JP2762313B2 - Inspection method for foreign substances on lattice face plate - Google Patents

Inspection method for foreign substances on lattice face plate

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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は格子面板の異物検査方法に関し、詳しくは
シリコンウエハを個々のICチップに分離するために、L
ホトと称される工程により格子溝をエッチングにより形
成し、これを境界として分離される格子面板を対象とす
る異物検査方法である。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for inspecting a foreign substance on a lattice face plate, and more particularly, to separating a silicon wafer into individual IC chips.
This is a foreign matter inspection method for a lattice face plate which is formed by etching a lattice groove by a process called photo, and separated by the boundary.

[従来の技術] 半導体ICチップはシリコンウエハを素材とし、その表
面に対する酸化シリコン膜(または窒化シリコン膜)の
蒸着、ホトレジストの塗布、ホトマスクの投影・転写、
および現像処理などのプロセスが多段階繰り返されてIC
チップが製作される。
[Prior art] A semiconductor IC chip is made of a silicon wafer, and a silicon oxide film (or a silicon nitride film) is deposited on a surface of the silicon IC chip, a photoresist is applied, a photomask is projected and transferred,
And multi-step processes such as development processing are repeated
Chips are manufactured.

ICチップの生産性を向上するために、シリコンウエハ
に複数のICチップを形成し、ダイシングにより個々のIC
チップに分割する方法が行われている。第2図(a),
(b)において、Lホトと称される工程により、シリコ
ンウエハ1に格子溝1bがエッチング形成され、これを境
界として複数の格子面板1aに分離される。各格子面板に
対して上記により配線パターンが形成された後、格子溝
に沿って個々のICチップに分割される。
To improve the productivity of IC chips, multiple IC chips are formed on a silicon wafer and each IC is diced.
A method of dividing into chips has been performed. FIG. 2 (a),
In (b), a lattice groove 1b is formed in the silicon wafer 1 by etching by a process called L photo, and the silicon wafer 1 is separated into a plurality of lattice plane plates 1a with the boundary as a boundary. After the wiring pattern is formed on each lattice face plate as described above, the wafer is divided into individual IC chips along the lattice grooves.

シリコンウエハの表面に異物が付着するときはICは品
質が低下し、その程度によっては不良品となるので、ウ
エハの異物は異物検査装置により検査され、配線パター
ンが形成された段階では電気的なテストが行われる。
When foreign matter adheres to the surface of the silicon wafer, the quality of the IC deteriorates, and depending on the degree, the IC becomes defective. Therefore, the foreign matter on the wafer is inspected by a foreign matter inspection device, and when a wiring pattern is formed, an electric current is applied. The test is performed.

第3図は異物検査装置の光学系の基本較正を示すもの
で、被検査のウエハ1としては取り敢えず、表面が平滑
な素材を対象とし、これを移動台2に載置する。これに
対して、光源3よりのレーザビームが投光光学系4のコ
リメータ4aにより平行光とされ、ミラー4bを経て集束レ
ンズ4cによりスポットに集束されて照射される。移動台
2の移動または回転によりスポットがウエハの表面を走
査すると、表面に存在する異物によりスポットが散乱光
が散乱する。この散乱光を集光レンズ5により集光し、
光電変換器6により受光して異物が検出される。
FIG. 3 shows the basic calibration of the optical system of the foreign matter inspection apparatus. For the wafer 1 to be inspected, a material having a smooth surface is used, and the wafer 1 is mounted on the moving table 2. On the other hand, the laser beam from the light source 3 is converted into parallel light by the collimator 4a of the light projecting optical system 4, and is focused on the spot by the focusing lens 4c via the mirror 4b and irradiated. When the spot scans the surface of the wafer by moving or rotating the movable table 2, the spot scatters the scattered light due to foreign substances present on the surface. This scattered light is collected by the condenser lens 5,
Light is received by the photoelectric converter 6 and foreign matter is detected.

以上の光学系は基本構成であって、異物に対する検出
性能の向上、ないしは検査時間の短縮などのために、投
光光学系や受光光学系などに各種の改良がなされてお
り、さらに配線パターンが形成されたウエハに対して
は、同一パターンの比較法によりパターンの影響を除去
して異物を検出する方式が開発されるている。
The above optical system has a basic configuration, and various improvements have been made to the light projecting optical system and the light receiving optical system in order to improve the detection performance for foreign substances or to shorten the inspection time. With respect to the formed wafer, a method has been developed in which the influence of the pattern is removed by a comparison method of the same pattern to detect foreign matter.

[解決しようとする課題] 最近におけるICの集積度の向上などに対応して、ウエ
ハに対する異物の付着はますます厳しく制限される趨勢
にある。このために、上記したLホト工程により格子溝
が形成された段階において、各格子面板に付着している
異物の検査を行うことが必要とされている。この検査を
前記した第3図の光学系により行うときは、格子溝の散
乱光が同時に検出され、これと格子面板に付着した異物
が弁別されない。これに対して、前記した比較法に異物
検査方式を適用することが可能であるが、処理が複雑で
処理時間が長いので効率的でなく、単純明快な原理によ
り短時間に検査できる方式が望ましい。
[Problem to be Solved] In response to the recent increase in the degree of integration of ICs, the tendency of foreign substances to adhere to wafers has been increasingly severely restricted. For this reason, it is necessary to inspect foreign substances adhering to each lattice face plate at the stage when the lattice grooves are formed by the above-mentioned L photo process. When this inspection is performed by the optical system shown in FIG. 3, scattered light from the grating grooves is detected at the same time, and foreign matter adhering to the grating face plate is not discriminated. On the other hand, it is possible to apply a foreign substance inspection method to the above-mentioned comparison method, but it is not efficient because the processing is complicated and the processing time is long, and a method capable of performing inspection in a short time by a simple and clear principle is desirable. .

この発明は、以上に鑑みてなされたもので、個々のIC
チップに分離するための格子溝がエッチング形成された
シリコンウエハを対象とし、格子溝により分離される各
格子面板に付着した異物を、格子溝の散乱光の影響を排
除して検出する方式を提供することを目的とするもので
ある。
The present invention has been made in view of the above, and an individual IC
For silicon wafers with lattice grooves for etching separated into chips, a method is provided for detecting foreign matter adhering to each lattice face plate separated by the lattice grooves by eliminating the influence of scattered light from the lattice grooves. It is intended to do so.

[課題を解決するための手段] この発明は、シリコンウエハに形成された格子溝を境
界として分離される格子面板に対する異物検出方法であ
る。異物検査装置によりレーザスポットを照射して走査
する。検査装置には散乱光を検出する暗視野受光系と、
反射面の凹凸や傾斜により生ずる正反射光の方向変化を
検出する明視野受光系とを設ける。暗視野受光系により
格子溝のエッジおよび格子面板に付着した異物をそれぞ
れ検出してメモリの第1エリアに記憶する。これととも
に、明視野受光系により格子溝のエッジを検出してメモ
リの第2エリアに記憶する。第1エリアに記憶されたデ
ータより、第2エリアに記憶されたデータを差し引きし
て、格子面板に付着した異物に対する検出データをうる
ものである。
[Means for Solving the Problems] The present invention is a foreign matter detection method for a lattice face plate separated by a lattice groove formed in a silicon wafer as a boundary. Scanning is performed by irradiating a laser spot with a foreign matter inspection device. The inspection device has a dark field light receiving system that detects scattered light,
A bright-field light receiving system for detecting a change in the direction of regular reflection light caused by unevenness or inclination of the reflection surface; Foreign matter adhering to the edges of the grating grooves and the grating face plate is respectively detected by the dark field light receiving system and stored in the first area of the memory. At the same time, the edge of the grating groove is detected by the bright-field light receiving system and stored in the second area of the memory. The data stored in the second area is subtracted from the data stored in the first area to obtain detection data for foreign matter attached to the lattice face plate.

[作用] この発明による格子面板の異物検出方法においては、
異物検査装置によりレーザスポットを被検査のシリコン
ウエハに照射して走査する。検査装置には暗視野方式と
明視野方式の受光系が設けられる。暗視野方式は散乱光
に対する検出性能が良好であるので、格子面板に付着し
ている異物のみでなく、格子溝のエッジによる散乱光も
検出し、これらの検出データはメモリの第1のエリアに
記憶される。これに対して、明視野方式は異物の散乱光
に対する検出能力は殆ど無力であるが、その代わりに反
射面の凹凸や傾斜により、入射したレーザの反射方向、
すなわち正反射光の方向に対する検出能力が優れてお
り、これにより格子溝のエッジの凸面によるレーザの正
反射光の方向の変化が検出され、この検出データはメモ
リの第2のエリアに記憶される。第1のエリアに記憶さ
れたデータより第2のエリアのデータを差し引くことに
より、格子溝のエッジに対する検出データが消去され、
格子面板に付着した異物の検出データがえられる。
[Operation] In the method for detecting foreign matter on a lattice face plate according to the present invention,
A silicon spot to be inspected is irradiated with a laser spot and scanned by a foreign substance inspection device. The inspection apparatus is provided with a dark-field type and a bright-field type light receiving system. Since the dark-field method has good detection performance for scattered light, it detects not only the foreign matter adhering to the lattice face plate but also the scattered light due to the edge of the lattice groove, and these detection data are stored in the first area of the memory. It is memorized. On the other hand, the bright-field method has almost no power of detecting foreign matter scattered light, but instead, the reflection direction of the incident laser,
That is, the detection ability in the direction of the regular reflection light is excellent, whereby the change in the direction of the regular reflection light of the laser due to the convex surface of the edge of the grating groove is detected, and this detection data is stored in the second area of the memory. . By subtracting the data of the second area from the data stored in the first area, the detection data for the edge of the lattice groove is deleted,
Data on the detection of foreign matter adhering to the lattice face plate is obtained.

[実施例] 第1図(a),(b)および(c)は、この発明によ
る格子面板の異物検出方法の実施例における光学系の構
成図と、データ処理回路のブロック構成図、および格子
面板に付着した異物の検出原理の説明図である。図
(a)において、レーザ光源3よりのレーザビームはコ
リメータ4aにより平行とされ、第1の穴ミラー7aの中心
穴と、ミラー7bを経て、集束レンズ7cの中心点Oを外れ
た入射点に入射して集束され、ウエハ1にスポットが形
成される。暗視野受光系はスポットの走査点に対して斜
め側方に設けられた集光レンズ5と光電変換器6−1に
より構成される。また、明視野受光系は集束レンズ7c,
ミラー7b,第1および第2の穴ミラー7a,7d、ならびに、
第2および第3の光電変換器6−2,6−3により構成さ
れる。ウエハの面に異物の付着や凹凸または傾斜がない
ときは、光電変換器6−1には受光電流がないが、その
正反射光は集束レンズ7cの上記の入射点の対称点を透過
し、明視野受光系の光電変換器6−2に受光されて受光
電源I2が出力される。いま、レーザスポットが格子溝を
照射するときは、そのエッジによりレーザスポットが散
乱し、散乱光が集光レンズ5により集光されて光電変換
器6−1に受光され、受光電流I1が出力される。これと
同時に、格子溝のエッジの凸面により正反射光の方向が
変化し、図示の一点鎖線と二転鎖線で挟まれた範囲内の
経路により光電変換器6−3により受光され、受光電流
I3が出力される。これに対応して、正反射光の方向の変
化により受光電流I2は減少する。次に、格子面板に付着
して異物に対してレーザスポットが照射されたときは、
異物による散乱光は暗視野受光系の光電変換器6−1に
受光され、受光電流I1が出力される。しかし、異物によ
る正反射光の方向変化は極めて微弱であるので、明視野
受光系には受光されず、光電変換器6−2からは一定の
受光電流I2が出力される。
[Embodiments] FIGS. 1A, 1B and 1C are a block diagram of an optical system, a block diagram of a data processing circuit, and a grid in an embodiment of a method for detecting foreign matter on a grid plate according to the present invention. FIG. 4 is an explanatory diagram of a principle of detecting foreign matter attached to a face plate. In FIG. 5A, a laser beam from a laser light source 3 is collimated by a collimator 4a and passes through a center hole of a first hole mirror 7a, and a mirror 7b to an incident point deviated from a center point O of a focusing lens 7c. The incident light is focused and a spot is formed on the wafer 1. The dark-field light receiving system includes a condenser lens 5 and a photoelectric converter 6-1 provided diagonally to the scanning point of the spot. The bright-field light receiving system is a focusing lens 7c,
Mirror 7b, first and second hole mirrors 7a, 7d, and
It is constituted by the second and third photoelectric converters 6-2 and 6-3. When there is no foreign matter on the surface of the wafer, no irregularity or inclination, the photoelectric converter 6-1 has no light-receiving current, but its specular reflection light passes through the above-mentioned point of symmetry of the incident point of the focusing lens 7c, receiving power I 2 is output is received by the photoelectric converter 6-2 bright field light receiving system. Now, when the laser spot illuminates the grating grooves, the laser spot is scattered by its edge, the scattered light is received is condensed by the condenser lens 5 to the photoelectric converter 6-1, the light-receiving current I 1 output Is done. At the same time, the direction of the specularly reflected light changes due to the convex surface of the edge of the lattice groove, and is received by the photoelectric converter 6-3 along the path between the one-dot chain line and the two-dot chain line in the drawing.
I 3 is output. Correspondingly, receiving current I 2 by the direction of the change in specular reflected light is reduced. Next, when the laser spot is applied to the foreign matter by adhering to the lattice face plate,
Light scattered by the foreign matter is received by the photoelectric converter 6-1 dark-field light-receiving system, receiving current I 1 is output. However, since the direction change of the specular reflection light by the foreign matter it is very weak, not received in the bright-field light receiving system, the photoelectric converter 6-2 is output constant photocurrent I 2.

なお、暗視野および明視野の受光系は上記に限るもの
でなく、これ以外の方法により構成することは勿論差し
支えない。
It should be noted that the light receiving systems for the dark field and the bright field are not limited to those described above, and may be constituted by other methods.

第1図(b)のブロック構成図において、光電変換器
6−1の受光電流I1はアンプ8により適当なレベルに調
整され、A/D変換器10−1によりデジタル電流[I1]と
なり、インタフェース(I/F)11を経てマイクロプロセ
ッサ(MPU)12の制御によりメモリ(MEM)13の第1のエ
リアに記憶される。第1のエリアのアドレスは、被検査
のウエハの座標位置に対応したアドレス番号とする。次
に、光電変換器6−2,6−3の受光電流I2,I3は、減算器
9に入力して差電流(I3−I2)が作成される。このよう
に両電流の差をとることにより、正反射光の方向変化に
対する検出感度が倍増される。差電流(I3−I2)はA/D
変換器10−2によりデジタル電流[I3−I2]に変換さ
れ、I/F11を経てMPU12により、MEM13の第2のエリアの
アドレスに記憶される。このアドレス番号は上記の第1
エリアのアドレス番号に対応して設定される。
In block diagram of Fig. 1 (b), the light-receiving current I 1 of the photoelectric converter 6-1 is adjusted to a suitable level by the amplifier 8, the digital current [I 1] by A / D converter 10-1 becomes The data is stored in a first area of a memory (MEM) 13 under the control of a microprocessor (MPU) 12 via an interface (I / F) 11. The address of the first area is an address number corresponding to the coordinate position of the wafer to be inspected. Next, the light-receiving current I 2, I 3 of the photoelectric converter 6-2 and 6-3, the difference current is input to the subtractor 9 (I 3 -I 2) is created. By thus taking the difference between the two currents, the detection sensitivity to the change in the direction of the specularly reflected light is doubled. The difference current (I 3 −I 2 ) is A / D
The current is converted into a digital current [I 3 −I 2 ] by the converter 10-2, and is stored at the address of the second area of the MEM 13 by the MPU 12 via the I / F 11. This address number is the first
It is set corresponding to the address number of the area.

第1図(c)には、明視野受光系の差電流[I3−I2
により検出され、MEM13の第2エリアに記憶されている
格子溝のエッジdbと、暗視野受光学系の受光電流
[I1]により検出され、第1エリアに記憶されている格
子溝のエッジdbおよび格子面板に付着している異物da
を示す。第1エリアのデータから第2エリアのデータを
差し引くことにより、エッジdbのデータは消去され、
格子面板に付着した異物に対する検出データdaのみが
検出される。
FIG. 1 (c) shows the difference current [I 3 −I 2 ] of the bright field light receiving system.
And the edge db of the grating groove stored in the second area of the MEM 13 and the edge db of the grating groove detected by the light receiving current [I 1 ] of the dark field receiving optical system and stored in the first area. And foreign matter da adhering to the lattice face plate
Is shown. By subtracting the data in the second area from the data in the first area, the data at the edge db is erased,
Only the detection data da for the foreign matter attached to the lattice face plate is detected.

[発明の効果] 以上の説明により明らかなように、この発明による格
子面板の異物検出方法においては、検査装置のレーザス
ポットによりシルコンウエハが走査され、暗視野受光系
により格子面板に付着している異物と格子溝のエッジが
ともに検出されてメモリに記憶され、また、明視野受光
系により格子溝のエッジが検出されてメモリに記憶さ
れ、これらのメモリのデータを差し引くことにより、格
子溝のエッジの検出データが消去されて格子面板に付着
した異物の検出データのみがえられるもので、検出原理
は単純明快で検査の所要時間が短く、Lホト工程により
形成された格子面板に対して、異物検査を効率的に行う
ことができる効果には大きいものがある。
[Effects of the Invention] As is apparent from the above description, in the method for detecting foreign matter on the lattice face plate according to the present invention, the silicon wafer is scanned by the laser spot of the inspection apparatus, and the foreign matter adhering to the lattice face plate by the dark field light receiving system. And the edge of the grating groove are both detected and stored in the memory, and the edge of the grating groove is detected and stored in the memory by the bright-field light receiving system, and by subtracting the data of these memories, the edge of the grating groove is detected. The detection data is erased, and only the detection data of the foreign substance attached to the lattice face plate is obtained. The detection principle is simple and clear, the time required for inspection is short, and the foreign substance inspection is performed on the lattice face plate formed by the L photo process. There is a great effect that can be performed efficiently.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図(a),(b)および(c)は、この発明による
格子面板の異物検査方法の実施例における、光学系の構
成図と、データの処理回路のブロック構成図、および格
子面板に付着した異物の検出原理の説明図、第2図
(a)および(b)はLホト工程により形成される格子
溝と格子面板の説明図、第3図は、素材ウエハに対する
異物検査装置の光学系の基本構成図である。 1……シリコンウエハ、1a……格子面板、 1b……格子溝、2……移動台、 3……レーザ光源、4……投光光学系、 4a……コリメータ、4b……ミラー、 4c……集束レンズ、5……集光レンズ、 6……光電変換器、 6−1……暗視野受光系の光電変換器、 6−2,6−3……明視野受光系の光電変換器、 7a,7d……穴ミラー、7b……ミラー、 7c……集束レンズ、7e……集光レンズ、 8……アンプ、9……減算器、 10……A/D変換器、11……インタフェース(I/F)、 12……マイクロプロセッサ(MPU)、 13……メモリ(MEM)。
FIGS. 1 (a), 1 (b) and 1 (c) show a configuration of an optical system, a block diagram of a data processing circuit, and a configuration of a lattice face plate in an embodiment of a method for inspecting foreign matter on a lattice face plate according to the present invention. 2 (a) and 2 (b) are explanatory views of a lattice groove and a lattice face plate formed by an L-photo process, and FIG. 3 is an optical diagram of a foreign substance inspection apparatus for a material wafer. It is a basic block diagram of a system. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Silicon wafer, 1a ... Lattice surface plate, 1b ... Lattice groove, 2 ... Moving table, 3 ... Laser light source, 4 ... Projection optical system, 4a ... Collimator, 4b ... Mirror, 4c ... … Focusing lens, 5… condensing lens, 6… photoelectric converter, 6-1 …… dark field light receiving system photoelectric converter, 6-2, 6-3… bright field light receiving system photoelectric converter, 7a, 7d: Hole mirror, 7b: Mirror, 7c: Focusing lens, 7e: Condensing lens, 8: Amplifier, 9: Subtractor, 10: A / D converter, 11: Interface (I / F), 12: Microprocessor (MPU), 13: Memory (MEM).

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】シリコンウエハに形成された格子溝を境界
として分離される格子面板に対して、異物検査装置によ
りレーザスポットを照射して走査し、該異物検査装置
に、散乱光を検出する暗視野受光系と、反射面の凹凸ま
たは傾斜により生ずる正反射光の方向変化を検出する明
視野受光系とを設け、該暗視野受光系により上記格子溝
のエッジおよび上記格子面板に付着した異物をそれぞれ
検出してメモリの第1エリアに記憶し、該明視野受光系
により上記格子溝のエッジを検出して該メモリの第2エ
リアに記憶し、上記第1エリアに記憶されたデータよ
り、該第2エリアに記憶されたデータを差し引きして上
記格子面板に付着した異物に対する検出データをうるこ
とを特徴とする、格子面板の異物検査方法。
An object inspection apparatus irradiates a laser spot on a lattice surface plate separated by a lattice groove formed in a silicon wafer as a boundary, and scans the lattice plane. A field-of-view light-receiving system, and a bright-field light-receiving system that detects a change in the direction of specularly reflected light caused by the unevenness or inclination of the reflection surface are provided. Each is detected and stored in a first area of a memory, the edge of the grating groove is detected by the bright-field light receiving system and stored in a second area of the memory, and the data stored in the first area is A foreign matter inspection method for a lattice face plate, wherein data detected in a foreign substance adhering to the lattice face plate is obtained by subtracting data stored in the second area.
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