JP2755166B2 - ツボ探索刺激装置 - Google Patents

ツボ探索刺激装置

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JP2755166B2
JP2755166B2 JP10446694A JP10446694A JP2755166B2 JP 2755166 B2 JP2755166 B2 JP 2755166B2 JP 10446694 A JP10446694 A JP 10446694A JP 10446694 A JP10446694 A JP 10446694A JP 2755166 B2 JP2755166 B2 JP 2755166B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ツボを探索するツボ探
索回路と、ツボを刺激することにより局所的に治療を行
うツボ刺激回路とを備えるツボ探索刺激装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来のツボ探索刺激装置には、例えば実
開昭61−10741号に示すように、探索回路及び刺
激回路が内設された手で把持可能な万年筆形状の管状体
と、前記管状体の先端に皮膚表面に接触するように設け
られた中心電極と、前記中心電極の周囲に絶縁体域を介
して設けられた環状電極とを備えるものがある。この装
置は、中心電極及び環状電極を皮膚表面に接触させて中
心電極と環状電極との間の抵抗値を測定し、この抵抗値
を基準抵抗値と比較することによりツボを探索すると共
に、管状体に設けられたスイッチを切換えることにより
中心電極から電圧パルスを出力し、ツボを電気的に刺激
することにより局所的に治療を行う。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実開昭
61−10741号に示す装置等では、中心電極と環状
電極との間の抵抗を測定することによりツボを探索する
ため、ツボが中心電極と接触していなくても、環状電極
の内側に位置していると、中心電極と環状電極との間の
抵抗値は低くなるのでツボと判断してしまう。この状態
で管状体に設けられたスイッチが切換えられて中心電極
から電圧パルスが出力されると、ツボでない部分を刺激
してしまうという問題がある。また、ツボの抵抗値は、
個人差や皮膚表面の発汗状態等によりかなり大きく変化
するため、固定された基準抵抗値との比較では、的確な
ツボの探索が行えない場合があるという問題もある。こ
のため、感度調整用の切換えスイッチを設けて基準抵抗
値を変えることができるようにしたツボ探索刺激装置も
ある。
【0004】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、個人差や皮膚表面の発汗状態等に影響を受ける
ことなくツボを正確に探索することができるツボ探索刺
激装置を提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1記載の発明のツボ探索刺激装置は、筐体の表
面に形成された第一の電極と、前記第一の電極と電気的
に絶縁され且つ前記筐体から突出した状態で設けられた
第二の電極と、前記筐体に内設されたツボを探索するツ
ボ探索手段と、前記筐体に内設された前記第二の電極か
らツボを刺激する電圧パルスを出力するツボ刺激手段と
を備え、前記ツボ探索手段が、前記第一の電極と前記第
二の電極の間の皮膚抵抗値を測定する測定手段と、前記
測定手段により測定された複数の前記皮膚抵抗値の概算
平均値を算出する演算手段と、前記測定手段により最も
新しく測定された前記皮膚抵抗値と前記概算平均値とを
比較することにより前記第二の電極がツボに近づいてい
るか否かを判断する判断手段と、を有することを特徴と
するものである。
【0006】請求項2記載の発明のツボ探索刺激装置
は、請求項1記載の発明において、前記概算平均値が前
記測定手段により測定された複数の前記皮膚抵抗値にそ
れぞれ測定時期に基づく重み付け係数を乗じて和をとっ
た重みつき平均値であることを特徴とするものである。
【0007】請求項3記載の発明のツボ探索刺激装置
は、請求項1記載の発明において、前記演算手段が前回
出力した値と今回入力された値との平均値を出力する平
均値算出手段が複数個直列に接続されて構成されている
ことを特徴とするものである。
【0008】請求項4記載の発明のツボ探索刺激装置
は、請求項1,2又は3記載の発明において、前記判断
手段の結果に基づき点滅周期を段階的に変えて発光ダイ
オードを点滅する第一の報知手段を設けたことを特徴と
するものである。
【0009】請求項5記載の発明のツボ探索刺激装置
は、請求項1,2,3又は4記載の発明において、前記
判断手段の結果に基づき鳴動周期を段階的に変えてブザ
ーを鳴動する第二の報知手段を設けたことを特徴とする
ものである。
【0010】請求項6記載の発明のツボ探索刺激装置
は、請求項1,2,3,4又は5記載の発明において、
前記ツボ探索手段及び前記ツボ刺激手段をシングルチッ
プのマイクロプロセッサにより構成したことを特徴とす
るものである。
【0011】請求項7記載の発明のツボ探索刺激装置
は、請求項1,2,3,4,5又は6記載の発明におい
て、前記第一の電極がプラスチックで形成された前記筐
体の表面にメッキ処理を施すことにより形成されたもの
であることを特徴とするものである。
【0012】
【作用】請求項1記載の発明のツボ探索刺激装置は、使
用者が第一の電極を手で把持し、第二の電極を皮膚表面
に接触させて移動すると、第一の電極と第二の電極の間
の皮膚抵抗値を測定すると共に、測定された複数の皮膚
抵抗値の概算平均値を算出する。そして、最も新しく測
定された皮膚抵抗値と概算平均値とを比較することによ
り第二の電極がツボに近づいているか否かを判断する。
これにより、ツボの探索は、第一の電極と第二の電極の
間の皮膚抵抗値を、固定された基準抵抗値との比較では
なく、測定された複数の皮膚抵抗値の概算平均値との比
較により行うので、個人差や皮膚表面の発汗状態等に影
響を受けることなくツボを正確に探索することができ
る。また、筐体の表面に第一の電極を形成したことによ
り、一方の手で筐体を把持することにより、同時に第一
の電極を手で握ることができ、したがって容易に片手で
操作することができる。さらに、ツボを探索した後、第
二の電極から電圧パルスを出力することによりツボを電
気的に刺激して治療を行うので、加熱治療のようにツボ
を損傷破壊することはない。加えて、ツボ探索回路とツ
ボ刺激回路とを筐体に内設したことにより、持ち運びに
便利で、且つ操作が容易となる。
【0013】請求項2記載の発明のツボ探索刺激装置
は、概算平均値として、測定手段により測定された複数
の皮膚抵抗値にそれぞれ測定時期に基づく重み付け係数
を乗じて和をとった重みつき平均値を用いたことによ
り、たとえば、重み付け係数のピーク値が200〜30
0m秒前に測定された皮膚抵抗値に掛かってくるように
することにより、皮膚抵抗値が発汗等により突発的に変
化したような場合でもツボ周辺の抵抗値に近い値を算出
することが可能となる。
【0014】請求項3記載の発明のツボ探索刺激装置
は、演算手段を、前回出力した値と今回入力された値と
の平均値を出力する平均値算出手段を複数個直列に接続
して構成したことにより、測定手段により測定された皮
膚抵抗値を記憶するためのメモリが不要になる。
【0015】請求項4記載の発明のツボ探索刺激装置
は、判断手段の結果に基づき点滅周期を段階的に変えて
発光ダイオードを点滅する第一の報知手段を設けたこと
により、使用者は第二の電極がツボに近づいているか否
かを視覚を通じて知ることができる。
【0016】請求項5記載の発明のツボ探索刺激装置
は、判断手段の結果に基づき鳴動周期を段階的に変えて
ブザーを鳴動する第二の報知手段を設けたことにより、
使用者は第二の電極がツボに近づいているか否かを聴覚
を通じて知ることができる。
【0017】請求項6記載の発明のツボ探索刺激装置
は、ツボ探索手段及びツボ刺激手段をシングルチップの
マイクロプロセッサにより構成したことにより、装置を
より小型化することができる。
【0018】請求項7記載の発明のツボ探索刺激装置
は、プラスチックで形成された筐体の表面にメッキ処理
を施すことによって第一の電極を形成したことにより、
筐体の表面全体に第一の電極を容易に形成することがで
きる。
【0019】
【実施例】以下に、本発明の一実施例について図1乃至
図7を参照して説明する。図1は本発明の一実施例であ
るツボ探索刺激装置の正面図、図2は図1に示すツボ探
索刺激装置の背面図、図3は図1に示すツボ探索刺激装
置の右側面図、図4は図1に示すツボ探索刺激装置の左
側面図、図5は図1に示すツボ探索刺激装置の平面図、
図6は図1に示すツボ探索刺激装置に用いられるツボ探
索回路及びツボ刺激回路の概略図、図7乃至図9は図1
に示すツボ探索刺激装置の動作を説明するためのフロー
チャートである。
【0020】本発明の一実施例であるツボ探索刺激装置
1は、図1乃至図5に示すように、全体を手で把持する
ことができる大きさの筐体11と、筐体11の表面全体
に形成された第一電極12と、筐体11の左側面上部に
側面に対し略垂直に設けられた棒状の第二電極13とを
備える。尚、筐体11には、集積回路基板上に構成され
た図6に示すツボ探索回路及びツボ刺激回路が内設され
ている。
【0021】パルス出力電圧の強弱を数字で表示する表
示部14と、赤色の発光ダイオード15と、緑色の発光
ダイオード16とは、筐体11の正面上部に、電源スイ
ッチを兼ねたパルス出力電圧調節ダイヤル17は筐体1
1の肩部に、動作をツボ探索からツボ刺激に又はツボ刺
激からツボ探索に切り換えるプッシュスイッチ18は筐
体11の左側面中央部に、電池37を挿入するための蓋
11aは図6に示すように筐体11の右側面下部に、そ
れぞれ設けられている。第一電極12は、プラスチック
で形成された筐体11の表面を金又はクロム等によりメ
ッキ処理を行うことにより形成される。第二電極13
は、絶縁部材19を介して筐体11に設けられ、第一電
極12とは電気的に絶縁されている。
【0022】図6に示す回路は、シングルチップのマイ
クロプロセッサ31と、マイクロプロセッサ31と発光
ダイオード15,16とブザー36に電圧を供給すると
共に、電極12と電極13の間に皮膚抵抗値測定用の電
圧を供給する電源部と、電極12と電極13の間にツボ
刺激用の高電圧を供給する高圧電源部と、電極12と電
極13の間に皮膚抵抗値測定用の電圧を印加するための
スイッチであるトランジスタ32と、電極12と電極1
3の間にツボ刺激用の高電圧を印加するためのスイッチ
であるトランジスタ41と、ブザー36に電圧を印加す
るためのスイッチであるトランジスタ35とを有する。
【0023】マイクロプロセッサ31は、ツボ探索回路
及びツボ刺激回路の制御部を含むものであり、後述する
測定部と演算部と判断部を含む。電源部は、コイル52
と、ダイオード53と、電解コンデンサ54と、昇圧型
スイッチングレギュレータ51を有する。高圧電源部
は、コイル43と、ダイオード44と、電解コンデンサ
42と、トランジスタ45を有する。
【0024】次に、ツボ探索刺激装置1の動作、すなわ
ち、図6に示すツボ探索回路及びツボ刺激回路の動作に
ついて説明する。電源スイッチを兼ねたパルス出力電圧
調節ダイヤル17により電源がオンになると、シングル
チップのマイクロプロセッサ31が初期化され、図7乃
至図9に示すフローチャートに従って処理が開始され
る。
【0025】ステップS1〜ステップS41では、ツボ
探索回路によりツボの探索を行う。ステップS1では、
マイクロプロセッサ31は端子31aの出力をローとす
ると共に端子31bの出力をハイとする。これにより、
発光ダイオード15は点灯し、発光ダイオード16は消
灯する。ステップS2では、マイクロプロセッサ31は
皮膚抵抗値の測定回数Nを0とする。
【0026】ステップS3では、マイクロプロセッサ3
1は端子31cをローとする。これにより、トランジス
タ32は導通状態となる。一方、昇圧型スイッチングレ
ギュレータ51は端子51aと端子51bの間を交互に
導通、開放してスイッチング動作している。このため、
電池37が出力する電圧はコイル52で昇圧され、その
後、整流ダイオード53及び電解コンデンサ54で整
流、平滑されて一定の電圧値になる。この一定の電圧値
は、トランジスタ32が導通状態となることにより基準
抵抗33及びダイオード34を経由して第一電極12と
第二電極13の間に印加される。本実施例では、第一電
極12と第二電極13の間が開放状態のときに、第一電
極12と第二電極13の間に5Vの電圧が印加される。
【0027】ステップS4では、マイクロプロセッサ3
1はアナログ入力部31dに入力された電圧Vd を検知
することにより、第一電極12及び第二電極13が皮膚
に接触しているか否かを判断する。電圧Vd が5Vのと
きは第一電極12と第二電極13の間が開放されている
ので、第一電極12及び第二電極13が皮膚に接触して
いないと判断し、ステップS5に移行する。これに対
し、電圧Vd が5Vより低いときは第一電極12と第二
電極13の間に抵抗が接続されているので、第一電極1
2及び第二電極13が皮膚に接触していると判断し、ス
テップS6に移行する。
【0028】ステップS6では、マイクロプロセッサ3
1に内蔵された測定部により、第一電極12と第二電極
13の間の皮膚抵抗値を測定する。第一電極12と第二
電極13の間に5Vの電圧が印加された状態で、第一電
極12を手で把持し、第二電極13を皮膚表面に接触さ
せると、5Vの電圧を基準抵抗33と第一電極12と第
二電極13の間の皮膚抵抗とにより分割した電圧V
d が、マイクロプロセッサ31のアナログ入力部31d
に入力される。マイクロプロセッサ31は、アナログ入
力部31dに入力された電圧Vd を第一電極12と第二
電極13の間の抵抗値Rt に変換処理する。変換式は、
基準抵抗33をRs とすると、 Rt = ( Vd /(5-Vd ))・ Rs で表される。ここで、Rt ,Rs の単位はオームであ
り、また、Vd の単位はボルトである。尚、本実施例で
は、ステップS1〜ステップS41に示すツボ探索の動
作が約100m秒で一巡する。したがって、ステップS
6に示す皮膚抵抗値の測定は約100m秒毎に行われ
る。
【0029】ステップS7では、マイクロプロセッサ3
1は皮膚抵抗値の測定回数Nに1を加算する(N=N+
1)。ステップS8では、マイクロプロセッサ31に内
蔵された演算部により、ステップS6で約100m秒毎
に測定された複数の皮膚抵抗値の概算平均値を算出す
る。ここで、概算平均値とは、ステップS6で約100
m秒毎に測定された複数の皮膚抵抗値にそれぞれ測定時
期に基づく重み付け係数を乗じて和をとった重み付き平
均値である。ステップS6で測定された複数の皮膚抵抗
値を測定時期の古い順にR(1) 〜R(n) (nは皮膚抵抗
値の測定回数Nを表す)とし、皮膚抵抗値R(1) 〜R
(n) の概算平均値をHとすると、概算平均値をHは、 H=a(1) (1) + a(2) (2) + a(3) (3) ・・・・・・
+ a(n) (n) 但し、a(1) + a(2) + a(3)・・・・・・・・・+ a(n) =1 で表すことができる。尚、概算平均値の算出方法につい
ては後述する。
【0030】ステップS9では、マイクロプロセッサ3
1は皮膚抵抗値の測定回数Nが6以上であるか否かを判
断する。後述する概算平均値の算出方法では、ステップ
S6で測定された皮膚抵抗値が6個未満の場合、それぞ
れの皮膚抵抗値に乗ずる重み付け係数の総和は1より小
さく、また、皮膚抵抗値の数の増加に対する変化の度合
いが大きいので、概算平均値を重みつき平均値として扱
うことは妥当でない。これに対し、ステップS6で測定
された皮膚抵抗値が6個以上の場合、それぞれの皮膚抵
抗値に乗ずる重み付け係数の総和は1に近い値となり、
また、皮膚抵抗値の数が増加しても略一定値で安定する
ので、概算平均値を重みつき平均値として扱うことが可
能である。皮膚抵抗値の測定回数Nが6以上のときはス
テップS10に移行し、皮膚抵抗値の測定回数Nが6未
満のときはステップS13に移行する。
【0031】ステップS10では、マイクロプロセッサ
31はステップS8で算出した概算平均値を比較値とし
て固定する。ステップS11では、マイクロプロセッサ
31はステップS6で最も新しく測定された皮膚抵抗値
がステップS10で固定された比較値より大きいか否か
を判断する。人体の皮膚のうち、ツボが点在する部位の
電気的抵抗値は、他の部分の電気的抵抗値に比べて著し
く低い。したがって、皮膚抵抗値を測定することによ
り、ツボを探索することができる。第二電極13は皮膚
抵抗値を測定するセンサーの機能を有し、使用者はこの
第二電極13を皮膚表面上で滑らせながら移動すること
によりツボを見つける。この際、最も新しく測定された
皮膚抵抗値が比較値より大きいときは、第二電極13が
ツボの位置から遠ざかっているものと考えられる。これ
に対し、最も新しく測定された皮膚抵抗値が比較値より
小さいときは、第二電極13がツボの位置に近づいてい
るものと考えられる。最も新しく測定された皮膚抵抗値
が比較値より大きい場合、マイクロプロセッサ31はツ
ボの探索を継続するためにこの皮膚抵抗値を新たに比較
値として固定し(ステップS12)、その後、ステップ
S13に移行する。これに対し、最も新しく測定された
皮膚抵抗値が比較値より小さいときはステップS13に
移行する。
【0032】ステップS13では、マイクロプロセッサ
31は比較値が固定されているか否かを判断する。比較
値が固定されているときはステップS14に移行する。
これに対し、比較値が固定されていない場合、具体的に
はステップS6における皮膚抵抗値の測定が最初に行わ
れてから600m秒以上経過しておらず、このため、皮
膚抵抗値の測定回数Nが6未満のときは、ステップS5
に移行する。
【0033】ステップS14では、マイクロプロセッサ
31は比較値が20MΩ以上であるか否かを判断する。
これは、後述するランク付けを的確に行うためである。
比較値が20MΩ以上であるときはステップS16に移
行し、比較値が20MΩより小さいときはステップS1
5に移行する。
【0034】ステップS15では、マイクロプロセッサ
31に内蔵された判断部は、第二電極13がツボの位置
にどの程度近づいているかについて、通常のランク付け
を行う。ツボの抵抗値は、ツボの位置、個人差、皮膚表
面の発汗状態等により異なる。しかし、ツボの抵抗値と
ツボ周辺の抵抗値との比率は、ツボの位置、個人差、皮
膚表面の発汗状態等に影響されないことが経験的に知ら
れている。したがって、ステップS6で最も新しく測定
された皮膚抵抗値とステップS10又はステップS12
で固定された比較値との比率を観察することにより、第
二電極13がツボの位置にどの程度近づいたかを判断す
ることができる。但し、本発明者等は、図10に示すよ
うに、ツボの抵抗値とツボ周辺の抵抗値との比率が、ツ
ボ周辺の抵抗値が20MΩより小さい場合(通常のツボ
周辺の抵抗値)と20MΩ以上の場合(足の裏に点在す
るツボ周辺の抵抗値、高齢である人のツボ周辺の抵抗値
等が該当する)とでは明らかに異なることを確認した。
例えば、ツボ周辺の抵抗値が約3MΩであるときにはツ
ボの抵抗値は約300kΩであるのに対し、ツボ周辺の
抵抗値が約24MΩであるときにはツボの抵抗値は約7
MΩであった。このため、本実施例では、比較値が20
MΩより小さい場合と20MΩ以上である場合とでラン
ク付けの方法を変えている。
【0035】通常のランク付けとは、比較値が20MΩ
より小さい場合のランク付けである。ステップS6で最
も新しく測定された皮膚抵抗値をR(n) (nは皮膚抵抗
値の測定回数Nを表す)とし、ステップS10又はステ
ップS12で固定された比較値をTとすると、通常のラ
ンク付けは下記の要領で行う。R(n) ≧T の場合、ラ
ンク無しとする。T>R(n) ≧T・(7/8)の場合、ランク
Dとする。T・(7/8)>R(n) ≧T・(3/4)の場合、ランク
Cとする。T・(3/4)>R(n) ≧T・(1/2)の場合、ランク
Bとする。T・(1/2)>R(n) の場合、ランクAとする。
ここで、ランク無しは、第二電極13がツボの位置から
かなり離れている状態を示す。ランクDは、第二電極1
3はランク無しのときよりもツボの位置に近づいている
が、まだかなり離れている状態を示す。ランクCは、第
二電極13がランクDのときよりもツボの位置に近づい
ている状態を示す。ランクBは、第二電極13がランク
Cのときよりもツボの位置に近づき、殆どツボに近い位
置で接触している状態を示す。ランクAは、第二電極1
3がツボに接触している状態を示す。ステップS15で
のランク付けが終了した後、ステップS17に移行す
る。
【0036】一方、ステップS16では、マイクロプロ
セッサ31に内蔵された判断部は、第二電極13がツボ
の位置にどの程度近づいているかについて、微小変化に
対応したランク付けを行う。微小変化に対応したランク
付けとは、比較値が20MΩ以上の場合のランク付けで
ある。微小変化に対応したランク付けは下記の要領で行
う。R(n) ≧T・(3/4)の場合、ランク無しとする。T・
(3/4)>R(n) ≧T・(9/16) の場合、ランクDとする。
T・(9/16) >R(n) ≧T・(27/64)の場合、ランクCとす
る。T・(27/64)>R(n) ≧T・(81/256) の場合、ランク
Bとする。T・(81/256) >R(n) の場合、ランクAとす
る。尚、ランク無し、ランクD、ランクC、ランクB及
びランクAの意味は、ステップS15で説明したものと
同様である。ステップS16でのランク付けが終了した
後、ステップS17に移行する。
【0037】第一電極12及び第二電極13が皮膚に接
触していないと判断したとき(ステップS4)又は比較
値が固定されていないと判断したとき(ステップS1
3)は、ツボの探索を行うことができない。このため、
マイクロプロセッサ31に内蔵された判断部は、第二電
極13がツボの位置にどの程度近づいているかについ
て、ランク無しと判断し(ステップS5)、その後、ス
テップS17に移行する。
【0038】ステップS17では、マイクロプロセッサ
31は今回(測定回数N)決定されたランクが前回(測
定回数N−1)決定されたランクから変化したか否かを
判断する。ランクが変化したときはステップS19に移
行し、ランクが変化していないときはステップS18に
移行する。
【0039】ステップS19では、マイクロプロセッサ
31は今回決定されたランクがランク無しであるか否か
を判断する。ランク無しであるときはステップS20に
移行し、ランク無しでないときはステップS22に移行
する。
【0040】ステップS20では、マイクロプロセッサ
31は端子31aをローとすると共に端子31bをハイ
とする。これにより、発光ダイオード15は点灯し、発
光ダイオード16は消灯する。ステップS21では、マ
イクロプロセッサ31はステップS20で行われた表示
状態、すなわち、発光ダイオード15を点灯させ、発光
ダイオード16を消灯させた状態を維持するための表示
待ち時間(500m秒)を指示する。そして、ステップ
S41に移行する。
【0041】ステップS22では、マイクロプロセッサ
31は今回決定されたランクがランクDであるか否かを
判断する。ランクDであるときはステップS23に移行
し、ランクDでないときはステップS27に移行する。
【0042】ステップS23では、マイクロプロセッサ
31は端子31aをハイとすると共に端子31bをロー
とする。これにより、発光ダイオード15は消灯し、発
光ダイオード16は点灯する。また、マイクロプロセッ
サ31は同時に端子31eの出力をハイとしてトランジ
スタ35を導通状態とすることにより、ブザー36を鳴
動する。ステップS24では、マイクロプロセッサ31
はステップS23での処理が開始されてから50m秒経
過したか否かを判断する。50m秒経過したときはステ
ップS25に移行し、50m秒経過していないときは5
0m秒経過するまで待つ。ステップS25では、マイク
ロプロセッサ31は端子31bをハイとすると共に端子
31eの出力をローとする。これにより、発光ダイオー
ド16は消灯し、ブザー36の鳴動は停止する。ステッ
プS26では、マイクロプロセッサ31はステップS2
5で行われた表示状態、すなわち、発光ダイオード15
及び発光ダイオード16を消灯させ、ブザー36の鳴動
を停止させた状態を維持するための表示待ち時間(80
0m秒)を指示する。そして、ステップS41に移行す
る。
【0043】ステップS27では、マイクロプロセッサ
31は今回決定されたランクがランクCであるか否かを
判断する。ランクCであるときはステップS28に移行
し、ランクCでないときはステップS32に移行する。
ステップS32では、マイクロプロセッサ31は今回決
定されたランクがランクBであるか否かを判断する。ラ
ンクBであるときはステップS33に移行し、ランクB
でないとき、即ち、ランクAであるときはステップS3
7に移行する。
【0044】ステップS28〜ステップS31で行われ
る処理、ステップS33〜ステップS36で行われる処
理、及びステップS37〜ステップS40で行われる処
理は、ステップS23〜ステップS26で行われる処理
と同様である。但し、ステップS31、ステップS3
6、及びステップS40で指示される表示待ち時間は、
それぞれ400m秒、200m秒、100m秒である。
【0045】ステップS17において、今回決定された
ランクと前回決定されたランクとが同一であると判断さ
れた場合、マイクロプロセッサ31はステップS21、
ステップS26、ステップS31、ステップS36又は
ステップS40で指示された表示待ち時間を経過したか
否かを判断する(ステップS18)。表示待ち時間を経
過していないときはステップS41に移行し、表示待ち
時間を経過したときはステップS19に移行する。
【0046】したがって、発光ダイオード16は、ラン
クDのときは850m秒周期で、ランクCのときは45
0m秒周期で、ランクBのときは250m秒周期で、ま
た、ランクAのときは150m秒周期で、それぞれ50
m秒間点灯を繰り返す。また、ブザー36は、発光ダイ
オード16の点灯に合わせて鳴動する。尚、ランク無し
の場合、発光ダイオード15が点灯する。発光ダイオー
ド16は点灯せず、また、ブザー36は鳴動しない。
【0047】ステップS41では、マイクロプロセッサ
31はプッシュスイッチ18が押されたか否かを判断す
る。マイクロプロセッサ31の端子31fが電池37の
−側に接続されているとき、すなわち、プッシュスイッ
チ18が押されたときは、ステップS42に移行し、端
子31fが電源37の−側に接続されていないとき、す
なわち、プッシュスイッチ18が押されていないとき
は、ステップS4に移行し、プッシュスイッチ18が押
されるまでステップS4〜ステップS41に示すツボの
探索を繰り返し行う。
【0048】ステップS42では、ツボ探索回路の動作
を停止する。先ず、マイクロプロセッサ31は端子31
cの出力をハイとしてトランジスタ32を開放状態とす
ることにより、第一電極12と第二電極13の間の電圧
印加を停止する。次に、端子31a及び端子31bの出
力をハイとして発光ダイオード15及び発光ダイオード
16を消灯すると共に、端子31eの出力をローとして
トランジスタ35を開放状態とすることにより、ブザー
36の鳴動を停止する。
【0049】ステップS43〜ステップS46では、ツ
ボ刺激回路によりツボの電気的刺激を行う。ステップS
43では、電解コンデンサ42にコイル43により昇圧
された電圧を供給する。コイル43、整流ダイオード4
4、電解コンデンサ42及びトランジスタ45は、昇圧
スイッチング回路を構成しており、マイクロプロセッサ
31が端子31gにハイとローとを交互に出力すること
により、トランジスタ45をスイッチング動作させて電
解コンデンサ42に電圧を供給する。尚、電解コンデン
サ42に供給される電圧は100V程度である。ステッ
プS44では、マイクロプロセッサ31は端子31aに
ハイとローとを交互に出力することにより、発光ダイオ
ード16を点滅すると共に、端子31eの出力をハイと
してトランジスタ35を導通状態とすることにより、ブ
ザー36を鳴動する。
【0050】ステップS45では、マイクロプロセッサ
31は端子31hにハイとローとを交互に出力すること
により、トランジスタ41をスイッチング動作させて電
解コンデンサ42に供給された電圧を第一電極12と第
二電極13の間に低周波電圧パルスとして出力する。第
一電極12は、電源37の−側に接続されているので、
低周波電圧パルスは第二電極13から出力される。これ
により、ツボに電気的刺激を与え治療を行う。尚、電気
的刺激の強さは、パルス出力電圧調節ダイヤル17を操
作して電圧パルスの振幅を変えることにより調整するこ
とができる。
【0051】ステップS46では、プッシュスイッチ1
8が再度押されたか否かを判断する。マイクロプロセッ
サ31の端子31fが−側に接続されていないとき、す
なわち、プッシュスイッチ18が再度押されたときはス
テップS12に移行し、端子31fが電源37の−側に
接続されているとき、すなわち、プッシュスイッチ18
が再度押されていないときはステップS43に移行し、
プッシュスイッチ18が押されるまでステップS43〜
ステップS46に示すツボの刺激を繰り返し行う。
【0052】ステップS47では、ツボ刺激回路の動作
を停止する。先ず、マイクロプロセッサ31は端子31
hの出力をローとしてトランジスタ41を開放状態とす
ることにより、第一電極12と第二電極13の間への低
周波電圧パルスの出力を停止すると共に、端子31gの
出力をローとしてトランジスタ45を開放状態とするこ
とにより、電解コンデンサ42への電圧供給を停止す
る。尚、電解コンデンサ42にチャージされた電圧は放
電用抵抗Rdを介して放電される。次に、端子31bの
出力をハイとして発光ダイオード16を消灯すると共
に、端子31eの出力をローとしてトランジスタ35を
開放状態とすることによりブザー36の鳴動を停止す
る。
【0053】ステップS48では、パルス出力電圧調節
ダイヤル17により電源がオンであるか否かを判断す
る。電源がオンであるときには、図7に示すフローのス
テップS1に戻り、電源がオフであるときには、このフ
ローチャートに従った処理を終了する。
【0054】次に、ステップS8で行われた概算平均値
の算出方法について説明する。マイクロプロセッサ31
に内蔵された演算部は、図11に示すように、平均値算
出手段62a,62b,62c,62dが直列に接続さ
れて構成されている。平均値算出手段62a〜62d
は、記憶手段に記憶された前回出力した値と今回新たに
入力された値とを加算した後、この加算された値に1/
2を乗ずる。これにより、前回出力した値と今回入力さ
れた値との平均値を算出する。
【0055】測定部により約100m秒毎に測定された
皮膚抵抗値を測定時期の古い順にR(1) 〜R(n) (nは
測定回数Nを表す)とし、皮膚抵抗値R(1) 〜R(n)
概算平均値をH(n) とした場合、演算部の動作を式で表
すと、 H(n) =( H3(n)+H(n-1) )/2 H3(n)=( H2(n)+H3(n-1))/2 H2(n)=( H1(n)+H2(n-1))/2 H1(n)=( R(n) +H1(n-1))/2 但し、H(0) =H3(0)=H2(0)=H1(0)=0 となる。ここで、H3(n)は平均値算出手段62cから出
力された値、H2(n)は平均値算出手段62bから出力さ
れた値、H1(n)は平均値算出手段62aから出力された
値である。
【0056】概算平均値H(n) を皮膚抵抗値R(1) 〜R
(n) で表すと、 H(n) =(1/16)・ R(n) +(4/32)・R(n-1) +(10/64)・ R
(n-2)+(20/128)・R(n-3) +(35/256)・R(n-4) +(56/512)
・R(n-5) ・・・・・・・・ となる。この式は、皮膚抵抗値R(1) 〜R(n) にそれぞ
れ測定時期に基づく重み付け係数を乗じて和をとった重
みつき平均値を表す式、 H(n) =a(n) (n) + a(n-1) (n-1) + a(n-2)
(n-2)・・・・・・・・+ a(2) (2) + a(1) (1) 但し、a(n) + a(n-1) + a(n-2)・・・・・・・・・+ a(2) +
(1) =1 と同じ形である。したがって、皮膚抵抗値R(1) 〜R
(n) のそれぞれに乗ずる重み付け係数の総和が1又は1
に近い値で安定していれば、概算平均値H(n) を重み付
き平均値として扱うことができる。皮膚抵抗値R(1)
(n) のそれぞれに乗ずる重み付け係数の総和は、図1
2に示すように、皮膚抵抗値の数が6個未満のときは1
よりかなり低く、また、皮膚抵抗値の数の増加に対する
変化の度合いが大きい。一方、皮膚抵抗値の数が6個以
上のときは1に近い値となり、また、皮膚抵抗値の数が
増加してもそれほど変化せず略一定値となる。しだがっ
て、本実施例では、皮膚抵抗値の数が6個以上であると
き、すなわち、測定回数Nが6以上であるときは、ステ
ップS8で算出した概算平均値を比較値として使用する
こととし、測定回数Nが6未満であるときは、ステップ
S8で算出した概算平均値を比較値として使用しないこ
ととしている。
【0057】皮膚抵抗値R(1) 〜R(n) のそれぞれに乗
ずる重み付け係数の値は、図13に示すように、2回前
〜4回前に測定された皮膚抵抗値、すなわち、200〜
400m秒前に測定された皮膚抵抗値R(n-2) 〜R
(n-4) に乗ずるものが最も大きくなるように設定してい
る。したがって、皮膚抵抗値が発汗等により突発的に変
化したような場合でもツボ周辺の抵抗値に近い値を算出
することが可能である。
【0058】本実施例によれば、使用者が第一電極12
を手で把持して第二電極13を皮膚表面に接触させて移
動したときに、マイクロプロセッサ31に内蔵された測
定部により第一電極12と第二電極13の間の皮膚抵抗
値を測定すると共に、マイクロプロセッサ31に内蔵さ
れた演算部により測定された複数の皮膚抵抗値の概算平
均値を算出する。そして、マイクロプロセッサ31に内
蔵された判断部により最も新しく測定された皮膚抵抗値
と概算平均値とを比較することによって第二電極13が
ツボに近づいているか否かを判断する。これにより、ツ
ボの探索は、第一の電極と第二の電極の間の皮膚抵抗値
を、固定された基準抵抗値との比較ではなく、測定され
た複数の皮膚抵抗値の概算平均値との比較により行うの
で、個人差や皮膚表面の発汗状態等に影響を受けること
なくツボを正確に探索することができる。
【0059】また、上記のようにしてツボを探索した後
に、第二電極13から低周波電圧パルスを出力すること
により、ツボを加熱することなく電気的に刺激を与えて
治療を行うので、ツボを損傷破壊することもない。
【0060】さらに、全体を手で把持することができる
大きさの筐体11の表面全体に第一電極12を形成した
ことにより、一方の手で筐体11を把持することによ
り、同時に第一電極12を手で握ることがき、したがっ
て容易に片手で操作することができる。
【0061】加えて、筐体11の端部に棒状に第二電極
13を形成したことにより、たとえば、全身から投影さ
れたツボが多数集まっているとされる複雑な耳のツボ等
の探索及び治療をも確実に行うことができる。
【0062】また、概算平均値として、測定された複数
の皮膚抵抗値にそれぞれ測定時期に基づく重み付け係数
を乗じて和をとった重み付き平均値を用い、且つ、重み
付け係数のピーク値が200〜300m秒前に測定され
た皮膚抵抗値に掛かってくるようにしたことにより、皮
膚抵抗値が発汗等により突発的に変化したような場合で
もツボ周辺の抵抗値に近い値を算出することが可能とな
る。
【0063】さらに、マイクロプロセッサ31に内蔵さ
れた演算部を、前回出力した値と今回入力された値との
平均値を出力する平均値算出手段62a〜62bを直列
に接続して構成したことにより、測定部により測定され
た皮膚抵抗値を記憶するためのメモリが不要になる。
【0064】加えて、マイクロプロセッサ31に内蔵さ
れた判断部で決定されたランクに基づき発光ダイオード
16の点滅周期を段階的に変えたことにより、使用者は
第二電極13がツボに近づいているか否かを視覚を通じ
て知ることができる。
【0065】また、マイクロプロセッサ31に内蔵され
た判断部で決定されたランクに基づきブザー36の鳴動
周期を段階的に変えたことにより、使用者は第二電極1
3がツボに近づいているか否かを聴覚を通じて知ること
ができる。
【0066】さらに、ツボ探索回路及びツボ刺激回路に
シングルチップのマイクロプロセッサ31を利用し、こ
れを筐体11に内設したことにより、装置本体をより小
型化することができるので、携帯性の向上を図ることが
できる。
【0067】加えて、プラスチックで形成された筐体1
1の表面にメッキ処理を施すことによって第一電極12
を形成したことにより、筐体の表面全体に第一電極を容
易に形成することができる。
【0068】尚、この種の装置には、表面に粘着性の電
極パッドが取り付けられた電極を電線を介して装置本体
から引出し、電極パッドを皮膚表面に接着させて電気的
刺激を与え治療を行うものがあるが、かかる装置では、
電極パッドを皮膚表面に接着させたときに不快感を伴う
場合がある。本実施例では、この不快感を伴わずに治療
することができるという利点もある。
【0069】本発明は、上記の実施例に限定されるもの
ではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能であ
る。たとえば、本実施例では、プラスチックで形成され
た筐体11の表面にメッキ処理を施すことによって第一
電極12を形成したものについて説明したが、筐体11
に金属又は導電性プラスチックを用いることにより第一
電極を形成してもよい。また、第一電極は筐体の表面の
一部に形成するようにしてもよい。さらに、第二電極1
3は円錐状等であってもよい。
【0070】
【発明の効果】以上説明したように請求項1記載の発明
によれば、前記の構成としたことにより、正確にツボを
探索することができると共に、ツボを損傷破壊すること
なく刺激して治療することができ、しかも、持ち運びに
便利で操作が容易なツボ探索刺激装置を提供することが
できる。
【0071】請求項2記載の発明によれば、前記の構成
としたことにより、請求項1記載の発明の効果に加え
て、皮膚抵抗値が発汗等により突発的に変化したような
場合でも、ツボ周辺の抵抗値に近い値の概算平均値を算
出することが可能なツボ探索刺激装置を提供することが
できる。
【0072】請求項3記載の発明によれば、前記の構成
としたことにより、請求項1記載の発明の効果に加え
て、測定部により測定された皮膚抵抗値を記憶するため
のメモリが不要なツボ探索刺激装置を提供することがで
きる。
【0073】請求項4記載の発明によれば、前記の構成
としたことにより、上記の発明の効果に加えて、使用者
に第二の電極がツボに近づいているか否かを視覚を通じ
て知ることができるツボ探索刺激装置を提供することが
できる。
【0074】請求項5記載の発明によれば、前記の構成
としたことにより、上記の発明の効果に加えて、使用者
に第二の電極がツボに近づいているか否かを聴覚を通じ
て知ることができるツボ探索刺激装置を提供することが
できる。
【0075】請求項6記載の発明によれば、前記の構成
としたことにより、上記の発明の効果に加えて、装置を
より小型化することができるツボ探索刺激装置を提供す
ることができる。
【0076】請求項7記載の発明によれば、前記の構成
としたことにより、上記の発明の効果に加えて、筐体の
表面全体に第一の電極を容易に形成することができるツ
ボ探索刺激装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるツボ探索刺激装置の正
面図である。
【図2】図1に示すツボ探索刺激装置の背面図である。
【図3】図1に示すツボ探索刺激装置の右側面図であ
る。
【図4】図1に示すツボ探索刺激装置の左側面図であ
る。
【図5】図1に示すツボ探索刺激装置の平面図である。
【図6】図1に示すツボ探索刺激装置に用いられるツボ
探索回路及びツボ刺激回路の概略図である。
【図7】図1に示すツボ探索刺激装置の動作を説明する
ためのフローチャートである。
【図8】図1に示すツボ探索刺激装置の動作を説明する
ためのフローチャートである。
【図9】図1に示すツボ探索刺激装置の動作を説明する
ためのフローチャートである。
【図10】ツボ及びツボ周辺の抵抗値を示す図である。
【図11】図6に示すマイクロプロセッサに内蔵された
演算部の概略ブロック図である。
【図12】測定された皮膚抵抗値の数と重み付け係数の
総和の関係を示す図である。
【図13】皮膚抵抗値の測定時期と重み付け係数との関
係を示す図である。
【符号の説明】
1 ツボ探索刺激装置 11 筐体 12 第一電極 13 第二電極 14 表示部 15,16 発光ダイオード 17 パルス出力電圧調節ダイヤル 18 プッシュスイッチ 19 絶縁部材 31 マイクロプロセッサ 32,35,41,45 トランジスタ 33 基準抵抗 34,44,53 ダイオード 36 ブザー 37 電池 42,46,54 電解コンデンサ 43,52 コイル 51 昇圧型スイッチングレギュレータ 62a,62b,62c,62d 平均値算出手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) A61H 39/00 - 39/02

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 筐体の表面に形成された第一の電極と、
    前記第一の電極と電気的に絶縁され且つ前記筐体から突
    出した状態で設けられた第二の電極と、前記筐体に内設
    されたツボを探索するツボ探索手段と、前記筐体に内設
    された前記第二の電極からツボを刺激する電圧パルスを
    出力するツボ刺激手段とを備え、 前記ツボ探索手段は、前記第一の電極と前記第二の電極
    の間の皮膚抵抗値を測定する測定手段と、前記測定手段
    により測定された複数の皮膚抵抗値の概算平均値を算出
    する演算手段と、前記測定手段により最も新しく測定さ
    れた前記皮膚抵抗値と前記概算平均値とを比較すること
    により前記第二の電極がツボに近づいているか否かを判
    断する判断手段と、 を有することを特徴とするツボ探索刺激装置。
  2. 【請求項2】 前記概算平均値は、前記測定手段により
    測定された複数の前記皮膚抵抗値にそれぞれ測定時期に
    基づく重み付け係数を乗じて和をとった重みつき平均値
    であることを特徴とする請求項1記載のツボ探索刺激装
    置。
  3. 【請求項3】 前記演算手段は、前回出力した値と今回
    入力された値との平均値を出力する平均値算出手段が複
    数個直列に接続されて構成されていることを特徴とする
    請求項1記載のツボ探索刺激装置。
  4. 【請求項4】 前記判断手段の結果に基づき点滅周期を
    段階的に変えて発光ダイオードを点滅する第一の報知手
    段を設けたことを特徴とする請求項1,2又は3記載の
    ツボ探索刺激装置。
  5. 【請求項5】 前記判断手段の結果に基づき鳴動周期を
    段階的に変えてブザーを鳴動する第二の報知手段を設け
    たことを特徴とする請求項1,2,3又は4記載のツボ
    探索刺激装置。
  6. 【請求項6】 前記ツボ探索手段及び前記ツボ刺激手段
    をシングルチップのマイクロプロセッサにより構成した
    請求項1,2,3,4又は5記載のツボ探索刺激装置。
  7. 【請求項7】 前記第一の電極は、プラスチックで形成
    された前記筐体の表面にメッキ処理を施すことにより形
    成されたものである請求項1,2,3,4,5又は6記
    載のツボ探索刺激装置。
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