JP2774623B2 - Inner lead bonding apparatus and inner lead bonding method - Google Patents

Inner lead bonding apparatus and inner lead bonding method

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JP2774623B2
JP2774623B2 JP30070689A JP30070689A JP2774623B2 JP 2774623 B2 JP2774623 B2 JP 2774623B2 JP 30070689 A JP30070689 A JP 30070689A JP 30070689 A JP30070689 A JP 30070689A JP 2774623 B2 JP2774623 B2 JP 2774623B2
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film carrier
bonding
inner lead
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semiconductor chip
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、例えば、TAB(Tape Automated Bonding)
方式を採用したインナリードボンディング装置及びイン
ナリードボンディング方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to, for example, TAB (Tape Automated Bonding).
The present invention relates to an inner lead bonding apparatus and an inner lead bonding method adopting a method.

(従来の技術) 一般に、第2図に示すような、TAB(Tape Automated
Bonding)方式を採用したインナリードボンディング装
置1が知られている。すなわち、このインナリードボン
ディング装置1はシネフィルム状のフィルムキャリア2
を、供給側モータ3により駆動される供給リール4から
引出し、装置上の所定位置を通過させて、巻取側モータ
5により駆動される巻取リール6に巻取るようになって
いる。
(Prior Art) Generally, as shown in FIG. 2, TAB (Tape Automated
An inner lead bonding apparatus 1 employing a bonding method is known. That is, the inner lead bonding apparatus 1 is a cine-film-like film carrier 2.
From the supply reel 4 driven by the supply motor 3, passes through a predetermined position on the apparatus, and is wound on a take-up reel 6 driven by the take-up motor 5.

さらに、このインナリードボンディング装置1は、ガ
イド部材としての複数のガイドローラ7…、8a、8bやス
プロケット9a、9b等を有している。そして、フィルムキ
ャリア2を、これらガイドローラ7…、8a、8bおよびス
プロケット9a、9b等にフィルムキャリア2のフィルム面
を接触させながら、且つボンディング機構部10を略水平
に通過するよう、ローダ側とアンローダ側との間の搬送
路11で走行させる。
Further, the inner lead bonding apparatus 1 has a plurality of guide rollers 7,..., 8a, 8b and sprockets 9a, 9b as guide members. Then, the film carrier 2 is brought into contact with the loader side such that the film surface of the film carrier 2 is brought into contact with the guide rollers 7..., 8a, 8b and the sprockets 9a, 9b while passing the bonding mechanism 10 substantially horizontally. It is made to travel on the transport path 11 between the unloader.

そして、インナリードボンディング装置1は上記ボン
ディング機構部10で、フィルムキャリア2のインナリー
ド(フィンガリード)に、半導体チップ(ICペレット)
12を接合する。
Then, the inner lead bonding apparatus 1 uses the bonding mechanism 10 to attach a semiconductor chip (IC pellet) to the inner lead (finger lead) of the film carrier 2.
Join 12

つまり、インナリードボンディング装置1は、ボンデ
ィング機構部10においてテープガイド13によりフィルム
キャリア2を案内するとともに、フィルムキャリア2に
リードパターンを形成したインナリードを、ボンディン
グ機構部10で一旦停止させる。そして、加熱され高温に
保たれたボンディングツール14を下降させ、このボンデ
ィングツール14でインナリードを押え付ける。
That is, the inner lead bonding apparatus 1 guides the film carrier 2 by the tape guide 13 in the bonding mechanism unit 10 and temporarily stops the inner lead having the lead pattern formed on the film carrier 2 by the bonding mechanism unit 10. Then, the bonding tool 14, which is heated and kept at a high temperature, is lowered, and the inner lead is pressed down by the bonding tool 14.

そして、インナリードボンディング装置1は、ボンデ
ィングステージ15に載置されインナリードに対して位置
合わせされた半導体チップ12の電極に上記インナリード
を圧着させ、インナリードと電極とを接合し、半導体チ
ップ12をフィルムキャリア2に装着する。そして、フィ
ルムキャリア2を走行させることにより、インナリード
ボンディングされた半導体チップ12を巻取リール6の側
に搬送するとともに、インナリードを順次ボンディング
機構部10に供給する。
Then, the inner lead bonding apparatus 1 presses the inner lead on the electrode of the semiconductor chip 12 placed on the bonding stage 15 and positioned with respect to the inner lead, and joins the inner lead and the electrode. Is mounted on the film carrier 2. By running the film carrier 2, the semiconductor chip 12 subjected to the inner lead bonding is transported to the take-up reel 6 side, and the inner leads are sequentially supplied to the bonding mechanism unit 10.

さらに、第2図中に16で示すのはスペーサテープであ
る。このスペーサテープ16は供給リール4および巻取リ
ール6に、フィルムキャリア2と互いに重なり合うよう
にして巻回されるもので、各リール4、6において、周
回したフィルムキャリア2が重なり合いインナリードに
変形を生じること等を防止するものである。そして、ス
ペーサテープ16は、供給リール4からフィルムキャリア
2とは異なる方向に導出され、スペーサテープ用のガイ
ドローラ17…に案内されて巻取リール6に達するように
なっている。
In FIG. 2, reference numeral 16 denotes a spacer tape. The spacer tape 16 is wound around the supply reel 4 and the take-up reel 6 so as to overlap with the film carrier 2. In each of the reels 4 and 6, the circling film carrier 2 overlaps and deforms the inner lead. This is to prevent the occurrence of such a situation. The spacer tape 16 is drawn out of the supply reel 4 in a direction different from that of the film carrier 2, and is guided by spacer tape guide rollers 17 to reach the take-up reel 6.

(発明が解決しようとする課題) ところで、上述のような従来のインナリードボンディ
ング装置1では、フィルムキャリア2やスペーサテープ
16が各種のガイドローラやスプロケットと接触してお
り、フィルムキャリア2やスペーサテープ16の走行時
に、摩擦等によって静電気が発生することがある。
(Problems to be Solved by the Invention) By the way, in the conventional inner lead bonding apparatus 1 as described above, the film carrier 2 and the spacer tape
16 is in contact with various guide rollers and sprockets, and static electricity may be generated due to friction or the like when the film carrier 2 or the spacer tape 16 runs.

そして、静電気量が過大になった場合や、静電気を帯
びた物や人等がインナリードボンディング装置1に接近
した場合には、上記静電気によって、半導体チップ12と
インナリードとの接合部に埃やごみ等が付着して接合不
良が生じたり、半導体チップ12の回路を破壊されたりす
ることがあった。
When the amount of static electricity becomes excessive, or when an object or person carrying static electricity approaches the inner lead bonding apparatus 1, the static electricity causes dust or dirt on the joint between the semiconductor chip 12 and the inner lead. In some cases, dust or the like may adhere to the semiconductor chip 12 to cause defective bonding, or the circuit of the semiconductor chip 12 may be broken.

本発明の目的とするところは、静電気を原因とする接
合不良や回路破壊等の発生を防止することが可能なイン
ナリードボンディング装置及びインナリードボンディン
グ方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an inner lead bonding apparatus and an inner lead bonding method that can prevent occurrence of bonding failure, circuit destruction, and the like due to static electricity.

[発明の構成] (課題を解決するための手段および作用) 請求項1の発明は、フィルムキャリアをガイド部材を
介して走行させ、上記フィルムキャリアに形成されたイ
ンナリードに半導体チップをボンディングするインナリ
ードボンディング装置において、非接触式の静電気検出
用装置と、この静電気検出用装置の出力に基づきボンデ
ィング動作を制御する制御部とを有することを特徴とす
るインナリードボンディング装置にある。
[Structure of the Invention] (Means and Actions for Solving the Problems) The invention according to claim 1 is an invention in which a film carrier travels through a guide member and a semiconductor chip is bonded to an inner lead formed on the film carrier. An inner lead bonding apparatus comprising a non-contact type electrostatic detection device and a control unit for controlling a bonding operation based on an output of the electrostatic detection device.

請求項2の発明は、フィルムキャリアが搬送される搬
送路に、フィルムキャリアの搬送をガイドする複数のガ
イド部材を配置するとともに、この搬送路の途中にボン
ディング機構を配置し、上記ガイド部材を介して上記搬
送路を搬送される上記フィルムキャリアに上記ボンディ
ング機構を介して半導体チップをボンディングすること
により半導体装置を製造するインナリードボンディング
方法において、非接触式の静電気検出用装置により、上
記フィルムキャリアに帯電した静電気量を検出し、この
検出結果に基づいてボンディング動作を制御して半導体
装置を製造することを特徴とするインナリードボンディ
ング方法にある。
According to the invention of claim 2, a plurality of guide members for guiding the transport of the film carrier are arranged on a transport path on which the film carrier is transported, and a bonding mechanism is disposed in the middle of the transport path, and the guide mechanism is provided via the guide member. In the inner lead bonding method for manufacturing a semiconductor device by bonding a semiconductor chip to the film carrier conveyed through the conveyance path via the bonding mechanism, a non-contact type electrostatic detection device may be used to attach the film carrier to the film carrier. An inner lead bonding method is characterized in that a semiconductor device is manufactured by detecting an amount of charged static electricity and controlling a bonding operation based on the detection result.

請求項3の発明は、フィルムキャリアが搬送される搬
送路に、フィルムキャリアの搬送をガイドする複数のガ
イド部材を配置するとともに、この搬送路の途中にボン
ディング機構を配置し、上記ガイド部材を介して上記搬
送路を搬送される上記フィルムキャリアに上記ボンディ
ング機構を介して半導体チップをボンディングすること
により半導体装置を製造するインナリードボンディング
方法において、非接触式の静電気検出用装置により、上
記半導体チップがボンディングされた上記フィルムキャ
リアを巻き取る際に上記フィルムキャリアと重ね合わさ
れて巻き取られるスペーサテープに帯電した静電気量を
検出し、この検出結果に基づいてボンディング動作を制
御して半導体装置を製造することを特徴とするインナリ
ードボンディング方法にある。
According to a third aspect of the present invention, a plurality of guide members for guiding the transport of the film carrier are disposed on a transport path on which the film carrier is transported, and a bonding mechanism is disposed in the middle of the transport path, and the guide mechanism is provided via the guide member. In the inner lead bonding method of manufacturing a semiconductor device by bonding a semiconductor chip to the film carrier conveyed through the conveyance path via the bonding mechanism, the semiconductor chip is formed by a non-contact type electrostatic detection device. Manufacturing a semiconductor device by detecting the amount of static electricity charged on a spacer tape that is wound upon being superimposed on the film carrier when winding the bonded film carrier, and controlling the bonding operation based on the detection result; Inner lead bonding method Located in.

請求項4の発明は、フィルムキャリアが搬送される搬
送路に、フィルムキャリアの搬送をガイドする複数のガ
イド部材を配置するとともに、この搬送路の途中にボン
ディング機構を配置し、上記ガイド部材を介して上記搬
送路を搬送される上記フィルムキャリアに上記ボンディ
ング機構を介して半導体チップをボンディングすること
により半導体装置を製造するインナリードボンディング
方法において、非接触式の静電気検出用装置により、上
記フィルムキャリアに帯電した静電気量及び上記半導体
チップがボンディングされた上記フィルムキャリアを巻
き取る際に上記フィルムキャリアと重ね合わされて巻き
取られるスペーサテープに帯電した静電気量を検出し、
この検出結果に基づいてボンディング動作を制御して半
導体装置を製造することを特徴とするインナリードボン
ディング方法にある。
According to a fourth aspect of the present invention, a plurality of guide members for guiding the transport of the film carrier are disposed on a transport path on which the film carrier is transported, and a bonding mechanism is disposed in the middle of the transport path, and the guide mechanism is provided via the guide member. In the inner lead bonding method for manufacturing a semiconductor device by bonding a semiconductor chip to the film carrier conveyed through the conveyance path via the bonding mechanism, a non-contact type electrostatic detection device may be used to attach the film carrier to the film carrier. When winding the film carrier on which the semiconductor chip is bonded and the amount of charged static electricity, the amount of static electricity charged on the spacer tape that is wound by being overlapped with the film carrier is detected,
An inner lead bonding method is characterized in that a semiconductor device is manufactured by controlling a bonding operation based on the detection result.

こうすることによって本発明は、静電気検出用装置と
制御部とにより静電気量を監視し、静電気を原因とする
接合不良や回路破壊等の発生を防止できるようにしたこ
とにある。
By doing so, the present invention is to monitor the amount of static electricity by the static electricity detecting device and the control unit, and to prevent the occurrence of bonding failure, circuit destruction, and the like due to static electricity.

(実施例) 以下、本発明の一実施例を第1図に基づいて説明す
る。なお、従来の技術の項で説明したものと重複するも
のについては同一符号を付し、その説明は省略する。
(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The same reference numerals are given to the same components as those described in the section of the related art, and the description will be omitted.

第1図は本発明の一実施例を示すものであり、1はTA
B(Tape Automated Bonding)方式を採用したインナリ
ードボンディング装置である。このインナリードボンデ
ィング装置1は、供給側モータ3と巻取側モータ5とに
よってそれぞれ回転駆動される供給リール4と巻取リー
ル6とを有している。そして、インナリードボンディン
グ装置1は、互いに重なり合った状態で供給リール4に
巻回されたフィルムキャリア2とスペーサテープ16とを
分離させ、互いに異なる方向へ引き出している。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
This is an inner lead bonding machine that adopts B (Tape Automated Bonding) method. The inner lead bonding apparatus 1 has a supply reel 4 and a take-up reel 6 that are driven to rotate by a supply-side motor 3 and a take-up motor 5, respectively. Then, the inner lead bonding apparatus 1 separates the film carrier 2 and the spacer tape 16 wound on the supply reel 4 in a state of being overlapped with each other, and pulls them out in different directions.

また、インナリードボンディング装置1は、装置上に
回転自在な複数のガイドローラ7…、8a、8b、17…、お
よび、スプロケット9a、9b等を有している。そして、フ
ィルムキャリア2とスペーサテープ16とを、これら各ガ
イドローラ7…、8a、8b、17…、および、スプロケット
9a、9bに接するようセットしている。
The inner lead bonding apparatus 1 has a plurality of rotatable guide rollers 7,..., 8a, 8b, 17,... And sprockets 9a, 9b on the apparatus. Then, the film carrier 2 and the spacer tape 16 are separated from each other by the guide rollers 7,..., 8a, 8b, 17,.
It is set to contact 9a and 9b.

さらに、インナリードボンディング装置1は、フィル
ムキャリア2およびスペーサテープ16の引出し端側を巻
取リール4に固定している。そして、両リール4、6を
回転させて、フィルムキャリア2およびスペーサテープ
16を互いに別方向に走行させたのち、巻取リール4に互
いに重ね合わせた状態で巻き取っている。そして、イン
ナリードボンディング装置1はフィルムキャリア2を、
ガイドローラ7…、8a、8b、および、スプロケット9a、
9bによって、ローダ側とアンローダ側との間の搬送路11
に案内している。
Further, in the inner lead bonding apparatus 1, the drawing ends of the film carrier 2 and the spacer tape 16 are fixed to the take-up reel 4. Then, by rotating both reels 4 and 6, the film carrier 2 and the spacer tape are rotated.
16 are run in different directions from each other, and then wound on the take-up reel 4 in a state where they are superimposed on each other. Then, the inner lead bonding apparatus 1 holds the film carrier 2
Guide rollers 7, 8a, 8b and sprocket 9a,
9b, the transfer path 11 between the loader side and the unloader side
It is guided to.

そして、インナリードボンディング装置1は、ボンデ
ィング機構部10においてテープガイド13でフィルムキャ
リア2を押え付け、テープガイド13によってフィルムキ
ャリア3に張力を与えている。そして、テープガイド13
によってキャリアテープ3を、略水平に保ちながら案内
している。
In the inner lead bonding apparatus 1, the film carrier 2 is pressed by the tape guide 13 in the bonding mechanism 10, and tension is applied to the film carrier 3 by the tape guide 13. And tape guide 13
This guides the carrier tape 3 while keeping it substantially horizontal.

そして、インナリードボンディング装置1は、フィル
ムキャリア2に形成したインナリード(フィンガリー
ド)を、テープガイド13のボンディング用開口部の下方
で一旦停止させ、加熱されて高温になったボンディング
ツール14を下降させて、ボンディングステージ15上の半
導体チップ12をフィルムキャリア2に装着する。そし
て、フィルムキャリア2を走行させることにより、イン
ナリードボンディングされた半導体チップ(ICペレッ
ト)12…を巻取リール6の側に搬送するとともに、次に
インナリードボンディングされるインナリードを順次ボ
ンディング機構部10に供給する。
Then, the inner lead bonding apparatus 1 temporarily stops the inner leads (finger leads) formed on the film carrier 2 below the bonding opening of the tape guide 13, and lowers the bonding tool 14, which has been heated to a high temperature. Then, the semiconductor chip 12 on the bonding stage 15 is mounted on the film carrier 2. By running the film carrier 2, the semiconductor chips (IC pellets) 12 to which the inner lead bonding is performed are conveyed to the take-up reel 6 side, and the inner leads to be next subjected to the inner lead bonding are sequentially bonded. Supply 10

また、前記ガイドローラのうち8a、8bで示すのはダン
サローラである。このダンサローラ8a、8bはフィルムキ
ャリア2を接触させたまま変位できるよう装置上に取付
けられたもので、例えば上下にスライドできるようにな
っている。そして、ダンサローラ8a、8bは下方にスライ
ドすることによりフィルムキャリア2を押え付けてフィ
ルムキャリア2の張力を強めるとともに、上方へスライ
ドすることによりフィルムキャリア2の張力を弱めるよ
うになっている。
Also, dancer rollers are indicated by 8a and 8b among the guide rollers. The dancer rollers 8a and 8b are mounted on the apparatus so that they can be displaced while keeping the film carrier 2 in contact, and can be slid up and down, for example. The dancer rollers 8a and 8b slide down to press down on the film carrier 2 to increase the tension of the film carrier 2 and slide upward to decrease the tension of the film carrier 2.

さらに、図中に21、22で示すのは静電気検出用装置と
しての静電気センサである。この静電気センサ21、22は
フィルムキャリア2とスペーサテープ16の各フィルム面
にそれぞれ対向するよう配置されており、フィルムキャ
リア2およびスペーサテープ16の近傍に位置するととも
に、フィルムキャリア2およびスペーサテープ16に対し
て所定量離間している。
Further, reference numerals 21 and 22 in the drawing denote static electricity sensors as static electricity detecting devices. The electrostatic sensors 21 and 22 are arranged so as to face the respective film surfaces of the film carrier 2 and the spacer tape 16. The electrostatic sensors 21 and 22 are located near the film carrier 2 and the spacer tape 16. In contrast, they are separated by a predetermined amount.

また、静電気センサ21、22のうちフィルムキャリア側
の静電気センサ21は、ボンディング機構部10よりも搬送
方向前方側に配置されている。さらに、フィルムキャリ
ア側の静電気センサ21は、ボンディング機構部10よりも
搬送方向前方側に設けられたダンサローラ8bと、このダ
ンサローラ8bおよび巻取リール6の間に設けられたガイ
ドローラ7との間の部位に位置している。
Further, the electrostatic sensor 21 on the film carrier side among the electrostatic sensors 21 and 22 is arranged forward of the bonding mechanism 10 in the transport direction. Further, the electrostatic sensor 21 on the film carrier side is provided between a dancer roller 8b provided on the front side in the transport direction with respect to the bonding mechanism 10 and a guide roller 7 provided between the dancer roller 8b and the take-up reel 6. It is located at the site.

そして、この静電気センサ21は、半導体チップ12を装
着したフィルムキャリア2の、半導体チップ12を装着し
た側のフィルム面と対向している。そして、フィルムキ
ャリア2の、ダンサローラ8bによって張力を与えられ弛
みなく直線状に引張られた部位の静電気量を検出するよ
うになっている。
The static electricity sensor 21 faces the film surface of the film carrier 2 on which the semiconductor chip 12 is mounted, on the side on which the semiconductor chip 12 is mounted. Then, the amount of static electricity in a portion of the film carrier 2 which is tensioned by the dancer roller 8b and pulled straight without slack is detected.

また、スペーサテープ側の静電気センサ22は、供給リ
ール4と巻取リール6との間に配置されており、巻取リ
ール6側寄りに位置している。そして、スペーサテープ
側の静電気センサ22は、スペーサテープ16の、スペーサ
テープ用ガイドローラ17、17によって弛みなく直線状に
引張られた部位の静電気量を検出するようになってい
る。
Further, the electrostatic sensor 22 on the spacer tape side is arranged between the supply reel 4 and the take-up reel 6 and is located near the take-up reel 6 side. The electrostatic sensor 22 on the spacer tape side detects the amount of static electricity in a portion of the spacer tape 16 which is pulled straight by the spacer tape guide rollers 17 without any slack.

すなわち、このインナリードボンディング装置1は静
電気センサ21、22により、フィルムキャリア2およびス
ペーサテープ16の、走行中にガイドローラ7…、8a、8
b、17…やスプロケット9a、9bとの摩擦等によって生じ
た静電気の帯電量を検出し、静電気センサ21、22の検出
結果を制御部23に入力する。
That is, the inner lead bonding apparatus 1 uses the electrostatic sensors 21 and 22 to move the film rollers 2 and the spacer tape 16 while the guide rollers 7.
, and the amount of static electricity generated by friction with the sprockets 9a and 9b, and the like, and the detection results of the electrostatic sensors 21 and 22 are input to the control unit 23.

そして、インナリードボンディング装置1はフィルム
キャリア2とスペーサテープ16の静電気量を監視し、静
電気量が過大になって予め設定した値を越えた場合に、
制御部23から例えば前記供給側モータ3および巻取側モ
ータ5や、ボンディングツール14駆動部などに指令信号
を発して、ボンディング動作を停止する。さらに、イン
ナリードボンディング装置1は、静電気量が設定値を越
えたことを例えばランプやブザー等(図示しない)によ
って警告する。
Then, the inner lead bonding apparatus 1 monitors the amount of static electricity of the film carrier 2 and the spacer tape 16, and when the amount of static electricity becomes excessive and exceeds a preset value,
The controller 23 issues a command signal to, for example, the supply-side motor 3 and the winding-side motor 5 and the driving unit of the bonding tool 14 to stop the bonding operation. Further, the inner lead bonding apparatus 1 warns that the amount of static electricity has exceeded the set value by, for example, a lamp or a buzzer (not shown).

したがって、このインナリードボンディング装置1
は、フィルムキャリア2およびスペーサテープ16の走行
中に生じた静電気によって、搬送中の半導体チップ12或
いは巻取リール6に収納された半導体チップ12とインナ
リードとの接合部に埃やごみ等が付着して接合不良が生
じたり、上記半導体チップ12の回路を破壊されたりする
ことを防止できる。
Therefore, the inner lead bonding apparatus 1
Dust or debris adheres to the junction between the semiconductor chip 12 being transported or the semiconductor chip 12 stored in the take-up reel 6 and the inner lead due to static electricity generated during the movement of the film carrier 2 and the spacer tape 16. As a result, it is possible to prevent the occurrence of a bonding failure and the destruction of the circuit of the semiconductor chip 12.

さらに、このインナリードボンディング装置1は、非
接触式の静電気センサ21、22でフィルムキャリア2およ
びスペーサテープ16の静電気量を検出しているから、例
えば静電気センサ21、22でフィルムキャリア2およびス
ペーサテープ16、或いはフィルムキャリア2に装着され
た半導体チップ12を傷付けるということがない。
Further, since the inner lead bonding apparatus 1 detects the amount of static electricity of the film carrier 2 and the spacer tape 16 by the non-contact type electrostatic sensors 21 and 22, for example, the film carrier 2 and the spacer tape are detected by the electrostatic sensors 21 and 22. 16 or the semiconductor chip 12 mounted on the film carrier 2 is not damaged.

また、両静電気センサ21、22を、フィルムキャリア2
およびスペーサテープ16のそれぞれ直線状に引張られた
部位に対向するよう配置しているから、両静電気センサ
21、22とフィルムキャリア2およびスペーサテープ16と
のそれぞれの距離を略一定に保つことができ、常に正確
に静電気量を検出することができる。
Further, both the electrostatic sensors 21 and 22 are connected to the film carrier 2.
And the spacer tape 16 are disposed so as to face the linearly stretched portions, respectively.
The distances between the film carriers 21 and 22 and the film carrier 2 and the spacer tape 16 can be kept substantially constant, and the amount of static electricity can always be accurately detected.

なお、本実施例では、静電気センサの数を2つに設定
しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、
例えば、静電気センサの数を1つ或いは3つ以上に設定
してもよい。
In this embodiment, the number of static sensors is set to two, but the present invention is not limited to this.
For example, the number of static sensors may be set to one or three or more.

[発明の効果] 以上説明したように本発明は、静電気を原因とする接
合不良や回路破壊等の発生を防止することができる。
[Effects of the Invention] As described above, the present invention can prevent occurrence of bonding failure, circuit destruction, and the like due to static electricity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す概略構成図、第2図は
従来例を示す同じく概略構成図である。 1……インナリードボンディング装置、2……テープキ
ャリア、7、8a、8a……ガイドローラ(ガイド部材)、
9a、9b……スプロケット(ガイド部材)、12……半導体
チップ、21、22……静電気センサ(静電気検出用装
置)、23……制御部。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a conventional example. 1 inner lead bonding apparatus, 2 tape carrier, 7, 8a, 8a guide roller (guide member),
9a, 9b: Sprocket (guide member), 12: Semiconductor chip, 21, 22: Static sensor (static detection device), 23: Control unit.

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60 311 H01L 21/60 321Continuation of the front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 21/60 311 H01L 21/60 321

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】フィルムキャリアをガイド部材を介して走
行させ、上記フィルムキャリアに形成されたインナリー
ドに半導体チップをボンディングするインナリードボン
ディング装置において、非接触式の静電気検出用装置
と、この静電気検出用装置の出力に基づきボンディング
動作を制御する制御部とを有することを特徴とするイン
ナリードボンディング装置。
An inner lead bonding apparatus for running a film carrier through a guide member and bonding a semiconductor chip to an inner lead formed on the film carrier. And a control unit for controlling a bonding operation based on an output of the apparatus.
【請求項2】フィルムキャリアが搬送される搬送路に、
フィルムキャリアの搬送をガイドする複数のガイド部材
を配置するとともに、この搬送路の途中にボンディング
機構を配置し、上記ガイド部材を介して上記搬送路を搬
送される上記フィルムキャリアに上記ボンディング機構
を介して半導体チップをボンディングすることにより半
導体装置を製造するインナリードボンディング方法にお
いて、非接触式の静電気検出用装置により、上記フィル
ムキャリアに帯電した静電気量を検出し、この検出結果
に基づいてボンディング動作を制御して半導体装置を製
造することを特徴とするインナリードボンディング方
法。
2. A transport path on which a film carrier is transported,
A plurality of guide members for guiding the transport of the film carrier are arranged, and a bonding mechanism is arranged in the middle of the transport path, and the bonding mechanism is disposed on the film carrier transported on the transport path via the guide member. In the inner lead bonding method of manufacturing a semiconductor device by bonding a semiconductor chip, a non-contact type electrostatic detection device detects an amount of static electricity charged on the film carrier, and performs a bonding operation based on the detection result. An inner lead bonding method characterized by controlling and manufacturing a semiconductor device.
【請求項3】フィルムキャリアが搬送される搬送路に、
フィルムキャリアの搬送をガイドする複数のガイド部材
を配置するとともに、この搬送路の途中にボンディング
機構を配置し、上記ガイド部材を介して上記搬送路を搬
送される上記フィルムキャリアに上記ボンディング機構
を介して半導体チップをボンディングすることにより半
導体装置を製造するインナリードボンディング方法にお
いて、非接触式の静電気検出用装置により、上記半導体
チップがボンディングされた上記フィルムキャリアを巻
き取る際に上記フィルムキャリアと重ね合わされて巻き
取られるスペーサテープに帯電した静電気量を検出し、
この検出結果に基づいてボンディング動作を制御して半
導体装置を製造することを特徴とするインナリードボン
ディング方法。
3. A transport path on which a film carrier is transported,
A plurality of guide members for guiding the transport of the film carrier are arranged, and a bonding mechanism is arranged in the middle of the transport path, and the bonding mechanism is disposed on the film carrier transported on the transport path via the guide member. In the inner lead bonding method for manufacturing a semiconductor device by bonding a semiconductor chip, a non-contact type electrostatic detection device is used to superimpose the semiconductor chip on the film carrier when winding the bonded film carrier. To detect the amount of static electricity charged on the spacer tape that is wound up.
An inner lead bonding method characterized in that a semiconductor device is manufactured by controlling a bonding operation based on the detection result.
【請求項4】フィルムキャリアが搬送される搬送路に、
フィルムキャリアの搬送をガイドする複数のガイド部材
を配置するとともに、この搬送路の途中にボンディング
機構を配置し、上記ガイド部材を介して上記搬送路を搬
送される上記フィルムキャリアに上記ボンディング機構
を介して半導体チップをボンディングすることにより半
導体装置を製造するインナリードボンディング方法にお
いて、非接触式の静電気検出用装置により、上記フィル
ムキャリアに帯電した静電気量及び上記半導体チップが
ボンディングされた上記フィルムキャリアを巻き取る際
に上記フィルムキャリアと重ね合わされて巻き取られる
スペーサテープに帯電した静電気量を検出し、この検出
結果に基づいてボンディング動作を制御して半導体装置
を製造することを特徴とするインナリードボンディング
方法。
4. A transport path on which a film carrier is transported,
A plurality of guide members for guiding the transport of the film carrier are arranged, and a bonding mechanism is arranged in the middle of the transport path, and the bonding mechanism is disposed on the film carrier transported on the transport path via the guide member. In the inner lead bonding method for manufacturing a semiconductor device by bonding a semiconductor chip, the amount of static electricity charged on the film carrier and the film carrier to which the semiconductor chip is bonded are wound by a non-contact type electrostatic detection device. An inner lead bonding method comprising: detecting an amount of static electricity charged on a spacer tape wound up by being superimposed on the film carrier when taking the film carrier; and controlling a bonding operation based on the detection result to manufacture a semiconductor device. .
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