JP2757709B2 - 常圧気相成長装置 - Google Patents
常圧気相成長装置Info
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- JP2757709B2 JP2757709B2 JP4254415A JP25441592A JP2757709B2 JP 2757709 B2 JP2757709 B2 JP 2757709B2 JP 4254415 A JP4254415 A JP 4254415A JP 25441592 A JP25441592 A JP 25441592A JP 2757709 B2 JP2757709 B2 JP 2757709B2
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- Japan
- Prior art keywords
- belt
- semiconductor wafer
- slit
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は常圧気相成長装置に係わ
り、特に半導体ウエハの搬送を行うメインベルトの劣化
モニター機構に関する。
り、特に半導体ウエハの搬送を行うメインベルトの劣化
モニター機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の常圧気相成長装置は図６に示すよ
うに、半導体ウエハに成膜するための反応ガスを供給す
るインジェクター４と、成膜を行うための反応室３と、
インジェクター４の下まで半導体ウエハを搬送するため
のメインベルト１と、成膜後の半導体ウエハをメインベ
ルト１から引き渡されてアンローダーまで冷却しながら
搬送するためのクーリングベルト２と、メインベルト１
をＨＦでエッチングするためのＨＦエッチマッフル５
と、エッチング後のメインベルトを水洗するための超音
波洗浄器６と、水にぬれたメインベルト１の水分を飛ば
すための高温窒素供給口８と、メインベルト１を最終的
に乾かすための赤外線ランプ７と、これらのベルトの駆
動を行うラグローラー１７と、クーリングベルト２の駆
動源となるトランスファー・ブロック１２と、ベルトの
冷却をしながら張力も与える冷却ローラー２３と、張力
を維持するための複数のピンチローラー１３，１４，１
５，１６，１８，１９，２０，２１，２２，２４，２
５，２７，２８を有している。
うに、半導体ウエハに成膜するための反応ガスを供給す
るインジェクター４と、成膜を行うための反応室３と、
インジェクター４の下まで半導体ウエハを搬送するため
のメインベルト１と、成膜後の半導体ウエハをメインベ
ルト１から引き渡されてアンローダーまで冷却しながら
搬送するためのクーリングベルト２と、メインベルト１
をＨＦでエッチングするためのＨＦエッチマッフル５
と、エッチング後のメインベルトを水洗するための超音
波洗浄器６と、水にぬれたメインベルト１の水分を飛ば
すための高温窒素供給口８と、メインベルト１を最終的
に乾かすための赤外線ランプ７と、これらのベルトの駆
動を行うラグローラー１７と、クーリングベルト２の駆
動源となるトランスファー・ブロック１２と、ベルトの
冷却をしながら張力も与える冷却ローラー２３と、張力
を維持するための複数のピンチローラー１３，１４，１
５，１６，１８，１９，２０，２１，２２，２４，２
５，２７，２８を有している。
【０００３】次に動作について説明する。半導体ウエハ
がローダー側のメインベルト１上まで搬送されてくる
と、メインベルト１は半導体ウエハを反応室３内へ搬送
し、インジェクター４の下を通過させることによって半
導体ウエハ上へ成膜が行われる。成膜後の半導体ウエハ
はトラッキング・ブロック１２によって駆動されている
クーリングベルト２上へ移される。半導体ウエハを引き
渡したメインベルト１はピンチローラー１９によりＨＦ
エッチマッフル５へ入って行く。ＨＦエッチマッフル５
内はＨＦ蒸気で満たされており、メインベルト１が通過
する事によってベルト上に堆積した膜をエッチングす
る。
がローダー側のメインベルト１上まで搬送されてくる
と、メインベルト１は半導体ウエハを反応室３内へ搬送
し、インジェクター４の下を通過させることによって半
導体ウエハ上へ成膜が行われる。成膜後の半導体ウエハ
はトラッキング・ブロック１２によって駆動されている
クーリングベルト２上へ移される。半導体ウエハを引き
渡したメインベルト１はピンチローラー１９によりＨＦ
エッチマッフル５へ入って行く。ＨＦエッチマッフル５
内はＨＦ蒸気で満たされており、メインベルト１が通過
する事によってベルト上に堆積した膜をエッチングす
る。
【０００４】ＨＦエッチマッフル５から出たメインベル
ト１には超音波洗浄器６内を通過したあとに高温窒素供
給口８から高温窒素ガスが吹き付けられる。次に赤外線
ランプ７の下を通過する事によって水分の除去が行わ
れ、水冷ローラー２３に冷却されながらローダー側へ戻
ってくる。
ト１には超音波洗浄器６内を通過したあとに高温窒素供
給口８から高温窒素ガスが吹き付けられる。次に赤外線
ランプ７の下を通過する事によって水分の除去が行わ
れ、水冷ローラー２３に冷却されながらローダー側へ戻
ってくる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の常圧気相成
長装置では、半導体ウエハ搬送用のベルトはＨＦエッチ
ング後に水洗され、そのあと乾燥してローダー側へ戻る
ようになっているが、この半導体ウエハ搬送用ベルトは
装置外部から見にくく、ローダー側の反応室入口までの
数ｃｍしか見る事ができない。このように半導体ウエハ
搬送用のベルトの大部分はＳＵＳのパネル内に隠れてお
り、ＳＵＳパネルをはずさないと見にくい構造である。
またベルトが１周するには３０分以上の時間がかかり目
視チェックをする場合も懐中電燈で光を当てながら劣化
している場所を捜し出す必要があり、この場合もかなり
劣化が進んだ状態でないと発見が困難であるという問題
点があった。
長装置では、半導体ウエハ搬送用のベルトはＨＦエッチ
ング後に水洗され、そのあと乾燥してローダー側へ戻る
ようになっているが、この半導体ウエハ搬送用ベルトは
装置外部から見にくく、ローダー側の反応室入口までの
数ｃｍしか見る事ができない。このように半導体ウエハ
搬送用のベルトの大部分はＳＵＳのパネル内に隠れてお
り、ＳＵＳパネルをはずさないと見にくい構造である。
またベルトが１周するには３０分以上の時間がかかり目
視チェックをする場合も懐中電燈で光を当てながら劣化
している場所を捜し出す必要があり、この場合もかなり
劣化が進んだ状態でないと発見が困難であるという問題
点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
ウエハ搬送用のベルトと、前記半導体ウエハ搬送用のベ
ルトにより搬送された半導体ウエハに成膜する反応室
と、前記半導体ウエハ搬送用のベルト上に堆積された膜
をエッチングするＨＦエッチマッフルと、前記半導体ウ
エハ搬送用のベルトを超音波洗浄する超音波洗浄器と、
前記半導体ウエハ搬送用のベルトに窒素を吹き付ける手
段と、前記半導体ウエハ搬送用のベルトを赤外線ランプ
により加熱する手段と、前記半導体ウエハ搬送用のベル
トを水冷ローラにより冷却する手段とを有し、前記半導
体ウエハ搬送用のベルトは前記反応室から前記ＨＦエッ
チマッフル、前記超音波洗浄器、前記吹き付ける手段、
前記加熱する手段および前記冷却する手段を順に通って
前記反応室に戻る循環経路を有する常圧気相成長装置に
おいて、発光部スリットを形成した発光部ユニットおよ
び受光部スリットを形成した受光部ユニットを前記冷却
する手段と前記反応室との間に設け、前記発光部ユニッ
トと前記受光部ユニットの間を前記半導体ウエハ搬送用
のベルトを通過させ、前記発光部スリットから前記半導
体ウエハ搬送用のベルトの裏面に照射した光のうち表面
に漏れてきた光の強度を前記受光部スリットを通してモ
ニターする常圧気相成長装置にある。
ウエハ搬送用のベルトと、前記半導体ウエハ搬送用のベ
ルトにより搬送された半導体ウエハに成膜する反応室
と、前記半導体ウエハ搬送用のベルト上に堆積された膜
をエッチングするＨＦエッチマッフルと、前記半導体ウ
エハ搬送用のベルトを超音波洗浄する超音波洗浄器と、
前記半導体ウエハ搬送用のベルトに窒素を吹き付ける手
段と、前記半導体ウエハ搬送用のベルトを赤外線ランプ
により加熱する手段と、前記半導体ウエハ搬送用のベル
トを水冷ローラにより冷却する手段とを有し、前記半導
体ウエハ搬送用のベルトは前記反応室から前記ＨＦエッ
チマッフル、前記超音波洗浄器、前記吹き付ける手段、
前記加熱する手段および前記冷却する手段を順に通って
前記反応室に戻る循環経路を有する常圧気相成長装置に
おいて、発光部スリットを形成した発光部ユニットおよ
び受光部スリットを形成した受光部ユニットを前記冷却
する手段と前記反応室との間に設け、前記発光部ユニッ
トと前記受光部ユニットの間を前記半導体ウエハ搬送用
のベルトを通過させ、前記発光部スリットから前記半導
体ウエハ搬送用のベルトの裏面に照射した光のうち表面
に漏れてきた光の強度を前記受光部スリットを通してモ
ニターする常圧気相成長装置にある。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のベルト劣化モニター機構
を持つ常圧ＣＶＤ装置の側面図である。半導体ウエハを
搬送するメインベルト１はＨＦエッチマッフル５を通
り、超音波洗浄器６で水洗された後、高温窒素と赤外線
ランプ７の熱で乾燥された後にメインベルト１に片側か
らベルト巾一杯にスリット光が当てられメインベルト１
の反対側でも光の到達強度を測定できるようになってい
る。
る。図１は本発明の一実施例のベルト劣化モニター機構
を持つ常圧ＣＶＤ装置の側面図である。半導体ウエハを
搬送するメインベルト１はＨＦエッチマッフル５を通
り、超音波洗浄器６で水洗された後、高温窒素と赤外線
ランプ７の熱で乾燥された後にメインベルト１に片側か
らベルト巾一杯にスリット光が当てられメインベルト１
の反対側でも光の到達強度を測定できるようになってい
る。
【０００８】図２はベルト劣化モニター機構の発光部ス
リット１０を有する発光部ユニット９ｂの正面図であ
る。
リット１０を有する発光部ユニット９ｂの正面図であ
る。
【０００９】図３はベルト劣化モニター機構の、受光部
スリット１１を有する受光部ユニット９ａの正面図であ
る。
スリット１１を有する受光部ユニット９ａの正面図であ
る。
【００１０】次に本発明のベルト劣化モニター機構の動
作を説明する。半導体ウエハはロボットによってピンチ
ローラー２５のところまで搬送されてくる。メインベル
ト１はラグ・ローラー１７が回転する事で毎分６インチ
のスピードで回転している。半導体ウエハはトラッキン
グプロック１２によって駆動されているクーリングベル
ト２へ引き渡され、アンローダーへと搬送されてゆく。
メインベルト１はピンチローラー１３で折り返され、ピ
ンチローラー１９を通ってＨＦエッチマッフル５内へ入
って行く。この時メインベルト１にはインジェクター４
によって供給された反応ガスで堆積した膜が成膜されて
いる。次にＨＦエッチマッフル５から出たメインベルト
１はピンチローラー２０によって折り返され、超音波洗
浄器６内へ入る。超音波洗浄器６から出たメインベルト
１には高温窒素供給口８によりベルトの表と裏から窒素
が吹き付けられ、赤外線ランプ７の下を通過する。赤外
線ランプ７によって加熱されたメインベルト１は水冷ロ
ーラー２３によって充分に冷却され、ベルト劣化モニタ
ー機構の受光部ユニット９ａと発光部ユニット９ｂの間
を通過する。この時に、１本の発光部スリット１０から
メインベルト１の裏面に対して９０度の角度でスリット
光を照射する。一方、ベルトの表側にある１本の受光部
スリット１１にはメインベルト１の表面から漏れる光を
受光するためのフォトセンサーが内蔵してあり、メイン
ベルト１の裏面からの光の強度が強い程メインベルト１
の劣化が進んでいることがわかるようになっている。具
体的には、メインベルトからの到達光の強度が発光部ス
リット１０から照射した強度の１５％を超えた場合にベ
ルト劣化アラームを発生させ注意を促す。
作を説明する。半導体ウエハはロボットによってピンチ
ローラー２５のところまで搬送されてくる。メインベル
ト１はラグ・ローラー１７が回転する事で毎分６インチ
のスピードで回転している。半導体ウエハはトラッキン
グプロック１２によって駆動されているクーリングベル
ト２へ引き渡され、アンローダーへと搬送されてゆく。
メインベルト１はピンチローラー１３で折り返され、ピ
ンチローラー１９を通ってＨＦエッチマッフル５内へ入
って行く。この時メインベルト１にはインジェクター４
によって供給された反応ガスで堆積した膜が成膜されて
いる。次にＨＦエッチマッフル５から出たメインベルト
１はピンチローラー２０によって折り返され、超音波洗
浄器６内へ入る。超音波洗浄器６から出たメインベルト
１には高温窒素供給口８によりベルトの表と裏から窒素
が吹き付けられ、赤外線ランプ７の下を通過する。赤外
線ランプ７によって加熱されたメインベルト１は水冷ロ
ーラー２３によって充分に冷却され、ベルト劣化モニタ
ー機構の受光部ユニット９ａと発光部ユニット９ｂの間
を通過する。この時に、１本の発光部スリット１０から
メインベルト１の裏面に対して９０度の角度でスリット
光を照射する。一方、ベルトの表側にある１本の受光部
スリット１１にはメインベルト１の表面から漏れる光を
受光するためのフォトセンサーが内蔵してあり、メイン
ベルト１の裏面からの光の強度が強い程メインベルト１
の劣化が進んでいることがわかるようになっている。具
体的には、メインベルトからの到達光の強度が発光部ス
リット１０から照射した強度の１５％を超えた場合にベ
ルト劣化アラームを発生させ注意を促す。
【００１１】図４，図５はそれぞれ本発明の他の実施例
のベルト劣化モニター機構の発光部ユニット２９ｂと受
光部ユニット２９ａの正面図である。この場合は発光部
ユニットの発光部スリット１０が５個に増え、受光部ユ
ニットの受光部スリット１１も５個となっている。これ
らの実施例ではスリットが１本のみの場合より信頼性が
高くなり、スリットの受光位置を分析することでベルト
内の位置の特定ができるという利点がある。
のベルト劣化モニター機構の発光部ユニット２９ｂと受
光部ユニット２９ａの正面図である。この場合は発光部
ユニットの発光部スリット１０が５個に増え、受光部ユ
ニットの受光部スリット１１も５個となっている。これ
らの実施例ではスリットが１本のみの場合より信頼性が
高くなり、スリットの受光位置を分析することでベルト
内の位置の特定ができるという利点がある。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はメインベ
ルトの劣化を常時モニターできる機構のため、メインベ
ルトのキズをチェックするための工数０．５Ｈ／１週間
が削減出来るだけでなく、濃度の半導体ウエハ内や半導
体ウエハ間バラツキ、膜厚のバラツキの原因にもなり得
るメインベルトの劣化を早期に発見する事ができるとい
う効果を有する。
ルトの劣化を常時モニターできる機構のため、メインベ
ルトのキズをチェックするための工数０．５Ｈ／１週間
が削減出来るだけでなく、濃度の半導体ウエハ内や半導
体ウエハ間バラツキ、膜厚のバラツキの原因にもなり得
るメインベルトの劣化を早期に発見する事ができるとい
う効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の常圧気相成長装置の概略を
示す図である。
示す図である。
【図２】図１における発光部ユニットを示す正面図であ
る。
る。
【図３】図１における受光部ユニットを示す正面図であ
る。
る。
【図４】発光部ユニットの他の実施例を示す正面図であ
る。
る。
【図５】受光部ユニットの他の実施例を示す正面図であ
る。
る。
【図６】従来技術の常圧気相成長装置の概略を示す図で
ある。
ある。
１ メインベルト ２ クーリングベルト ３ 反応室 ４ インジェクター ５ ＨＦエッチマッフル ６ 超音波洗浄器 ７ 赤外線ランプ ８ 高温窒素供給口 ９ａ 受光部ユニット ９ｂ 発光部ユニット １０ 発光部スリット １１ 受光部スリット １２ トラッキングブロック １３ ピンチローラー １４ ピンチローラー １５ ピンチローラー １６ ピンチローラー １７ ラグ・ローラー １８ ピンチローラー １９ ピンチローラー ２０ ピンチローラー ２１ ピンチローラー ２２ ピンチローラー ２３ 水冷ローラー ２４ ピンチローラー ２５ ピンチローラー ２７ ピンチローラー ２８ ピンチローラー ２９ａ 多スリット型受光部ユニット ２９ｂ 多スリット型発光部ユニット
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハ搬送用のベルトと、前記半
導体ウエハ搬送用のベルトにより搬送された半導体ウエ
ハに成膜する反応室と、前記半導体ウエハ搬送用のベル
ト上に堆積された膜をエッチングするＨＦエッチマッフ
ルと、前記半導体ウエハ搬送用のベルトを超音波洗浄す
る超音波洗浄器と、前記半導体ウエハ搬送用のベルトに
窒素を吹き付ける手段と、前記半導体ウエハ搬送用のベ
ルトを赤外線ランプにより加熱する手段と、前記半導体
ウエハ搬送用のベルトを水冷ローラにより冷却する手段
とを有し、前記半導体ウエハ搬送用のベルトは前記反応
室から前記ＨＦエッチマッフル、前記超音波洗浄器、前
記吹き付ける手段、前記加熱する手段および前記冷却す
る手段を順に通って前記反応室に戻る循環経路を有する
常圧気相成長装置において、 発光部スリットを形成した発光部ユニットおよび受光部
スリットを形成した受光部ユニットを前記冷却する手段
と前記反応室との間に設け、前記発光部ユニットと前記
受光部ユニットの間を前記半導体ウエハ搬送用のベルト
を通過させ、前記発光部スリットから前記半導体ウエハ
搬送用のベルトの裏面に照射した光のうち表面に漏れて
きた光の強度を前記受光部スリットを通してモニターす
ること を特徴とする常圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254415A JP2757709B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 常圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254415A JP2757709B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 常圧気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06100138A JPH06100138A (ja) | 1994-04-12 |
| JP2757709B2 true JP2757709B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=17264663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4254415A Expired - Lifetime JP2757709B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 常圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757709B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH062584B2 (ja) * | 1984-12-28 | 1994-01-12 | ソニー株式会社 | チタン酸鉛微結晶及びその製造方法 |
| JP6554666B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2019-08-07 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 電子部品実装装置および電子部品実装システム |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6292213U (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-12 |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP4254415A patent/JP2757709B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06100138A (ja) | 1994-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980210 |