〜６は−ＶＷ〜−ＶＷ＋５Ｖの振幅を−ＶＷ〜ＶＤＤの
振幅に変換し、駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９のゲートに入力
する。これら駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９はゲート酸化膜を
厚くして高耐圧化し、−ＶＷ〜ＶＤＤの高電圧振幅に耐
えられるように設定される。
【００１１】図２は図１に示すレベル変換器の回路図で
あり、図３は図１における回路動作を説明するための各
種信号のタイミング図である。図２および図３に示すよ
うに、駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９はＴｒ７〜Ｔｒ９に示す
ようなタイミングでオン・オフ動作する。このような高
耐圧ＩＣは、近年のＩＣ技術の進歩により、集積度が高
く出力数の多いものが安価に生産できるようになってい
る。
あり、図３は図１における回路動作を説明するための各
種信号のタイミング図である。図２および図３に示すよ
うに、駆動ＭＯＳＦＥＴ７〜９はＴｒ７〜Ｔｒ９に示す
ようなタイミングでオン・オフ動作する。このような高
耐圧ＩＣは、近年のＩＣ技術の進歩により、集積度が高
く出力数の多いものが安価に生産できるようになってい
る。
【００１２】さらに、このような完全ＣＭＯＳ（相補型
ＭＯＳ）構成をとることによって、高速スイッチングお
よび低消費電力化が実現できる。すなわち、図１におい
て、維持信号源１をＩＣ外部に設け、外部で維持信号
（パルス）２を作っているのは、この維持パルス２が全
出力に常時入っているため消費電力が大きく、この発熱
をＩＣ外部で消費させるためである。この維持信号源１
の部分には、各種の回路が用いられる。
ＭＯＳ）構成をとることによって、高速スイッチングお
よび低消費電力化が実現できる。すなわち、図１におい
て、維持信号源１をＩＣ外部に設け、外部で維持信号
（パルス）２を作っているのは、この維持パルス２が全
出力に常時入っているため消費電力が大きく、この発熱
をＩＣ外部で消費させるためである。この維持信号源１
の部分には、各種の回路が用いられる。
【００１３】図４（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１に示す
維持信号源に用いた無効電力回収回路図およびその信号
のタイミング図である。図４（ａ），（ｂ）に示すよう
に、この無効電力回収回路は、ＰＭＯＳ１４，２０およ
びＮＭＯＳ１５〜１７，２０と、ツエナーダイオードＺ
Ｄ１，ＺＤ２と、ダイオード１８，１９と、容量Ｃ１お
よび電源ＶＧと、インダクタＬとで構成される。かかる
インダクタＬとコンデンサＣ１により容量性負荷Ｃ２で
消費される無効電力を回収することができ、低電力で小
型かつロウコストの駆動システムを構築できる。
維持信号源に用いた無効電力回収回路図およびその信号
のタイミング図である。図４（ａ），（ｂ）に示すよう
に、この無効電力回収回路は、ＰＭＯＳ１４，２０およ
びＮＭＯＳ１５〜１７，２０と、ツエナーダイオードＺ
Ｄ１，ＺＤ２と、ダイオード１８，１９と、容量Ｃ１お
よび電源ＶＧと、インダクタＬとで構成される。かかる
インダクタＬとコンデンサＣ１により容量性負荷Ｃ２で
消費される無効電力を回収することができ、低電力で小
型かつロウコストの駆動システムを構築できる。
【００１４】上述した関連技術によれば、多値出力ドラ
イバＩＣ３で耐圧２５０Ｖ，出力電流２００ｍＡ，出力
数３２程度のものは、６×７ｍｍ平方程度のペレットに
収める事ができ、モールド封止をして１個数百円程度で
大量生産できる。また、走査側ライン数５１２本のカラ
ーＡＣとメモリーＰＤＰを駆動する場合、従来５１２回
路分のディスクリート部品を必要としたのに対し、本関
連技術によれば、１６個のドライバーＩＣ３で実現する
ことができる。
イバＩＣ３で耐圧２５０Ｖ，出力電流２００ｍＡ，出力
数３２程度のものは、６×７ｍｍ平方程度のペレットに
収める事ができ、モールド封止をして１個数百円程度で
大量生産できる。また、走査側ライン数５１２本のカラ
ーＡＣとメモリーＰＤＰを駆動する場合、従来５１２回
路分のディスクリート部品を必要としたのに対し、本関
連技術によれば、１６個のドライバーＩＣ３で実現する
ことができる。
【００１５】図５（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の実
施例を説明するための多値出力駆動装置の回路図および
その入出力信号のタイミング図である。図５（ａ），
（ｂ）に示すように、本実施例が前述した関連技術と比
較して異る点は、ダイオードマトリクスを用いずにＮＭ
ＯＳ２４，２５からなる双方向性スイッチを用いる点に
ある。この双方向性スイッチはダイオードマトリクスに
比べ若干ペレットサイズが増大するものの、電圧Ｖ０，
Ｖ２間の中間電圧Ｖ１のｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ動作が可能
になるという利点がある。また、Ｏ１ａ〜Ｏ１ｃはそれ
ぞれレベル変換器４〜６に供給する入力であり、２３は
ＰＭＯＳ，２６はＮＭＯＳである。このため、出力Ｏ１
〜Ｏｎの各々にＶ０〜Ｖ２の各種電圧を出力する。
施例を説明するための多値出力駆動装置の回路図および
その入出力信号のタイミング図である。図５（ａ），
（ｂ）に示すように、本実施例が前述した関連技術と比
較して異る点は、ダイオードマトリクスを用いずにＮＭ
ＯＳ２４，２５からなる双方向性スイッチを用いる点に
ある。この双方向性スイッチはダイオードマトリクスに
比べ若干ペレットサイズが増大するものの、電圧Ｖ０，
Ｖ２間の中間電圧Ｖ１のｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ動作が可能
になるという利点がある。また、Ｏ１ａ〜Ｏ１ｃはそれ
ぞれレベル変換器４〜６に供給する入力であり、２３は
ＰＭＯＳ，２６はＮＭＯＳである。このため、出力Ｏ１
〜Ｏｎの各々にＶ０〜Ｖ２の各種電圧を出力する。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多値出力
駆動装置は、制御回路，レベル変換器，駆動ＭＯＳＦＥ
Ｔを一つのＩＣペレットに一体化することにより、部品
点数を削減し、大幅に小型化できるという効果がある。
また、本発明は制御入力が−ＶＷを基準とする５Ｖの振
幅の信号を入力するだけてよく、制御系の基準を−ＶＷ
に設定すればアイソレーションも必要としないので、大
量生産でき、低コスト化を実現できるという効果があ
る。さらに、本発明は維持信号源に無効電力回収回路を
使用することにより、無効電力の９０％近くを回収で
き、小型の信号源を使うことができるので、システム全
体として大幅に小型且つ軽量化できるという効果があ
る。また、本発明は駆動条件が制約されることもなく、
維持パルスや多値電圧の増大を実現できるという効果が
ある。
駆動装置は、制御回路，レベル変換器，駆動ＭＯＳＦＥ
Ｔを一つのＩＣペレットに一体化することにより、部品
点数を削減し、大幅に小型化できるという効果がある。
また、本発明は制御入力が−ＶＷを基準とする５Ｖの振
幅の信号を入力するだけてよく、制御系の基準を−ＶＷ
に設定すればアイソレーションも必要としないので、大
量生産でき、低コスト化を実現できるという効果があ
る。さらに、本発明は維持信号源に無効電力回収回路を
使用することにより、無効電力の９０％近くを回収で
き、小型の信号源を使うことができるので、システム全
体として大幅に小型且つ軽量化できるという効果があ
る。また、本発明は駆動条件が制約されることもなく、
維持パルスや多値電圧の増大を実現できるという効果が
ある。
【図１】本発明の関連技術を示す多値出力駆動装置の回
路図である。
路図である。
【図２】図１に示すレベル変換器の回路図である。
【図３】図１における回路動作を説明するための各種信
号のタイミング図である。
号のタイミング図である。
【図４】図１に示す維持信号源に用いた無効電力回収回
路および信号のタイミングを示す図である。
路および信号のタイミングを示す図である。
【図５】本発明の実施例を説明するための多値出力駆動
装置の回路および入出力信号のタイミングを示す図であ
る。
装置の回路および入出力信号のタイミングを示す図であ
る。
【図６】従来の一例を示す多値出力駆動装置の回路図で
ある。
ある。
【図７】図６における回路動作を説明するための各種信
号のタイミング図である。
号のタイミング図である。
１ 維持信号源 ３ 多値出力ドライバＩＣ ４〜６ レベル変換器 ７，１４，２０，２３ ＰＭＯＳＦＥＴ ８，９，１５〜１７，２１，２４〜２６ ＮＭＯＳＦ
ＥＴ １０，１１，１８，１９ ダイオード １２ 制御回路 １３ 制御入力 ２２ 出力端子
ＥＴ １０，１１，１８，１９ ダイオード １２ 制御回路 １３ 制御入力 ２２ 出力端子
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の電極を持つ表示パネルを複数の電
圧値で駆動する多値出力駆動装置において、第１および
第２の電源間に直列に接続したＰチャネル型ＭＯＳＦＥ
ＴおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴと，前記Ｐチャネル
型ＭＯＳＦＥＴおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴの接続
点並びに前記第１および第２の電源の中間電圧を供給す
る第３の電源間に接続した双方向性スイッチを形成する
ための２つのＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴと，前記Ｐチャ
ネル型ＭＯＳＦＥＴおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴ並
びに前記２つのＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴを制御するた
めのレベル変換器とを複数組備え、前記Ｐチャネル型Ｍ
ＯＳＦＥＴおよびＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴの接続点を
出力端子とする複数の多値出力ドライバＩＣを１つの半
導体基板上に搭載したことを特徴とする多値出力駆動装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066138A JP2776044B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 多値出力駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066138A JP2776044B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 多値出力駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04301676A JPH04301676A (ja) | 1992-10-26 |
| JP2776044B2 true JP2776044B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=13307206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3066138A Expired - Fee Related JP2776044B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 多値出力駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2776044B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2891280B2 (ja) * | 1993-12-10 | 1999-05-17 | 富士通株式会社 | 平面表示装置の駆動装置及び駆動方法 |
| JP2755230B2 (ja) * | 1995-09-27 | 1998-05-20 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイパネル駆動回路の制御方法 |
| JP2003228320A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイ装置 |
| KR100750277B1 (ko) * | 2006-01-06 | 2007-08-20 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 및 그 구동 방법 |
| JP5169348B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2013-03-27 | 株式会社デンソー | 駆動装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2637977B2 (ja) * | 1987-04-16 | 1997-08-06 | セイコーエプソン株式会社 | ドライバ回路及びその駆動方法 |
| JPH0281090A (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-22 | Hitachi Ltd | 電力回収回路 |
| JPH04127192A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Fujitsu Ltd | ガス放電表示駆動回路 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3066138A patent/JP2776044B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04301676A (ja) | 1992-10-26 |
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