JP2774287B2 - 拡張記憶装置のバッテリ・バックアップ制御装置 - Google Patents

拡張記憶装置のバッテリ・バックアップ制御装置

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Description

【発明の詳細な説明】 [概 要] 拡張記憶装置なるGSUを具備するコンピュータ・シス
テムにおける該GSUのバッテリ・バックアップ制御装置
に関し、 GSUの大容量化に伴い、停電または入力電源オフに伴
う、GSUから磁気ディスク装置へのデータの退避及び磁
気ディスク装置からGSUへのデータのロードに長期間要
していた問題の解決を目的とし、 バッテリ・バックアップ機構には、外部命令により該
バッテリ・バックアップ機構の動作を制御し、かつ拡張
記憶装置のバックアップ効果なるステータス情報を保持
する手段を設け、中央処理装置には、上記バッテリ・バ
ックアップ機構の動作を指示する命令、及びバッテリ・
バックアップ結果なるステータス情報を読み取る命令を
付加し、IPL時には、上記ステータス情報を読み出しIPL
の手順を決定する如く構成する。
[産業上の利用分野] 本発明は拡張記憶装置(以下、GSUともいう)を具備
するコンピュータ・システムに於けるGSUのバッテリ・
バックアップ制御装置に関する。
[従来の技術] 近年のコンピュータ・システムに対する高性能化の要
求には増々厳しいものがあり、例えば、シングル・シス
テム・イメージにて大規模で超高性能システムが構築さ
れ得ること、高信頼化、高速でホット・スタンバイでき
システム故障時の運転再開が円滑になされることなどの
強い要求がある。
これらの要求に伴い、高スループットのGSUに複数の
コンピュータを接続した大規模システム(以下、GCMPと
もいう)が提供される。
以下、このGCMPについての概略説明を行う。
第5図は従来技術によるGCMPのシステム構成図を示し
ており、50−aは拡張記憶装置(GSU−0)、50−bは
拡張記憶装置(GSU−1)、51−aはGSU−0用の磁気デ
ィスク装置(DASD)、51−bはGSU−1用の磁気ディス
ク装置(DASD)、52−a、52−bはバッテリ、53−a〜
53−dは記憶アクセス制御装置(MCU)、54−a〜54−
dはサービスプロセッサ(SVP)及びシステム・コント
ロール・インタフェイス(SCI)、55−a〜55−dはそ
れぞれ中央処理装置(CPU)、複数のチャネルを制御す
るチャネル処理装置(CHP)及び主記憶装置(MSU)から
なるコンピュータ・システムを表わしている。すなわ
ち、本例では、2つのGSU50−a、50−bが設けられ、
該GSUをシステムA〜システムDなる複数のコンピュー
タ・システム55−a〜55−dが共有する場合の例であ
る。
各コンピュータ・システム55−a〜55−dは、それぞ
れ記憶アクセス制御装置(MCU)53−a〜53−dを介し
て、GSU−0、GSU−1と接続され、該GSUは各コンピュ
ータ・システムに対し大容量の拡張メモリを提供し、例
えば、シングル・システム・イメージで大きなシステム
を構成することを可能にし、また各システム故障時のバ
ックアップの機能を果たし(GSUの二重化によりさらに
高い信頼性が得られる)、さらには、システム中のいず
れかのシステムが故障した場合などに待機システムの高
速ホット・スタンバイを可能とする。
このように、拡張記憶(GSU)を使用することには種
々の利点があり、特にシステムの高信頼化の為に、重要
な役割を果たしているが、該GSUは通常半導体メモリ素
子で構成されるため、停電時のデータ消失の対策が非常
に重要である。
従って、第5図の例で示す如く、GSU−0、GSU−1に
それぞれにバッテリ装置52−a、52−bが設けられ、該
バッテリ装置によってバックアップ(不揮発化)が図ら
れている。
GSUを半導体メモリ素子(例えば、DRAM)で構成し
て、不揮発化を図る場合、GSUでは停電が発生すると、
一定時間バッテリ装置によって、GSU全体がバックアッ
プされ、その間にバックアップ専用の磁気ディスク装置
51−a、51−bにGSUの内容を退避し、電源がオンにな
った場合は、磁気ディスク装置51−a、51−bからGSU
に再度データをロードして、GSUが使用可能状態となる
よう構成されている。
[発明が解決しようとする課題] 拡張記憶装置(GSU)に前記の方式を採用する場合に
は、次のような問題点が生ずる。
(1) 近年の記憶素子(DRAM)の高密度化によって、
GSUの大容量化が容易になっているが、磁気ディスク装
置の高密度化が追いつかず膨大なバードウェア量を必要
とする。
(2) 磁気ディスク装置への退避及び磁気ディスク装
置からGSUへのロードする処理は複雑な制御を必要とす
る。
(3) 磁気ディスク装置への退避多び磁気ディスク装
置からGSUへのロードに長時間を要する。
従って、従来は上記(1)〜(3)の問題点を解決す
るために、 (1) DARMは動作時(書込み/読出しの処理)に大き
な電流(電力)を必要とするが、内容を保持するための
処理(リフレッシュと呼ぶ)のみでは、あまり電流を必
要としない。
この特性を利用して、バッテリ装置ではDRAM及びリフ
レッシュ回路のみをバックアップして、バックアップ保
障時間を長くする。
(2) 磁気ディスク装置への退避を行わない。
の如き対策を取る必要があった。
しかしながら、上記対策を取ったとしても、将来DRAM
がより高密度化され、GSUが大容量化されてもリフレッ
シュのための消費電力があまり変わらないという利点が
あるが、バックアップ保障時間を長くしたとしても磁気
ディスク装置と同等に扱う事はできずに時間的制約は残
る。
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、拡張
記憶装置(GSU)を具備するコンピュータ・システムに
おける該GSUの改良されたバッテリ・バックアップ制御
装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明によれば、上述の目的は前記特許請求の範囲に
記載した手段により達成される。
すなわち、本発明は、少なくとも一つの拡張記憶装置
と、入力電源断時に該拡張記憶装置内のデータを保持す
るバッテリ・バックアップ機構と、該入力電源断時に該
拡張記憶装置内のデータが退避されるディスク装置から
なるコンピュータシステムであって、前記バッテリ・バ
ックアップ機構は、外部命令により当該バッテリ・バッ
クアップ機構の動作を制御する手段と、前記拡張記憶装
置内のデータのバックアップ結果なるステータス情報を
保持する手段とを備え、前記バッテリ・バックアップ機
構の動作を指示する命令、及び前記ステータス情報を読
み取る命令に基づき、各命令に対応する制御を行う処理
手段と、イニシャル・プログラム・ロード時には、読み
出した前記ステータス情報に基づき前記拡張記憶装置ま
たは前記ディスク装置のいずれかからイニシャル・プロ
グラム・ロードを行うことを決定すると共に、前記ディ
スク装置からイニシャル・プログラム・ロードを行う場
合に前記バッテリ・バックアップ機構を有効とする指示
を行い、運用終了時には、前記拡張記憶装置内のデータ
を前記ディスク装置に格納させると共に、スケジュール
情報に従って前記バッテリ・バックアップ機構への動作
指示を行う制御手段と、から構成される拡張記憶装置の
バッテリ・バックアップ制御装置である。
[作 用] バッテリ装置により拡張記憶装置をバッアップする場
合、バッテリ・バックアップの範囲を、RAM部とそのリ
フレッシュ回路に限定してバックアップ時間の長時間化
を図っても、時間的には制限があり、一般には数十時間
が限度である。
従って、バッテリ・バックアップされる拡張記憶装置
と、データの永久保存を行う、例えば磁気ディスク装置
を使い分けるために、 バッテリ・バックアップ機構には、外部命令により該
バッテリ・バックアップ機構の動作を制御し、かつ拡張
記憶装置のバックアップ結果なるステータス情報を電源
オフ時を経由して保持する手段を設け、 中央処理装置には、上記バッテリ・バックアップ機構
の動作を指示する命令、及びバックアップ結果なるステ
ータス情報を読み取る命令を付加し、 例えば、停電の場合、一般に停電が数十時間続くこと
は考えられず、停電解除後のIPL処理においては、上記
バックアップ結果のステータス情報を読み出し、拡張記
憶装置の内容によりそのまま継続処理が可能となるよう
にする。
また、運用終了後の電源オフ時には、あらかじめ登録
されている日程表に従って、バックアップ機構の動作指
定を行ない、電源オフ時間が例えば24時間以外の場合は
バックアップ機構を使った処理、24時間を超える場合は
磁気ディスク装置(DASD)を使った処理に切替えること
により、停電時の不揮発化、及びIPL時間の短縮化を計
る事ができる。
[実施例] 第1図は本発明の一実施例によるGCMPシステム構成図
を示しており、1−aは拡張記憶装置(GSU−0)、1
−bは拡張記憶装置(GSU−1)、2−aはGSU−0用の
ユニット・パワー・コントローラ(GSU−0−UPC)、2
−bはGSU−1用ユニット・パワー・コントローラ(GSU
−1−UPC)、3−a、3−bはバッテリ、4a、4b、4
c、4dは記憶アクセス制御装置(MCU)、5−a、5−
b、5−c、5−dはサービス・プロセッサ(SVP)及
びシステム・コントロール・インタフェース(SCI)、6
a、6b、6c、6dはそれぞれ中央処理装置(CPU)、複数チ
ャンネルを制御するチャンネル処理装置(CHP)、及び
主記憶装置(MSU)からなるコンピュータ・システム、1
0−a、10−bは各GSU内のオシレータを表わしている。
第1図のシステム構成図においては、第5図の従来技
術によるGCMPのシステム構成図と比較して、拡張記憶装
置(GSU−10)1−aにユニット・パワー・コントロー
ラ(GSU−0−UPC)2−aが、拡張記憶装置(GSU−
1)1−bにユニット・パワー・コントローラ(GSU−
1−UPC)2−bが新たに付設されている。
その他の部分については、従来例との対比が容易なよ
うに同様な構成の例を上げている。
すなわち、拡張記憶装置(GSU−0、GSU−1)1−
a、1−bが2台使用され、各拡張記憶装置にはバッテ
リ3−a、3−bが付設され、該拡張記憶装置(GSU−
0、GSU−1)をシステムA〜システムDなる複数のコ
ンピュータ・システム6a〜6bが共有する場合の例であ
る。
また、図中のオシレータ(OSC)10−a、10−bはGSU
内のオシレータであり、各システムのクロックとは独立
のものである。
ユニット・パワー・コントローラ(UPC)2−a、2
−bは本発明に直接関係する部分であり、拡張記憶装置
(GSU)1−a、1−bの電源制御及び本発明による追
加命令のためのステータス保持を行う装置である。
本発明は、該ユニット・パワー・コントローラの機能
と、新しく追加されたバックアップ機構を制御するため
中央処理装置(CPU)に付加された2つの命令によって
実現される。
第2図は本発明による中央処理装置への追加命令の一
実施例を示す図であり、同図(a)はバックアップ動作
指定命令(SET GSU BMODE)の命令形式、同図(b)は
バックアップ結果であるステータスの読出し命令(SENC
E GSU STATUS)を表わしている。
第2図(a)において、20はバックアップ動作指定命
令(以下、SGBともいう)の命令形式を示し、OP“X"は
命令コード、R1はオペランド部であり、バックアップ動
作指定情報21が格納されている主記憶上のアドレスを保
持するレジスタ番号を指定する。
本命令が発行されると、CPUの命令制御によって主記
憶上のバックアップ動作指定情報21が読出され、対応す
るGSUのUPCに送られる。
バックアップ動作指定情報21は、本例の場合では,各
GSU毎に8bitで構成され、4ビット目にBR(Backup Fail
ure Reset)、6ビット目にBI(Backup Invalidation)
の指示情報を保持する。
すなわち、BRはバックアップ不成功フラグ及び無効化
グラフのリセット指示であり、BIはバックアップ機構の
無効化の指示を行うためのものである。
GSUはその内容により、バックアップ不成功フラグ及
び無効化フラグのリセットやバックアップ機構の無効化
を行なう。
第2図(b)において、22はバックアップ効果のステ
ータス読出し命令(以下、SGS命令ともいう)の命令形
式であり、OP“Y"は命令コード、R1はオペランド部であ
り、バックアップ結果のステータス情報23が格納される
主記憶上のアドレスを保持するレジスタ番号を指定す
る。
本命令が発行されると、CPUの命令制御によって、GSU
のUPCが保持するバックアップ結果のステータス情報23
がGSUを介して読出され、命令によって指定された主記
憶上の対応する部分に格納される。
バックアップステータス情報23は、各GSU毎に8ビッ
トで構成され、5ビット目にBS(Backup Support)、6
ビット目にBI(Backup Invalidation)、7ビット目にB
F(Backup Failure)の情報を保持する。
すなわち、BSはバックアップ機構がサポートされてい
るかどうかを示し、BIはバックアップ機構の無効化が指
定されているかどうかを示し、BFはバックアップ不成功
フラグを示している。
次に、本発明によるバッテリ・バックアップ制御装置
の動作を、第3図のフローチャートを用いて説明する。
3図は本発明によるオペレーティング・システム(O
S)に於けるバッテリ・バックアップ機構の制御をフロ
ーチャートで表わしたものである。
図中ステップ30はイニシャル・プログラム・ローディ
ング(IPL)の開始要求であり、ステップ31はGCMPシス
テムの運用終了を示している。
ステップ30又はステップ31のいずれかでバッテリ・バ
ックアップ機構の制御が行なわれる。
IPL開始要求があると、図中ステップ32でGCMP内のMAS
TERシステムであるかを調べる。
MASTERシステムでなければ、バッテリ・バックアップ
機構の制御を行なわないが、MASTERであれば図中の32−
1で示すステップで前記SGS命令を発行する。
SGS命令の結果は、命令で指定された主記憶装置上の
アドレスに格納されるが、その内容を図中32−2〜32−
4で示すステップにて調べる。
それぞれ2ビット単位のAND条件で調べているのは、G
SU0/1から構成される2台のGSUを対象としているためで
ある。
但し、高信頼化を図るためにGSUを二重化(例えば、G
SU−0の内容=GSU−1の内容)している場合にはOR条
件でよく、どちらか一方の成功した方を使用する事がで
きる。
ステップ32−2の条件を満足しない場合、35で示すス
テップに移りIPL処理が行なわれるが、必要となるデー
タは磁気ディスク装置(DASD)からロードされることに
なる。
ステップ32−2での条件を満足された場合、次に、ス
テップ32−3及びステップ32−4の条件を調べることに
なる。
両方の条件が満足されるとステップ34に移り、GSUで
バックアップされたデータによるIPL処理が行なわれ
る。
32−3及び32−4で示されるステップの一方又は両方
の条件が満足されない場合はステップ33に移り、前記SG
B命令が発行され、ステップ33の処理にて、BR=“11"、
BI=“00"に設定し、停電が発生した時に、再度バック
アップ機構が働くようにSGB命令を設定する。
以上述べたように、本実施例では新規に命令を追加す
ることによって、OSからバッテリの有無、バックアップ
無効化指示の有無、バックアップ失敗といったバッテリ
・バックアップ情報の読み込みおよび初期化、バックア
ップ無効化指示といった書き込みの指示を可能として、
拡張記憶装置の運用を柔軟に行えるようにする。
又、メインテナンス(保守)情報として、ステップ32
−3及び32−4の判定結果が利用され得る。ステップ33
からは無条件でステップ35に移り、ステップ34又はステ
ップ35からは次のステップ30又はステップ31の条件が発
生する迄待つ状態となる。ここで重要となるのは、前回
の電源オフが停電によるものであって、ステップ32−4
→ステップ33のルートを通る場合である。
この場合BF≠“00"、すなわち、停電後のバックアッ
プが失敗しているので、IPL後の処理はかなり以前の状
態にもどる必要が生じる。
この確率を低くするためには、前記の二重化構成(GS
U0の内容=GSU1の内容)を用いれば良い。ステップ31に
なり、運用終了となるとステップ36へ移り、当該システ
ムに対応するGSUの領域を磁気ディスク装置(DASD)へ
格納する。
さらに、ステップ36からステップ36−1に移ると、あ
らかじめ設定されているスケジュール表に従って、SGB
命令によるBIフラグを制御する。
本実施例によれば、拡張記憶装置に対して、活性保守
を含む保守を行う場合に運用を継続したままでバッテリ
・バックアップの切り離し/組み込み動作を行うことが
可能であり、保守作業が容易となる。
例えば、正月のように長時間にわたる電源オフとなる
場合は、あらかじめバッテリ・バックアップ機構が動か
ないように運用管理者がバッテリの運用モードの設定変
更をすることが可能である。
これはバッテリの寿命を長くする効果がある。
第4図はバッテリ・バックアップ機構のシステム構成
の一例を示す図である。
本発明の前提となるバクアップ保障期間の長時間化を
計るためのシステム構成図である。
同図において、40は電源投入口、41はバッテリ用充電
器であり、電源オン時にバッテリの充電を行なう。図中
の42−a、42−bはバッテリであり2個(BAT1、BAT2)
が交互に使用される。
例えば電源オフ時にBAT1が使用された後、電源オンと
なった場合、BAT1は充電状態となり、次の停電や電源オ
フ時にはBAT2側が使用される。
図中の43は電圧変換器(DC→DCコンバータ)、44はDR
AM以外に対する電源装置、45はGSU、46は停電復電検出
回路であり、バッテリを直接制御する。
本例のバックアップ機構は特殊なものではなく、公知
のものであり、そのバックアップ方式及び回路の詳細な
動作については説明を省略する。
以上説明したように本発明によれば、 バッテリ・バックアップの対象範囲を、DRAMとその内
容保持回路に限定する事によりその長時間化を達成で
き、 一般にその保障期間は素子特性や、使用個数に影響を
受けるが、数十時間は可能となる。
例えばバックアップ時間を少なく見積って、24時間と
しても、次のような処理をする事によって、GCMP運用者
がそのバックアップ時間をあまり意識する必要がなくな
る。
(a) 停電時のバックアップ 一般に停電が24時間以上続く事は考えられず、停電解
除後のIPL処理ではバックアップ・ステータス情報の読
出しにより、GSUの内容から継続処理を行う事が可能と
なる。
(b) 運用終了後の電源オフ時には、あらかじめ登録
されている日程表に従って、バックアップ機構の動作指
定を行ない、電源オフ時間が24時間以内の場合はバック
アップ機構を使った処理、24時間を越える場合はDASDを
使った処理に切替えることにより、 停電時の不揮発化、及びIPL時間の短縮化を計る事が
できる。
又、2台のGSUを二重化制御として高信頼化する場合
にはDASDへのはき出しを不要とするような、不揮発化に
よる電源オフ時の短縮化も図る事ができる。
さらに、本発明の一実施例では拡張記憶装置(GSU)
が2台、該GSUを共有するコンピュータ・システムが4
台の場合を例に取っているが、勿論これに限定されるわ
けではない。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、バッテリ・バッ
クアップの対象範囲をDRAMとその内容保持回路に限定す
ることによりその長時間化を達成し、停電の場合には、
停電解除後のIPL処理においてGSUの内容から継続処理す
ることが可能となり、IPL処理時間の短縮化が達成で
き、また、運用終了時の電源断時には、電源断時間に応
じて、バックアップ機構を使用した処理とDASDを使った
処理を切替えて使用することにより、停電時のデータの
不揮発化及びIPL処理時間の短縮化を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるGCMPのシステム構成
図、第2図は本発明による中央処理装置への追加命令の
一実施例を示す図、第3図は本発明の実施例によるバッ
クアップ制御フローを示す図、第4図はバッテリ・バッ
クアップ機構のシステム構成の一例を示す図、第5図は
従来技術によるGCMPのシステム構成図である。 1−a……拡張記憶装置(GSU−0)、 1−b……拡張記憶装置(GSU−1)、 2−a……GSU−0用のユニット・パワー・コントロー
ラ(GSU−1−UPC)、 2−b……GSU−1用のユニット・パワー・コントロー
ラ(GSU−1−UPC)、 3−a、3−b……バッテリ、 4a、4b、4c、4d……記憶アクセス制御装置(MCU) 5−a、5−b、5−c、5−d……サービスプロセッ
サ(SVP)及びシステムコントロールインタフェイス(S
CI)、 6a、6b、6c、6d……それぞれ中央処理装置(CPU)、複
数チャンネルを制御するチャンネル処理装置(CHP)及
び主記憶装置(MSU)からなるコンピュータ・システ
ム、 10−a、10−b……各GSU内のオシレータ、20……バッ
クアップ動作指定命令(SGB)の命令形式、 21……バックアップ動作指定情報、 22……ステータス読出し命令(SGS)の命令形式、 23……バックアップ結果のステータス情報
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G06F 12/16

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも一つの拡張記憶装置と、入力電
    源断時に該拡張記憶装置内のデータを保持するバッテリ
    ・バックアップ機構と、該入力電源断時に該拡張記憶装
    置内のデータが退避されるディスク装置からなるコンピ
    ュータシステムであって、 前記バッテリ・バックアップ機構は、外部命令により当
    該バッテリ・バックアップ機構の動作を制御する手段
    と、 前記拡張記憶装置内のデータのバックアップ効果なるス
    テータス情報を保持する手段とを備え、 前記バッテリ・バックアップ機構の動作を指示する命
    令、及び前記ステータス情報を読み取る命令に基づき、
    各命令に対応する制御を行う処理手段と、 イニシャル・プログラム・ロード時には、読み出した前
    記ステータス情報に基づき前記拡張記憶装置または前記
    ディスク装置のいずれかからイニシャル・プログラム・
    ロードを行うことを決定すると共に、前記ディスク装置
    からイニシャル・プログラム・ロードを行う場合に前記
    バッテリ・バックアップ機構を有効とする指示を行い、
    運用終了時には、前記拡張記憶装置内のデータを前記デ
    ィスク装置に格納させると共に、スケジュール情報に従
    って前記バッテリ・バックアップ機構への動作指示を行
    う制御手段と、から構成される拡張記憶装置のバッテリ
    ・バックアップ制御装置。
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