JP3070748B2 - Method and apparatus for detecting defects on reticle - Google Patents
Method and apparatus for detecting defects on reticleInfo
- Publication number
- JP3070748B2 JP3070748B2 JP29504089A JP29504089A JP3070748B2 JP 3070748 B2 JP3070748 B2 JP 3070748B2 JP 29504089 A JP29504089 A JP 29504089A JP 29504089 A JP29504089 A JP 29504089A JP 3070748 B2 JP3070748 B2 JP 3070748B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- light
- inspected
- pattern
- defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、LSIあるいはプリント基板などに露光して
転写する回路パターンを形成したレチクル上に存在する
欠陥（異物をも含む）を検出するレチクル上の欠陥検出
方法及びその装置に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reticle for detecting a defect (including a foreign substance) existing on a reticle on which a circuit pattern to be exposed and transferred onto an LSI or a printed circuit board is formed. The present invention relates to the above defect detection method and apparatus.
LSI製造の露光工程では、レチクルと呼ばれるガラス
基板上に形成されたクロムパターンを半導体ウエハ上に
焼付転写している。この工程では、前記レチクル上に異
物および欠陥が存在した場合、パターンが前記半導体ウ
エハに転写しないので、LSIチップ全数が不良になる。
そのためレチクル管理上露光前の異物および欠陥の検査
は不可欠である。In the exposure process of LSI manufacturing, a chrome pattern formed on a glass substrate called a reticle is printed and transferred onto a semiconductor wafer. In this step, if foreign matter and defects are present on the reticle, the pattern is not transferred to the semiconductor wafer, so that the total number of LSI chips becomes defective.
Therefore, inspection of foreign matter and defects before exposure is indispensable for reticle management.
これに加えて最近ではLSIが高集積され配線パターン
が微細になるのに伴ってより小さな異物が問題になって
きている。また、レチクル製作時のレジスト残り、パタ
ーン形成用のクロムあるいは酸化クロムのエッチング残
り、さらにはレチクル洗浄液に溶けていた不純物が洗浄
乾燥時に凝集したものなど平坦状薄膜の異物が問題にな
りその数は増加の傾向にある。In addition, in recent years, as LSIs are highly integrated and wiring patterns become finer, smaller foreign matters have become a problem. In addition, foreign matter in flat thin films such as resist residue during reticle fabrication, chromium or chromium oxide etching residue for pattern formation, and impurities that were dissolved in the reticle cleaning solution agglomerated during cleaning and drying became a problem. It is increasing.
従来、前記の異物および欠陥の検査装置は、例えば、
特開昭59−65428に記載されているようにレーザ光を斜
め上方から基板に照射し走査する手段と、このレーザ光
の照射点と集光点面がほぼ一致するように基板の上方に
設けられ、このレーザ光の散乱光を集光する第１のレン
ズと、第１のレンズのフーリエ変換面に設けられ、基板
パターンからの規則的散乱光を遮光する遮光板と、遮光
板を通して得られる異物からの散乱光を逆フーリエ変換
する第２のレンズの結像点に設けられ、基板上のレーザ
光照射点以外からの散乱光を遮光するスリットと、スリ
ットを通過した異物からの散乱光を受光する受光器から
構成されたものが知られている。Conventionally, the inspection device for the foreign matter and the defect includes, for example,
Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-65428 describes a means for scanning a substrate by irradiating the substrate with laser light obliquely from above, and a device provided above the substrate so that the irradiation point of the laser light and the converging point surface substantially coincide with each other. A first lens for condensing the scattered light of the laser light, a light shielding plate provided on the Fourier transform surface of the first lens for shielding regular scattered light from the substrate pattern, and a light shielding plate. A slit is provided at the image forming point of the second lens for performing inverse Fourier transform of the scattered light from the foreign matter, and shields light scattered from light other than the laser light irradiation point on the substrate. 2. Description of the Related Art There is known an optical receiver configured to receive light.
この従来技術は、パターンが一般的に視界内で同一方
向かあるいは２〜３の方向の組合せで構成されているこ
とに着目し、この方向のパターンによる回折光をフーリ
エ変換面に設置した空間フィルタで除去することによ
り、異物からの反射光だけを強調して検出するものであ
る。This prior art focuses on the fact that a pattern is generally formed in the same direction or a combination of a few directions in a field of view, and a spatial filter in which diffracted light by the pattern in this direction is set on a Fourier transform plane. In this way, only the reflected light from the foreign matter is emphasized and detected.
また、従来、例えば、特開昭58−139278に記載されて
いるように露光装置と同様の反射、検出光学系を用いて
検出したデータと、標準レチクルのデータあるいは設計
上のデータとを比較して欠陥を検出するものが知られて
いる。Conventionally, for example, as described in JP-A-58-139278, data detected using the same reflection and detection optical system as in an exposure apparatus is compared with standard reticle data or design data. It is known that a defect is detected.
この従来技術は、上記検出光学系を用いて検出したデ
ータを２値化し、設計データから求めたパターンの２値
データと比較するものである。In this conventional technique, data detected by using the above-described detection optical system is binarized and compared with binary data of a pattern obtained from design data.
更に、従来技術としてたとえば、暗視野照明を用いた
比較検査が米国特許第4,595,289号に記載されている。Further, as a prior art, for example, a comparative inspection using dark field illumination is described in U.S. Pat. No. 4,595,289.
前記の従来技術のうち、特開昭59−65428において
は、異物からの反射光を遮光板によってパターンからの
反射光と分離し、かつ、スリツトにより異物からの反射
光のみを検出することおよび異物を２値化法により検出
するので検出機構が簡単であることなどの特徴を有する
が、その反面、斜上方向からのレーザ光の照明のように
本来の露光装置と異なっていたいわば間接的な照明によ
って異物を検出しているため、特定の角度のクロムパタ
ーンからの反射光は遮光するものの、全てのクロムパタ
ーンから異物を区別することができない。Among the above prior arts, JP-A-59-65428 discloses that reflected light from a foreign substance is separated from reflected light from a pattern by a light-shielding plate, and that only reflected light from the foreign substance is detected by a slit. Has a feature that the detection mechanism is simple because it is detected by the binarization method, but on the other hand, it is indirectly different from the original exposure apparatus, such as laser light illumination from an obliquely upward direction. Since foreign matter is detected by illumination, the reflected light from the chrome pattern at a specific angle is blocked, but the foreign matter cannot be distinguished from all chrome patterns.
また、前記のように間接的な手段によって検出する場
合には、実害にならない異物（以下虚報という）も検出
してしまうことになる。とくにパターンが微細になり問
題になる異物の数が増加することは同程度の害は出すも
のの実害までに至らない異物の数も増加することになる
ので、虚報の数が増加し、異物のチェック、分析および
除去といった作業も増加し、作業効率が著しく低下する
課題がある。Further, when detection is performed by indirect means as described above, a foreign substance that does not cause harm (hereinafter referred to as a false report) is also detected. In particular, an increase in the number of foreign substances that pose a problem due to finer patterns increases the number of foreign substances that do not cause actual harm, but increases the number of false reports, and increases the number of false reports. In addition, the number of operations such as analysis and removal increases, and there is a problem that the operation efficiency is significantly reduced.
次に前記従来技術のうち、特開昭58−139278号におい
ては、露光装置と同様の光学系を有するので、前記の従
来技術に比較して光学系の構成が簡単になる特徴を有す
るが、その反面データを比較する画像信号処理系が前記
の従来技術に比較して複雑で検査に多くの時間を要する
問題がある。また、参照データは２値画像であるのに対
し、検出信号は光学系の分解能の制約から多値の濃淡画
像で検出する必要があるため、検出信号を２値化して比
較している。この２値化の際正しいパターンであっても
参照パターンと異なった形状に２値化されてしまい虚報
が増加する原因になっている。さらにこの虚報をなくす
ために、数画素の違いがあっても欠陥としないアルゴリ
ズムを採用しているため、数画素の大きさの欠陥を見落
とす問題があった。またこの見落としの対策として分解
能を上げるために画素サイズを小さくすると、検査に多
大な時間を要するという課題があった。Next, among the above-mentioned prior arts, Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-139278 has a feature that the configuration of the optical system is simplified as compared with the above-described prior art because it has the same optical system as the exposure apparatus. On the other hand, there is a problem that an image signal processing system for comparing data is more complicated than that of the above-mentioned conventional technology and requires much time for inspection. Further, while the reference data is a binary image, the detection signal needs to be detected as a multi-valued gray-scale image due to the restriction of the resolution of the optical system. Therefore, the detection signal is binarized and compared. In this binarization, even a correct pattern is binarized into a shape different from that of the reference pattern, which causes an increase in false reports. Further, in order to eliminate this false alarm, an algorithm is employed that does not detect a defect even if there is a difference of several pixels, so that there is a problem that a defect having a size of several pixels is overlooked. Further, as a countermeasure against this oversight, if the pixel size is reduced in order to increase the resolution, there is a problem that a great deal of time is required for the inspection.
また、米国特許第4,595,289号に記載された方法によ
っても、検出器１画素の中に、複数の回路パターンコー
ナー部が入り、回路パターンからの散乱光信号が大きく
なる場合にはアライメント誤差の影響を小さくすること
は難しいという課題を有していた。即ちこれは、アライ
メントずれにより、１画素で検出する回路パターンコー
ナーの数が変わってしまうため、互いに比較する２つの
検出系の相対応する１画素が検出する信号レベルが大き
く変わってしまうからである。Also, according to the method described in U.S. Pat. No. 4,595,289, when a plurality of circuit pattern corners enter one pixel of the detector and the scattered light signal from the circuit pattern increases, the influence of the alignment error may be reduced. There was a problem that it was difficult to reduce the size. That is, this is because the number of circuit pattern corners detected by one pixel changes due to misalignment, and the signal level detected by the corresponding one pixel of the two detection systems to be compared with each other greatly changes. .
本発明の目的は、前記従来技術の各々の課題を解決す
べく、実害になる微小欠陥（微小異物をも含む）を任意
の角度で存在する回路パターンから分離して検出可能と
するレチクル上の欠陥検出方法及びその装置を提供する
ことにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems of the prior art by using a reticle on a reticle which can detect a minute defect (including a minute foreign matter) which is actually harmful by separating it from a circuit pattern existing at an arbitrary angle. It is an object of the present invention to provide a defect detection method and its device.
本発明は、前記目的を達成するために、回路パターン
を形成した被検査レチクルに対して所望の空間コヒーレ
ンス度の光を照明手段により照明し、上記被検査レチク
ルからの透過光を集光させると共に被検査レチクルのフ
ーリエ変換面に設けられた遮光手段により上記空間コヒ
ーレンス度に対応させた光を遮光する検出光学系及び該
検出光学系から得られる光を検出器にて受光して映像信
号に変換する被検査レチクル検査工程と、上記回路パタ
ーンの設計データに対して上記検出光学系と等価の伝達
関数を持つ空間フィルターによる演算処理を施して基準
映像信号を形成する標準レチクル検査データ作成工程
と、上記被検査レチクル検査工程から検出される映像信
号と上記標準レチクル検査データ作成工程から出力され
る基準映像信号とを比較して上記被検査レチクル上の回
路パターンから獲られる信号を消去して被検査レチクル
上に存在する欠陥を顕在化して検出する欠陥検出工程と
を備えたことを特徴とするレチクル上の欠陥検出方法で
ある。また本発明は、被検査レチクルを載置して走行さ
せる被検査ステージと該被検査レチクルに対して空間コ
ヒーレンス度が調整された光を照射する被検査照明手段
と上記被検査レチクルからの透過光を集光させる被検査
対物レンズと該被検査対物レンズによる被検査レチクル
面のフーリエ変換面に設けられ、上記調整された空間コ
ヒーレンス度に対応した光を遮光する被検査遮光手段と
該被検査遮光手段を通過した光を検出して電気信号に変
換する被検査検出器とを備えた被検査レチクル検査装置
と、上記被検査レチクル検査装置と同等の構成を持つ標
準レチクル検査データ作成装置あるいは設計データを上
記検査レチクル検査装置で検査した検査データに変換す
る機能を有する標準レチクル検査データ作成装置と、上
記被検査レチクル検査装置の被検査検出器から検出され
る電気信号と上記標準レチクル検査データ作成装置から
出力される電気信号とを比較してレチクル上のパターン
から得られる信号を消去して被検査レチクル上に存在す
る欠陥（異物をも含む）顕在化して検出する欠陥検出手
段とを備えたことにより達成される。In order to achieve the above object, the present invention illuminates a reticle to be inspected on which a circuit pattern is formed with light having a desired spatial coherence degree by an illuminating unit, and collects transmitted light from the reticle to be inspected. A detection optical system that blocks light corresponding to the degree of spatial coherence by a light shielding unit provided on a Fourier transform surface of the reticle to be inspected, and a detector that receives light obtained from the detection optical system and converts the light into a video signal. A reticle inspection process to be inspected, and a standard reticle inspection data creation process of forming a reference video signal by performing an arithmetic process on a design data of the circuit pattern by a spatial filter having a transfer function equivalent to the detection optical system, The video signal detected from the reticle inspection process is compared with the reference video signal output from the standard reticle inspection data creation process. A defect detection step of erasing a signal obtained from a circuit pattern on the reticle to be inspected to reveal and detect a defect present on the reticle to be inspected. It is. The present invention also provides a stage to be inspected on which a reticle to be inspected is mounted and travels, illumination means to be inspected for irradiating the inspected reticle with light whose spatial coherence degree is adjusted, and transmitted light from the reticle to be inspected. An inspection objective lens for condensing light, an inspection light shielding means provided on the Fourier transform surface of the inspection reticle surface by the inspection objective lens, and shielding light corresponding to the adjusted spatial coherence degree, and the inspection light shielding A reticle inspection device having a detector to detect light passing through the means and convert the light into an electric signal, and a standard reticle inspection data creation device or design data having a configuration equivalent to the reticle inspection device. A standard reticle inspection data creating device having a function of converting the data into inspection data inspected by the inspection reticle inspection device; Comparing the electric signal detected from the detector under inspection with the electric signal output from the standard reticle inspection data creating apparatus, and erasing the signal obtained from the pattern on the reticle to thereby remove the defect existing on the reticle to be inspected. This is achieved by providing a defect detection unit that detects (including foreign matter) that is manifested.
〔作用〕 （異物と光の相互作用） 本発明は、結像に寄与する光束が異物および欠陥によ
って回折、散乱してしまうために異物および欠陥による
転写不良を発生することに着目した。[Action] (Interaction between Foreign Material and Light) The present invention has focused on the occurrence of transfer failure due to the foreign material and the defect because the light beam contributing to the image is diffracted and scattered by the foreign material and the defect.
一般に縮小投影レンズの入射側（物体側）の開口数
（以下N.A.という）は、レチクル上のパターンを結像す
るのに必要十分な分解能を得る値に設計されている。そ
のため、前記パターンの結像に寄与する光束は、前記縮
小投影レンズの入射側の開口を通過するが、この開口の
外側を通過する光束は、パターンの結像に寄与しない。
微細な異物が存在する場合には、この異物により散乱回
折された光束が縮小投影レンズの入射N.A.より外側を通
過し、パターンの結像の障害なる。In general, the numerical aperture (hereinafter referred to as NA) on the incident side (object side) of the reduction projection lens is designed to a value that obtains a sufficient and sufficient resolution to form a pattern on a reticle. Therefore, the light beam that contributes to the image formation of the pattern passes through the entrance-side opening of the reduction projection lens, but the light beam that passes outside the opening does not contribute to the image formation of the pattern.
When a minute foreign substance is present, the light beam scattered and diffracted by the foreign substance passes outside the incident NA of the reduction projection lens, and hinders image formation of the pattern.
この点については、例えば久保田広著「波動光学」第
387頁「空間フィルタを持つ光学系のレスポンス関数」
の記載からさらに理解することができる。すなわち、前
記文献には、結像光学系のフーリエ変換面に円盤状の空
間フィルタを載置することにより、この円板状の空間フ
ィルタの直径により決められる空間周波数たとえばレン
ズの内側を半径ｄ′の円で覆った場合、この半径ｄ′の
大きさによって決定される特定の空間周波数を有するパ
ターンのみ解像しないと記載されている。したがってこ
の記載は、パターンと異物との空間周波数の違い、即
ち、パターンと異物との大きさの違いを利用して異物の
み検出する本発明の目的に適用することができる。Regarding this point, for example, Hiroshi Kubota
P. 387 "Response Function of Optical System with Spatial Filter"
Can be further understood from the description. That is, in the above document, a disc-shaped spatial filter is mounted on the Fourier transform surface of the imaging optical system, so that a spatial frequency determined by the diameter of the disc-shaped spatial filter, for example, the inside of the lens has a radius d '. It is described that only a pattern having a specific spatial frequency determined by the size of the radius d 'will not be resolved when the image is covered with a circle. Therefore, this description can be applied to the object of the present invention in which only a foreign substance is detected by utilizing a difference in spatial frequency between the pattern and the foreign substance, that is, a difference in size between the pattern and the foreign substance.
本発明は前記の原理を利用し、特開昭63−268245号公
報に記載されているように、露光装置に使用される照明
系と等価な照明系および縮小投影レンズのN.A.（Numeri
cal Aperture）よりも大きなN.A.を有する対物レンズに
入射する光束のうち、縮小投影レンズの入射側N.A.と同
じ領域すなわち回折光を遮光板で遮光し、これによって
異物からの散乱光のみ取り込むものである。The present invention utilizes the above-described principle, and as described in JP-A-63-268245, an illumination system equivalent to an illumination system used in an exposure apparatus and an NA (Numeri) of a reduction projection lens.
cal Aperture), of the light beam incident on the objective lens having an NA larger than the aperture, the same region as the incident side NA of the reduction projection lens, that is, the diffracted light is shielded by the light shielding plate, thereby taking in only the scattered light from the foreign matter. .
従って、本発明においては、異物および欠陥により散
乱、回折して露光装置の縮小投影レンズの入射側の開口
の外側で対物レンズの開口内を通過する光束のみ検出す
ることができるので、実害になる異物のみをパターンか
ら区別して検出することができる。Therefore, in the present invention, since only the light flux that is scattered and diffracted by the foreign matter and the defect and passes through the aperture of the objective lens outside the aperture on the entrance side of the reduction projection lens of the exposure apparatus can be detected, it is a real harm. Only foreign matter can be detected separately from the pattern.
また、異物の結像分解能を落とすことにより、パター
ンコーナーからの散乱光の情報が、検出器１画素の全体
に広がるので、アライメントずれの影響が小さくなり、
異物を安定して検出できる。（標準レチクル検査データ
の作成方法） 標準レチクル検査データ作成装置では、設計データか
ら作成された２値パターンイメージに対し、ソフトウエ
アあるいは電気回路を用い、上記被検査レチクル検査装
置と等価の伝達関数を持つ空間フィルター処理または畳
み込み積分（田村秀行著、コンピュータ画像処理入門、
p47〜49）を施し多値の標準レチクル検査データを作成
する。この標準レチクル検査データと被検査レチクル検
査装置の検査データを多値データのまま比較することに
より、被検査レチクル検査装置の検査データを２値化す
る際に生ずる誤差（平面方向の量子化誤差）をなくすこ
とができるので、虚報をなくし数画素の微小欠陥を検出
することができる。Also, by lowering the imaging resolution of the foreign matter, the information of the scattered light from the pattern corner spreads over the entire pixel of the detector.
Foreign substances can be stably detected. (Method of Creating Standard Reticle Inspection Data) The standard reticle inspection data creating device uses software or an electric circuit to transfer a transfer function equivalent to that of the reticle inspection device to be inspected to a binary pattern image created from design data. Spatial filtering or convolution integral (Hideyuki Tamura, Introduction to Computer Image Processing,
p47-49) to create multivalued standard reticle inspection data. By comparing the standard reticle inspection data with the inspection data of the inspected reticle inspection device as multi-value data, an error (quantization error in the planar direction) generated when the inspection data of the inspected reticle inspection device is binarized. Can be eliminated, and a false defect of several pixels can be detected by eliminating false information.
この場合被検査レチクル検査装置内の円形空間フィル
タを用いなくても、同時に標準レチクル検査データ作成
装置での処理を空間フィルタのない場合の伝達関数に合
わせれば、上記の問題を解決することができる。In this case, even if the circular spatial filter in the inspected reticle inspection apparatus is not used, the above problem can be solved by simultaneously adjusting the processing in the standard reticle inspection data creation apparatus to the transfer function without the spatial filter. .
1.第１の実施例 以下本発明の一実施例を、第17図乃至第18図を用いて
説明する。1. First Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
第17図に示すように、本発明による欠陥叉は異物検査
装置は、試料台部１と、透過照明部２と、落射照明部３
と、検出部４と、設計データ変換部201、信号処理部5b
とから構成されている。As shown in FIG. 17, a defect or foreign matter inspection apparatus according to the present invention comprises a sample stage 1, a transmission illumination unit 2, and an epi-illumination unit 3.
, Detection unit 4, design data conversion unit 201, signal processing unit 5b
It is composed of
1.1構成 （試料台部１） 前記試料台部１は、ペリクル７を有するレチクル６を
固定手段８により固定し、且つＺ方向に走査するＺステ
ージ９と、このＺステージ９を介して前記レチクル６を
Ｘ方向に走査するＸステージ10と、該Ｘステージ10を介
して前記レチクル６をＹ方向に走査するＹステージ11
と、前記各ステージ9,10,11,を駆動させるステージ駆動
系12と、前記レチクル６のＺ方向位置を検出する焦点位
置検出系13と、この焦点位置検出系13からの指令により
前記ステージ駆動系12を駆動させる処理系14とを有し、
前記レチクル６を検査中常に必要最小限の精度で焦点合
せ可能に構成されている。1.1 Configuration (Sample Stage 1) The sample stage 1 fixes a reticle 6 having a pellicle 7 by fixing means 8 and scans in a Z direction, and the reticle 6 through the Z stage 9. X stage 10 for scanning in the X direction, and Y stage 11 for scanning the reticle 6 in the Y direction via the X stage 10.
A stage drive system 12 for driving each of the stages 9, 10, 11; a focus position detection system 13 for detecting the Z-direction position of the reticle 6; A processing system 14 for driving the system 12,
The reticle 6 can be always focused with the minimum necessary accuracy during inspection.
前記Ｘステージ10は、約0.1秒の等加速時間と、0.1秒
の等速運動と、0.1秒の等減速時間を1/2周期で最高速度
約1mm/秒、振幅200mmの周期（往復）運動をするように
形成されている。The X stage 10 has a constant acceleration time of about 0.1 second, a constant velocity movement of 0.1 second, and a constant deceleration time of 0.1 second in 1/2 cycle, a maximum speed of about 1 mm / sec, and a cycle (reciprocating) movement of 200 mm amplitude. Is formed.
前記Ｙステージ11は、前記Ｘステージ10の等加速時間
と等減速時間に同期して0.15mmづつステップ状に前記レ
チクル６をＹ方向に移送するように形成され、１回の検
査時間中に670回ステップ移送すると約130秒で100mm移
送することが可能であるから、100mm四方の領域を約130
秒で走査することができる。The Y stage 11 is formed so as to transfer the reticle 6 in the Y direction in steps of 0.15 mm in synchronization with the equal acceleration time and the equal deceleration time of the X stage 10, and 670 during one inspection time. It is possible to transfer 100mm in about 130 seconds after transferring one step.
Can be scanned in seconds.
なお、本実施例ではX,Yステージ10、11を実施してい
るが、これに限定されるものでなく、たとえば回転方向
とＸ方向とを走査するＸステージを用いることも可能
であり、かつ走査速度も前記は一例を示したものであっ
て必要に応じて任意に設定すればよいことは云うまでも
ないところである。In the present embodiment, the X and Y stages 10 and 11 are implemented. However, the present invention is not limited to this. For example, an X stage that scans the rotation direction and the X direction can be used, and The scanning speed is merely an example, and it is needless to say that the scanning speed may be set arbitrarily as needed.
また、前記焦点位置検出系13はエアーマイクロメータ
を用いるものでも、レーザ干渉法で位置を検出するもの
でも、あるいは、縞パターンを投影し、そのコントラス
トを検出するものでもよい。The focus position detection system 13 may use an air micrometer, may detect the position by a laser interferometer, or may detect a contrast by projecting a stripe pattern.
（透過照明部２） 透過照明部２は水銀ランプ21より射出した光束から色
分解フィルタ22により露光装置（図示せず）で使用され
るｇ線（波長436mm）あるいはｉ線（波長365mm）を選択
し、集光レンズ23により拡散板24上に集光したとき、こ
の拡散板24により拡散された光を円形の絞り25により限
定された部分より射出し、コリメータレンズ26に入って
前記レチクル６に射出する。尚前記絞り25は前記コリメ
ータレンズ26の略焦点位置に設定され、前記コリメータ
レンズ26および前記検出部４の対物レンズ41上方の鎖線
にて示す焦点位置46に結像されるように形成されてい
る。(Transmission illumination unit 2) The transmission illumination unit 2 selects g-line (wavelength 436mm) or i-line (wavelength 365mm) used in an exposure apparatus (not shown) from a light beam emitted from the mercury lamp 21 by a color separation filter 22. When the light is condensed on the diffusing plate 24 by the condensing lens 23, the light diffused by the diffusing plate 24 is emitted from a portion limited by the circular diaphragm 25, enters the collimator lens 26, and is incident on the reticle 6. Inject. The aperture 25 is set at a substantially focal position of the collimator lens 26, and is formed so as to form an image at a focal position 46 indicated by a chain line above the collimator lens 26 and the objective lens 41 of the detection unit 4. .
また、本発明の前記目的を達成するためには、照明光
の波長を露光装置に使用される照明光の波長と同一にす
るのみでなく、前記レチクル６上の１点15に入射する光
束の角度θを同一にする必要がある。ここではsinθを
「空間コヒーレンス度」と定義する。In order to achieve the above object of the present invention, not only the wavelength of the illumination light is made equal to the wavelength of the illumination light used in the exposure apparatus, but also the light flux incident on one point 15 on the reticle 6. It is necessary to make the angle θ the same. Here, sin θ is defined as “spatial coherence degree”.
更に前記露光装置の照明では、前記レチクル６上の全
範囲を均一に照明する必要があるため、前記拡散板24の
代りにロッド状のレンズを集合した積分器（以下インデ
クレータという）と呼ばれる光学素子を用いている。こ
のインデクレータの機能は基本的には前記拡散板24と同
一であり、本発明が適用する検査範囲は前記レチクル６
の数百ミクロンから1.2mmまでであるので、前記拡散板2
4で十分である。Further, in the illumination of the exposure apparatus, it is necessary to uniformly illuminate the entire area on the reticle 6, so that an optical system called an integrator (hereinafter referred to as an indexer) in which rod-shaped lenses are assembled instead of the diffusion plate 24 An element is used. The function of the indexer is basically the same as that of the diffuser 24, and the inspection range applied by the present invention is the same as that of the reticle 6.
From several hundred microns to 1.2 mm, the diffusion plate 2
4 is enough.
また前記レチクル６上に入射する光束の入射各θは前
記インデクレータの大きさすなわち拡散板24の後方に設
置した前記絞り25の径によって決定されるので、前記レ
チクル６を使用する露光装置に使用される照明と同一の
空間コヒーレンス度になるように前記絞り25の開口を設
定している。Further, since each incident θ of the light beam incident on the reticle 6 is determined by the size of the indexer, that is, the diameter of the diaphragm 25 provided behind the diffusion plate 24, it is used in an exposure apparatus using the reticle 6. The aperture of the stop 25 is set so as to have the same spatial coherence degree as the illumination to be performed.
更に露光装置では、前記インテグレータの位置を必ず
しも前記コリメータレンズ26の焦点位置に設置していな
いので、前記絞り25の位置を必ずしもコリメータレンズ
26の焦点位置に設置する必要はない。Further, in the exposure apparatus, since the position of the integrator is not necessarily set at the focal position of the collimator lens 26, the position of the diaphragm 25 is not necessarily set at the collimator lens.
There is no need to install at 26 focal points.
然し乍ら、前記レチクル６上の光の照射範囲内任意の
位置で光束の入射角度θを一定にするためには、前記絞
り25が前記コリメータレンズ26の焦点位置に設置する方
が望ましい。これは測定範囲内の光束照明条件を同一に
して異物の検出条件を同一にすることができる効果があ
る。However, in order to make the incident angle θ of the light beam constant at an arbitrary position within the light irradiation range on the reticle 6, it is preferable that the stop 25 is provided at the focal position of the collimator lens 26. This has the effect that the conditions for illuminating the luminous flux within the measurement range can be made the same and the conditions for detecting foreign matter can be made the same.
（落射照明部３） 落射照明部３は、水銀ランプ31から射出し色分解フィ
ルタ32と、集光レンズ33と拡散板34と絞り35とを通過し
たリレーレンズ36を通過し、前記検出部４のハーフミラ
ー42と対物レンズ41とを介して前記レチクル６に照射す
るように形成されている。(Epi-illumination unit 3) The epi-illumination unit 3 passes through the color separation filter 32, which is emitted from the mercury lamp 31, and passes through the condenser lens 33, the diffusion plate 34, and the relay lens 36 which has passed through the stop 35, and The reticle 6 is formed so as to irradiate the reticle 6 via the half mirror 42 and the objective lens 41.
なお、前記対物レンズ41は前記透過照明部２のコリメ
ータレンズ26と同一の機能を有している。また前記リレ
ーレンズ36は、前記対物レンズ41の上方の焦点位置46に
みかけ上の絞りを作成するために設置されている。具体
的には、前記絞り35の実像を前記焦点位置46に結像して
いる。The objective lens 41 has the same function as the collimator lens 26 of the transmission illumination unit 2. The relay lens 36 is provided at a focal position 46 above the objective lens 41 to create an apparent stop. Specifically, the real image of the stop 35 is formed at the focal position 46.
更に前記落射照明部３においても、前記透過照明部２
上と同様に照射光の波長と前前記レチクル６上の任意の
１点15に入射する光束の角度θ２を露光装置に使用され
る照明光のそれと同一になるように前記絞り35の開口を
決定している。Further, in the epi-illumination unit 3, the transmission illumination unit 2
Similarly to the above, the aperture of the stop 35 is determined so that the wavelength of the irradiation light and the angle θ2 of the light beam incident on an arbitrary point 15 on the reticle 6 are the same as those of the illumination light used in the exposure apparatus. doing.
また前記落射照明部３は前記レチクル６上のクロムパ
ターン上の異物を検出するために設定されているので、
前記クロムパターン上の異物を検出する必要がない場合
には不要である。Also, since the epi-illumination unit 3 is set to detect foreign substances on the chrome pattern on the reticle 6,
This is unnecessary when there is no need to detect foreign substances on the chrome pattern.
更に前記落射照明部３を前記透過照明部２と同時に使
用する場合には、パターンのエッジからの信号が大きく
なるという問題を有するので、これが問題になるときに
は別々に使用する必要がある。Further, when the epi-illumination unit 3 is used at the same time as the transmission illumination unit 2, there is a problem that the signal from the edge of the pattern becomes large. Therefore, when this becomes a problem, it must be used separately.
前記落射照射光の波長は必ずしもｇ線およびｉ線にす
る必要はなく、ｇ線およびｉ線を含んだ他の広帯域の光
であってもよい。その理由は、異物とパターンと区別し
て検出できるからである。The wavelength of the incident irradiation light is not necessarily required to be g-line and i-line, but may be other broadband light including g-line and i-line. The reason is that the foreign matter and the pattern can be detected separately.
（検出部４） 前記検出部４は対物レンズ41と、ハーフミラー42とフ
ィールドレンズ43と遮光板44と結像45とを有し、前記レ
チクル６上の検査点15を前記対物レンズ41および結像レ
ンズ45により検出器51に結像するように形成されてい
る。また前記検出部４には、前記対物レンズ41の結像位
置付近に視域レンズ（以下フィールドレンズという）43
を有する。このフィールドレンズ43は前記対物レンズ41
の上側の焦点位置46を前記円形状の遮光板44上に結像す
る。すなわち、前記透過照明部２の絞り25は前記コリメ
ータレンズ26および対物レンズ41を通過し、前記レチク
ル６上で反射して再び前記対物レンズ41を通り前記フィ
ールドレンズ43を通って前記遮光板44上に結像する。こ
のとき、前記遮光板44の位置は、光源の位置すなわち絞
り25の位置について前記レチクル６の位置のフーリエ変
換の位置になっている。(Detection Unit 4) The detection unit 4 includes an objective lens 41, a half mirror 42, a field lens 43, a light-shielding plate 44, and an image 45, and the inspection point 15 on the reticle 6 is It is formed so that an image is formed on the detector 51 by the image lens 45. The detection unit 4 includes a viewing zone lens (hereinafter, referred to as a field lens) 43 near an image forming position of the objective lens 41.
Having. This field lens 43 is
Is focused on the circular light-shielding plate 44. That is, the aperture 25 of the transmission illumination unit 2 passes through the collimator lens 26 and the objective lens 41, is reflected on the reticle 6 and passes through the objective lens 41 again, passes through the field lens 43, and is on the light shielding plate 44. Image. At this time, the position of the light shielding plate 44 is the position of the reticle 6 with respect to the position of the light source, that is, the position of the aperture 25, in the Fourier transform.
ここで、一般に露光の縮小投影レンズの前記レチクル
６側のN.A.は露光装置の照明系の空間コヒーレンス度よ
りも（前記透過照明部２のもつ空間コヒーレンス度と同
等）よりも１割及至４割程度で大きく設定され、その多
くは約１割程度である。Here, in general, the NA on the reticle 6 side of the reduction projection lens for exposure is about 10% to 40% more than the spatial coherence degree of the illumination system of the exposure apparatus (equivalent to the spatial coherence degree of the transmission illumination unit 2). , And most of them are about 10%.
また、前記対物レンズ41は前記縮小投影レンズの入射
側開口の外側を通る光束を開口内に通過させる必要があ
るため、そのN.A.を前記縮小投影レンズのN.A.よりも大
きくし、前記縮小投影レンズのN.A.内に入射する光束を
断光するため、前記遮光板44を設けている。In addition, since the objective lens 41 needs to allow a light beam passing outside the entrance side opening of the reduction projection lens to pass through the opening, its NA is made larger than the NA of the reduction projection lens, and the NA of the reduction projection lens is increased. The light shielding plate 44 is provided to cut off a light beam incident on the NA.
従って、本発明の目的を達成するためには、前記遮光
板44の直径dmはつぎの式（１）により算式するのが望ま
しい。即ち、 dm＝ds・α・（N.A.）・（１＋δ）/sinθｓ‥‥（１） が望ましい。ここでdsは絞り25の直径、αは絞り25と遮
光板44の結像系の倍率、N.A.は縮小投影レンズのレチク
ル６側の値sinθは露光装置の空間コヒーレンス度であ
る。Therefore, in order to achieve the object of the present invention, it is desirable to calculate the diameter dm of the light shielding plate 44 by the following equation (1). That is, dm = ds · α · (NA) · (1 + δ) / sin θs ‥‥ (1) Here, ds is the diameter of the aperture 25, α is the magnification of the imaging system between the aperture 25 and the light shielding plate 44, NA is the value sinθ of the reduction projection lens on the reticle 6 side, and the spatial coherence degree of the exposure apparatus.
この場合θ＝θｓとすると異物の検出条件を同一にす
ることができるということは既に述べたとうりである。
またδは余裕分で数％でよいことは実験により確認して
いる。In this case, if θ = θs, the conditions for detecting foreign matter can be made the same as described above.
Also, it has been confirmed by experiments that δ is only a margin and several percent.
なお、前記レチクル６上のすべての検査領域を同時に
検査した場合には、前記対物レンズ41の形状が大形化
し、実際上製作困難になる。そこで本発明は、レチクル
６上の検査領域を限定し、レチクル６を前記試料台部１
により走査して全ての検査領域を検査可能にしているの
で、通常使用されている縮小投影レンズよりもN.A.の大
きい対物レンズ41を使用することができる。When all the inspection areas on the reticle 6 are inspected at the same time, the shape of the objective lens 41 becomes large, which makes it practically difficult to manufacture. Therefore, the present invention limits the inspection area on the reticle 6 and moves the reticle 6 to the sample stage 1.
, The entire inspection area can be inspected, so that the objective lens 41 having a larger NA than the normally used reduction projection lens can be used.
また、前記遮光板44は、実害になる異物に限らず異物
を検出するためには、必ずしも露光装置に使用される縮
小投影レンズの入射側のN.A.に合わせる必要はなく、前
記透過照明部２および落射照明部３の空間コヒーレンス
度に合わせれば良い。すなわち、前記透過照明部２およ
び落射照明部３からの照明光の０次回折光を遮光すれば
良く、またこの大きさよりも大きくて良い。具体的には
前記式（１）における（N.A.）/sinθ＝１とおき、δを
数％より大きな任意の値にすれば良い。Further, the light-shielding plate 44 is not necessarily required to match the NA on the incident side of the reduction projection lens used in the exposure apparatus in order to detect not only foreign substances that cause harm but also foreign substances, What is necessary is just to match the degree of spatial coherence of the epi-illumination unit 3. That is, the 0th-order diffracted light of the illumination light from the transmission illumination unit 2 and the epi-illumination unit 3 may be shielded, and may be larger than this size. Specifically, (NA) / sin θ = 1 in the above equation (1) may be set, and δ may be set to an arbitrary value larger than several%.
更に、前記照明光の空間コヒーレンス度は必ずしも露
光装置のコヒーレンス度に合せる必要がなく、前記遮光
板44により０次回折光を遮光できるように、即ち、前記
式（１）を満足する範囲内で前記絞り25,35と前記遮光
板44の大きさを決定すればよい。Further, the spatial coherence degree of the illuminating light does not necessarily have to match the coherence degree of the exposure apparatus, so that the 0th-order diffracted light can be shielded by the light shielding plate 44, that is, within the range satisfying the expression (1). The size of the apertures 25 and 35 and the size of the light shielding plate 44 may be determined.
また、前記落射照明部３を設置しない場合には、前記
ハーフミラー42、フイールドレンズ43および結像レンズ
45も省略し、遮光板44を焦点位置46にかつ検出器51をフ
ィールドレンズ43が設置されていた位置にそれぞれ設置
しても本発明の効果を得ることが可能である。この場
合、きわめて簡単な構成の光学系を得ることができる。When the epi-illumination unit 3 is not installed, the half mirror 42, the field lens 43, and the imaging lens
The effect of the present invention can also be obtained by omitting 45 and arranging the light shielding plate 44 at the focal position 46 and the detector 51 at the position where the field lens 43 was installed. In this case, an optical system having a very simple configuration can be obtained.
（前記設計データ変換部201） 前記設計データ変換部201は、設計データ読み取り手
段202、ビットイメージ作成手段203、ビットイメージ記
憶手段204、伝達関数畳み込み手段205から構成される。(The Design Data Conversion Unit 201) The design data conversion unit 201 includes a design data reading unit 202, a bit image creation unit 203, a bit image storage unit 204, and a transfer function convolution unit 205.
設計データ読み取り手段202は、レチクルにパターン
を描画する際の設計データをMT（マグネチックテープ）
あるいは光ディスク209から読み取るものである。ビッ
トイメージ作成手段203は、上記設計データから２値の
パターンイメージを作成するものであり、その結果は、
ビットイメージ記憶手段204に記憶される。ビットイメ
ージ記憶手段は高速にデータを読みとる必要があるため
高速処理の可能なSRAMなどの半導体メモリが都合よい。
伝達関数たたみ込み手段205では、検出部４と等価の伝
達関数をたたみ込み積分し、信号処理部５に出力され
る。この際検出部４からの信号と実時間で比較するた
め、伝達関数畳み込み手段205は電気学会 検査の自動
化調査専門委員会編「外観検査の自動化」オーム社（p.
p.267.268）に開示されているようなパイプライン形が
望ましい。The design data reading means 202 reads the design data when drawing a pattern on the reticle by MT (magnetic tape).
Alternatively, it is read from the optical disk 209. The bit image creating means 203 creates a binary pattern image from the design data, and the result is
It is stored in the bit image storage means 204. Since the bit image storage means needs to read data at high speed, a semiconductor memory such as an SRAM capable of high-speed processing is convenient.
The transfer function convolution means 205 performs convolution integration of a transfer function equivalent to that of the detection unit 4 and outputs the result to the signal processing unit 5. At this time, in order to compare the signal from the detection unit 4 with the signal in real time, the transfer function convolution means 205 is provided by Ohm Co., Ltd. (p.
p.267.268) is preferred.
（信号処理部5b） 前記信号処理部５は比較回路70と２値化処理回路52
と、マイクロコンピュータ53と表示手段54とを有してい
る。(Signal Processing Unit 5b) The signal processing unit 5 includes a comparison circuit 70 and a binarization processing circuit 52.
And a microcomputer 53 and display means 54.
前記検出器51はたとえば電荷移動形の一次元個体撮像
素子などにて形成され、Ｘステージ10を走査しながら該
検出器51にて信号を検出する。すなわち、もし、レチク
ル６上に異物が存在している場合には、レベルおよび光
強度が大きくなるので該検出器51の出力は大きくなるよ
うに形成されている。The detector 51 is formed of, for example, a charge-transfer type one-dimensional solid-state imaging device, and the detector 51 detects a signal while scanning the X stage 10. That is, if a foreign substance is present on the reticle 6, the level and the light intensity are increased, so that the output of the detector 51 is increased.
なお、前記検出器51は、前記のように一次元個体撮像
素子に限定されるものでなく、２次元のものあるいは単
素子のものでも使用可能である。The detector 51 is not limited to a one-dimensional solid-state imaging device as described above, but may be a two-dimensional one or a single-element one.
前記比較回路70は、前記検出器51および205からの信
号をとりこみ、２つの信号の差を出力するものである。The comparison circuit 70 takes in the signals from the detectors 51 and 205 and outputs the difference between the two signals.
前記２値化処理回路52は２値化のしきい値をあらかじ
め設定して異物の有無を判定するように形成されてい
る。The binarization processing circuit 52 is formed so as to determine the presence or absence of a foreign object by setting a threshold value for binarization in advance.
前記マイクロコンピュータ53はあらかじめ評価数すな
わち、異物により転写不良という実害になるか否かは、
この異物による散乱光の強度と異物の大きさとの関数で
あるので、実害になる異物の関数をあらかじめ評価し、
この評価関数により実害となる異物の存在の有無を判定
し、その結果を前記表示手段54に出力するように形成さ
れている。The microcomputer 53 evaluates in advance whether the number of evaluations, that is, foreign matter is actually harmful transfer failure,
Since it is a function of the intensity of the scattered light due to the foreign matter and the size of the foreign matter, the function of the foreign matter that is actually harmful is evaluated in advance,
This evaluation function is used to determine the presence or absence of a foreign substance that is actually harmful, and output the result to the display means 54.
本発明によるパターン欠陥または異物検査装置は、前
記のように構成されている。The pattern defect or foreign matter inspection device according to the present invention is configured as described above.
1.2実施例の作用 次に検査方法及びその作用について、第５図乃至第10
図に基づいて説明する。1.2 Operation of Embodiment Next, the inspection method and its operation will be described with reference to FIGS.
Description will be made based on the drawings.
検査対象となるレチクル６の平面図を第５図（ａ）に
示し、直線80での断面図を第６図（ａ）に示す。同様
に、検査標準とするレチクルの平面図を第５図（ｂ）に
示し、その断面図を第６図（ｂ）に示す。第５図に示す
ように、レチクル６および106を想定し、異物81および8
2、パターン欠陥83、正常パターンのエッジ部84,184、
正常パターンのコーナー部86,186、微細な正常パターン
85,185がそれぞれのレチクル上に存在する場合を例にと
って、本発明の動作について説明する。レチクル106は
標準レチクルである。FIG. 5 (a) shows a plan view of the reticle 6 to be inspected, and FIG. 6 (a) shows a cross-sectional view taken along a straight line 80. Similarly, a plan view of a reticle used as an inspection standard is shown in FIG. 5 (b), and a cross-sectional view thereof is shown in FIG. 6 (b). As shown in FIG. 5, assuming reticles 6 and 106, foreign matter 81 and 8
2, pattern defects 83, normal pattern edges 84, 184,
86,186 corners of normal pattern, fine normal pattern
The operation of the present invention will be described with reference to an example in which 85 and 185 exist on each reticle. Reticle 106 is a standard reticle.
異物82は、微小であるため、正常パターンのエッジ部
84に比較して光をより散乱あるいは回折する。すなわ
ち、遮光板44により遮光される範囲θより外側に散乱す
る光束88がエッジ部84およびコーナー部86の光束90,91
よりも多くなる。異物81およびパターン欠陥83について
も同様であり、異物81の周辺部の空間周波数が高いた
め、遮光板44により遮光される範囲θより外側に散乱す
る光束87、がエッジ部84およびコーナー部86の光束90,9
1よりも多くなる。Since the foreign matter 82 is very small, the edge portion of the normal pattern
Light is more scattered or diffracted compared to 84. That is, the luminous flux 88 scattered outside the range θ shielded by the light shielding plate 44 is reflected by the luminous flux 90, 91 of the edge portion 84 and the corner portion 86.
More. The same is true for the foreign matter 81 and the pattern defect 83.Because the spatial frequency around the foreign matter 81 is high, the luminous flux 87 scattered outside the range θ blocked by the light shielding plate 44 has the edge portion 84 and the corner portion 86. Luminous flux 90,9
More than one.
透過光による位置80,180での検出信号を第７図
（ａ），（ｂ）に示している。本発明による検出信号
は、上記作用により、異物部コーナー部が強い出力とな
り、第８図（ａ），（ｂ）のようになる。FIGS. 7A and 7B show detection signals at positions 80 and 180 due to transmitted light. Due to the above operation, the detection signal according to the present invention has a strong output at the corner portion of the foreign material portion, as shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b).
従って、これらの場合、直線93の位置で２値化すれ
ば、パターンのエッジ部84とコーナー部86に対して、異
物81および82を分けて検出することができる。Therefore, in these cases, if binarization is performed at the position of the straight line 93, the foreign substances 81 and 82 can be separately detected with respect to the edge portion 84 and the corner portion 86 of the pattern.
ところが、LSIが微細になり、パターン85のような、
微細な正常パターンが用いられる。このようなパターン
では、空間周波数が高いため遮光板44により遮光される
範囲θより外側に散乱する光束が、異物81,82およびパ
ターン欠陥83と同等以上になってしまう。However, the LSI becomes finer, like pattern 85,
A fine normal pattern is used. In such a pattern, since the spatial frequency is high, the luminous flux scattered outside the range θ blocked by the light shielding plate 44 becomes equal to or larger than the foreign matter 81, 82 and the pattern defect 83.
この結果、直線93の位置で２値化したのでは、パター
ン85と、異物81,82,欠陥83とを分けて検出することはで
きない。第６図（ｂ）に示した標準レチクルの検出位置
180での検出信号を第８図（ｂ）に示す。As a result, if binarization is performed at the position of the straight line 93, the pattern 85 and the foreign substances 81, 82, and the defect 83 cannot be separately detected. The detection position of the standard reticle shown in FIG. 6 (b)
The detection signal at 180 is shown in FIG. 8 (b).
設計データ変換部201では、上記に説明した標準レチ
クルの検出信号と同等の信号を、パターンの設計データ
から導出する。The design data conversion unit 201 derives a signal equivalent to the above-described standard reticle detection signal from the pattern design data.
ここで、標準レチクル検査データを作成するための、
伝達関数畳み込み方法について説明する。長谷川伸著
「画像光学：コロナ社」（p.p.49.56）には、ある画像
が、光学系を通過した際の出力画像について、光学系画
像をぼかす場合即ち点広がり関数による画像の劣化につ
いて以下のように記述されている。Here, to create the standard reticle inspection data,
The transfer function convolution method will be described. “Image optics: Corona” by Shin Hasegawa (pp49.56) describes the case of blurring an optical system image, that is, image degradation due to a point spread function, when an image passes through an optical system. It is described as follows.
光学系への入力画像をｆ（x,y）、点広がり関数をｈ
（x,y）、出力をｇ（x,y）とすると、 一方、スペクトル間では Ｇ（u,v）＝Ｆ（u,v）・Ｈ（u,v） ・・・（12） ここでＧ（u,v）、Ｆ（u,v）、Ｈ（u,v）は、それぞ
れｇ（x,y）、ｆ（x,y）、ｈ（x,y）のフーリエ変換で
ある。The input image to the optical system is f (x, y), and the point spread function is h
(X, y) and output g (x, y), On the other hand, between spectra, G (u, v) = F (u, v) · H (u, v) (12) where G (u, v), F (u, v), H (u) , v) are the Fourier transforms of g (x, y), f (x, y), and h (x, y), respectively.
従って、式（11）で畳み込みすべき関数ｈ（x,y）
は、式（12）より入力画像と出力画像から以下の式（1
3）により逆フーリエ変換して算出できる。Therefore, the function h (x, y) to be convolved in equation (11)
Is obtained from the input image and the output image according to the following expression (1) from the expression (12).
It can be calculated by inverse Fourier transform according to 3).
以上はもちろん、ｇ（x,y）が点広がり関数でない場
合も成立する。 The above also holds, of course, when g (x, y) is not a point spread function.
つぎに、具体的にｈ（x,y）を算出してみる。光学系
のN.A.＝0.5,使用波長λ＝0.5μｍのとき、たたみこみ
関数は、N.A.0.5の光学系，すなわち円をフーリエ逆変
換したものとなる。この関数は、Sin c関数となる。こ
こで、１次の成分まで用いる場合を考えると、たたみこ
み関数のサイズWCは WC＝４×λ/N.A.R4（μｍ） ・・・（14） となる。Next, h (x, y) will be specifically calculated. When the NA of the optical system is 0.5 and the used wavelength λ is 0.5 μm, the convolution function is an optical system having an NA of 0.5, that is, a circle obtained by performing Fourier inverse transform. This function is a Sinc function. Here, considering the case of using up to the first order component, the size WC of the convolution function is WC = 4 × λ / NAR4 (μm) (14)
次にたたみこみフィルタの画素サイズΔWCを考える。 Next, consider the pixel size ΔWC of the convolution filter.
ΔＷは、レチクル上へのパターン描画の際の画素サイ
ズと同じにするのが望ましい。ΔW is desirably the same as the pixel size when drawing a pattern on a reticle.
この場合、設計データから作成した２値のイメージデ
ータをそのまま、たたみこみ積分できるため、パターン
のエッジ部が、たたみ込みフィルタの画素間にまたがる
ことがなくなり、量子化誤差をなくすことちができるか
らである。In this case, since the binary image data created from the design data can be convoluted and integrated as it is, the edge portion of the pattern does not span between the pixels of the convolution filter, and the quantization error can be eliminated. is there.
然し乍ら、ΔWCは必ずしもこの限りではなく、フィル
タ全域の画素数を少なくしたい場合は、ΔWCを大きく、
また、精度を上げたい場合は、ΔWCを小さくしても良
い。However, ΔWC is not always limited to this, and if it is desired to reduce the number of pixels in the entire filter area, increase ΔWC,
If it is desired to increase the accuracy, ΔWC may be reduced.
たたみ込みフィルタの素子数N2は N2＝（WC/ΔWC）２ ・・・（15） となる。 The number of elements N2 of the convolution filter is as follows: N2 = (WC / ΔWC) 2 (15)
また、第１図に示したような円形の空間フィルタを用
いた場合も、空間フィルタの部分を逆フーリエ変換し
て、たたみ込み関数を算出すればよい。たたみ込み関数
のサイズは、上記式（13）によれば良い。When a circular spatial filter as shown in FIG. 1 is used, the convolution function may be calculated by performing an inverse Fourier transform on the spatial filter. The size of the convolution function may be determined according to the above equation (13).
次に、検査対象レチクル６の検出信号第８図（ａ）と
設計データ変換部の出力信号第８図（ｂ）を取り込み比
較回路70では、この２つの信号の違いの絶対値を得る。
第９図に結果を示す。Next, the detection signal of FIG. 8A of the reticle 6 to be inspected and the output signal of FIG. 8B of the design data converter are taken in, and the comparison circuit 70 obtains the absolute value of the difference between these two signals.
FIG. 9 shows the results.
第９図の場合、しきい値94を設けると、異物81,82お
よび欠陥83をパターン84,85,86と弁別して検出できる。In the case of FIG. 9, when the threshold value 94 is provided, the foreign substances 81 and 82 and the defect 83 can be detected while being distinguished from the patterns 84, 85 and 86.
ここで、比較回路70の出力は第９図のごとく絶対値で
出力したが、必ずしもこの限りではない。第10図に示し
たごとく、２回路の差として出力しても良い。第10図に
は、信号第８図（ａ）から信号第８図（ｂ）を差し引い
た値を示している。ここで、しきい値95は信号第８図
（ａ）の値が高い場合に、異物あるいは欠陥として検出
する。すなわち、信号第８図（ａ）を出力した被検査対
象レチクル６に異物あるいは欠陥が存在することを示し
ている。Here, the output of the comparison circuit 70 is output as an absolute value as shown in FIG. 9, but this is not necessarily the case. As shown in FIG. 10, the difference may be output as a difference between the two circuits. FIG. 10 shows a value obtained by subtracting the signal of FIG. 8 (b) from the signal of FIG. 8 (a). Here, the threshold value 95 is detected as a foreign substance or a defect when the value of the signal in FIG. 8A is high. In other words, it indicates that the inspection target reticle 6 that has output the signal shown in FIG.
1.3動作 次に動作について説明する。1.3 Operation Next, the operation will be described.
被検査対象レチクル６を検査ステージ９上の固定治
具、８および108で固定する。レチクル６は、合せマー
ク検出手段71および171により合せマークを検出する。
この信号に基づいて、XYZ微調機構9,10,11が移動し、レ
チクル６検査対象位置が、検出器４の対応する位置に結
像するように調整する。The reticle 6 to be inspected is fixed by fixtures 8 and 108 on the inspection stage 9. Reticle 6 detects alignment marks by alignment mark detection means 71 and 171.
Based on this signal, the XYZ fine adjustment mechanisms 9, 10, and 11 are moved and adjusted so that the position of the reticle 6 to be inspected forms an image at the corresponding position of the detector 4.
一方で、設計データ変換部201では、被検査レチクル
６の設計データを設計データ読み取り手段202に設置
し、ビットイメージ作成手段203でビットイメージを作
成し、ビットイメージ記憶手段204に記憶しておく。On the other hand, in the design data conversion unit 201, the design data of the reticle 6 to be inspected is set in the design data reading unit 202, a bit image is created by the bit image creation unit 203, and stored in the bit image storage unit 204.
ここで、Ｘステージ10およびＹステージ11を、自動で
焦点をあわせながら前述のように走査する。同時に、ビ
ットイメージ記憶手段204から順次対応するパターンの
ビットイメージをよみだし、伝達関数たたみ込み手段20
5で処理する。Here, the X stage 10 and the Y stage 11 are scanned as described above while automatically focusing. At the same time, the bit images of the corresponding patterns are sequentially read out from the bit image storage means 204, and the transfer function convolution means 20 is read.
Process in 5.
伝達関数たたみ込み手段205の詳細を第19図に示す。
伝達関数たたみ込み手段205は、シフトレジスタ211,重
みデータメモリ212,重み付回路213,加算回路214,シフト
レジスタ215,重みデータメモリ216,重み付回路217,加算
回路218から構成される。The details of the transfer function convolution means 205 are shown in FIG.
The transfer function convolution means 205 includes a shift register 211, a weight data memory 212, a weighting circuit 213, an adding circuit 214, a shift register 215, a weight data memory 216, a weighting circuit 217, and an adding circuit 218.
ビットイメージ記憶手段204から順次読み込まれるビ
ットイメージはシフトレジスタ211を介して、たたみ込
みフィルタの大きさN2の分だけ切り出され、式（13）に
より算出したたたみ込みフィルタとしての機能を持つ重
み付回路213に送られる。重み付回路213では重みデータ
メモリ212を介して、マイクロコンピュータ53から送ら
れる重みデータに従って重みをつけられ、加算回路214
で加算される。これで重み付積分が完了となる。A bit image sequentially read from the bit image storage unit 204 is cut out by the shift register 211 by the size of the convolution filter N2, and is a weighting circuit having a function as a convolution filter calculated by Expression (13). Sent to 213. In the weighting circuit 213, weighting is performed according to the weighting data sent from the microcomputer 53 via the weighting data memory 212, and the addition circuit 214
Is added. This completes the weighted integration.
次に、被検査レチクル検出部４内の、検出器51で検出
する信号レベルを算出するために、加算回路214で算出
した値を、検出器51の画素サイズと同じ大きさの範囲を
加算する。Next, in order to calculate the signal level detected by the detector 51 in the reticle detection unit 4 to be inspected, the value calculated by the adding circuit 214 is added to a range having the same size as the pixel size of the detector 51. .
従って、切り出す大きさのNiは、以下の式（16）とな
る。Therefore, the size of Ni to be cut is represented by the following equation (16).
Ni＝W/ΔＷ ・・・（16） 加算回路214で加算された信号をシフトレジスタを介
して、Ni×Niだけ切り出す。Ni = W / ΔW (16) The signal added by the adding circuit 214 is cut out by Ni × Ni via a shift register.
切り出した信号は、重み付回路217で、重み付けさ
れ、加算回路218で加算され、標準レチクル検査データ
として比較回路70に出力される。The cut-out signal is weighted by the weighting circuit 217, added by the addition circuit 218, and output to the comparison circuit 70 as standard reticle inspection data.
ここで、重み付回路217の重みは、CCDが走査されるた
めに生じるフィルタの特性および、検出した光信号がCC
Dの素子からしみ出すクロストークという現象の特性を
算出したものである。Here, the weight of the weighting circuit 217 is determined by the characteristics of the filter generated due to the scanning of the CCD and the detected optical signal
This is a calculation of the characteristics of the phenomenon called crosstalk that seeps out of the D element.
この時、レチクルと設計データを変換した標準レチク
ル検査データの位置合せには、必ず誤差δが生じる。At this time, an error δ always occurs in the alignment between the reticle and the standard reticle inspection data obtained by converting the design data.
この誤差δが生じた場合、検査信号第８図（ａ）およ
び（ｂ）は、比較回路70により第11図のように重なるた
め、比較回路70の出力は、第12図のようになる。この場
合、しきい値95によって、異物81,82,83を、正常パター
ン84,85,86から弁別して検出することはできない。When this error δ occurs, the inspection signals shown in FIGS. 8A and 8B are overlapped by the comparison circuit 70 as shown in FIG. 11, so that the output of the comparison circuit 70 is as shown in FIG. In this case, the foreign substances 81, 82, and 83 cannot be discriminated and detected from the normal patterns 84, 85, and 86 by the threshold value 95.
以下、許容可能な位置合せ誤差δを求めて見る。回路
パターンコーナー部86の本検出光学系による像は第13図
のようになる。回路パターンコーナー86の全出力信号を
Tc,回路パターンコーナー部86の像の直径をDc,同様に異
物の全出力信号をTf,直径をDfとする。Ｗ×Ｗの検出画
素による回路パターンコーナー部86および異物82の検出
を考える。Hereinafter, the allowable alignment error δ will be determined and viewed. An image of the circuit pattern corner portion 86 by the present detection optical system is as shown in FIG. All output signals of circuit pattern corner 86
Tc, the diameter of the image of the circuit pattern corner portion 86 is Dc, similarly, the total output signal of the foreign matter is Tf, and the diameter is Df. Consider detection of a circuit pattern corner 86 and a foreign substance 82 by W × W detection pixels.
合せずれδによるコーナー部の検出信号の変化ΔIcは
以下の式（２）となる。検出波形を第13図のごとく直径
Dc,高さｈの円すい形に近似し、変化が極大値をとって
いる。The change ΔIc of the detection signal at the corner due to the misalignment δ is given by the following equation (2). Diameter of detected waveform as shown in Fig. 13
It approximates a conical shape with Dc and height h, and the change has a maximum value.
ΔIc＝Tc・（Dc・h/2）／（（Dc/2）２・h/3） ＝Tc・（６・δ）／（π・Dc） （Ｗ＞Ｄ） ‥‥（２） また、異物の像が、第14図に示すように隣接する検出
画素にまたがって結像される場合、異物の検出信号Ifは
式（３）に示すように最小になる。ΔIc = Tc · (Dc · h / 2) / ((Dc / 2) 2 · h / 3) = Tc · (6 · δ) / (π · Dc) (W> D) ‥‥ (2) When an image of a foreign substance is formed over adjacent detection pixels as shown in FIG. 14, the detection signal If of the foreign substance becomes minimum as shown in Expression (3).
If＝Tf/4 ‥‥（３） 式（２），式（３）より、比較回路70によって異物82
を検出するために許容される合せ誤差δは以下の式
（３）を満たす必要がある。If = Tf / 4 ‥‥ (3) From the equations (2) and (3), the foreign substance 82
Must be satisfied to satisfy the following equation (3).
ΔTc＜If ‥‥（４） ∴ δ＜（π/24）・（Tf/Tc）・Dc ・・・（４）′ 式（４）′より、パターン出力信号の直径Dcを大きくす
ると許容誤差δを大きくできる。一方で異物の全出力信
号Tcを検出器の１画素に効率良くとりひむためには、以
下の式を満たす必要がある。ΔTc <If ‥‥ (4) ∴δ <(π / 24) · (Tf / Tc) · Dc (4) ′ From equation (4) ′, if the diameter Dc of the pattern output signal is increased, the allowable error δ Can be increased. On the other hand, in order to efficiently apply all the output signals Tc of the foreign matter to one pixel of the detector, the following equation must be satisfied.
Ｗ＞Df （〜Dc） ‥‥（５） 従って、Dc〜Ｗとするのが最も効率が良い。 W> Df (〜Dc) ‥‥ (5) Therefore, it is most efficient to set Dc〜W.
一方、 Tc〜５・Tf ‥‥（６） 程度の異物まで検出するには（６），（４）′より δ＜Dc/38 ‥‥（７） ここで、δ＜0.2μｍとするにはDc＝7.6μｍとなる。 On the other hand, to detect foreign matter of about Tcc5 · Tf ‥‥ (6), (6), (4) ′, δ <Dc / 38 ‥‥ (7) where δ <0.2 μm Dc = 7.6 μm.
すなわち7.6μｍに像の分解能を落とせば良い。That is, the resolution of the image may be reduced to 7.6 μm.
次に、結像分解能をいかに落とすか説明する。結像の
分解能は対物レンズの開口数により設定される。したが
って、開口数を小さくすれば良い。ところが、開口数を
小さくすると、検出信号レベルも下がってしまう。そこ
で、開口数を小さくせずに分解能を下げるため第15図お
よび第16図に示すような形状の位相フィルタ72を第１図
像のフーリエ変換の位置に設置する。Next, how to lower the imaging resolution will be described. The imaging resolution is set by the numerical aperture of the objective lens. Therefore, the numerical aperture may be reduced. However, when the numerical aperture is reduced, the detection signal level is also reduced. Therefore, in order to lower the resolution without reducing the numerical aperture, a phase filter 72 having a shape as shown in FIGS. 15 and 16 is provided at the position of the Fourier transform of the image shown in FIG.
位相フィルタ72は、第15図に示すように輪帯状の部分
に分け、各部分の位相をπずつ変えている。また第16図
には直線状に分けたものを示している。この場合の各部
分の幅の１を以下の式に示される値程度にすることによ
り、像を概ね目的のDfまで広げることができる。The phase filter 72 is divided into annular zones as shown in FIG. 15, and the phase of each zone is changed by π. FIG. 16 shows a linearly divided one. In this case, by setting the width 1 of each part to a value represented by the following equation, the image can be broadened to approximately the target Df.
Df＝1.2・λ／（（N.A.）・l/L） ・・・（８） ここで、N.A.は対物レンズの開口数、Ｌはフーリエ変
換面の大きさである。Df = 1.2 · λ / ((NA) · 1 / L) (8) where NA is the numerical aperture of the objective lens, and L is the size of the Fourier transform plane.
本発明は、検出系のみ、すなわち比較せずに２値化す
るだけでも、特定の大きさ以上の異物を検出できる。以
下、この原理及び動作を説明する。According to the present invention, a foreign substance having a specific size or more can be detected only by the detection system, that is, only by binarization without comparison. Hereinafter, this principle and operation will be described.
第２図にしめすように、ガラス基盤16上にパターン17
と、２個の異物18a,18bと欠陥19とが存在する場合につ
いて述べると、一方の小さい異物18aは微小であるた
め、パターン17のエッジ17aに比較して光をより散乱あ
るいは回折する。すなわち遮光板44により遮光される範
囲θより外側に散乱する光束56がパターン17のエッジ17
a光束55よりも多くなる。As shown in FIG. 2, a pattern 17 is formed on a glass base 16.
The case where two foreign substances 18a and 18b and the defect 19 are present will be described. One small foreign substance 18a is minute, and therefore scatters or diffracts light more than the edge 17a of the pattern 17. That is, the luminous flux 56 scattered outside the range θ shielded by the light shielding plate 44 is
a More than 55 luminous flux.
また他方の大きい異物18bあるいはパターン17の欠陥1
9もその周辺部の空間周波数が高いため、遮光板44によ
り遮光される範囲θより外側に散乱する光束57,58がパ
ターン17のエッジ17aの光束55よりも多くなる。Also, the other large foreign matter 18b or the defect 1 of the pattern 17
9 also has a high spatial frequency in the periphery thereof, so that the luminous fluxes 57 and 58 scattered outside the range θ blocked by the light shielding plate 44 are larger than the luminous flux 55 at the edge 17a of the pattern 17.
したがって、検出器51の出力は第３図に示すように前
記各光束55,56,57,58による出力ピーク59,60,61,62を発
生する。Therefore, the output of the detector 51 generates output peaks 59, 60, 61 and 62 due to the respective light beams 55, 56, 57 and 58 as shown in FIG.
一方、２値化処理回路52で第３図に示すようにしきい
値63を設定すると、このしきい値63以上の出力として前
記３個の出力ピーク60,61,62が突出するので、これによ
り、２個の異物18a,18bおよびパターン17の欠陥19のみ
検出することができる。On the other hand, when the threshold value 63 is set by the binarization processing circuit 52 as shown in FIG. 3, the three output peaks 60, 61, and 62 protrude as outputs exceeding the threshold value 63. Only the two foreign substances 18a and 18b and the defect 19 of the pattern 17 can be detected.
このときのX,Yステージ10,11の座標と、前記出力ピー
ク60,61のレベルを前記マイクロコンピュータ53が管理
するメモリに記憶するとともに、この記憶内容を処理し
て前記CRT54に出力する。At this time, the coordinates of the X and Y stages 10 and 11 and the levels of the output peaks 60 and 61 are stored in a memory managed by the microcomputer 53, and the stored contents are processed and output to the CRT.
前記設計データ変換部201に替えて、第18図に示した
標準レチクル検査データ記憶部206を用いてもよい。こ
れは、標準レチクルを検出部４で検出し、検出したデー
タを記憶しておく手段でり、光ディスク、ハードディス
ク、マグネチックテープ等の大容量メモリ207およびSRA
M、DRAM等の高速メモリ208から構成される。本発明の動
作中には、設計データ変換部201に替わって信号処理部
５にデータを送る。本発明は、高速大容量メモリが、安
価で供給されるようになって、初めて可能になった技術
である。A standard reticle inspection data storage unit 206 shown in FIG. 18 may be used instead of the design data conversion unit 201. This is a means for detecting a standard reticle by the detecting unit 4 and storing the detected data. The large-capacity memory 207 such as an optical disk, a hard disk,
It is composed of a high-speed memory 208 such as M or DRAM. During the operation of the present invention, data is sent to the signal processing unit 5 instead of the design data conversion unit 201. The present invention is a technique that has become possible only when high-speed large-capacity memories are supplied at low cost.
以上の実施例ではいずれも検出部が一つである。これ
により検出光学系の収差による像の歪を補正する必要が
なくなるため、像の歪が原因の位置ずれによる虚報を減
らすことができる。In the above embodiments, there is only one detection unit. This eliminates the need to correct image distortion due to the aberration of the detection optical system, and can reduce false reports due to misalignment due to image distortion.
2.第２の実施例 以下本発明の他の実施例を、第１図乃至第４図を用い
て説明する。2. Second Embodiment Another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
第１図に示すように、本発明による欠陥叉は異物検査
装置は、試料台部１と、透過照明部２および102と、落
射照明３および103と、検出部４および104と、信号処理
部5aとから構成されている。As shown in FIG. 1, a defect or foreign matter inspection apparatus according to the present invention comprises a sample stage 1, transmission illumination units 2 and 102, incident illuminations 3 and 103, detection units 4 and 104, a signal processing unit. 5a.
2.1構成 前記試料台部１、透過照明部２、落射照明３、検出部
４および信号処理部5aは、第17図に示したものと同じ構
成である。また、透過照明部102、落射照明103は、それ
ぞれ透過照明部２、落射照明３と同一の構成要素からな
る。2.1 Configuration The sample stage 1, the transmission illumination unit 2, the epi-illumination 3, the detection unit 4, and the signal processing unit 5a have the same configuration as that shown in FIG. The transmitted illumination unit 102 and the epi-illumination 103 are composed of the same components as the transmitted illumination unit 2 and the epi-illumination 3, respectively.
次に検査方法及びその動作について、第５図乃至第10
図に基づいて説明する。Next, the inspection method and its operation will be described with reference to FIGS.
Description will be made based on the drawings.
検査対象となるレチクル６の平面図を第５図（ａ）に
示し、直線80での断面図を第６図（ａ）に示す。FIG. 5 (a) shows a plan view of the reticle 6 to be inspected, and FIG. 6 (a) shows a cross-sectional view taken along a straight line 80.
同様に、検査標準とするレチクルの平面図を第５図
（ｂ）に示し、その断面図を第６図（ｂ）に示す。Similarly, a plan view of a reticle used as an inspection standard is shown in FIG. 5 (b), and a cross-sectional view thereof is shown in FIG. 6 (b).
第５図に示すように、レチクル６および106上に、異
物81および82、パターン欠陥83、正常パターンのエッジ
部84,184、正常パターンのコーナー部86,186、微細な正
常パターン85,185が存在する場合を例にとって、本発明
の動作について説明する。As shown in FIG. 5, a case where foreign matters 81 and 82, a pattern defect 83, edges 84 and 184 of a normal pattern, corners 86 and 186 of a normal pattern, and fine normal patterns 85 and 185 exist on the reticle 6 and 106 as an example. The operation of the present invention will be described.
異物82は、微小であるため、正常パターンのエッジ部
84に比較して光をより散乱あるいは回折する。すなわ
ち、遮光板44により遮光される範囲より外側に散乱する
光束88がエッジ部84およびコーナー部86の光束90,91よ
りも多くなる。異物81およびパターン欠陥83についても
同様であり、異物81の周辺部の空間周波数が高いため、
遮光板44により遮光される範囲θより外側に散乱する光
束87が、エッジ部84およびコーナー部86の光束90,91よ
りも多くなる。Since the foreign matter 82 is very small, the edge portion of the normal pattern
Light is more scattered or diffracted compared to 84. That is, the luminous flux 88 scattered outside the range shielded by the light shielding plate 44 is larger than the luminous fluxes 90 and 91 at the edge portion 84 and the corner portion 86. The same applies to the foreign matter 81 and the pattern defect 83, and since the spatial frequency around the foreign matter 81 is high,
The luminous flux 87 scattered outside the range θ blocked by the light shielding plate 44 is larger than the luminous fluxes 90 and 91 at the edge portion 84 and the corner portion 86.
透過光による位置80,180での検出信号を第７図
（ａ），（ｂ）に示している。本発明による検出信号
は、上記作用により、異物部コーナー部が強い出力とな
り、第８図（ａ），（ｂ）のようになる。FIGS. 7A and 7B show detection signals at positions 80 and 180 due to transmitted light. Due to the above operation, the detection signal according to the present invention has a strong output at the corner portion of the foreign material portion, as shown in FIGS. 8 (a) and 8 (b).
従って、これらの場合、直線93の位置で２値化すれ
ば、パターンのエッジ部84とコーナー部86に対して、異
物81および82を分けて検出することができる。Therefore, in these cases, if binarization is performed at the position of the straight line 93, the foreign substances 81 and 82 can be separately detected with respect to the edge portion 84 and the corner portion 86 of the pattern.
ところが、LSIが微細になり、パターン85のような、
微細な正常パターンが用いられる。このようなパターン
では、空間周波数が高いため遮光板44により遮光される
範囲θより外側に散乱する光束が、異物81,82およびパ
ターン欠陥83と同等以上になってしまう。However, the LSI becomes finer, like pattern 85,
A fine normal pattern is used. In such a pattern, since the spatial frequency is high, the luminous flux scattered outside the range θ blocked by the light shielding plate 44 becomes equal to or larger than the foreign matter 81, 82 and the pattern defect 83.
この結果、直線93の位置で２値化したのでは、パター
ン85と、異物81,82,欠陥83とを分けて検出することはで
きない。第６図（ｂ）に示した検査レチクルの検出180
での検出信号を第８図（ｂ）に示す。As a result, if binarization is performed at the position of the straight line 93, the pattern 85 and the foreign substances 81, 82, and the defect 83 cannot be separately detected. Inspection reticle detection 180 shown in FIG. 6 (b)
FIG. 8 (b) shows the detection signal at.
検査対象レチクル６の検出信号第８図（ａ）と検査標
準レチクル106の検出信号第８図（ｂ）を取り込み比較
回路70では、この２つの信号の違いの絶対値を得る。第
９図に結果を示す。The detection signal of the inspection target reticle 6 (FIG. 8A) and the detection signal of the inspection standard reticle 106 (FIG. 8B) are taken in, and the comparison circuit 70 obtains the absolute value of the difference between these two signals. FIG. 9 shows the results.
第９図の場合、しきい値94を設けると、異物81,82お
よび欠陥83をパターン84,85,86と分別して検出できる。In the case of FIG. 9, when the threshold value 94 is provided, the foreign substances 81, 82 and the defect 83 can be detected separately from the patterns 84, 85, 86.
ここで、比較回路70の出力は第９図のごとく絶対値で
出力したが、必ずしもこの限りではない。第10図に示し
たごとく、２回路の差として出力しても良い。第10図に
は、信号第８図（ａ）から信号第８図（ｂ）を差し引い
た値を示している。ここで、しきい値95は信号第８図
（ａ）の値が高い場合に、異物あるいは欠陥として検出
する。すなわち、信号第８図（ａ）を出力した被検査対
象レチクル６に異物あるいは欠陥が存在することを示し
ている。一方、しきい値96は、信号第８図（ｂ）の値が
高いこと、すなわち、標準レチクル106に異物あるいは
欠陥が存在することを示す。Here, the output of the comparison circuit 70 is output as an absolute value as shown in FIG. 9, but this is not necessarily the case. As shown in FIG. 10, the difference may be output as a difference between the two circuits. FIG. 10 shows a value obtained by subtracting the signal of FIG. 8 (b) from the signal of FIG. 8 (a). Here, the threshold value 95 is detected as a foreign substance or a defect when the value of the signal in FIG. 8A is high. In other words, it indicates that the inspection target reticle 6 that has output the signal shown in FIG. On the other hand, the threshold 96 indicates that the value of the signal shown in FIG. 8B is high, that is, the presence of a foreign substance or a defect in the standard reticle 106.
2.2動作 次に動作について説明する。2.2 Operation Next, the operation will be described.
被検査対象レチクル６および同一のパターンを描画し
た標準レチクル106をそれぞれ試料台部１上の固定治
具、８および108で固定する。２つのレチクル６および1
06は、合せマーク検出手段71および171により合せマー
クを検出する。この信号に基づいて、XYZ微調機構9,10,
11が移動し、２つのレチクル６および106の検査対象位
置が、検出器４および104の相対応する位置に結像する
ように調整する。The reticle 6 to be inspected and the standard reticle 106 on which the same pattern is drawn are fixed by fixing jigs 8 and 108 on the sample table 1, respectively. Two reticles 6 and 1
In step 06, the alignment marks are detected by the alignment mark detection means 71 and 171. Based on this signal, XYZ fine adjustment mechanisms 9, 10,
11 moves and adjusts the positions of the inspection targets of the two reticles 6 and 106 so as to form images at the corresponding positions of the detectors 4 and 104.
次に、Ｘステージ10およびＹステージ11を、前述のよ
うに走査する。この時、レチクル６および106は同時に
移動する。走査中は、自動焦点を独立に合わせる。Next, the X stage 10 and the Y stage 11 are scanned as described above. At this time, reticles 6 and 106 move simultaneously. During scanning, autofocus is independently focused.
この時、２つのレチクルの位置合せには、必ず誤差δ
が生じる。At this time, the alignment of the two reticles always requires an error δ
Occurs.
この誤差δが生じた場合、検査信号第８図（ａ）およ
び（ｂ）は、比較回路70により第11図のように重なるた
め、比較回路70の出力は、第12図のようになる。この場
合、しきい値95によって、異物81,82,83を、正常パター
ン84,85,86から弁別して検出することはできない。When this error δ occurs, the inspection signals shown in FIGS. 8A and 8B are overlapped by the comparison circuit 70 as shown in FIG. 11, so that the output of the comparison circuit 70 is as shown in FIG. In this case, the foreign substances 81, 82, and 83 cannot be discriminated and detected from the normal patterns 84, 85, and 86 by the threshold value 95.
以下、許容可能な位置合せ誤差δを求めて見る。回路
パターンコーナー部86の本検出光学系による像は第13図
のようになる。回路パターンコーナー86の全出力信号を
Tc,回路パターンコーナー部86の像の直径をDc,同様に異
物の全出力信号をTf,直径をDfとする。Ｗ×Ｗの検出画
素によるパターンコーナー部86および異物82の検出を考
える。Hereinafter, the allowable alignment error δ will be determined and viewed. An image of the circuit pattern corner portion 86 by the present detection optical system is as shown in FIG. All output signals of circuit pattern corner 86
Tc, the diameter of the image of the circuit pattern corner portion 86 is Dc, similarly, the total output signal of the foreign matter is Tf, and the diameter is Df. Consider detection of a pattern corner portion 86 and a foreign substance 82 by W × W detection pixels.
合せずれδによるコーナー部の検出信号の変化ΔIcは
以下の式（２）となる。検出波形を第13図のごとく直径
Dc,高さｈの円すい形に近似し、変化が極大値をとって
いる。The change ΔIc of the detection signal at the corner due to the misalignment δ is given by the following equation (2). Diameter of detected waveform as shown in Fig. 13
It approximates a conical shape with Dc and height h, and the change has a maximum value.
ΔIc＝Tc・（Dc・h/2）／（（Dc/2）２・h/3） ＝Tc・（６・δ）／（π・Dc） （Ｗ＞Ｄ） ‥‥（２） また、異物の像が、第14図に示すように隣接する検出
画素にまたがって結像される場合、異物の検出信号Ifは
式（３）に示すように最小になる。ΔIc = Tc · (Dc · h / 2) / ((Dc / 2) 2 · h / 3) = Tc · (6 · δ) / (π · Dc) (W> D) ‥‥ (2) When an image of a foreign substance is formed over adjacent detection pixels as shown in FIG. 14, the detection signal If of the foreign substance becomes minimum as shown in Expression (3).
If＝Tf/4 ‥‥（３） 式（２），式（３）より、比較回路70によって異物82
を検出するために許容される合せ誤差δは以下の式
（３）を満たす必要がある。If = Tf / 4 ‥‥ (3) From the equations (2) and (3), the foreign substance 82
Must be satisfied to satisfy the following equation (3).
ΔTc＜If ‥‥（４） ∴ δ＜（π/24）・（Tf/Tc）・Dc ・・・（４）′ 式（４）′より、パターン出力信号の直径Dcを大きくす
ると許容誤差δを大きくできる。一方で異物の全出力信
号Tcを検出器の１画素に効率良くとりひむためには、以
下の式を満たす必要がある。ΔTc <If ‥‥ (4) ∴δ <(π / 24) · (Tf / Tc) · Dc (4) ′ From equation (4) ′, if the diameter Dc of the pattern output signal is increased, the allowable error δ Can be increased. On the other hand, in order to efficiently apply all the output signals Tc of the foreign matter to one pixel of the detector, the following equation must be satisfied.
Ｗ＞Df （〜Dc） ‥‥（５） 従って、Dc〜Ｗとするのが最も効率が良い。 W> Df (〜Dc) ‥‥ (5) Therefore, it is most efficient to set Dc〜W.
一方、 Tc〜５・Tf ‥‥（６） 程度の異物まで検出するには（６），（４）′より δ＜Dc/38 ‥‥（７） ここで、δ＜0.2μｍとするにはDc＝7.6μｍとなる。
即ち、7.6μｍに像の分解能を落とせば良い。On the other hand, to detect foreign matter of about Tcc5 · Tf ‥‥ (6), (6) and (4) ′ indicate that δ <Dc / 38 ‥‥ (7) where δ <0.2 μm Dc = 7.6 μm.
That is, the image resolution may be reduced to 7.6 μm.
次に、結像分解能をいかに落とすか説明する。結像の
分解能は対物レンズの開口数により設定される。したが
って、開口数を小さくすれば良い。ところが、開口数を
小さくすると、検出信号レベルも下がってしまう。そこ
で、開口数を小さくせずに分解能を下げるため第15図お
よび第16図に示すような形状の位相フィルタ72を第１図
に示す像のフーリエ変換の位置に設置する。Next, how to lower the imaging resolution will be described. The imaging resolution is set by the numerical aperture of the objective lens. Therefore, the numerical aperture may be reduced. However, when the numerical aperture is reduced, the detection signal level is also reduced. Therefore, in order to lower the resolution without reducing the numerical aperture, a phase filter 72 having a shape as shown in FIGS. 15 and 16 is provided at the position of the Fourier transform of the image shown in FIG.
位相フィルタ72は、第15図に示すように輪帯状の部分
に分け、各部分の位相をπずつ変えている。また第16図
には直線状に分けたものを示している。この場合の各部
分の幅の１を以下の式に示される値程度にすることによ
り、像を概ね目的のDfまで広げることができる。The phase filter 72 is divided into annular zones as shown in FIG. 15, and the phase of each zone is changed by π. FIG. 16 shows a linearly divided one. In this case, by setting the width 1 of each part to a value represented by the following equation, the image can be broadened to approximately the target Df.
Df＝1.2・λ／（（N.A.）・l/L） ‥‥（８） ここで、N.A.は対物レンズの開口数、Ｌはフーリエ変
換面の大きさである。Df = 1.2 · λ / ((NA) · l / L) (8) where NA is the numerical aperture of the objective lens, and L is the size of the Fourier transform plane.
本発明は、検出系のみ、即ち比較せずに２値化するだ
けでも、特定の大きさ以上の異物を検出できる。以下、
この原理及び動作を説明する。According to the present invention, a foreign substance having a specific size or more can be detected only by the detection system, that is, only by binarization without comparison. Less than,
This principle and operation will be described.
第２図に示すように、ガラス基板16上に回路パターン
17と、２個の異物18a,18bと欠陥19とが存在する場合に
ついて述べると、一方の小さい異物18aは微小であるた
め、回路パターン17のエッジ17aに比較して光をより散
乱あるいは回折する。すなわち遮光板44により遮光され
る範囲θより外側に散乱する光束56が回路パターン17の
エッジ17a光束55よりも多くなる。As shown in FIG. 2, a circuit pattern is formed on a glass substrate 16.
17 and two foreign substances 18a, 18b and a defect 19 are described. One of the small foreign substances 18a is minute, and therefore scatters or diffracts light more than the edge 17a of the circuit pattern 17. . That is, the light flux 56 scattered outside the range θ shielded by the light shielding plate 44 is larger than the light flux 55 at the edge 17a of the circuit pattern 17.
また他方の大きい異物18bあるいは回路パターン17の
欠陥19もその周辺部の空間周波数が高いため、遮光板44
により遮光される範囲θより外側に散乱する光束57,58
がパターン17のエッジ17aの光束55よりも多くなる。Further, the other large foreign matter 18b or the defect 19 of the circuit pattern 17 also has a high spatial frequency in the peripheral portion thereof, so that the light shielding plate 44
Light flux 57, 58 scattered outside the range θ blocked by
Is larger than the luminous flux 55 at the edge 17a of the pattern 17.
したがって、検出器51の出力は第３図に示すように前
記各光束55,56,57,58による出力ピーク59,60,61,62を発
生する。Therefore, the output of the detector 51 generates output peaks 59, 60, 61 and 62 due to the respective light beams 55, 56, 57 and 58 as shown in FIG.
一方、２値化処理化回路52で第３図に示すようにしき
い値63を設定すると、このしきい値63以上の出力として
前記３個の出力ピーク60,61,62が突出するので、これに
より、２個の異物18a,18bおよびパターン17の欠陥19の
み検出することができる。On the other hand, when the threshold value 63 is set by the binarization processing circuit 52 as shown in FIG. 3, the three output peaks 60, 61, and 62 protrude as outputs exceeding the threshold value 63. Thus, only the two foreign substances 18a and 18b and the defect 19 of the pattern 17 can be detected.
このときのX,Yステージ10,11の座標と、前記出力ピー
ク60,61のレベルを前記マイクロコンピュータ53が管理
するメモリに記憶するとともに、この記憶内容を処理し
て前記CRT54に出力する。At this time, the coordinates of the X and Y stages 10 and 11 and the levels of the output peaks 60 and 61 are stored in a memory managed by the microcomputer 53, and the stored contents are processed and output to the CRT.
本発明によれば、検査手段による検査対象の検出信号
と等価の標準信号を設計データから作成して、検出信号
と比較できるので、検査精度、検査速度、検査信頼性を
向上できる。According to the present invention, since a standard signal equivalent to the detection signal of the inspection target by the inspection means can be created from the design data and compared with the detection signal, inspection accuracy, inspection speed, and inspection reliability can be improved.
また本発明によれば、露光装置の照明と光学的に等価
な照明を使用し、異物および欠陥により散乱、回折し、
露光装置の縮小レンズに入射しなくなった光を選択的に
検出できるので、パターンから検出信号を消去して実害
となる欠陥や異物からの検出信号を顕在化して欠陥や異
物を検出することができる。Further, according to the present invention, using illumination optically equivalent to the illumination of the exposure apparatus, scattered and diffracted by foreign matter and defects,
Since the light that no longer enters the reduction lens of the exposure device can be selectively detected, the detection signal is erased from the pattern, and the detection signal from a defect or foreign substance that is actually harmful can be detected to detect the defect or foreign substance. .
また、レチクル上の検査領域を限定し、レチクルを走
査して全ての検査領域を検査可能にしたので、通常使用
されている縮小投影レンズよりもN.A.の大きい対物レン
ズを使用することができる。In addition, since the inspection area on the reticle is limited and all the inspection areas can be inspected by scanning the reticle, an objective lens having a larger NA than a commonly used reduction projection lens can be used.
更に照明系の構成を簡単にすることができるとともに
検出系の構成を簡単にすることができる。Further, the configuration of the illumination system can be simplified and the configuration of the detection system can be simplified.
第１図は本発明の第２の実施例を示す概略構成図、第２
図は検査するレチクルを示す断面図、第３図は第１図に
示す検出器51の出力信号を示す図、第４図は第３図に示
す信号を２値化回路で２値化した２値化信号波形を示す
図、第５図は異物、欠陥が存在する被検査レチクルと標
準レチクルを示す平面図、第６図は第５図の断面を示す
図、第７図は従来技術による検出信号を示した図、第８
図乃至第12図は第１図に示す被検査レチクル側及び標準
レチクル側の検出器の出力信号形を示す図、第13図は本
発明に係る回路パターンコーナー部及び異物から検出さ
れる検出信号を示す模式図、第14図は検出器上に結像さ
れた異物の模式図、第15図及び第16図は各々第１図に示
す位相フィルタ72の構成例を示す平面図、第17図は本発
明の第１の実施例を表わす概略構成図、第18図は本発明
の第３の実施例を表わす概略構成図、第19図は伝達関数
畳み込み手段を表わす構成図である。 １……試料台部、２……透過照明部、３……落射照明
部、４……検出部、５……検出処理部、６……レチク
ル、７……ペリクル。FIG. 1 is a schematic structural view showing a second embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view showing a reticle to be inspected, FIG. 3 is a view showing an output signal of the detector 51 shown in FIG. 1, and FIG. 4 is a binary signal obtained by binarizing the signal shown in FIG. FIG. 5 is a plan view showing a reticle to be inspected and a standard reticle having a foreign substance and a defect, FIG. 6 is a view showing a cross section of FIG. 5, and FIG. FIG. 8 shows a signal,
12 are diagrams showing output signal shapes of detectors on the reticle side to be inspected and the standard reticle side shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 14 is a schematic view of a foreign substance imaged on the detector, FIG. 15 and FIG. 16 are plan views each showing a configuration example of the phase filter 72 shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 18 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of the present invention, FIG. 18 is a schematic configuration diagram showing a third embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a configuration diagram showing transfer function convolution means. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... sample stage part, 2 ... transmission illumination part, 3 ... epi-illumination part, 4 ... detection part, 5 ... detection processing part, 6 ... reticle, 7 ... pellicle.
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−268245（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−6442（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−147114（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−38450（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−6854（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−65428（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16 Continuation of the front page (56) References JP-A-63-268245 (JP, A) JP-A-63-6442 (JP, A) JP-A-58-147114 (JP, A) JP-A-61-38450 (JP) JP-A-63-6854 (JP, A) JP-A-59-65428 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G03F 1/00-1/16
Claims (4)
対して所望の空間コヒーレンス度の光を照明手段により
照明し、上記被検査レチクルからの透過光を集光させる
と共に被検査レチクルのフーリエ変換面に設けられた遮
光手段により上記空間コヒーレンス度に対応させた光を
遮光する検出光学系及び該検出光学系から得られる光を
検出器にて受光して映像信号に変換する被検査レチクル
検査工程と、上記回路パターンの設計データに対して上
記検出光学系と等価の伝達関数を持つ空間フィルターに
よる演算処理を施して基準映像信号を形成する標準レチ
クル検査データ作成工程と、上記被検査レチクル検査工
程から検出される映像信号と上記標準レチクル検査デー
タ作成工程から出力される基準映像信号とを比較して上
記被検査レチクル上の回路パターンから獲られる信号を
消去して被検査レチクル上に存在する欠陥を顕在化して
検出する欠陥検出工程とを備えたことを特徴とするレチ
クル上の欠陥検出方法。1. A reticle to be inspected on which a circuit pattern is formed is illuminated with light having a desired spatial coherence degree by an illuminating means to condense light transmitted from the reticle to be inspected and to perform a Fourier transform on the reticle to be inspected. A detection optics system that shields light corresponding to the spatial coherence degree by light shielding means provided at the reticle inspection step of receiving light obtained from the detection optical system with a detector and converting the light into a video signal; A standard reticle inspection data creating step of performing a calculation process using a spatial filter having a transfer function equivalent to the detection optical system on the design data of the circuit pattern to form a reference video signal; and The detected image signal is compared with a reference image signal output from the standard reticle inspection data creating step, and the reticle to be inspected is compared. Method of detecting defects on a reticle, characterized in that to erase a signal, which is caught from the circuit pattern defects present on the inspected reticle and a defect detection step of detecting by manifestation of the.
対して所望の空間コヒーレンス度の光を照明する照明手
段と該照明手段によって照明され、且つ上記被検査レチ
クルからの透過光を集光させると共に被検査レチクルの
フーリエ変換面に設けられた遮光手段により上記空間コ
ヒーレンス度に対応させた光を遮光する検出光学系と該
検出光学系から得られる光を受光して映像信号に変換す
る検出器とを備えた被検査レチクル検査手段と、上記回
路パターンの設計データに対して上記検出光学系と等価
の伝達関数を持つ空間フィルターによる演算処理を施し
て基準映像信号を形成する標準レチクル検査データ作成
手段と、上記被検査レチクル検査手段から検出される映
像信号と上記標準レチクル検査データ作成手段から出力
される基準映像信号とを比較して上記被検査レチクル上
の回路パターンから獲られる信号を消去して被検査レチ
クル上に存在する欠陥を顕在化して検出する欠陥または
異物検出手段とを備えたことを特徴とするレチクル上の
欠陥または異物検出装置。2. An illumination means for illuminating a reticle to be inspected on which a circuit pattern is formed with light having a desired spatial coherence degree, and a light illuminated by the illuminating means and transmitted from the reticle to be inspected, and A detection optical system that shields light corresponding to the spatial coherence degree by a light shielding unit provided on a Fourier transform surface of the reticle to be inspected, and a detector that receives light obtained from the detection optical system and converts the light into a video signal Inspected reticle inspecting means comprising: a standard reticle inspection data creating means for performing an arithmetic process on a design data of the circuit pattern by a spatial filter having a transfer function equivalent to the detection optical system to form a reference video signal A video signal detected from the reticle inspection means and a reference video signal output from the standard reticle inspection data creating means. A reticle for erasing a signal obtained from the circuit pattern on the reticle to be inspected to reveal and detect a defect present on the reticle to be inspected. Upper defect or foreign matter detection device.
側から斜方照明する斜方照明部と、上記被検査レチクル
を表側から落射照明する落射照明部とを有することを特
徴とする請求項２記載のレチクル上の欠陥検出装置。3. The illumination device according to claim 1, wherein the illumination unit includes an oblique illumination unit for obliquely illuminating the reticle to be inspected from behind, and an epi-illumination unit for illuminating the reticle to be inspected from above. 3. The defect detection device on a reticle according to 2.
明された上記被検査レチクル上の欠陥から発生する散乱
光を結像させる結像光学系を備えていることを特徴とす
る請求項２記載のレチクル上の欠陥検出装置。4. The detection optical system according to claim 2, further comprising an imaging optical system for imaging scattered light generated from a defect on the reticle to be inspected illuminated by the illumination means. A defect detection device on the reticle according to the description.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29504089A JP3070748B2 (en) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | Method and apparatus for detecting defects on reticle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29504089A JP3070748B2 (en) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | Method and apparatus for detecting defects on reticle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03156460A JPH03156460A (en) | 1991-07-04 |
| JP3070748B2 true JP3070748B2 (en) | 2000-07-31 |
Family
ID=17815546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29504089A Expired - Lifetime JP3070748B2 (en) | 1989-11-15 | 1989-11-15 | Method and apparatus for detecting defects on reticle |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3070748B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000147748A (en) * | 1998-11-18 | 2000-05-26 | Toppan Printing Co Ltd | Apparatus for inspecting appearance of photomask |
| JP5376920B2 (en) | 2008-12-04 | 2013-12-25 | キヤノン株式会社 | Convolution operation circuit, hierarchical convolution operation circuit, and object recognition device |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP29504089A patent/JP3070748B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03156460A (en) | 1991-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2796316B2 (en) | Defect or foreign matter inspection method and apparatus | |
| US6084664A (en) | Method of and apparatus for inspecting reticle for defects | |
| US5539514A (en) | Foreign particle inspection apparatus and method with front and back illumination | |
| US4952058A (en) | Method and apparatus for detecting abnormal patterns | |
| US5428442A (en) | Inspection system with in-lens, off-axis illuminator | |
| US4922308A (en) | Method of and apparatus for detecting foreign substance | |
| KR970000780B1 (en) | Foreign particle inspection apparatus | |
| JP3259331B2 (en) | Surface condition inspection device | |
| JPH05303193A (en) | Method and device for inspecting mask | |
| US20100271627A1 (en) | Defect Inspection Method and Defect Inspection Apparatus | |
| JPH05118994A (en) | Method and device for inspecting defect of surface having repeating pattern | |
| JP2008058111A (en) | Defect inspection device and defect inspection method | |
| KR20060051434A (en) | Optical inspection apparatus and optical inspection method | |
| JP3936959B2 (en) | Pattern defect inspection method and apparatus | |
| KR970000781B1 (en) | Foreign matter detection device | |
| US5442189A (en) | Apparatus for inspecting defects and foreign substances having a spot illuminated focusing system | |
| US5602639A (en) | Surface-condition inspection method and apparatus including a plurality of detecting elements located substantially at a pupil plane of a detection optical system | |
| JP5276833B2 (en) | Defect inspection method and defect inspection apparatus | |
| JP3070748B2 (en) | Method and apparatus for detecting defects on reticle | |
| JPH10282007A (en) | Defect inspection method of foreign matter and apparatus therefor | |
| JP3362033B2 (en) | Foreign matter inspection device | |
| JP2539182B2 (en) | Foreign matter inspection method on semiconductor wafer | |
| JP3410013B2 (en) | Defect or foreign matter inspection method and apparatus | |
| JP3102493B2 (en) | Foreign matter inspection method and apparatus | |
| JPH0682381A (en) | Foreign matter inspection device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080526 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090526 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100526 Year of fee payment: 10 |