JP2770671B2 - エレクトロニクス素子用硼化物材料 - Google Patents
エレクトロニクス素子用硼化物材料Info
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエレクトロニクス素子用
硼化物材料に係り、特に、ｐｎ接合素子用として用いら
れるほか、ある温度でｐｎ接合が消失する等の新しい機
能を有するエレクトロニクス素子用硼化物材料に関す
る。
硼化物材料に係り、特に、ｐｎ接合素子用として用いら
れるほか、ある温度でｐｎ接合が消失する等の新しい機
能を有するエレクトロニクス素子用硼化物材料に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＺｒＢ12は結晶系が立方晶系でＵ
Ｂ12タイプの構造をとり、格子定数がａ＝７．４０８Å
であることが報告されている（B.Post and F.W.Glaser,
Trans.AIME, 194,1952, 631-632）。一方、ＳｃＢ12は
結晶系が正方晶系で乱れたＵＢ12タイプの構造をとり、
格子定数がａ＝５．２２Å，ｃ＝７．３５Åであること
が報告されている。（Matkovich et al., Acta Crystal
logr., 19,1965,1056 ）。ＺｒＢ12とＳｃＢ12はどちら
も低温で超電導状態になり、その臨界温度はそれぞれ
６．０３Ｋと０．３９Ｋであることが報告されている
（B.T.Matthias et al・, Science, 159,1968,530）。
Ｂ12タイプの構造をとり、格子定数がａ＝７．４０８Å
であることが報告されている（B.Post and F.W.Glaser,
Trans.AIME, 194,1952, 631-632）。一方、ＳｃＢ12は
結晶系が正方晶系で乱れたＵＢ12タイプの構造をとり、
格子定数がａ＝５．２２Å，ｃ＝７．３５Åであること
が報告されている。（Matkovich et al., Acta Crystal
logr., 19,1965,1056 ）。ＺｒＢ12とＳｃＢ12はどちら
も低温で超電導状態になり、その臨界温度はそれぞれ
６．０３Ｋと０．３９Ｋであることが報告されている
（B.T.Matthias et al・, Science, 159,1968,530）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の如く、ＺｒＢ12
及びＳｃＢ12の各々の単晶系についての報告例はあるも
のの、従来、これらＺｒＢ12及びＳｃＢ12の両晶系の混
晶系（Ｚｒ1-x Ｓｃx ）Ｂ12について報告された例はな
い。
及びＳｃＢ12の各々の単晶系についての報告例はあるも
のの、従来、これらＺｒＢ12及びＳｃＢ12の両晶系の混
晶系（Ｚｒ1-x Ｓｃx ）Ｂ12について報告された例はな
い。
【０００４】一方で、価数が異なり結晶系が微妙に異な
る結晶系を混合すると、混晶系に格子歪みが生じ、新し
い機能をもつ材料を提供することができることが知られ
ており、ＺｒＢ12及びＳｃＢ12についても、これらを混
晶系とすることにより新たな可能性が見出されるものと
考えられる。
る結晶系を混合すると、混晶系に格子歪みが生じ、新し
い機能をもつ材料を提供することができることが知られ
ており、ＺｒＢ12及びＳｃＢ12についても、これらを混
晶系とすることにより新たな可能性が見出されるものと
考えられる。
【０００５】本発明は上記従来の実情に鑑みてなされた
ものであって、従来公知の２つの物質、例えば立方晶系
のＺｒＢ12と正方晶系のＳｃＢ12とから新しい機能を有
するエレクトロニクス素子用硼化物材料を提供すること
を目的とする。
ものであって、従来公知の２つの物質、例えば立方晶系
のＺｒＢ12と正方晶系のＳｃＢ12とから新しい機能を有
するエレクトロニクス素子用硼化物材料を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１のエレクトロニ
クス素子用硼化物材料は、Ａ1-x Ｅx Ｂ12（ただし、Ａ
はＺｒ又はＨｆ，ＥはＳｃ又はＹを示し、０．１≦ｘ≦
０．９である。）の化学式で表され、その結晶系が相転
移温度以上で立方晶系、相転移温度以下で六方晶系であ
ることを特徴とする。
クス素子用硼化物材料は、Ａ1-x Ｅx Ｂ12（ただし、Ａ
はＺｒ又はＨｆ，ＥはＳｃ又はＹを示し、０．１≦ｘ≦
０．９である。）の化学式で表され、その結晶系が相転
移温度以上で立方晶系、相転移温度以下で六方晶系であ
ることを特徴とする。
【０００７】以下に本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明のエレクトロニクス素子用硼化物材
料の化学式Ａ1-x Ｅx Ｂ12において、ｘが０．１未満で
あると、その結晶構造がｘ＝０のもの、例えば、ＺｒＢ
12の構造である立方晶から変化せず、結晶の構造相転移
に伴って起こる種々の物性変化（電気抵抗率、帯磁率、
ゼーベック係数等）は観測されなくなる。逆に、ｘが
０．９を超えると、Ｘ線回折において室温で見られてい
た新しい結晶構造に起因したピークが消失し、ｘ＝１の
もの、例えば、ＳｃＢ12の構造である正方晶のピークが
観測されるようになる。従って、ｘは特性変化が観測さ
れる０．１≦ｘ≦０．９、好ましくは０．１５≦ｘ≦
０．８とする。
料の化学式Ａ1-x Ｅx Ｂ12において、ｘが０．１未満で
あると、その結晶構造がｘ＝０のもの、例えば、ＺｒＢ
12の構造である立方晶から変化せず、結晶の構造相転移
に伴って起こる種々の物性変化（電気抵抗率、帯磁率、
ゼーベック係数等）は観測されなくなる。逆に、ｘが
０．９を超えると、Ｘ線回折において室温で見られてい
た新しい結晶構造に起因したピークが消失し、ｘ＝１の
もの、例えば、ＳｃＢ12の構造である正方晶のピークが
観測されるようになる。従って、ｘは特性変化が観測さ
れる０．１≦ｘ≦０．９、好ましくは０．１５≦ｘ≦
０．８とする。
【０００９】このｘの範囲内で、本発明の硼化物材料Ａ
1-x Ｅx Ｂ12は高温で立方晶系となり、低温で六方晶系
となり、立方晶系から六方晶系へ相転移する温度（相転
移温度）近傍では、両晶の混晶となる。そして、相転移
温度で、熱電能特性がｐ型からｎ型に変化するという特
異な挙動を示す。
1-x Ｅx Ｂ12は高温で立方晶系となり、低温で六方晶系
となり、立方晶系から六方晶系へ相転移する温度（相転
移温度）近傍では、両晶の混晶となる。そして、相転移
温度で、熱電能特性がｐ型からｎ型に変化するという特
異な挙動を示す。
【００１０】このような本発明のエレクトロニクス素子
用硼化物材料は、その構成元素Ａ，Ｅの酸化物粉末、例
えば、ＺｒＯ2 ，ＨｆＯ2 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 或い
は硫酸化物粉末、例えば、Ｙ2 （ＳＯ4 ）3 、Ｓｃ2
（ＳＯ4 ）3 等とホウ素（Ｂ）粉末とを所定割合で混合
した後成形し、得られた成形体を焼結することにより容
易に製造することができる。
用硼化物材料は、その構成元素Ａ，Ｅの酸化物粉末、例
えば、ＺｒＯ2 ，ＨｆＯ2 ，Ｓｃ2 Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 或い
は硫酸化物粉末、例えば、Ｙ2 （ＳＯ4 ）3 、Ｓｃ2
（ＳＯ4 ）3 等とホウ素（Ｂ）粉末とを所定割合で混合
した後成形し、得られた成形体を焼結することにより容
易に製造することができる。
【００１１】ここで焼結条件としては特に制限はない
が、１０-2ｔｏｒｒ以下、１８００℃以上の温度で真空
焼結とする必要がある。その理由として、１８００℃以
下の温度においては異相となるＭＢ2 （Ｍ＝Ｚｒ，Ｓ
ｃ，Ｈｆ等）構造が安定であり、１８００℃以上に加熱
するとＭＢ2 構造が消失するからである。焼結時間につ
いては、所望の結晶構造を組んでしまえば安定に存在す
るので、特に規定する必要はない。
が、１０-2ｔｏｒｒ以下、１８００℃以上の温度で真空
焼結とする必要がある。その理由として、１８００℃以
下の温度においては異相となるＭＢ2 （Ｍ＝Ｚｒ，Ｓ
ｃ，Ｈｆ等）構造が安定であり、１８００℃以上に加熱
するとＭＢ2 構造が消失するからである。焼結時間につ
いては、所望の結晶構造を組んでしまえば安定に存在す
るので、特に規定する必要はない。
【００１２】なお、焼成時には、原料中の酸素とホウ素
との反応で、ＢがＢＯとして抜けることから、原料粉末
の混合にあたっては、焼結時に損失するＢを考慮して、
目的とする組成よりも若干Ｂ粉末を多く混合する必要が
ある。
との反応で、ＢがＢＯとして抜けることから、原料粉末
の混合にあたっては、焼結時に損失するＢを考慮して、
目的とする組成よりも若干Ｂ粉末を多く混合する必要が
ある。
【００１３】
【作用】本発明のエレクトロニクス素子用硼化物材料に
よれば、価数が異なると共に結晶系が微妙に異なる２種
類の結晶系を混合することにより、 相転移温度において電気伝導を担うキャリヤーがｎ
型からｐ型に変化する。 抵抗率が温度依存性を示し、相転移温度において抵
抗率が増加する。 帯磁率が温度依存性を示し、相転移温度において帯
磁率が減少する。 組成（ｘ）の変化により、相転移温度が変化する。 といった新規機能を有するエレクトロニクス素子用硼化
物材料が提供される。
よれば、価数が異なると共に結晶系が微妙に異なる２種
類の結晶系を混合することにより、 相転移温度において電気伝導を担うキャリヤーがｎ
型からｐ型に変化する。 抵抗率が温度依存性を示し、相転移温度において抵
抗率が増加する。 帯磁率が温度依存性を示し、相転移温度において帯
磁率が減少する。 組成（ｘ）の変化により、相転移温度が変化する。 といった新規機能を有するエレクトロニクス素子用硼化
物材料が提供される。
【００１４】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
【００１５】実施例１ Ｚｒ0.85Ｓｃ0.15Ｂ12焼結体の製造を行なった。Ｚｒ：
Ｓｃ：Ｂのモル比が０．８５：０．１５：１３．９２５
となるように瑪瑙乳鉢中で混合したＺｒＯ2 ，Ｓｃ2 Ｏ
3 ，Ｂの各粉末を５×３０×２ｍｍの形状にプレス成形
し、得られた成形体を蓋付きのＢＮ製サセプターの中に
入れ、カーボンヒーターの真空炉で焼結を行なって、焼
結体を作製した。焼結にあたり、真空炉のガス排気は、
ロータリーポンプにより粗引きした後、ターボポンプに
よって本引きし、真空到達度が２×１０-3ｔｏｒｒ以下
の状態とした後、１８２０℃まで２０分で昇温し、１時
間保持した後、室温まで１時間で降温した。この場合、
原料中の酸素は過剰に仕込んだホウ素と反応してＢＯと
して試料中より抜けることにより、目的とするＺｒ0.85
Ｓｃ0.15Ｂ12の焼結体を得ることができた。
Ｓｃ：Ｂのモル比が０．８５：０．１５：１３．９２５
となるように瑪瑙乳鉢中で混合したＺｒＯ2 ，Ｓｃ2 Ｏ
3 ，Ｂの各粉末を５×３０×２ｍｍの形状にプレス成形
し、得られた成形体を蓋付きのＢＮ製サセプターの中に
入れ、カーボンヒーターの真空炉で焼結を行なって、焼
結体を作製した。焼結にあたり、真空炉のガス排気は、
ロータリーポンプにより粗引きした後、ターボポンプに
よって本引きし、真空到達度が２×１０-3ｔｏｒｒ以下
の状態とした後、１８２０℃まで２０分で昇温し、１時
間保持した後、室温まで１時間で降温した。この場合、
原料中の酸素は過剰に仕込んだホウ素と反応してＢＯと
して試料中より抜けることにより、目的とするＺｒ0.85
Ｓｃ0.15Ｂ12の焼結体を得ることができた。
【００１６】図１に、得られた焼結体の低温におけるＸ
線回折パターンを示す。図１から、１８０Ｋ以下の温度
で新しいピークが出現していることがわかる。電子線回
折撮影により、１８０Ｋ以下での構造は、結晶系が六方
晶であり、ａ軸長は５．１８１Å、ｃ軸長は２５．４１
Åであることがわかった。
線回折パターンを示す。図１から、１８０Ｋ以下の温度
で新しいピークが出現していることがわかる。電子線回
折撮影により、１８０Ｋ以下での構造は、結晶系が六方
晶であり、ａ軸長は５．１８１Å、ｃ軸長は２５．４１
Åであることがわかった。
【００１７】図２に、この焼結体の電気抵抗の温度依存
性を示す。図２から、２００Ｋ以下の温度で、温度の上
げ下げによりヒステリシスを有する抵抗率の増加が起き
ていることがわかる。
性を示す。図２から、２００Ｋ以下の温度で、温度の上
げ下げによりヒステリシスを有する抵抗率の増加が起き
ていることがわかる。
【００１８】図３に、この焼結体のゼーベック係数の温
度依存性を示す。図３から、電気抵抗の温度依存性の挙
動に対応した２００Ｋからのゼーベック係数の増加がみ
られ、それに伴ってｎ型の金属的挙動からｐ型の金属的
な挙動に変化していることがわかる。
度依存性を示す。図３から、電気抵抗の温度依存性の挙
動に対応した２００Ｋからのゼーベック係数の増加がみ
られ、それに伴ってｎ型の金属的挙動からｐ型の金属的
な挙動に変化していることがわかる。
【００１９】図４に、この焼結体の帯磁率の温度依存性
を示す。図４から、この物質が反磁性を示し、結晶構造
や電気抵抗、ゼーベック係数の変化に対応した温度で、
反磁性が急激に増加していることがわかる。
を示す。図４から、この物質が反磁性を示し、結晶構造
や電気抵抗、ゼーベック係数の変化に対応した温度で、
反磁性が急激に増加していることがわかる。
【００２０】なお、Ａ＝Ｚｒ，Ｅ＝Ｓｃ以外の組み合わ
せについても、実施例１と同様の手法で試料を作製し、
当該試料の抵抗の温度依存性の測定を行なったところ、
組成（ｘ）の変化により相転移温度が移動することが確
認できた。
せについても、実施例１と同様の手法で試料を作製し、
当該試料の抵抗の温度依存性の測定を行なったところ、
組成（ｘ）の変化により相転移温度が移動することが確
認できた。
【００２１】実施例２ ＺｒとＳｃとＢのモル比を変えて、実施例１と同様にし
て試料を作製し、Ｚｒ：Ｓｃ：Ｂを、そのモル比が１−
ｘ：ｘ：１４−ｘ／２となるように合成した場合、０．
１≦ｘ≦０．９の範囲で結晶構造、電気抵抗、ゼーベッ
ク係数、帯磁率に変化を伴う試料が得られることを確認
した。なお、比較のためｘ＝１のＳｃＢ12についても、
電気抵抗の変化を調べた。
て試料を作製し、Ｚｒ：Ｓｃ：Ｂを、そのモル比が１−
ｘ：ｘ：１４−ｘ／２となるように合成した場合、０．
１≦ｘ≦０．９の範囲で結晶構造、電気抵抗、ゼーベッ
ク係数、帯磁率に変化を伴う試料が得られることを確認
した。なお、比較のためｘ＝１のＳｃＢ12についても、
電気抵抗の変化を調べた。
【００２２】図５に、試料の組成をＺｒ1-x Ｓｃx Ｂ12
と表記したときのｘに対しての室温でのＸ線回折パター
ンを示す。図５から、０．３≦ｘ≦０．９の範囲でｘ＝
０．１５の低温におけるＸ線回折パターンに見られる新
結晶構造に伴うピークが現われていることがわかる。
と表記したときのｘに対しての室温でのＸ線回折パター
ンを示す。図５から、０．３≦ｘ≦０．９の範囲でｘ＝
０．１５の低温におけるＸ線回折パターンに見られる新
結晶構造に伴うピークが現われていることがわかる。
【００２３】図６及び図７は、０≦ｘ≦０．３の範囲の
ｘに対しての電気抵抗の温度依存性を示す。ｘの増加に
伴い変化の起こる温度が上昇していることがわかる。ｘ
≧０．３の範囲のｘでは、変化の起こる温度が室温以上
であることがわかる。
ｘに対しての電気抵抗の温度依存性を示す。ｘの増加に
伴い変化の起こる温度が上昇していることがわかる。ｘ
≧０．３の範囲のｘでは、変化の起こる温度が室温以上
であることがわかる。
【００２４】図８は、０．４≦ｘ≦０．９の場合と、Ｓ
ｃＢ12（ｘ＝１）の場合の、電気抵抗の温度依存性を示
す。図８から、ｘ≧０．４では、相転移温度は、高温側
にずれていて、３００Ｋ以下では現われないことがわか
る。
ｃＢ12（ｘ＝１）の場合の、電気抵抗の温度依存性を示
す。図８から、ｘ≧０．４では、相転移温度は、高温側
にずれていて、３００Ｋ以下では現われないことがわか
る。
【００２５】図９は、ｘ＝０．２の場合の帯磁率の温度
変化を示す。図９から、ｘ＝０．２の場合、２３０Ｋで
反磁性が増大し始めていることがわかる。この温度は図
７におけるｘ＝０．２の相転移温度と対応する。
変化を示す。図９から、ｘ＝０．２の場合、２３０Ｋで
反磁性が増大し始めていることがわかる。この温度は図
７におけるｘ＝０．２の相転移温度と対応する。
【００２６】また、ｘ＝０．１５の場合、図７、図４か
ら相転移温度は約２００Ｋであるが、ｘ＝０．２の場合
は、２３０Ｋであり、ｘの増加に伴い相転移温度が高温
側にシフトしていることがわかる。
ら相転移温度は約２００Ｋであるが、ｘ＝０．２の場合
は、２３０Ｋであり、ｘの増加に伴い相転移温度が高温
側にシフトしていることがわかる。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のエレクトロ
ニクス素子用硼化物材料によれば、ｐｎ接合素子を容易
に得ることができ、さらに組成を変化させることによ
り、特定温度においてｐｎ接合が消失しｐ型或いはｎ型
に変化する従来にない機能を有するエレクトロニクス素
子等を提供することが可能となる。また、本発明のエレ
クトロニクス素子用硼化物材料によれば、その組成の変
化に対応して、温度に対する熱敏感性を選択し得る抵抗
器が容易に製造できる。
ニクス素子用硼化物材料によれば、ｐｎ接合素子を容易
に得ることができ、さらに組成を変化させることによ
り、特定温度においてｐｎ接合が消失しｐ型或いはｎ型
に変化する従来にない機能を有するエレクトロニクス素
子等を提供することが可能となる。また、本発明のエレ
クトロニクス素子用硼化物材料によれば、その組成の変
化に対応して、温度に対する熱敏感性を選択し得る抵抗
器が容易に製造できる。
【図１】Ｚｒ0.85Ｓｃ0.15Ｂ12焼結体の結晶構造変化を
示す低温におけるＸ線回折パターンを示す図である。
示す低温におけるＸ線回折パターンを示す図である。
【図２】Ｚｒ0.85Ｓｃ0.15Ｂ12焼結体の電気抵抗の温度
依存性を示す図である。
依存性を示す図である。
【図３】Ｚｒ0.85Ｓｃ0.15Ｂ12焼結体のゼーベック係数
の温度依存性を示す図である。
の温度依存性を示す図である。
【図４】Ｚｒ0.85Ｓｃ0.15Ｂ12焼結体の帯磁率の温度依
存性を示す図である。
存性を示す図である。
【図５】Ｚｒ1-x Ｓｃx Ｂ12焼結体（０≦ｘ≦１）の室
温における結晶構造を示すＸ線回折パターンを示す図で
ある。
温における結晶構造を示すＸ線回折パターンを示す図で
ある。
【図６】Ｚｒ1-x Ｓｃx Ｂ12焼結体（０≦ｘ≦０．３）
の電気抵抗の温度依存性を示す図である。
の電気抵抗の温度依存性を示す図である。
【図７】Ｚｒ1-x Ｓｃx Ｂ12焼結体（０≦ｘ≦０．３）
の電気抵抗の温度依存性を示す図である。
の電気抵抗の温度依存性を示す図である。
【図８】Ｚｒ1-x Ｓｃx Ｂ12焼結体（０．４≦ｘ≦０．
９）及びＳｃＢ12の電気抵抗の温度依存性を示す図であ
る。
９）及びＳｃＢ12の電気抵抗の温度依存性を示す図であ
る。
【図９】Ｚｒ0.8 Ｓｃ0.2 Ｂ12焼結体の帯磁率の温度依
存性を示す図である。
存性を示す図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 39/22 ＺＡＡ Ｈ０１Ｌ 39/22 ＺＡＡＺ (73)特許権者 000005108 株式会社日立製作所 東京都千代田区神田駿河台四丁目６番地 (73)特許権者 000241957 北海道電力株式会社 北海道札幌市中央区大通東１丁目２番地 (72)発明者 浜田 一之 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団 法人国際超電導産業技術研究センター超 電導工学研究所内 (72)発明者 杉井 信之 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団 法人国際超電導産業技術研究センター超 電導工学研究所内 (72)発明者 若田 光延 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団 法人国際超電導産業技術研究センター超 電導工学研究所内 (72)発明者 久保 光一 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団 法人国際超電導産業技術研究センター超 電導工学研究所内 (72)発明者 松浦 清隆 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団 法人国際超電導産業技術研究センター超 電導工学研究所内 (72)発明者 山内 尚雄 東京都江東区東雲１丁目14番３号 財団 法人国際超電導産業技術研究センター超 電導工学研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C01G 25/00 - 27/06 C01B 35/00 - 35/10 C30B 1/10 - 35/00 H01L 39/22 - 39/24
Claims (1)
- 【請求項１】 Ａ1-x Ｅx Ｂ12（ただし、ＡはＺｒ又は
Ｈｆ，ＥはＳｃ又はＹを示し、０．１≦ｘ≦０．９であ
る。）の化学式で表され、その結晶系が相転移温度以上
で立方晶系、相転移温度以下で六方晶系であることを特
徴とするエレクトロニクス素子用硼化物材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4239268A JP2770671B2 (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | エレクトロニクス素子用硼化物材料 |
| US08/116,534 US5376309A (en) | 1992-09-08 | 1993-09-03 | Boride materials for electronic elements and method of preparing the same |
| EP93307070A EP0587417B1 (en) | 1992-09-08 | 1993-09-08 | Boride materials for electronic elements and method of preparing the same |
| DE69315928T DE69315928T2 (de) | 1992-09-08 | 1993-09-08 | Borid-Material für elektronische Elemente und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4239268A JP2770671B2 (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | エレクトロニクス素子用硼化物材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0692793A JPH0692793A (ja) | 1994-04-05 |
| JP2770671B2 true JP2770671B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=17042242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4239268A Expired - Fee Related JP2770671B2 (ja) | 1992-09-08 | 1992-09-08 | エレクトロニクス素子用硼化物材料 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5376309A (ja) |
| EP (1) | EP0587417B1 (ja) |
| JP (1) | JP2770671B2 (ja) |
| DE (1) | DE69315928T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP4538619B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2010-09-08 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | ホウ化物単結晶と半導体形成用基板及びその製造方法 |
| JP6061272B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2017-01-18 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 希土類アルミノボライド熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子 |
| CN110041079B (zh) * | 2019-05-13 | 2022-12-02 | 山东理工大学 | 十二硼化锆陶瓷材料的制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4200555A (en) * | 1978-07-27 | 1980-04-29 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Low work function hexaboride electron source |
| US4929417A (en) * | 1989-04-21 | 1990-05-29 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method of manufacture metal diboride ceramics |
-
1992
- 1992-09-08 JP JP4239268A patent/JP2770671B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-09-03 US US08/116,534 patent/US5376309A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-08 EP EP93307070A patent/EP0587417B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-08 DE DE69315928T patent/DE69315928T2/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| DE69315928T2 (de) | 1998-07-30 |
| US5376309A (en) | 1994-12-27 |
| DE69315928D1 (de) | 1998-02-05 |
| EP0587417B1 (en) | 1997-12-29 |
| JPH0692793A (ja) | 1994-04-05 |
| EP0587417A2 (en) | 1994-03-16 |
| EP0587417A3 (en) | 1994-11-23 |
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