JP2768069B2 - 集積回路の故障解析方法 - Google Patents
集積回路の故障解析方法Info
- Publication number
- JP2768069B2 JP2768069B2 JP3207701A JP20770191A JP2768069B2 JP 2768069 B2 JP2768069 B2 JP 2768069B2 JP 3207701 A JP3207701 A JP 3207701A JP 20770191 A JP20770191 A JP 20770191A JP 2768069 B2 JP2768069 B2 JP 2768069B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- failure analysis
- analysis method
- integrated circuit
- potential contrast
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の電位変化を
試験する電子ビームテスタを用いた故障解析方法に関わ
る。
試験する電子ビームテスタを用いた故障解析方法に関わ
る。
【0002】
【従来の技術】電子ビームテスタは集積回路内部の電位
変化を電位コントラスト像として観察することが出来
る。この電子コントラスト像を良品と不良品において、
用いることで、故障解析を行うDynamic fau
lt imaging(DFI)と呼ばれる技術がイン
テル社のメイ(MAY)らによって紹介されている。
(リライアビリティフィジクスコンファレンス予稿集
(Reliability Physics Cou
f.Proe.)1984、P95〜108、”Dyn
amic Fault Imaging of VLS
I Random Logic Derces”)。こ
れを図2を用いて説明する。集積回路を試験するために
テストパターンをクロックのタイミング毎に集積回路に
与える。そのタイミング毎の電位情報を電子ビームテス
タを用いて測定し、電位コントラスト像10を形成す
る。この操作を良品と不良品に対して同様に行い、得ら
れた電位コントラスト像同士を比較する。図2ではiク
ロック目の電位コントラスト像同士を比較している。こ
うして得られる電位コントラスト像の差が電気的な故障
を示しているわけである。しかしながら従来のDFIで
は、集積回路をテストするパターンの数が増すに連れ、
信号ノイズ比が悪くなり、従って、電位コントラスト像
を得るのに大変に長い時間がかかるという問題があっ
た。
変化を電位コントラスト像として観察することが出来
る。この電子コントラスト像を良品と不良品において、
用いることで、故障解析を行うDynamic fau
lt imaging(DFI)と呼ばれる技術がイン
テル社のメイ(MAY)らによって紹介されている。
(リライアビリティフィジクスコンファレンス予稿集
(Reliability Physics Cou
f.Proe.)1984、P95〜108、”Dyn
amic Fault Imaging of VLS
I Random Logic Derces”)。こ
れを図2を用いて説明する。集積回路を試験するために
テストパターンをクロックのタイミング毎に集積回路に
与える。そのタイミング毎の電位情報を電子ビームテス
タを用いて測定し、電位コントラスト像10を形成す
る。この操作を良品と不良品に対して同様に行い、得ら
れた電位コントラスト像同士を比較する。図2ではiク
ロック目の電位コントラスト像同士を比較している。こ
うして得られる電位コントラスト像の差が電気的な故障
を示しているわけである。しかしながら従来のDFIで
は、集積回路をテストするパターンの数が増すに連れ、
信号ノイズ比が悪くなり、従って、電位コントラスト像
を得るのに大変に長い時間がかかるという問題があっ
た。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】信号ノイズ比を改善す
るため、例えば図3に示すようにiクロック目以降の印
加電位を一定値にしてしまうStatic Fault
Imaging法が最近開発されている(久慈、イン
ターナショナルテストコンファレンス予稿集(Iut、
Test Conf.Proc.)1990、P104
9、”Merginal Fault Diagnos
is Based on E−feamStatic
Fault Imaging with CAD Iu
terface”)。しかしこの方法では集積回路表面
に電荷が蓄積しやすくなり、電位コントラストが劣化す
るという問題が発生する。
るため、例えば図3に示すようにiクロック目以降の印
加電位を一定値にしてしまうStatic Fault
Imaging法が最近開発されている(久慈、イン
ターナショナルテストコンファレンス予稿集(Iut、
Test Conf.Proc.)1990、P104
9、”Merginal Fault Diagnos
is Based on E−feamStatic
Fault Imaging with CAD Iu
terface”)。しかしこの方法では集積回路表面
に電荷が蓄積しやすくなり、電位コントラストが劣化す
るという問題が発生する。
【0004】本発明の目的は、電位コントラスト像を高
速に得ることができしかも電荷の蓄積も生じない故障解
析方法を提供することである。
速に得ることができしかも電荷の蓄積も生じない故障解
析方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明による故障解析方
法は、電子ビームテスタを用いた集積回路の故障解析手
法においてを、あるテストパターンを入力した状態を一
時的に保持し、他のテストパターン入力時間よりも長く
した状態で電位コントラストを取得することを特徴とす
る。
法は、電子ビームテスタを用いた集積回路の故障解析手
法においてを、あるテストパターンを入力した状態を一
時的に保持し、他のテストパターン入力時間よりも長く
した状態で電位コントラストを取得することを特徴とす
る。
【0006】
【作用】図1を用いて原理を説明する。電位コントラス
ト像10を取ろうとするところのパターン(図中ではi
番目のクロック)の長さを他のパターンより長くしてパ
ターン全体の印加時間に対する前記のパターンの印加時
間の割合を増加させている。そのため、図2の従来例に
比べて、信号ノイズ比が改善する。しかも電荷の蓄積が
起こらないよう前記パターンを図3のようにずっと保持
するのではなく一時的に保持するようにしている。保持
時間はおよそ1秒以内に制限し、パターン全体をくり返
す。本発明の方法をTemporary Static
Fault Imaging(縮めてTSFI)と呼
ぶ。
ト像10を取ろうとするところのパターン(図中ではi
番目のクロック)の長さを他のパターンより長くしてパ
ターン全体の印加時間に対する前記のパターンの印加時
間の割合を増加させている。そのため、図2の従来例に
比べて、信号ノイズ比が改善する。しかも電荷の蓄積が
起こらないよう前記パターンを図3のようにずっと保持
するのではなく一時的に保持するようにしている。保持
時間はおよそ1秒以内に制限し、パターン全体をくり返
す。本発明の方法をTemporary Static
Fault Imaging(縮めてTSFI)と呼
ぶ。
【0007】
【実施例】集積回路として、交換機アナライザー用集積
回路を用い、タイミング不良の故障解析を行なった。印
加するクロックや信号のタイミング条件が変化すると一
個の集積回路でそれが良品と判断されたり不良品と判断
されたりする。まずLSIテスタを用いて集積回路を駆
動し、故障が始めて出力される端子を同定し、その端子
とその近傍において、タイミング不良が起こる条件すな
わち不良品となる状態とタイミング不良が起こらない条
件すなわち良品となる状態の電位コントラスト像をと
り、その差の故障像を抽出した。タイミング不良は33
16パターン目で発生しているので、3316個のパタ
ーンをループして集積回路に印加している。1パターン
は200ナノ秒間与えている。この場合、従来法だと電
位コントラストを取る時間的割合が1/3316とな
り、信号ノイズ比が悪くなって充分なコントラストの電
位コントラスト像を1枚得るのに5分間必要であった。
これに対して、注目するパターンを印加時間幅を5マイ
クロ秒まで拡大して行う本発明の方法を用いた場合、5
マイクロ秒/200ナノ秒に相当する25倍速く、充分
な電位コントラスト像を得ることができ、従来に比べ
て、25倍速く(すなわち12秒で1枚の電位コントラ
スト像が得られる)集積回路内部の電気的故障の発生点
を見つけることが出来た。
回路を用い、タイミング不良の故障解析を行なった。印
加するクロックや信号のタイミング条件が変化すると一
個の集積回路でそれが良品と判断されたり不良品と判断
されたりする。まずLSIテスタを用いて集積回路を駆
動し、故障が始めて出力される端子を同定し、その端子
とその近傍において、タイミング不良が起こる条件すな
わち不良品となる状態とタイミング不良が起こらない条
件すなわち良品となる状態の電位コントラスト像をと
り、その差の故障像を抽出した。タイミング不良は33
16パターン目で発生しているので、3316個のパタ
ーンをループして集積回路に印加している。1パターン
は200ナノ秒間与えている。この場合、従来法だと電
位コントラストを取る時間的割合が1/3316とな
り、信号ノイズ比が悪くなって充分なコントラストの電
位コントラスト像を1枚得るのに5分間必要であった。
これに対して、注目するパターンを印加時間幅を5マイ
クロ秒まで拡大して行う本発明の方法を用いた場合、5
マイクロ秒/200ナノ秒に相当する25倍速く、充分
な電位コントラスト像を得ることができ、従来に比べ
て、25倍速く(すなわち12秒で1枚の電位コントラ
スト像が得られる)集積回路内部の電気的故障の発生点
を見つけることが出来た。
【0008】なお本実施例では一個の集積回路において
良品となる状態と不良品となる状態で電位コントラスト
像の差をとったが、良品の集積回路とこれとは別の不良
品の集積回路との電位コントラスト像の差をとる場合に
も適用できることは明らかである。
良品となる状態と不良品となる状態で電位コントラスト
像の差をとったが、良品の集積回路とこれとは別の不良
品の集積回路との電位コントラスト像の差をとる場合に
も適用できることは明らかである。
【0009】
【発明の効果】本発明によれば、電位コントラスト像を
高速に得ることができしかも電荷の蓄積による電位コン
トラストの劣化もない。本発明は集積回路の故障解析の
効率化に大きく寄与するものである。
高速に得ることができしかも電荷の蓄積による電位コン
トラストの劣化もない。本発明は集積回路の故障解析の
効率化に大きく寄与するものである。
【図1】本発明の方法の概念図。
【図2】従来の方法を示す概念図。
【図3】従来の方法を示す概念図。
10 電位コントラスト像
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平1−307679(JP,A) 特開 昭58−166734(JP,A) 特開 昭49−84794(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G01R 31/302
Claims (2)
- 【請求項1】 電子ビームテスタを用いた集積回路の故
障解析手法において、あるテストパターンを入力した状
態を一時的に保持し、他のテストパターン入力時間より
も長くした状態で電位コントラストを取得することを特
徴とする故障解析方法。 - 【請求項2】 請求項1に記載の故障解析方法を一つの
集積回路の良品状態と不良品状態に対してそれぞれ行な
うか、あるいは良品の集積回路と不良品の集積回路に対
してそれぞれ行ない得られる電位コントラストの差を用
いることを特徴とする故障解析方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3207701A JP2768069B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 集積回路の故障解析方法 |
EP92114243A EP0528430A1 (en) | 1991-08-20 | 1992-08-20 | Method of temporary static fault imaging |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3207701A JP2768069B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 集積回路の故障解析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0545423A JPH0545423A (ja) | 1993-02-23 |
JP2768069B2 true JP2768069B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=16544139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3207701A Expired - Lifetime JP2768069B2 (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 集積回路の故障解析方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0528430A1 (ja) |
JP (1) | JP2768069B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5640539A (en) * | 1993-09-21 | 1997-06-17 | Advantest Corporation | IC analysis system having charged particle beam apparatus for improved contrast image |
EP0652444A1 (en) * | 1993-11-08 | 1995-05-10 | Advantest Corporation | Method and apparatus for forming a potential distribution image of a semiconductor integrated circuit |
JPH07280890A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Advantest Corp | Ic試験装置並びにそれに使われるイオンビームテスタ及びこの装置を用いたicの不良部分の特定方法 |
JPH07311749A (ja) * | 1994-05-19 | 1995-11-28 | Toshiba Corp | マルチプロセッサシステム及びカーネル置換方法 |
JP3472971B2 (ja) * | 1994-07-15 | 2003-12-02 | 株式会社アドバンテスト | Ic不良解析方法及び不良解析装置 |
DE19526194C2 (de) * | 1994-07-18 | 2002-11-07 | Advantest Corp | Verfahren zur Feststellung eines Fehlers eines ICs unter Verwendung eines Strahls geladener Teilchen |
KR100212608B1 (ko) * | 1996-01-12 | 1999-08-02 | 가네꼬 히사시 | Cmos 집적 회로 고장 진단 장치 및 진단 방법 |
US6344750B1 (en) * | 1999-01-08 | 2002-02-05 | Schlumberger Technologies, Inc. | Voltage contrast method for semiconductor inspection using low voltage particle beam |
JP4174167B2 (ja) | 2000-04-04 | 2008-10-29 | 株式会社アドバンテスト | 半導体集積回路の故障解析方法および故障解析装置 |
KR101709744B1 (ko) | 2015-07-16 | 2017-02-23 | 양복주 | 고온 열분해 소각장치 |
CN106487437B (zh) * | 2015-08-27 | 2020-10-16 | 中兴通讯股份有限公司 | 基于宽窄波束接入的高频同步实现方法、系统及装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5089774A (en) * | 1989-12-26 | 1992-02-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Apparatus and a method for checking a semiconductor |
US5072417A (en) * | 1990-03-30 | 1991-12-10 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for synchronizing the time scales of e-beam test equipment |
DE4023387A1 (de) * | 1990-07-23 | 1991-02-07 | Siemens Ag | Verfahren zur probenschonenden erzeugung eines logikbildes |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP3207701A patent/JP2768069B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-08-20 EP EP92114243A patent/EP0528430A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0528430A1 (en) | 1993-02-24 |
JPH0545423A (ja) | 1993-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2768069B2 (ja) | 集積回路の故障解析方法 | |
US5587665A (en) | Testing hot carrier induced degradation to fall and rise time of CMOS inverter circuits | |
JP2001289909A (ja) | 半導体集積回路の故障解析方法および故障解析装置 | |
Savir et al. | A multiple seed linear feedback shift register | |
JP4336029B2 (ja) | 半導体集積回路の故障シミュレーション方法および故障シミュレータ | |
US4630270A (en) | Method for identifying a faulty cell in a chain of cells forming a shift register | |
US3781670A (en) | Ac performance test for large scale integrated circuit chips | |
JP2607029B2 (ja) | 信号遷移伝搬検出方法 | |
US5701335A (en) | Frequency independent scan chain | |
JP2605607B2 (ja) | 半導体集積回路の故障解析装置 | |
JP2900858B2 (ja) | Cmos論理回路の故障箇所特定方法 | |
EP0585086A2 (en) | Method and apparatus for self-testing of delay faults | |
JP2985056B2 (ja) | Ic試験装置 | |
JP3365325B2 (ja) | 順序回路のテスト集合圧縮方法 | |
US20060170445A1 (en) | Method for testing the sensitive input range of Byzantine filters | |
JP2503895B2 (ja) | 半導体集積回路の故障解析装置 | |
JPH05119122A (ja) | スキヤン回路のテストパターン生成方法 | |
JP3022017B2 (ja) | 集積回路 | |
Stivers et al. | Fault contrast: A new voltage contrast VLSI diagnosis technique | |
JP3052497B2 (ja) | Cmos集積回路の試験方法 | |
Tsujide | Novel electron-beam image-based failure localization techniques | |
Higami et al. | Static test compaction for IDDQ testing of sequential circuits | |
Vanzi | VLSI failure analysis by automated digital differential voltage contrast | |
JP3140090B2 (ja) | 半導体装置 | |
Sumitomo et al. | Open fault detection method for CMOS-LSI by supplying pulsed voltage signal to VDD and GND lines |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980310 |