JP2753663B2 - モノリシックレーザーダイオードアレー - Google Patents

モノリシックレーザーダイオードアレー

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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一次元または二次元レー
ザーダイオードアレーに関し、特に、レーザー発生装置
に使用される組立用ユニットとして、モノリシックまた
は非モノリシックの単一または複数のレーザーダイオー
ドを基板上に配置するための構造と、このような組立用
ユニットの製造方法に関する。本発明のレーザーダイオ
ードアレーは高パワーの半導体レーザーダイオードアレ
ーからなり、特に、衛生通信、エネルギー分野、大気状
態の遠隔観測、レンジファインダー、同位体の分離、光
学的読み取り装置、計算機、レーザー加工機、レベル探
知機並びに遠隔探知機等に利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】本出願人は、特願平２−４１５６７６号
において、従来のレーザーパッキング技術とその欠点に
ついて紹介しており、前記出願ではモノリシック基板上
にレーザーダイオードを配置することによりレーザーダ
イオードアレーを安価で効率的に製造することを提案し
ている。
【０００３】図８は、前記出願に記載されたモノリシッ
ク基板１０を示す。基板１０は、例えばＢｅＯ（小粒径
のＢｅＯ），ＡｌＮ，もしくは高い熱伝導率を有する材
料により形成されている。基板１０は当初は大きく形成
されているが、後の製造工程でより小さなアレーに切断
される。基板１０には溝２０が形成され、溝２０の底部
は円弧状をなしている。
【０００４】図９に示される金属化層３０は、Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｎｉ，Ａｕ、Ａｇまたはこれらの合金もしくは基板
１０に十分に接着可能な適当な導電性を有する材料を用
いて形成される。基板を金属化することにより溝の大き
さが減少する。各溝の底部は、電気的な絶縁を保持する
ために、シャドーもしくはマスクを用いて金属化層を形
成しないようにしても良い。図１０に示されるように、
金属化の工程が終了した後、レーザーダイオード４０は
各アレーの中に組込まれる。
【０００５】図１１は鑞付け層７０を有する２次元アレ
ーモジュールと、選択的に配設されるＢｅＯからなる熱
スプレッダーと、絶縁点８０と電気的接続７５を示すも
のである。アレーからの熱は熱スプレッダーを介して放
熱され、熱の放熱方向（図で下方向）と逆の方向（図で
上方向）に発光する。熱スプレッダーを用いなくとも、
厚みの厚い基板１０を用いても良く、この場合は基板の
厚い底部が熱を拡散することになる。図１２は、図１１
のモジュールに鑞付け層８５を介して水で冷却された銅
吸熱部材９０が接着された構造を示している。ポリイミ
ド、ガラス繊維その他の絶縁部材９５をさらに設けても
良い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上に説明した構成で
は、アレーの製造が比較的簡単に行えるという利点があ
るものの、レーザーダイオードが組込まれるべき溝内に
おいて別個の工程にて形成された金属化層を必要とす
る、という観点で依然改良が望まれていた。そこで本発
明は、ダイオードが組込まれるべき溝を導電体とし、溝
内金属化層形成のための別個の製造工程を必要としない
レーザーダイオードアレーを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め本発明は、（ａ）実質的に非導電性な下部基板となる
非導電層と、該非導電層上に形成され複数の溝が形成さ
れた導電層と、（ｂ）該複数の溝に組み込まれた複数の
レーザーダイオードとを有し、該レーザーダイオードの
発光面が該導電層の主要面に対して平行に形成され、該
レーザーダイオードが該溝内に実質的に鉛直に設けられ
ているレーザーダイオードアレーを提供している。
【０００８】本発明では更に（ａ）下部はドーピングを
受けずに非導電性をなし、上部は高度にドーピングがな
されて導電性をなし複数の溝が形成されているモノリシ
ック基板と、（ｂ）該複数の溝に組み込まれた複数のレ
ーザーダイオードとを有し、該レーザーダイオードの発
光面が該上部の主要面に対して平行に形成され、該レー
ザーダイオードが該溝内に実質的に鉛直に設けられてい
るモノリシックレーザーダイオードアレーを提供してい
る。
【０００９】このようなレーザーダイオードアレーを製
造するために、従来の接合方法、成長方法、またはメッ
キ方法により、電気的絶縁層または半絶縁層と導電層と
が一体化される。しかる後に、導電層上に切削、エッチ
ング等により複数の溝を形成する。
【００１０】
【作用】絶縁層に溝を形成し該溝に金属化層を形成す
る、という煩雑な工程を必要とせず、当初から導電層を
用意し、そこに溝を形成するので、工程の簡略化が可能
となる。その場合に、絶縁層と導電層は物理的に互いに
分離され、それらを一体化してもよく（請求項１記載の
発明）、またモノリシック手法により半導体等の単一の
基板の上部にのみドーピングを行って導電体とし、その
下部に対してはドーピングを行わずに電気的抵抗がより
大きな層とすることもできる（請求項５記載の発明）。
いずれの場合でも溝は導電層に形成される。この溝は絶
縁層にまで達しているか、達していなくともよい。
【００１１】
【実施例】本発明のレーザーダイオードアレー及びその
製造方法について図１乃至図７に基づき説明する。図１
において、導電層１１０は絶縁層１００の上に設けられ
ている。導電層１１０は金属製の薄膜シートであり、絶
縁層１００の上に載置されるか、または金属メッキによ
り形成される。あるいはこの導電層は厚肉または薄肉の
フィルム材料であってもよい。絶縁層１００はセラミッ
ク、ダイヤモンド、ＢｅＯ（小粒径のＢｅＯ）、Ａｌ
Ｎ、シリコンやヒ化ガリウム等の真性(undoped)半導
体、その他の熱伝導性材料により構成される。単一のモ
ノリシック基板例えば半導体基板を設け、その一部には
ドーピングを施さないで非導電体とし、他部にドーピン
グを施して導電体としてもよい。 そして溝をドーピン
グの施された部分に形成する。次に本発明の第１実施例
について図１乃至図４に基づき説明する。
【００１２】導電層１１０と絶縁層１００とを互いに接
合するかまたは導電層１１０を絶縁層１００上で成長さ
せまたはメッキを行う。次に図２に示されるように、導
電層１１０の一部を取り除き、溝１２０（図３）を形成
する。溝１２０の形成は化学的エッチングや機械加工に
より行う。切削または旋削による機械加工を行う場合に
は、図３に示される側面図のように溝を絶縁層（非導電
層）１００にまで刻設することが可能である。
【００１３】絶縁層１００と導電層１１０の合計の厚さ
は好ましくは０．０５０乃至０．０７５インチであり、
溝の幅と深さはそれぞれ０．００４インチ、０．０２０
インチであり、詳細なサイズは特願平２−４１５６７６
号に記載されている。
【００１４】図４はレーザーバー２００が溝１２０に組
込まれた状態の実施例を示している。このレーザーバー
２００は溝１２０内に滴下され溝と結合される。電圧は
図５の左端に印可され、右端から出力される。またレー
ザー光はアレーの上端から発せられ、熱は下端から放散
される。
【００１５】図５はレーザーダイオードアレーの第２実
施例を示している。この例では、非導電体と導電体とを
個々に形成する代わりに、単一のドーピングが可能な基
板３００が用いられる。基板の材料としては、シリコン
が代表的ではあるが、ヒ化ガリウムその他の半導体材料
でもよい。基板３００は、高度にドーピングされ導電体
となる上部層３２０と、ドーピングを受けず非導電体と
なる下部層３１０を有する。第２実施例では、個々に基
板を形成してそれらを接合する代わりに、単一の材料を
用い、モノリシックな基板にドーピングを行なうこと
で、生産性が大きく向上する。ドーピング自体は、従来
の拡散法、イオン注入法、エピタキシャル法等により行
われる。拡散法の例について簡単に説明すると、密閉さ
れた水晶管に基板３００を入れて摂氏８００度乃至１３
００度に加熱する。その際に水晶管の中に調整された添
加物が供給される。添加物は半導体中に拡散し、半導体
の電気抵抗を変化させる。この方法では、半導体を用い
たレーザーマウントの製造のために必要とされる適切な
拡散の深さを容易に調節することができる。
【００１６】図１乃至図４に示される第１実施例と同様
に、レーザーバー３５０が溝３４０に組み込まれる。こ
のレーザーバー３５０は第１実施例と同様に溝に滴下さ
れ一体化される。
【００１７】図６乃至図７は、レーザーダイオードアレ
ーの第３実施例を示しており、溝の底部に向かってレー
ザー光の発光が必要とされる場合の例である。この実施
例の有用性について説明すると、現在のレーザーダイオ
ードバーは個々のエミッタを有し、それらは別個独立に
動作するために、個々のレーザーバーから発せられるレ
ーザー光は、非干渉性なものであるかまたは、個々のレ
ーザー光が混じりあったり、位相の異なるものとなる。
【００１８】そこで、個々のエミッタを協動させ、レー
ザー光を可干渉性なものとし、レーザーバーからのレー
ザー光の位相を合わせることが望まれる。そのために、
レーザー光の一部をレーザーバーの底部から発光させ
る。レーザーバーの底部から発せられたレーザー光は隣
接するエミッタからのレーザー光に作用して、可干渉性
の発光を促すのである。
【００１９】光透過性の高いマウント材料が有効であ
り、１本のレーザーバーの個々のエミッタが相互に作用
するのみならず、個々のレーザーバー同士が相互に作用
し、より高次元の可干渉性なレーザー光がアレー全体で
提供可能となる。
【００２０】図６に示されるように、下側の絶縁層５０
０上に上部導電層５１０が形成される。そしてレーザー
バー５２０が溝内に設けられる。図の右側にあるレーザ
ーバーは、左側のレーザーバーに比較して、アレー上方
へのレーザー光の発光は少ないが、またレーザーバー底
部からの発光は増加している。このような動作態様はア
レー要素の相互作用を必要とされる場合に有益である。
【００２１】図７の左端のレーザーバーに示されるよう
に、単一のレーザーバー５２０の各エミッタからのレー
ザー光は互いに作用し合ってそのレーザーバーについて
可干渉性の光線を生成する。更に、別々のレーザーバー
からの光線も互いに作用し合って可干渉性の光線が提供
される。図６、図７に示されるように、レーザーバー５
２０を配置している溝全体が導電体で取り囲まれている
のではなく、むしろ溝の底部には空間部が設けられて、
光線が溝の底部に向けて発射可能であるから、後者のよ
うな相互作用が可能となるのである。
【００２２】図１乃至図７に示される実施例のレーザー
ダイオードアレーは、図１１乃至図１２に示されるそれ
と関連する冷却構造、給電構造と共に用いられる。なお
これら関連部材以外のその他の冷却構造給電構造も当然
に用いることができる。また本発明のレーザーダイオー
ドアレー及びその製造方法は実施例に記載されたものに
限定されず、請求範囲に記載された発明の範囲内で種々
の変更、修正が可能であることはもちろんである。
【００２３】
【発明の効果】本発明のレーザーダイオードアレーによ
れば、絶縁層に溝を形成し該溝に金属化層を形成する、
という煩雑な工程を必要とせず、当初から導電層を用意
し、そこに溝を形成するので、工程の簡略化が可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に基づく絶縁体と導電体を
用いたレーザーダイオードアレー製造方法の１工程を示
した概略斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例に基づく絶縁体と導電体を
用いたレーザーダイオードアレー製造方法の次の工程を
示した概略斜視図である。
【図３】本発明の第１実施例による溝が形成されたレー
ザーダイオードアレーを示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施例による図３に示すレーザー
ダイオードアレーの溝にレーザーバーが組み込まれた状
態を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例によるドーピングされた基
板を用いたレーザーダイオードアレーを示す断面図であ
る。
【図６】本発明の第３実施例によるレーザーダイオード
アレーを示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施例によるレーザーダイオード
アレーの発光態様を示す断面図である。
【図８】特願平２−４１５６７６号等に示されたモノリ
シックレーザーダイオードアレーのモノリシック基板を
示す斜視図である。
【図９】特願平２−４１５６７６号等に示されたモノリ
シックレーザーダイオードアレーの金属化層を示す断面
図である。
【図１０】特願平２−４１５６７６号等に示されたモノ
リシックレーザーダイオードアレーのレーザーダイオー
ドが組み込まれた状態を示す断面図である。
【図１１】特願平２−４１５６７６号等に示されたモノ
リシックレーザーダイオードアレーに、熱スプレッダと
給電構成を具備した斜視図である。
【図１２】図１１にに示されたモノリシックレーザーダ
イオードアレーに吸熱部材を具備した斜視図である。
【符号の説明】
１００、３１０、５００： 絶縁層 １１０、３２０、５１０： 導電層 １２０、３４０： 溝 ２００、３５０、５２０： レーザーバー（レーザーダ
イオード） ３００： 基板

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 実質的に非導電性な下部基板となる非導
    電層と、 該非導電層上に形成され複数の溝が形成された導電層
    と、 該複数の溝に組み込まれた複数のレーザーダイオードと
    を有し、該レーザーダイオードの発光面が該導電層の主
    要面に対して平行に形成され、該レーザーダイオードが
    該溝内に実質的に鉛直に設けられていることを特徴とす
    るレーザーダイオードアレー。
  2. 【請求項２】 該非導電層は、セラミック、ダイヤモン
    ド、ＡｌＮ，ＢｅＯ、シリコン、ヒ化ガリウムのうちの
    いずれか１から形成されていることを特徴とする請求項
    １記載のレーザーダイオードアレー。
  3. 【請求項３】 該導電層は、金属シート、薄膜フィルム
    層、厚肉フィルム層、メッキ層のいずれか１から形成さ
    れていることを特徴とする請求項１記載のレーザーダイ
    オードアレー。
  4. 【請求項４】 該レーザーダイオードから発せられる光
    線の少なくとも一部が該レーザーダイオードアレーの底
    部に向かうように、該レーザーダイオードが該溝内に設
    けられていることを特徴とする請求項１記載のレーザー
    ダイオードアレー。
  5. 【請求項５】 下部はドーピングを受けずに非導電性を
    なし、上部は高度にドーピングがなされて導電性をなし
    複数の溝が形成されているモノリシック基板と、 該複数の溝に組み込まれた複数のレーザーダイオードと
    を有し、該レーザーダイオードの発光面が該上部の主要
    面に対して平行に形成され、該レーザーダイオードが該
    溝内に実質的に鉛直に設けられていることを特徴とする
    モノリシックレーザーダイオードアレー。
  6. 【請求項６】 該モノリシック基板が半導体材料により
    形成されていることを特徴とする請求項５記載のモノリ
    シックレーザーダイオードアレー。
  7. 【請求項７】 該半導体材料がシリコンまたはヒ化ガリ
    ウムのいずれか１により形成されていることを特徴とす
    る請求項６記載のモノリシックレーザーダイオードアレ
    ー。
  8. 【請求項８】 該レーザーダイオードから発せられる光
    線の少なくとも一部が該モノリシックレーザーダイオー
    ドアレーの底部に向かうように、該レーザーダイオード
    が該溝内に設けられていることを特徴とする請求項５記
    載のモノリシックレーザーダイオードアレー。
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5499262A (en) * 1992-03-18 1996-03-12 Rohm Co., Ltd. Semiconductor laser light source unit
US5394427A (en) * 1994-04-29 1995-02-28 Cutting Edge Optronics, Inc. Housing for a slab laser pumped by a close-coupled light source
FR2724495B3 (fr) 1994-06-07 1997-05-30 Thomson Csf Semiconducteurs Pile de barrettes de diodes laser, et son procede d'assemblage
FR2720872B1 (fr) * 1994-06-07 1996-07-05 Thomson Csf Semiconducteurs Pile de barrettes de diodes laser, et son procédé d'assemblage.
US6188707B1 (en) * 1995-03-20 2001-02-13 Timothy L. Irwin Mounting structure for laser diode bars
US5627850A (en) * 1995-03-20 1997-05-06 Paradigm Lasers, Inc. Laser diode array
CA2165262C (en) * 1995-12-14 2001-12-04 Bruno Labranche Multiple emitters laser diode assembly with graded-index fiber microlens
RU2130221C1 (ru) * 1996-04-23 1999-05-10 Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника" Матрица лазерных диодов
US5898211A (en) * 1996-04-30 1999-04-27 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode package with heat sink
US5778020A (en) * 1996-06-04 1998-07-07 Cj Laser, Inc. ND: YAG laser pump head
US5734672A (en) * 1996-08-06 1998-03-31 Cutting Edge Optronics, Inc. Smart laser diode array assembly and operating method using same
RU2117371C1 (ru) * 1996-09-30 1998-08-10 Акционерное общество закрытого типа "Энергомаштехника" Матрица лазерных диодов
US5835518A (en) * 1997-01-31 1998-11-10 Star Medical Technologies, Inc. Laser diode array packaging
US6240116B1 (en) 1997-08-14 2001-05-29 Sdl, Inc. Laser diode array assemblies with optimized brightness conservation
US6295307B1 (en) 1997-10-14 2001-09-25 Decade Products, Inc. Laser diode assembly
US5995289A (en) 1997-12-15 1999-11-30 The University Of Utah Research Foundation Laser beam coupler, shaper and collimator
US6259713B1 (en) 1997-12-15 2001-07-10 The University Of Utah Research Foundation Laser beam coupler, shaper and collimator device
US6072815A (en) * 1998-02-27 2000-06-06 Litton Systems, Inc. Microlaser submount assembly and associates packaging method
US6101205A (en) * 1998-03-31 2000-08-08 Opto Power Corporation Laser bar structure and method of fabrication
US6195376B1 (en) * 1998-03-31 2001-02-27 Opto Power Corporation Semiconductor laser array stack package & method of fabrication
US5913108A (en) * 1998-04-30 1999-06-15 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US6400740B1 (en) 1998-10-22 2002-06-04 Laser Diode Array, Inc. Laser diode apparatus with support structure
US6636538B1 (en) 1999-03-29 2003-10-21 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US6330259B1 (en) 1999-06-24 2001-12-11 Jonathan S. Dahm Monolithic radial diode-pumped laser with integral micro channel cooling
CA2284946A1 (en) 1999-10-04 2001-04-04 Institut National D'optique Laser diode array assembly made from a ridged monolithic substrate
US6782161B2 (en) 2001-02-05 2004-08-24 Derma Laser Inc. Laser diode apparatus provided with an aiming beam and injection method therefor
US6700913B2 (en) 2001-05-29 2004-03-02 Northrop Grumman Corporation Low cost high integrity diode laser array
EP1278278A1 (en) 2001-07-18 2003-01-22 Nanyang Technological University Diode pumped solid state laser
US6650668B2 (en) 2001-10-02 2003-11-18 Coherent, Inc. Cylindrical two-dimensional diode-laser arrays and method for making same
KR100421133B1 (ko) * 2001-12-18 2004-03-04 삼성전자주식회사 레이저 다이오드 바 정렬 장치
US6927086B2 (en) * 2002-09-24 2005-08-09 Decade Products, Inc. Method and apparatus for laser diode assembly and array
JP4564234B2 (ja) * 2003-02-17 2010-10-20 株式会社東芝 半導体発光素子
US7170919B2 (en) * 2003-06-23 2007-01-30 Northrop Grumman Corporation Diode-pumped solid-state laser gain module
US7495848B2 (en) * 2003-07-24 2009-02-24 Northrop Grumman Corporation Cast laser optical bench
US7016383B2 (en) * 2003-08-27 2006-03-21 Northrop Grumman Corporation Immersion-cooled monolithic laser diode array and method of manufacturing the same
US7305016B2 (en) 2005-03-10 2007-12-04 Northrop Grumman Corporation Laser diode package with an internal fluid cooling channel
US7529286B2 (en) * 2005-12-09 2009-05-05 D-Diode Llc Scalable thermally efficient pump diode systems
US7656915B2 (en) * 2006-07-26 2010-02-02 Northrop Grumman Space & Missions Systems Corp. Microchannel cooler for high efficiency laser diode heat extraction
US7864825B2 (en) 2006-08-10 2011-01-04 Lasertel, Inc. Method and system for a laser diode bar array assembly
US20080056314A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Northrop Grumman Corporation High-power laser-diode package system
US7724791B2 (en) * 2008-01-18 2010-05-25 Northrop Grumman Systems Corporation Method of manufacturing laser diode packages and arrays
WO2010017619A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Institut National D'optique Laser diode illuminator device and method for optically conditioning the light beam emitted by the same
US8345720B2 (en) * 2009-07-28 2013-01-01 Northrop Grumman Systems Corp. Laser diode ceramic cooler having circuitry for control and feedback of laser diode performance
CN102544302A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 郑榕彬 发光二极管液体直接冷却法和使用该方法的发光二极管封装件
US9590388B2 (en) 2011-01-11 2017-03-07 Northrop Grumman Systems Corp. Microchannel cooler for a single laser diode emitter based system
US8937976B2 (en) 2012-08-15 2015-01-20 Northrop Grumman Systems Corp. Tunable system for generating an optical pulse based on a double-pass semiconductor optical amplifier
CN104078834B (zh) * 2013-03-29 2018-01-02 山东华光光电子股份有限公司 一种大功率激光巴条双面封装的方法及其封装用烧结夹具
KR20130062969A (ko) * 2013-05-24 2013-06-13 한국전자통신연구원 웨이퍼 본딩을 사용한 수직 공진형 표면 방출 레이저 구조 및 제작 방법
US11025031B2 (en) 2016-11-29 2021-06-01 Leonardo Electronics Us Inc. Dual junction fiber-coupled laser diode and related methods
CA3109659C (en) 2018-08-13 2023-10-31 Leonardo Electronics Us Inc. Use of metal-core printed circuit board (pcb) for generation of ultra-narrow, high-current pulse driver
US11056854B2 (en) 2018-08-14 2021-07-06 Leonardo Electronics Us Inc. Laser assembly and related methods
US11296481B2 (en) 2019-01-09 2022-04-05 Leonardo Electronics Us Inc. Divergence reshaping array
US11752571B1 (en) 2019-06-07 2023-09-12 Leonardo Electronics Us Inc. Coherent beam coupler
EP4239814A1 (en) * 2022-03-01 2023-09-06 Leonardo Electronics US Inc. High peak power laser diode assembly

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1597707A (en) * 1978-03-08 1981-09-09 Aei Semiconductors Ltd Electronic component assemblies
JPS59151484A (ja) * 1983-02-18 1984-08-29 Agency Of Ind Science & Technol 半導体レ−ザ装置
JPH071794B2 (ja) * 1985-07-23 1995-01-11 松下電器産業株式会社 ハイブリッド光ｉｃ装置およびその製造方法
US4922378A (en) * 1986-08-01 1990-05-01 Texas Instruments Incorporated Baseboard for orthogonal chip mount
US4868839A (en) * 1988-03-14 1989-09-19 Trw Inc. Semiconductor laser array with nonplanar diffraction region
US4881237A (en) * 1988-08-26 1989-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Hybrid two-dimensional surface-emitting laser arrays
US5040187A (en) * 1990-01-03 1991-08-13 Karpinski Arthur A Monolithic laser diode array
US5031187A (en) * 1990-02-14 1991-07-09 Bell Communications Research, Inc. Planar array of vertical-cavity, surface-emitting lasers

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